【課題】 膜厚ムラがなく、かつめっき未析出部のないパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板１８上に、硫黄成分を含有する第１金属膜２８を形成する第１金属膜形成工程と、第１金属膜２８を触媒として無電解めっき処理を施し、第１金属膜２８上に第２金属膜４２を形成する第２金属膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

金属ナノワイヤーを合成する方法が提供される。有機金属層が、基板上に薄膜として堆積する。空気の存在下における有機金属薄膜の熱分解によって、金属ナノワイヤーが合成される。金属を変えることによって、異なる特性を有するナノワイヤーが製造可能である。 （もっと読む）

【課題】
プラスチック成形体表面に対し、シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、前記プラスチック成形体表面に金属被膜を形成している。
しかしながら、シランカップリング剤の塗布方法を用いると、前記プラスチック成形体基材表面に余分なシランカップリング剤が残り、残った前記シランカップリング剤が前記密着性の向上を邪魔し、適切に前記密着性を向上させることが出来ないという課題があった。

【解決手段】
プラスチック成形体基材と金属被膜間の密着性を向上させたプラスチック成形体ならびに前記プラスチック成形体を用いた物品を提供するために、プラスチック成形体基材の表面に単分子膜を形成する工程と、（ｂ）前記単分子膜上に、金属被膜をメッキ形成する工程を用いて、プラスチック基材の表面が基材表面に共有結合した単分子膜を介して金属被膜で被われているプラスチック成形体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板１と金属膜５との間に単分子膜２が形成され、このとき、単分子膜２が基板１にシロキサン結合を介して強固に結合するとともに、金属との親和力の強いピロリル基と前記金属膜５とが結合することで、基板１と金属膜５間の密着性が従来に比べて優れたものとなる。本実施の形態では、従来のように、基板１の表面に凹凸加工がなされていないため、例えば配線パターンに加工された前記金属膜５は、所望の形状に、高精度に、微細加工されたものになっている。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）

【解決手段】（ａ）（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個の珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）白金族金属系触媒
を含有するシリコーンゴム組成物：３〜４０重量％、
（ｂ）非導電性母材粒子の最外層表面が金属で被覆され、かつ（ａ）成分の重合体の比重に対する差が±１．５以内である比重を有する導電性粒子：３〜４０重量％、
（ｃ）金属粉末からなる導電性粒子：３０〜９４重量％（但し、この（ｃ）成分の含有量は（ｂ）成分の含有量より多い）
を含有することを特徴とする導電性組成物。
【効果】本発明の導電性組成物は、貯蔵安定性に優れ、硬化性の経時変化が小さく、かつ硬化して得られる導電性ゴムの体積抵抗率の経時変化が小さい。 （もっと読む）

【課題】 最小限の欠陥しかない均一な層を堆積することのできる一体型無電界堆積装置を提供する。
【解決手段】 無電界堆積システム及び無電界堆積ステーションが提供される。このシステムは、処理メインフレームと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板洗浄ステーションと、メインフレームに位置された無電界堆積ステーションとを備えている。無電界堆積ステーションは、環境的に制御される処理エンクロージャーと、基板の面を洗浄し活性化するように構成された第１処理ステーションと、基板の面に層を無電界堆積するように構成された第２処理ステーションと、第１及び第２の処理ステーション間で基板を移送するように位置された基板シャトルとを備えている。また、無電界堆積ステーションは、汚染のない均一な無電界堆積プロセスを遂行するために種々の流体配送及び基板温度制御装置も備えている。 （もっと読む）

【課題】
１００℃以上にも達する高温下、７〜１２ＭＰａにも達する高圧下であっても、腐食の発生，キャビテーション、さらにはエロージョンによる損耗を抑え、それらの耐環境性を改善し、アルミニウム材を用いた場合に優れた寿命を有する筒内直接噴射装置用の燃料ポンプを提供すること。
【解決手段】
アルミニウム又はアルミニウム合金を有する筒内直接燃料噴出装置における燃料ポンプに、無電解によりＮｉ−Ｐ或いはＮｉ−Ｐ系のめっき被膜を形成する。 （もっと読む）

