【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、２５μｍ^２当たり３個以下であることを特徴とする接続端子部。 （もっと読む）

【課題】常温常圧の開放系（大気中）であっても長期間駆動することができる耐久性に優れ、弾性率及び屈曲量または変位量が非常に大きい高分子アクチュエータ素子を提供する。さらには、前記高分子アクチュエータ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】金属電極と、高分子電解質を含む電解質とを含む高分子アクチュエータ素子であって、前記金属電極が対を形成することができるように形成され、前記金属電極が前記電解質と接し、かつ、前記金属電極が前記高分子電解質の表面及び／又は内部に形成されたものであり、前記電解質中に、金コロイド、及び、常温常圧下で液状の分子中に少なくとも１つ以上のヒドロキシル基を有する分子量が４００以下の低分子量有機化合物を含有し、前記金コロイドの平均粒子径が、１０〜１００ｎｍで表面プラズモン吸収を示し、前記電解質が、前記低分子量有機化合物により膨潤した状態であることを特徴とする高分子アクチュエータ素子。 （もっと読む）

【課題】電界紡糸法により一次元的に伸びた繊維を用いて長尺の一本の金属ナノチューブが調整できる金属ナノチューブ製造方法およびこの方法で製造した長尺の金属ナノチューブを提供する。
【解決手段】電界紡糸によりナノファイバーを調製し、このファイバーの表面を無電解めっきにより金属層で被覆した後、ファイバーを加熱除去する金属ナノチューブの製造方法。
ナノファイバーには、ポリメタクリル酸メチルを使用し、ナノファイバーに被覆する金属層には、Ｎｉを使用する。 （もっと読む）

【課題】めっき物を提供する。
【解決手段】基材上にプライマー層２を形成し、この上に還元性高分子微粒子及びバインダーを含む下地塗料を塗布して塗膜層３を形成するか、又は、該プライマー層上に導電性高分子微粒子及びバインダーを含む下地塗料を塗布し、該導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して塗膜層を形成し、そして該塗膜層に無電解めっき液から金属膜を化学めっきすることにより製造されるめっき物であって、該塗膜層の上側半分の中に前記還元性高分子微粒子５のうち６０％以上の粒子が存在する、めっき物。 （もっと読む）

【課題】プリント基板または半導体ウエハーの導体パターン上に形成される、接合強度の高いパターンめっき皮膜と、その形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又は半導体ウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成されたパターンめっき皮膜であって、前記パターンめっき皮膜は導体パターン上に形成された無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜と、前記無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜上に形成された無電解金めっき皮膜とからなるパターンめっき皮膜。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、微細配線形成性、絶縁信頼性に優れるめっき用めっき未析出材料、ならびに該材料を用いてなるプリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 めっきを施した場合にめっきが析出しない、めっき用めっき未析出材料であって、該めっき用めっき未析出材料の一部を改質操作により改質することにより、当該改質部分が、めっきを施した場合にめっきが析出するめっき析出部分に変換されることを特徴とするめっき用めっき未析出材料により、上記課題を解決し得る。 （もっと読む）

【課題】熱負荷後においても高い密着性を有するめっき物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面上に導電性高分子微粒子とバインダーの硬化により形成される架橋構造を含む塗膜層が形成され、該塗膜層上に金属めっき膜が無電解めっき法により形成されためっき物。 （もっと読む）

【課題】 導体層パターンを容易に生産性よく作製するためのめっき方法、また、耐久性のよいめっき用導電性基材を使用するめっき方法、さらに、めっき速度が速く従って生産効率のよいめっき方法を提供する。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材にめっきにより金属を析出させることを特徴とするめっき方法。めっき用導電性基材にめっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている上記絶縁層はダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可視光領域での透過率が高く、化学的に安定であり、高い導電性を有した透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明性基板の表面に、金ナノ粒子が線状に配列して成長した金ナノワイヤーから成る膜を有する本発明の透明導電性基板を製造するには、不活性ガス雰囲気下にて基板の表面に、アミノ基あるいはチオール基を有した化合物を用いて、それらの表面基を導入した後、得られた処理基板を、金イオンあるいは金の錯体イオンを含む溶液中に所定時間浸漬させて金イオンあるいは金の錯体イオンを処理基板表面基に吸着させ、その後、還元性溶液中に浸漬させて処理基板表面基の金イオンあるいは金の錯体イオンを還元させ、処理基板表面に金ナノ粒子を付着させ、最終工程で、前記処理基板を、金イオンあるいは金の錯体イオンを含む溶液中に浸漬させ、還元性溶液を添加し、所定時間後に取り出す。 （もっと読む）

本開示は、ミクロ構造を形成する物品及び方法を記載する。方法は、くぼんだ表面を伴う１つ以上のくぼんだ形状を含む構造化表面領域を有する基材を提供する工程を含む。構造化表面領域は、実質的に平坦域を有さない。方法は、機能材料及び液体を含む流体組成物を構造化表面領域上に配置する工程を含む。方法は、液体を流体組成物から蒸発させる工程を含む。機能材料は、構造化表面領域の残余が、実質的に機能材料を有さないように、くぼんだ表面上に集まる。
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【課題】基材との密着性に優れる金属めっき膜を有し、該膜の表面には露出部（ムラ）がなく均一であるめっき物の提供。
【解決手段】めっき物の製造方法は、Ａ）基材上に還元性高分子微粒子とバインダーを含む塗膜層を形成する工程、Ｂ）前記塗膜層上に触媒金属を吸着させる工程Ｃ）吸着された前記触媒金属を還元処理する工程Ｄ）前記還元処理がなされた基材をめっき浴に浸漬して無電解めっきを行う工程からなる。還元性高分子微粒子として、導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して還元性とした微粒子を用いる。 （もっと読む）

