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Fターム[4K022DB02]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | P化合物 (407)

Fターム[4K022DB02]に分類される特許

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【課題】人体への悪影響が懸念される重金属類の含有量が極めて低いにもかかわらず安定性に優れ、且つ良好な皮膜特性を与えることのできる無電解ニッケルめっき液を提供すること。
【解決手段】水溶性ニッケル塩と、還元剤と、錯化剤とを含む無電解ニッケルめっき液であって、ヒドロキシルアミン誘導体およびその塩からなる群から選択されるヒドロキシルアミン系安定剤を更に含むことを特徴とする無電解ニッケルめっき液。上記ヒドロキシルアミン系安定剤は、無電解ニッケルめっき液中に1〜1000mg/L含まれることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】Pd活性化処理を行わずとも、被めっき金属微粒子を無電解めっき法によりめっき用金属にて良好にめっきする方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】被めっき金属微粒子は、まず第三工程においてその表面が清浄化処理されて、機械油、手垢、グリスなどの油脂類、あるいは軽度に脆化した酸化物や水酸化物などが除去され、ついで第一工程において高温度の大気中での加熱や酸化力のある酸水溶液などで酸化処理されてその表面に均一な酸化膜が形成され、最後に第二工程において所望のめっき用金属を自己触媒析出する無電解めっき液に浸漬して無電解めっきされる。 (もっと読む)


本発明は、貴金属が入っている化学ニッケル浴、貴金属を含有する化学メッキニッケルコート層の製造方法、それによって製造されたニッケルコート層、及びその使用に関するものである。 (もっと読む)


【課題】無電解Niめっき液の連続循環使用回数を増大して、廃液量を減少し、成分原料のロスを減少させる。
【解決手段】Niめっき液槽21に連結された第1電気透析ユニット1中に、次亜リン酸イオン、亜リン酸イオン、SO42-を透過するが、有機酸イオンを透過しない第1陰イオン交換膜4と、Na+を透過するがNi2+を透過しない第1陽イオン交換膜5とを交互に配置し、その第1濃縮室7に連結された第2電気透析ユニット11中に、次亜リン酸イオンと有機酸イオンを透過するが、亜リン酸イオンとSO42-を透過しない第2陰イオン交換膜14と、H+を透過するがNa2+を透過しない第2陽イオン交換膜とを交互に配置し、その第2濃縮室17をNiめっき液槽21に連結する。 (もっと読む)


【課題】めっき伸びやめっき付着を効率よく抑制でき、かつ、セラミック層の溶出を十分に抑制できる無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック素子の下地電極上に無電解ニッケルめっきを行う工程を備え、この工程では、セラミック素子を、ニッケル、還元剤、及び、アンモニアを含有し、かつ、pHが7〜10である無電解めっき液と接触させる。 (もっと読む)


【課題】希土類磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を、希土類磁石などの導電性素材を腐蝕することなく形成できるめっき液を提供すること。
【解決手段】ニッケル塩化合物と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物と、を含み、pHが8〜12であるめっき液。前記ニッケルイオンと前記アミン化合物とのモル比が、前記アミン化合物の前記ニッケルイオンへの配位数の1.0〜3.0倍であり、また、前記アミン化合物は、ニッケルイオンと錯体形成する際における第一段階反応の逐次生成定数Kが、K=4.0〜15.0の範囲にあることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】耐折り曲げ性に優れたニッケルめっき皮膜を形成できる新規な無電解ニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】
下記一般式(I)


[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基:


(式中、Rは、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、mは1〜10の整数である)であり、nは2又は3である。]で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とする自己触媒型無電解ニッケルめっき液。 (もっと読む)


【課題】積層チップコンデンサ等のセラミック電子部品の外部電極に無電解めっきを施す際にセラミック層を溶出させにくい無電解めっき液の提供、及びセラミック電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】セラミック層1と内部電極2からなるチップ本体3、および下地電極4から構成されるセラミック素子8の下地電極4の上に、Niを無電解めっきするための無電解めっき液であって、ニッケル及び還元剤を含有し、ハロゲン含有量が0.1mol/L以下であり、pHが7〜10である無電解めっき液である。また、Niめっき層の上に公知の方法によってSnめっき層を形成することによってセラミック電子部品100を構成する。 (もっと読む)


