【課題】
本発明は、隣接した導電体配線間の寄生容量とリーク電流とを低減するための集積回路の形成方法および、隣接した導電体配線間の寄生容量とリーク電流とを低減した集積回路を提供する。
【解決手段】
集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板Ｗ表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う（触媒付与範囲Ｓ_１＜洗浄範囲Ｓ_２）。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板Ｗ表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 （もっと読む）

【課題】埋込み銅配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成することによって銅配線を保護することができるようにする。
【解決手段】内部に埋込み銅配線を形成した基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて銅配線の表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板の表面を洗浄し、洗浄後の基板の表面に還元液を接触させて基板の表面を還元処理し、還元処理後の基板の表面を洗浄し、しかる後、無電解めっき液に基板の表面を接触させて銅配線の表面に保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】真空吸着した基板がこの真空吸着力によって撓むことなく、且つシール材の材質に関係なく確実に基板の引き剥がしができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】吸着ヘッド２０８９の下面に基板の裏面を吸着保持する基板保持装置において、基板保持装置には、吸着ヘッド２０８９の下面外周に位置して、基板の裏面をリング状に真空吸着するとともに基板の裏面の真空吸着した部分より内側への処理液の浸入を防止してシールするリング状の基板吸着部２０９５と、基板吸着部２０９５に吸着した基板を吸着ヘッド２０８９から引き離す方向に押圧するプッシャ２１００が取り付けられている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に形成されたデバイスに高品質コンタクトレベル接続部を形成するプロセスを提供する。一実施形態において、基板上に物質を堆積させるための方法であって、基板を酸化物エッチング緩衝液にさらして、前処理プロセスで水素化シリコン層を形成するステップと、基板上に金属シリサイド層を堆積させるステップと、金属シリサイド層上に第一金属層（例えば、タングステン）を堆積させるステップと、を含む前記方法が提供される。酸化物エッチング緩衝液は、フッ化水素とアルカノールアミン化合物、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、又はトリエタノールを含有することができる。金属シリサイド層は、コバルド、ニッケル、又はタングステンを含有することができ、無電解堆積プロセスによって堆積させることができる。一例において、基板は、溶媒と金属錯体化合物を含有する無電解堆積溶液にさらされる。 （もっと読む）

【課題】 成膜性や耐久性、信頼性に優れたプラズマ処理装置用部材を提供する。
【解決手段】 基材上に、純度９８％以上であるセラミックス膜を有している。セラミックス膜は、膜を構成している粒子の粒子径が５０ｎｍ以下であり、膜からの放出水分量が１０^１９分子／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルおよび次式（１）で表される水酸化アルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、上記無為電めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、スルホン酸型アニオン界面活性剤および下記式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に、アルキル基およびヒドロキシアルキル基よりなる群から選ばれる何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソフト溶液プロセスにより膜欠陥部の少ない金属酸化物膜を成膜できる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を液滴化した後、上記金属酸化物膜形成用溶液の液滴を金属酸化物膜形成温度以上に加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材はアースされ、かつ、上記金属酸化物膜よりも導電性が高いものであり、さらに上記液滴を帯電させた状態で上記基材に接触させることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステルおよび次式（１）で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式（１）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 （もっと読む）

【解決手段】配線構造を有する半導体装置に形成された配線の表面に保護膜を選択的に形成する無電解めっき液であり、該無電解めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、下記式で表される化合物、および、特定構造を有する水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有する。


Ｒ¹〜Ｒ⁴は、水素原子、アルキル基、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、オキシアルキレン単位の連鎖からなるポリオキシアルキレン基であって繰返し数の和は２〜５０である。
【効果】銅配線上に高い選択率で均一に拡散防止能を有する保護膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能であり、さらに簡単な製造方法にて前記密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板１上に単分子膜２が形成され、前記単分子膜２上に中間膜３が形成される。前記中間膜３に含まれるピロリル基及び単分子膜２に含まれるピロリル基の少なくとも一部は重合している。また前記中間膜３は、無電解メッキでの触媒能力のある金属、例えばパラジウムを含有する。金属膜５を構成する無電解メッキ膜６が前記中間膜３上に直接、無電解メッキ法によりメッキ形成されている。本実施形態の構成により、基板と金属膜間の密着性を従来に比べて向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】光沢性を有しかつ微細な繊維状の色彩模様を有する光輝性の構造体を提供すること。
【解決手段】（１）基体（Ａ）、
（２）その基体（Ａ）の表面上に形成された、光学干渉性繊維の切断片を含有した複合メッキ層（Ｂ）および
（３）その複合メッキ層（Ｂ）の表面上に形成されたコート層（Ｃ）
よりなる光輝性複合構造体。 （もっと読む）

安定性に優れて数回使用でき、沈殿物による膜質の低下が防止できるコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及び前記無電解鍍金方法から製造された薄いコバルト系列合金薄膜を提供する。コバルト前駆体、タングステン前駆体、リン前駆体、還元剤、錯化合物形成剤、ｐＨ調節剤、及び安定剤とからなるコバルト系列合金無電解鍍金溶液において、還元剤はジメチルアミンボラン（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅｂｏｒａｎｅ、ＤＭＡＢ）またはホウ水素化物（ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）であり、安定剤はイミダゾール、チアゾール、トリアゾール、ジスルフィド、及びこれらの誘導体からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とするコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及びこれから製造された薄膜を提供する。
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【課題】室温から高温領域にわたる広い温度範囲において高い硬度を有し、摺動性および靭性に優れ、しかも高速で形成することができるめっき皮膜、および上記めっき皮膜で摺動部分を被覆した、広い温度範囲で硬度が高く、摺動特性に優れた機械部品を提供すること。
【解決手段】Ｃｏを１〜５０質量％、Ｗを１〜２０質量％、Ｐを１〜５質量％含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。摺動部分を有する機械部品。少なくとも前記摺動部分を上記皮膜で被覆する。Ｎｉイオンを０．０３〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、Ｃｏイオンを０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、ＷＯ₄イオンを０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、リン化合物を０．１５〜０．３０ｍｏｌ／Ｌ含有する無電解めっき浴。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハＷを支持する、導電性を有する押圧ピン６４と、めっき液に接触するように押圧ピン６４に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂとから構成し、金属部材６４ｂが溶解して発生した電子を、押圧ピン６４を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 （もっと読む）

【課題】埋込み配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成して回収・配線を保護することができるようにする。
【解決手段】フィルタ３０５では取りきれない無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物を磁気力によって除去する磁気除去部３５６，３６２を有し、これにより、無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物が、例えば絶縁膜等の表面に付着して異常析出物が生じることを防止し、しかも無電解めっき液の性質を一定にしてめっき反応を安定させる。 （もっと読む）

【課題】鋳鉄などの鉄系合金の半凝固および半溶融状態でのダイカストにおいて、金型の耐久寿命を向上し、生産性・品質をも向上する技術を提供する。
【解決手段】金型の内表面の全面あるいは一部に耐摩耗性、耐焼付き性に優れた被覆を施し、金型の摩耗や熱衝撃を防止する。また、金型内表面の部位によって被覆の膜厚を変えたり、被覆材質を変え最適化を行う。 （もっと読む）

【課題】 金属、セラミックス及び樹脂表面に原子、原子団及び分子レベルで付着して機能的な反応性を付与する。
【解決手段】
下記一般式（１）：
【化７】


で示されるアルコキシシリルトリアジンジチオール。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）