【課題】ホット・プレート状の基板加熱手段を利用して、基板面側から金属ナノ粒子分散液塗布膜を加熱処理する手法を適用して、下地層に対する優れた密着性と、高い導電性を有する金属ナノ粒子焼結体厚膜層を基板上に形成する方法の提供。
【解決手段】表面に塗布膜が描画された基板を、温度Ｔ_plateに加熱されたホット・プレート状の基板加熱手段上に配置し、基板加熱手段に接する基板裏面側から加熱を行い、
塗布膜の基板面側の温度：Ｔ_bottom（ｔ）を、１５０℃〜２５０℃の範囲であって、塗布膜中に含まれる分散溶媒の沸点Ｔ_b-solventよりも低く選択される温度とし、
塗布膜の表面温度：Ｔ_top（ｔ）を、温度差ΔＴ（ｔ）＝｛Ｔ_bottom（ｔ）−Ｔ_top（ｔ）｝≧１０℃となる範囲に維持して、該塗布膜に対する加熱処理を行って、含まれている金属ナノ粒子の低温焼結を起させる。 （もっと読む）

【課題】ポリオレフィン系樹脂又はポリアセタール系樹脂を基材とするめっき物を提供する。
【解決手段】ポリオレフィン系樹脂又はポリアセタール系樹脂基材上に、還元性高分子微粒子及びオレフィン系ポリマーを含む下地塗料を塗布して塗膜層を形成するか、又は、前記基材上に、導電性高分子微粒子及びオレフィン系ポリマーを含む下地塗料を塗布し、該導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して塗膜層を形成し、そして該塗膜層に無電解めっき液から金属膜を化学めっきすることにより製造されるめっき物であって、
前記オレフィン系ポリマーは、塩素化ポリオレフィン又はポリオレフィン／不飽和ジカルボン酸無水物共重合体であり、前記下地塗料中における前記還元性高分子微粒子又は前記導電性高分子微粒子と前記オレフィン系ポリマーの質量比は、３：２０ないし３：１５０の範囲であることを特徴とするめっき物。 （もっと読む）

【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉや金属層の種類が限定されずＳｉの酸化膜除去処理によっても金属層が剥離することのない電極及びその形成方法、並びに前記電極を備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】表面に活性化処理されたＳｉを有する基板１１上に、第１の末端にＣＨ基、ＣＨ_２基、ＣＨ_３基のいずれかを有し、第２の末端にアミノ基、メルカプト基、フェニル基、カルボキシル基のいずれかを有する有機分子の薄膜（有機分子膜）１２ａを形成する有機分子膜形成工程と、前記有機分子膜１２ａ表面に触媒金属１２ｂを付与する触媒化工程と、前記有機分子膜１２ａに触媒金属１２ｂを付与した密着層１２表面に無電解めっき法により金属層１３を形成する無電解めっき工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜を有し、且つ、湿度変化による密着力の変動が少ない表面金属膜材料、及び該表面金属膜材料を有機溶剤の使用を低減しつつ作製することができる表面金属膜材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）基板上に、シアノ基を有するポリマーからなる粒子を含有する水分散物を塗布し、乾燥する工程と、（ｂ）前記基板上に存在する該粒子をエネルギー付与により熱融着させて、熱融着層を形成する工程と、（ｃ）該熱融着層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ｄ）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、この作製方法により得られた表面金属膜材料。 （もっと読む）

【課題】密着性の良好な金属膜を形成することができ、パターン間の絶縁信頼性に優れる金属膜を形成しうるめっき用積層フィルム、それを用いた表面金属膜材料の作製方法及び表面金属膜材料を提供する。
【解決手段】樹脂フィルムに、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマー又はその前駆体を含有するめっき受容性層を備え、該めっき受容性層が下記１〜４の条件のうち少なくとも一つ以上満たすめっき用積層フィルム。
条件１：２５℃５０％相対湿度環境下における飽和吸水率が０．０１〜１０質量％
条件２：２５℃９５％相対湿度環境下における飽和吸水率が０．０５〜２０質量％
条件３：１００℃煮沸水に１時間浸漬した後の吸水率が０．１〜３０質量％
条件４：２５℃５０％相対湿度環境下において、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の表面接触角が５０度〜１５０度 （もっと読む）

【課題】孔径大きさが４ｎｍを越えてもっと大きく、しかも均一な孔大きさを有する大細孔径メソポーラス金属を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、次の工程を含む。
（１）大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な周期性を有するリオトロピック液晶を形成できる界面活性剤と、水溶性金属塩と、揮発性有機溶媒と、水とを、混合する（前駆体溶液の調製）；
（２）前記前駆体溶液から揮発性有機溶媒を優先的に揮散させて、大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な大きさのリオトロピック液晶を形成させる；
（３）液晶中に溶存する金属イオンを還元することで、前記リオトロピック液晶の周囲に金属を析出させる；
（４）更に水性溶媒で処理してリオトロピック液晶を洗い去り、空隙を形成させる。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を大幅に削減することができ、導電層の製膜時間を短縮することができるほか、容易に大面積化をはかることが可能で、かつ、様々な基板に関して導電層を具備することができる配線用基板及び配線基板の提供。
【解決手段】湿式無電解メッキ法を用いて基板上に導電層を形成し、部分的に導電層を除去する。 （もっと読む）