【課題】 プロセス適応性に優れるシリカ系絶縁膜の形成、すなわちシリカ系絶縁膜の機械強度を向上させるシリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】 （ａ）成分下記一般式（１）
【化１】


（ｂ）成分下記一般式（２）
【化２】


（ｃ）成分：前記（ａ）成分を溶解可能な溶媒及び
（ｄ）成分：オニウム塩
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物であって（ａ）成分の配合割合が（ｂ）成分１モルに対し０．０１モル〜０．６モルであるシリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜形成用組成物を基体上に塗布し、塗布された被膜を加熱して硬化膜を形成することを特徴とするシリカ系被膜の製造方法及びシリカ系被膜を有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く機械的強度が高い多孔質の絶縁膜を有する半導体装置の製造方法、並びにこのような多孔質絶縁膜の形成に好適な絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】基板１０上に、多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上にＳｉ−ＣＨ_３結合を３０〜９０％の割合で含有するシリコン化合物を含む第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上に第２の絶縁膜４０が形成された状態で紫外線を照射し、第１の絶縁膜３８を硬化させる工程とを有する。これにより、ＣＨ_３基を脱離する波長域を有する紫外線が第２の絶縁膜により十分に吸収され、第１の絶縁膜では紫外線キュアによる高強度化が優先的に進行するので、第２の絶縁膜の誘電率を増加することなく膜密度を向上することができる。 （もっと読む）

本発明は、ソフトリソグラフィーを使用して、分子膜を生成する方法を提供する。この方法は、成形性ポリマー組成物中に少なくとも１つのナノスケールの特徴形体を有するパターンを生成するステップと、前記パターンの少なくとも一つの部分を第１の基板に近接して配置するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】比誘電率が低く、かつ、ＣＭＰ耐性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物と、（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、（Ｃ）塩基性化合物の存在下で共縮合することを含む。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】ポリマーを構成するＳｉ原子にシリルメチル基が結合した新規なポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシラン化合物を縮合して得られるポリマー。
【化１】


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_３は、同一または異なり、それぞれハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、またはヒドロキシ基を示し、Ｙ_１〜Ｙ_３は、同一または異なり、アルキル基、アルケニル基、またはアリール基を示す） （もっと読む）

本発明は、珪素、炭素、酸素及び水素原子を有する少なくとも１つの膜母材前駆体と、少なくとも１つの、Ｒが、直鎖或いは分岐、飽和或いは不飽和炭化水素基若しくは環状飽和或いは不飽和炭化水素基の何れかである式（I）の孔形成化合物か、または、少なくとも１つの次の孔形成化合物の何れかを反応させることを含む、基板への低誘電率ｋの多孔膜を形成する方法であって、少なくとも１つの次の孔形成化合物は、1-メチル-4-（1-メチルエチル）-7-オキサビシクロ［2,2,1］ヘプタン、1,3,3-トリメチル-2-オキサビシクロ［2,2,1］オクタンあるいは1,8-シネオール若しくは1-メチル-4-（1-メチルエテニル）-7-オキサビシクロ［4,1,0］ヘプタンである方法、新規な前駆体混合物及び式（I）の化合物の基板上への低誘電ｋ膜の化学気相堆積での孔形成化合物としての使用に関する。
【化１】

（もっと読む）

【課題】感光性を有し、短時間で現像でき、かつ感光性組成物に由来した着色がない薄膜パターンを形成することを可能とするシリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜、トランジスタ、カラーフィルタ、有機ＥＬ素子、ゲート絶縁膜及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ＳｉＨ基を有する少なくとも１種のシリコン含有ポリマーと、光線もしくは放射線の照射により酸または塩基を発生する化合物とを含有し、シリコン含有ポリマーが、下記式（１）で表される２個の加水分解性基を有する少なくとも１種のシラン化合物（Ａ）を重合して得られたポリマーからなり、シラン化合物（Ａ）が、ＳｉＨ基を有するシラン化合物を含む、シリコン含有感光性組成物。
ＳｉＨ_ｐ（Ｘ）_２（Ｒ_１）_２−ｐ・・・式（１） （もっと読む）

【課題】吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシランモノマーと、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーと、（Ｃ）加水分解性基含有カルボシランとを、塩基性触媒の存在下で共縮合することによって得られたポリマーと、有機溶剤と、を含有する。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】分子間の空隙を少なくし、緻密な絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜形成用組成物、及び絶縁膜からなる絶縁膜を提供する。また、この絶縁膜を使用することにより、低電圧駆動が可能で、かつ、駆動電圧値が安定した有機半導体素子を提供する。
【解決手段】シルセスキオキサン骨格を有する樹脂成分（Ａ）を含有する、有機半導体素子のゲート電極層と有機半導体膜層との層間に絶縁膜を形成するための絶縁膜形成用組成物であって、樹脂成分（Ａ）は下記一般式（ａ−１）で表される構造単位（ａ１）を有する樹脂（Ａ１）とした。


［式中、Ｘは炭素数１〜１５のアルキレン基又は炭素数６〜１５の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^１は水素原子又は炭素数１〜１５のアルキル基又は炭素数２〜１５のアルコキシアルキル基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは０又は１である。］ （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】誘電率やヤング率等の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物および／またはその重合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜およびその製造方法。
【化１】