【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、特に平均粒径が20μm以下の微粒子であっても優れためっき密着性を有する導電性無電解めっき粉体及びその工業的に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性無電解めっき粉体は芯材粉体の表面をメラミン樹脂で被覆処理し、更に無電解めっきにより金属皮膜が形成されてなることを特徴とする。また、その製造方法は該芯材粉体と該メラミン樹脂の初期縮合物を接触させて該初期縮合物の重合反応を行って該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体を得る工程、次いで該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体の表面に貴金属を担持させる工程、次いで該貴金属を担持させた該芯材粉体を無電解めっき処理する工程とを、含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜、或いは、金属パターンを簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法及び金属パターン形成方法、それにより得られた平滑な基板との密着性に優れる金属膜積層体、金属パターン材料及びそれらの形成に好適に用いられる金属膜形成用基板、金属パターン形成用基板、及び、ポリマー前駆体層形成用塗布液組成物を提供する。
【解決手段】メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基及び重合性基を有し、pH=12以上で加水分解しないポリマーを、基板に直接化学結合させてポリマー層を形成するポリマー層形成工程と、該ポリマー層上にメッキ触媒またはその前駆体を付与する触媒等付与工程と、該メッキ触媒またはその前駆体を付与したポリマー層にメッキを行うメッキ工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】湿式処理主体のプロセスにより、連続処理化が容易で、生産性が高く、めっき析出安定性をより向上させることができ、更にポリイミド樹脂フィルムと金属との境界面の平滑性および密着性を、ポリイミド樹脂フィルムの種類によらないで、安定して確保できる。
【解決手段】ポリイミド樹脂材を前処理する前処理工程と、無電解めっき処理工程と、厚付け銅めっき処理工程とを含むポリイミド樹脂材の表面金属化方法であって、上記前処理工程が、カルボニル基を分子内に有する有機溶剤を用いてポリイミド樹脂材の表面を処理する工程と、表面酸化処理する工程と、アルカリ性水溶液で処理する工程とを含み、上記無電解めっき処理工程が無電解ニッケルめっき処理工程であり、上記厚付け銅めっき処理工程が、無電解めっきで得られるめっき層表面にアルカリ性無電解銅めっき処理およびアルカリ性電気銅めっき処理から選ばれる少なくとも1つのめっき処理工程である。 (もっと読む)


【課題】温調機能を備えた鋳造製品、例えば射出成形用金型等の所望面に対して、少量の素材を用いて機能性金属被膜を効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】温調機の温調媒体を温調機能を具備する金属製被処理部材と接続し、該処理部材の温度調節を可能とした後、該部材の金属被膜形成面に対する脱脂工程に適する第1の温度範囲に調整して脱脂を行い、次いで第2の温度範囲に調整し水洗工程、該被膜形成面に対する酸活性化工程および酸活性液の水洗工程を行い、引き続き、金属被膜形成に適する第3の温度範囲に設定すると同時に被膜形成用液剤を注入して被膜形成を行う。その後、該液剤の洗浄に適する第4の温度範囲に温調を行い、該液剤を排出し、さらにイオン交換水等の洗浄液によって該液剤が残留しないよう洗浄を繰返して、温調機能を具備する金属製品への機能性金属被膜形成を行う。 (もっと読む)


【課題】 高い耐久性を有し、錆などが発生することがなく、またトナーなどの汚染物質が多少付着しても、その帯電電位の制御性がほとんど損なわれることがなく、長期間にわたって感光体の帯電電位を適切な範囲に安定的に制御でき、かつ安価な帯電装置を提供する。
【解決手段】 針状電極2と、保持部材3と、2枚の清掃部材4a,4bと、支持部材5と、移動用部材6と、シールドケース7と、グリッド電極8とを含む帯電装置1において、グリッド電極8の表面に、ポリテトラフルオロエチレン含有ニッケル層を形成し、該ポリテトラフルオロエチレン含有ニッケル層に含まれるポリテトラフルオロエチレンの2次凝集体の短径長さを、ポリテトラフルオロエチレン含有ニッケル層の層厚の2倍以下にする。 (もっと読む)


