【課題】感光特性に優れ、２５０℃以下での低温硬化が可能であり、硬化後の伸度が高く、１８０℃キュア時での体積収縮及び、１５０℃での均熱重量減少率が小さく、ソフトベーク後のコーティング膜をタックフリーとすることができ、ワニスの粘度変化率が少ない新規な感光性ポリオルガノシロキサン組成物を実現すること。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｅ）成分を含む感光性ポリオルガノシロキサン組成物。
（ａ）特定のポリオルガノシロキサン
（ｂ）光重合開始剤
（ｃ）光重合性の不飽和結合基を２つ以上有する、（ａ）成分以外の化合物
（ｄ）シリコーンレジン
（ｅ）５〜６員の窒素原子含有複素環基（芳香族性を持たないものも含む。）から選択される少なくとも１つの基を有する化合物 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いる低誘電率のシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


（ただし、式中、Ｒ¹は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基またはフルオロアルキル基、Ｒ²はアルキレン基またはアリーレン基を示し、Ｘはハロゲンまたはアルコキシ基であり、ｎは０〜２の整数を示す）で表せられるシラン化合物を加水分解縮重合させてなるポリシロキサン樹脂を含有するシリカ系被膜２形成用塗布液を基板１上に塗布し、５０〜２５０℃で乾燥した後、窒素雰囲気下２００〜６００℃で加熱硬化する。 （もっと読む）

【課題】標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜１００，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜５．０の範囲にある、特定の分子構造単位を持ったシリケートポリマーを提供する。
【解決手段】次式等で示される繰返し単位を含有するシリケートポリマー。高分子量でかつ溶液状態での保存安定性に優れ、このシリケートポリマーから得られる膜は、半導体用絶縁膜やガスバリア膜として好適に使用することができる。
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【課題】加工耐性が高いケイ素含有絶縁膜ならびにその形成方法、および当該膜を形成することができるケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるシラン化合物と、下記一般式（２）ないし（４）のうちから選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、を含む化学気相成長法に用いられるケイ素含有膜形成用組成物である。


・・・・・（１）（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、フェニル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示す。）Ｒ^６_ａＳｉ（ＯＲ^７）_４−ａ・・・・（２）Ｒ^８_ｂ（Ｒ^９Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^１２）_ｄ−Ｏ_ｅ−Ｓｉ（ＯＲ^１０）_３−ｃＲ^１１_ｃ・・・（３）−｛Ｒ^１３_ｆ（Ｒ^１４Ｏ）_２−ｆＳｉ−（Ｒ^１５）_ｇ｝_ｈ−・・・（４） （もっと読む）

【課題】可視光領域の波長における透過性にすぐれ、耐熱性が高く、クラック耐性や耐溶剤性に優れた膜を形成できる特性を有する新規シリコーン共重合体を提供する。
【解決手段】エポキシ基を有するシルセスキオキサン単位と、芳香族炭化水素基を有するシルセスキオキサン単位と、脂肪族炭化水素基を有するシルセスキオキサン単位とからなり、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと１〜９９重量％の割合で均一な液体となるシリコーン共重合体。 （もっと読む）

【課題】保存期間中に変性し難い膜形成用組成物、および当該組成物から得られるシリカ系膜を提供する。
【解決手段】膜形成用組成物は、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有し、かつ、下記一般式（１）で表される構造単位、および（１）式のＨがＣＨ_３およびＯＨおよびＯＲ（Ｒは１価の炭化水素基を示す）に置換わった構造単位をそれぞれ含むポリカルボシランと、下記一般式（５）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１つの有機溶剤と、を含む。


・・・・・（１）Ｒ¹Ｏ（ＣＨＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ）_aＲ^２ ・・・・・（５） （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記式（１）で表される繰り返し単位、及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する樹脂と、溶剤と、を含む。
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【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
【発明が解決しようとする課題】
フェノール価、カルボキシル価およびアミン価が低く、溶解性、耐熱性、難燃性および撥水性に優れ、オイルなどブリードアウト成分のないオルガノシロキサン共重合ポリエステルアミド樹脂を提供する。
【解決手段】
ジアミン成分、二価フェノール成分および芳香族ジカルボン酸成分を共重合して得ら
れるポリエステルアミド樹脂であって、前記ジアミン成分が下記式（１）であり、芳香族ジカルボン酸成分がテレフタル酸とイソフタル酸の混合物であり、テレフタル酸とイソフタル酸のモル比率が９０／１０〜１０／９０であり、構成成分中でジアミン成分の占める割合が０．０１質量％以上４０質量％以下であり、フェノール価、カルボキシル価およびアミン価がいずれも１００ｍｏｌ／ｔ以下であることを特徴とするオルガノシロキサン共重合ポリエステルアミド樹脂。
【化１】
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【課題】半導体素デバイスなどにおける低誘電率層間絶縁膜として使用するのに適した絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を含有する塗膜を基板上に形成した後、酸素雰囲気中で２５０〜３５０℃で焼成し、さらに水酸基と結合可能な架橋性化合物を含む媒体で処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを酸触媒により脱水縮合して得られるポリマーを含有することを特徴とする。
【化１】


（Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、少なくとも２つはヒドロキシル基、メトキシ基等から選ばれ、残りはメチル基、エチル基等から選ばれる。Ａはカゴ型構造を有する構造を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４のうち少なくとも２つはヒドロキシル基であり、残りは水素、メチル基、エチル基等から選ばれる。） （もっと読む）

【課題】貯蔵保管時にアルコキシシラン縮合物の分子量の増大が抑制されており、薄膜形成用組成物の粘度の上昇が生じ難く、従って、膜厚が均一であり、微細パターン形状を有する薄膜を高精度に形成することを可能とする薄膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシ基を有するアルコキシシランを水の存在下で加水分解縮合させることにより、アルコキシシラン縮合物と、水と、アルコキシ基に由来するアルコールとを含む溶液を得る工程と、溶液を加熱し、水とアルコールとを共沸させることにより、脱水し、薄膜形成用組成物を得る工程とを備え、得られた薄膜形成用組成物中に含まれているアルコキシシラン縮合物に対する残存アルコールのモル比が、アルコキシシラン縮合物の縮合速度Ｒに応じて図１の破線Ｘで囲まれている範囲内とされている、薄膜形成用組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率の絶縁膜を形成することができ、しかも表面平滑性が損なわれがたい、シルセスキオキサン系絶縁材料を提供する。
【解決手段】下記の式（１）で示す構造を有するポリシルセスキオキサンを含むことを特徴とする。
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【課題】低温プロセスで得ることができ、電気的絶縁性が高く、表面性状が良好なシルセスキオキサン系絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと、前記アルコキシシランの加水分解を促進するための酸触媒と、水と、第１の非プロトン性溶媒とを含む溶液を用意する工程と、前記溶液を０℃〜５０℃の温度に維持して加水分解する工程と、前記加水分解後に、前記溶液を５０℃〜７０℃の温度に維持し、加水分解重縮合を進行させる工程と、前記加水分解重縮合を進行させた後に、酸触媒及び副生成物を少なくとも留去するために減圧する工程と、減圧後に前記溶液を塗工する工程と、塗工された溶液を１５０℃〜１７０℃の温度で焼付けてシルセスキオキサン系膜を形成する工程とを備える、シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）一または複数の置換基を任意に有するスチリル基を分子内に少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを加水分解して得られる加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素−炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｃ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】シリコウエハーまたは有機薄膜上での塗布時の濡れ性、ＵＶ−ｉ線での感光特性に優れるポリオルガノシロキサン組成物、該組成物を用いた硬化レリーフパターン、及び半導体装置の提供。
【解決手段】 下記（ａ）〜（ｃ）の各成分を含むポリオルガノシロキサン組成物。
（ａ）少なくとも１種の特定のシラノール化合物、及び少なくとも１種の特定のアルコキシシラン化合物を混合し、触媒の存在下、積極的に水を添加することなく重合させる方法で得られる、ポリオルガノシロキサン１００質量部。
（ｂ）光重合開始剤０．２〜２０質量部。
（ｃ）非イオン性界面活性剤０．０１〜１０質量部。 （もっと読む）

【課題】 揮発性成分の少ない接着性に優れた硬化性組成物を提供する
【解決手段】 （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有する有機系化合物、（Ｂ）ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を必須成分として含有する硬化性組成物において、（Ｂ）成分中に、（Ｂ１）成分としてＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個および加水分解性ケイ素基を１分子中に少なくとも１個有する化合物を含有させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、透明性および耐光性のいずれにも優れるポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂、および、ポリボロシロキサンからなる前記光半導体素子封止用樹脂で封止している光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ケイ素化合物とホウ素化合物とを反応させることにより得られる、ポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂、および、ポリボロシロキサンからなる前記光半導体素子封止用樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる発光ダイオード装置。 （もっと読む）

【課題】 揮発性成分の少ない接着性に優れた硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個有する有機系化合物、（Ｂ）ＳｉＨ基を１分子中に少なくとも２個有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を必須成分として含有する硬化性組成物において、（Ａ）成分中にＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個および加水分解性ケイ素基を１分子中に少なくとも１個有する有機系化合物を含有させる。 （もっと読む）

【課題】電気・電子材料、例えば、半導体デバイス、多層配線基板の製造用として有用なポリオルガノシロキサン及びそれを用いた感光性樹脂組成物で、優れたキュア残膜率を有し、アルカリ現像可能な樹脂膜を形成することが可能なポリオルガノシロキサン及び感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定シラノール化合物（ａ）、特定アルコキシシラン（ｂ）、及び特定酸無水物構造を含むアルコキシシラン（ｃ）を触媒の存在下、積極的に水を添加することなく縮合させる方法で得られるポリオルガノシロキサン、及びこれを含有する感光性樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）