一般式（Ｉ）中、Ｒ¹はそれぞれ独立して、同一でも異なっていてもよく、Ｒ¹のうち２〜４個が重合可能な基を表し、その他のＲ¹はアルキル基またはシクロアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子または半導体受光素子を封止材で封止した半導体光装置において、封止材が劣化し難く且つ吸水率が低い半導体光装置を提供する。
【解決手段】（ＡＲ^１Ｒ^２ＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｎ（Ｒ^３Ｒ^４ＨＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｐ(ＢＲ^５Ｒ^６ＳｉＯＳｉＯ_１．５)_ｑ（ＨＯＳｉＯ_１．５）_{ｍ−ｎ−ｐ−ｑ}（Ａは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、Ｂは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれた官能基、ｍは６，８，１０，１２から選ばれた数、ｎは１〜ｍ−１の整数、ｐは１〜ｍ−ｎの整数，ｑは０〜ｍ−ｎ−ｐの整数）
上記の式で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物の部分重合物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で均一な塗膜性に優れる絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物及び／またはその加水分解物及び／またはそれらの縮合物と有機溶剤を含む膜形成用組成物であって、該化合物及び／またはその加水分解物及び／またはそれらの縮合物が粒径２ｎｍから１５ｎｍの粒子状物である。


（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子または任意の置換基を表す。Ｘ₁は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｌ₁は２価の連結基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂のうち少なくとも１つは加水分解性基を表す。ｍは０または１を表し、ｍが０の場合ｎは３〜５の整数を表し、ｍが１の場合ｎは２〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、優れた耐ストレス性と優れた耐クラック性とを有する半導体装置用絶縁膜を得ることができる絶縁膜形成用組成物、その絶縁膜形成用組成物から得られる半導体装置用絶縁膜および、その半導体装置用絶縁膜を利用して得られる高品質で信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】 本絶縁膜形成用組成物は、実質的に炭素とケイ素と水素とのみからなる鎖部分を主鎖とし、かつ、主鎖以外の部分に窒素を含有するポリマーを含んでなる。ポリマー中に、窒素が、式１で表される構造要素として存在することが好ましい。
【化１７】
（もっと読む）

【課題】金属反応剤の使用量を少なくすることができ、除去を必要とする副生成物の発生を抑えることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、およびシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】ポリマーの製造方法は、（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランはポリマー（Ｉ）またはポリマー（ＩＩ）である。 （もっと読む）

【課題】ポッティング成型が可能であり、無色透明で耐久性に優れ、しかも、はんだリフローやヒートサイクルに対してクラックを生じにくい光半導体封止材を形成しうる光半導体用封止用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１，６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンならびに（Ｃ）シクロヘキサントリカルボン酸および／またはその無水物を含有する光半導体封止用組成物。 （もっと読む）

【課題】ポッティング成型が可能であり、無色透明で耐久性に優れ、しかも、はんだリフローやヒートサイクルに対してクラックを生じにくい光半導体封止材を形成しうる光半導体用封止用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ当量が１５０〜６００ｇ／モルでありかつガラス転移温度が−８０℃〜１５０℃であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）エポキシ当量が６００ｇ／モルを超えそして１，６００ｇ／モル以下でありかつガラス転移温度が−５０℃以下であるポリスチレン換算重量平均分子量５００〜１，０００，０００のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを含有する光半導体封止用組成物。 （もっと読む）

【課題】
有機溶媒との相溶性が高く、また、シラノール基が極めて少なく、分子量分布が狭い低分子ポリオルガノシルセスキオキサン及びその製造方法の提供。
【解決手段】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜２０，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜３．０の範囲で占められ、式〔１〕及び式〔２〕
で表される繰り返し単位、並びに式〔３〕で表される末端基を有し、上記式〔１〕中の３つの酸素原子が結合したケイ素原子が７０ｍｏｌ％以上、上記式〔２〕中の２つの酸素原子と１つの水酸基が結合したケイ素原子が３０ｍｏｌ％以下であり、上記式〔３〕中の１つの酸素原子と２つの水酸基が結合したケイ素原子が１ｍｏｌ％以下で構成されてなることを特徴とするポリオルガノシルセスキオキサン。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に下層膜、その上にケイ素含有膜、更にその上にフォトレジスト膜を形成した後、多段階のエッチングを行う多層レジスト法の中間膜に使用するケイ素含有膜形成用組成物において、下記一般式（１）
Ｒ_(6-m)Ｓｉ₂Ｘ_m （１）
（Ｒは一価炭化水素基、Ｘはアルコキシ基、アルカノイルオキシ基又はハロゲン原子、ｍは６≧ｍ≧３。）
で示されるケイ素−ケイ素結合を有するシラン化合物を含有する、加水分解性シランの単独又は混合物を加水分解縮合して得たケイ素含有ポリマーを含有するエッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物は、その上に形成したフォトレジストの良好なパターンを形成でき、有機材料との間で高いエッチング選択性が得られる。 （もっと読む）

【課題】粗大粒子が少なく、かつ、硬化性が良好なポリカルボシランおよびその製造方法、前記ポリカルボシランを含む塗布用シリカ系組成物、および前記塗布用シリカ系組成物を用いて形成されたシリカ系膜を提供する。
【解決手段】ポリカルボシランの製造方法は、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有する原料ポリマーを、有機溶剤中で塩基性触媒の存在下でアルコールと反応させた後、水と反応させる工程により製造する。 （もっと読む）