【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属凸部を有するポリマー材料の製造方法を提供する
【解決手段】ポリマー基板上に１個又は２個以上の金属凸部を有するポリマー材料の製造方法であって、下記工程（１）〜（５）：
（１）ポリマー基板上の紫外線硬化型組成物により形成されたアクリル樹脂層表面をプラズマ処理する工程、
（２）プラズマ処理を行った該アクリル樹脂層表面に、無電解めっき法により金属皮膜を形成する工程、
（３）リソグラフィ処理により、１個又は２個以上の開口部を金属皮膜上に有するめっき用レジスト皮膜を形成する工程、
（４）電解めっき処理により、めっき用レジスト皮膜の開口部の金属皮膜上に金属を析出させる工程、及び
（５）めっき用レジスト皮膜を除去する工程
を含むポリマー材料の製造方法 （もっと読む）

【課題】 特に、無電解メッキ法を用いて、従来に比べて半田転写の改善や接触抵抗の安定性等を図ることが可能な表面層を弾性変形部に形成することが可能な接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性変形部を備える接触子の製造方法において、固定部２１と、前記固定部２１から延出形成された前記弾性変形部２２とを有する芯部２３を形成する工程、前記芯部２３の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層２８をメッキ形成する工程、前記白金族金属層２８の表面に、無電解メッキ法にて、Ａｕ層２９をメッキ形成する工程、加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層を形成する工程、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。 （もっと読む）

【課題】基板に対する吸着または機械的な保持力を強めることなく、基板の離脱や脱落を確実に防止しつつ基板を保持して処理ができるようにする。
【解決手段】基板の裏面周縁部をシールしながら基板を保持する環状シールを備えた回転自在な保持ヘッド１８４を有し、保持ヘッド１８４は、基板を保持した状態での該保持ヘッド１８４の回転に伴って、環状シールでシールされた基板の裏面側に負圧を発生させる絞り機構２６０を有する。 （もっと読む）

基板上に導電性薄膜を作製する方法を開示する。まず、還元性金属化合物および還元剤を液体中に分散させる。次いで、この分散液を基板上に薄膜として堆積させる。続いて、この薄膜を基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させて、薄膜を導電性にする。本発明は、薄膜において酸化還元反応を行うための活性化エネルギーを強力パルス光を用いて提供する方法である。このレドックス反応は、有機化合物による金属酸化物の還元であってもよく、低温基板上で行ってもよい。
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階層的多孔構造を有するモノリス型金属又は金属複合体を製造する方法であって、多孔質構造を有するテンプレート材料を選択する工程；該テンプレート材料を、構造化される１つの又はそれぞれの該金属の溶液と接触させる工程；１つ又はそれぞれの該金属を該テンプレートに堆積させる工程；該金属被覆テンプレートを、更なる金属の堆積の前に洗浄する工程；該金属被覆テンプレート材料を分離する工程；該テンプレート材料の少なくとも一部分を熱的に除去する工程を含む方法。
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【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現するキャップメタル形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの被処理面に形成された銅配線上にキャップメタルを形成する方法であって、基板Ｗを回転可能に保持するステップと、保持された基板Ｗを基板の被処理面に沿った向きで回転させるステップと、基板Ｗの周縁部の被処理面上に一定間隔で対向して撹拌部材１５５の端部を配置するステップと、被処理面にめっき処理液を供給するステップと、めっき処理液の供給を停止するとともに撹拌部材１５５を移動して該撹拌部材１５５の端部を基板Ｗの被処理面から離間させるステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】このキャップメタル形成方法は、二つ以上の撥水性が異なる領域を有する基板の被処理面にキャップメタルを形成する方法であって、基板をインナーチャンバ内に配設された回転可能な保持機構に水平保持する保持ステップと、インナーチャンバを覆うアウターチャンバの上面に配設されたガス供給孔を介して、インナーチャンバとアウターチャンバ間にガスを供給するガス供給ステップと、インナーチャンバとアウターチャンバ間に圧力勾配を形成する圧力勾配形成ステップと、ガス供給ステップによりインナーチャンバ内のガス圧力が所定の値となった後に、基板の被処理面の所定位置にめっき液を供給して、領域の少なくともひとつにキャップメタルを形成するめっき液供給ステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】硫黄系添加剤を含有する潤滑油に接触する環境下で使用されても、保持器の表面に形成した被膜の剥離や金属成分の溶出が生じにくく、すべり性、耐摩耗性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】複数の針状ころ３と、この針状ころ３を保持する保持器２とを備え、硫黄系添加剤を含有する潤滑油に接触する環境下で使用される針状ころ軸受１であって、上記保持器は、Ｎｉ-Ｂ-Ｗ被膜を上記潤滑油が接触する該保持器の表面部位に形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

【課題】触媒付与処理を行った後、配線表面における異状粒状金属の発生及び配線表面のめっき膜のラフネス悪化を防止しつつ、コバルト合金膜等のめっき膜を配線の表面に選択的に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜に設けた配線用凹部内に金属を埋込んで形成した埋込み配線を有する基板を用意し、基板表面を触媒付与液に接触させて配線表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板表面に洗浄液を供給しつつ該表面を物理的に洗浄し、しかる後、基板表面に無電解めっきを行って配線表面にめっき膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】電界紡糸法により一次元的に伸びた繊維を用いて長尺の一本の金属ナノチューブが調整できる金属ナノチューブ製造方法およびこの方法で製造した長尺の金属ナノチューブを提供する。
【解決手段】電界紡糸によりナノファイバーを調製し、このファイバーの表面を無電解めっきにより金属層で被覆した後、ファイバーを加熱除去する金属ナノチューブの製造方法。
ナノファイバーには、ポリメタクリル酸メチルを使用し、ナノファイバーに被覆する金属層には、Ｎｉを使用する。 （もっと読む）

【課題】ホット・プレート状の基板加熱手段を利用して、基板面側から金属ナノ粒子分散液塗布膜を加熱処理する手法を適用して、下地層に対する優れた密着性と、高い導電性を有する金属ナノ粒子焼結体厚膜層を基板上に形成する方法の提供。
【解決手段】表面に塗布膜が描画された基板を、温度Ｔ_plateに加熱されたホット・プレート状の基板加熱手段上に配置し、基板加熱手段に接する基板裏面側から加熱を行い、
塗布膜の基板面側の温度：Ｔ_bottom（ｔ）を、１５０℃〜２５０℃の範囲であって、塗布膜中に含まれる分散溶媒の沸点Ｔ_b-solventよりも低く選択される温度とし、
塗布膜の表面温度：Ｔ_top（ｔ）を、温度差ΔＴ（ｔ）＝｛Ｔ_bottom（ｔ）−Ｔ_top（ｔ）｝≧１０℃となる範囲に維持して、該塗布膜に対する加熱処理を行って、含まれている金属ナノ粒子の低温焼結を起させる。 （もっと読む）

【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】タービンケーシング内の広い接液面に対し、比較的簡便で安価な手法により薄膜コーティングを施して耐食性を向上させるタービンケーシングの耐食コーティング処理方法を提供する。
【解決手段】タービンケーシングの耐食コーティング処理方法は、タービンケーシングの内表面に金属を分散させた溶液を塗布する塗布工程Ｓ２と、この塗布した金属を乾燥し加熱安定化させてタービンケーシングの内表面にセラミックスの薄膜を形成する焼付け工程Ｓ３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）