無電解ＮｉＷＰ層がＴＦＴ銅ゲートプロセスのために使用される。ＮｉＷＰ堆積プロセスは、（ａ）例えば紫外線、オゾン溶液及び/又はアルカリ混合物溶液を使用するベース表面の浄化、（ｂ）例えば希釈酸を使用するベース表面のミクロエッチング、（ｃ）例えばＳｎＣｌ_２及びＰｄＣｌ_２溶液を使用するベース表面の触媒活性化、（ｄ）還元剤溶液を使用するベース表面のコンディショニング及び（ｅ）ＮｉＷＰ層堆積のステップを含む。ある条件下で堆積されたＮｉＷＰ層は、ガラス基板へのまた、良好なＣｕバリアー能力をもつＣｕ層への、良好な接着性を提供することができることが見出された。ＮｉＷＰ層は、接着、キャッピング及び/又はＴＦＴＣｕゲートプロセスのためのバリアー層に有益である。（例えば、フラットスクリーンディスプレイパネル） （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】吸引力ヒステリシスの発生を少ないアクチュエータの提供。
【解決手段】固定子側の摺動面に施したコーティング層内にグラファイト粒子を含ませることでアクチュエータに好適な摺動特性を実現できることを見いだした。すなわち、可動子とその可動子を往復動自在に支持する固定子とを有するアクチュエータにおいて、前記可動子の摺動面には無機化合物から形成されたコーティング層を有し、前記固定子の摺動面にはグラファイト粒子を含有するコーティング層を有することを特徴とする。特に、前記可動子の摺動面に形成された前記コーティング層は金属クロム、ＤＬＣ及びグラファイト粒子からなる群から選択された１以上の無機化合物を含有させることで、可動子側の摺動面の硬度を高くすることが可能になり、摺動面の接触面積を長期間小さく保つことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 有害物質である鉛等を実質的に含有させずに、良好なめっき皮膜が得られ、めっき被膜中への水不溶性材料の共析が優れると共に、めっき浴の連続使用を達成できる無電解ニッケル（合金）複合めっき浴を提供すること。
【解決手段】 水溶性ニッケル塩、還元剤、モリブデン及びアンチモン並びに水不溶性材料を含有する無電解ニッケル複合めっき浴およびこれに更に合金化金属塩を含有する無電解ニッケル合金複合めっき浴。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法によって、酸化物被膜の成膜と同時に、当該被膜の表面に制御性良く凸部を形成できる、新規な製造方法を提供する。
【解決手段】 質量平均分子量が２００以上の水溶性有機化合物が添加された、金属原子またはケイ素原子を含むフルオロ錯体と、当該フルオロ錯体からフッ素イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含む処理液１に、基体２を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】 下地に最適化された処理液で触媒付与処理等の活性化処理を行うことで、特に、配線等の表面に、該配線の電気特性を劣化させることなく、高品質の金属膜（保護膜）を効率よく形成できるようにする。
【解決手段】 液温を１５℃以下に調整した処理液に、好ましくは１５℃以下の所定の温度に冷却した基板の表面を接触させて該表面を活性化させ、この活性化させた基板の表面をめっき液に接触させて該表面に金属膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、順に、以下の工程：
ａ）１種以上の分子金属および／またはメタロイド前駆体を、有機溶剤を含む媒体と接触させることによってゾル−ゲル溶液を調製すること、
ｂ）ａ）で得られた溶液に、少なくとも１種のメルカプトオルガノシラン化合物を添加すること、
ｃ）ｂ）で得られた溶液を加水分解すること、および
ｄ）ｃ）で得られた溶液に、カルボン酸、β−ジケトン化合物およびヒドロオキサメート化合物から選択される１種以上の錯化剤を添加すること、
を含む安定なゾル−ゲル溶液を調製するための方法に関する。
金属基材のための、とりわけ鏡のような銀ベースの基材のための被覆材料を形成するための、この溶液の使用。
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無電解堆積システムが提供される。該システムは、処理メインフレームと、該メインフレーム上に位置決めされた少なくとも１つの洗浄ステーションと、該メインフレーム上に位置決めされた無電解堆積ステーションとを含む。該無電解堆積ステーションは、環境的に制御された処理エンクロージャと、基板の表面を洗浄及び活性化するように構成された第１の処理ステーションと、該基板の表面に層を無電解堆積するように構成された第２の処理ステーションと、該第１の処理ステーションと第２の処理ステーションとの間で基板を移送するように位置決めされた基板移送シャトルとを含む。また、該システムは、該メインフレーム上に位置決めされ、かつ該処理エンクロージャの内部にアクセスするように構成された基板移送ロボットも含む。また、該システムは、噴射プロセスにより、該処理エンクロージャ内に載置された基板に処理流体を送出するように構成されている流体送出システムも含む。 （もっと読む）

【課題】 無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 （１）ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ性水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させてカルボキシル基を生成させると共にポリイミド樹脂をポリアミック酸に改質する工程。（２）この改質された層にポリアミック酸を可溶な溶媒を接触させることによって、改質層の一部を除去して凹部を形成する工程。（３）凹部近傍のカルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。（４）この金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成する。 （もっと読む）

金属前駆物質とアルコール溶媒を含有する反応混合物を提供する段階と、反応器を通して反応混合物を連続的に流す段階と、反応混合物にマイクロ波またはミリメートル波エネルギーをかける段階であって、そのマイクロ波またはミリメートル波エネルギーが反応混合物の近傍に局在化される段階と、アルコール溶媒が金属前駆物質を金属に還元するように、反応混合物をマイクロ波またはミリメートル波エネルギーで加熱する段階であって、その加熱が反応器内で起こる段階とを含む、ナノ結晶性金属を形成する方法。
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【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属酸化物膜形成用溶液を用いる安価なＷｅｔコートであって、複雑な構造部を有する基材や多孔質材料の基材等に対しても均一かつ緻密で充分な膜厚を有する金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体と、酸化剤および還元剤の少なくとも一方とが溶解した第一金属酸化物膜形成用溶液と、基材とを接触させることにより上記基材上に第一金属酸化物膜を形成する第一金属酸化物膜形成工程と、上記第一金属酸化物膜を備えた基材を金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱し、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した第二金属酸化物膜形成用溶液と接触させることにより第二金属酸化物膜を得る第二金属酸化物膜形成工程とを有する金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）