【課題】無電解ニッケルめっき液の析出性を阻害することなく、良好な安定性を付与することが可能な、安全性の高い物質からなる無電解ニッケルめっき用安定剤を提供する。
【解決手段】アリルアミン、アリルアミン塩、ジアリルアミン、ジアリルアミン塩、ジアリルアンモニウム塩、リシン、リシン塩、及びジシアンジアミドからなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物を構成モノマーとする重合体からなる無電解ニッケルめっき液用安定剤。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ポリイミド等のポリマー基板の改良されためっき方法に関する。
【解決手段】 本発明は、ポリマー基板をプラズマジェット又はコロナ放電表面処理で表面処理する工程、ポリマー基板を水酸化物及びイオン性パラジウムを含むエッチング液でコンディショニング及びエッチングする工程、ポリマー基板をイオン性パラジウムで活性化する工程、ポリマー基板上のイオン性パラジウムを還元する工程、無電解ニッケル層を調製したポリマー基板上にめっきする工程、及び無電解銅層を無電解ニッケル層上にめっきする工程を含む。本発明のプロセスは、ポリマー基板を電解めっきするためにポリマー基板を調製する改良された方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】無電解ニッケルめっき液から亜リン酸イオンを除去するとともに次亜リン酸イオンの補充を行なうことで無電解ニッケルめっき液を長寿命化することのできる経済的に有利な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケルめっき液中に被めっき物を浸漬させて、前記被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を施す無電解ニッケルめっき方法において、亜リン酸イオンが蓄積された前記無電解ニッケルめっき液をニッケルめっき槽から抜き出し、抜き出された前記無電解ニッケルめっき液を、アミン含有有機溶媒と次亜リン酸含有水溶液とを接触させて有機相中に次亜リン酸アミン錯体を形成させ相分離して得られる次亜リン酸アミン錯体含有有機相に接触させ、有機相中に亜リン酸イオンを亜リン酸アミン錯体として抽出するとともに水相中に次亜リン酸イオンを移行させた後、相分離して得られる水相を前記ニッケルめっき槽に戻すことを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 (もっと読む)


【課題】 被めっき物である金属微粉末をめっき浴中で均一に安定して分散させ、且つ気泡を発生さ・付着させない無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 金属粉末表面に無電解めっき浴を用いて導電性の高い金属をめっきするにあたり、めっき浴を層流にて高速攪拌できる泡レスタイプ・超高速ミキサーを用い、1,000〜10,000rpmの条件下で撹拌しながらめっきする方法を採用する。撹拌手段としては、泡レスタイプの高速ミキサーが利用できる。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、コバルトイオン、コバルトとは異なる第2の金属のイオン、キレート剤、還元剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステルおよび次式(1)で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式(1)において、R2、R3、R4、R5は、アルキル基、ヒドロキシアルキル基の何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】たとえばチップ状電子部品のような小型の多数の被めっき物を無電解めっきする際、被めっき物の凝集が生じにくく、その結果、めっき膜の異常析出や浴分解が生じにくい、めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液13内の被めっき物14を底面形成部材16によって受け、他方、めっき槽12内に、上下方向に向く軸線17のまわりで螺旋状に延びる搬送路18を形成する搬送路形成部材19を設け、底面形成部材16と搬送路形成部材19とを逆方向に回転駆動する。搬送路形成部材19は、その下端部において、底面形成部材16上の被めっき物14を搬送路18上にすくい、次いで、搬送路18に沿って上方へ搬送した後、上端部において、被めっき物14を底面形成部材16に向かって落下させることを繰り返す。これによって、被めっき物14の凝集が抑制されながら、被めっき物14に無電解めっきが施される。 (もっと読む)


【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】(i)水溶性金化合物、
(ii)錯化剤、
(iii)還元剤、並びに
(iv)下記式


(式中、R及びRは、同一又は異なって、低級アルキル基又は水素原子であり、該低級アルキル基は、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、基:―N(R(但し、Rは水素原子又は低級アルキル基である)、基:−SO(但し、Mは水素原子又はアルカリ金属である)、ヒドロキシル基、基:−O(CH−OH(但し、nは2又は3である)、シアノ基、ニトロ基、ホスホン基及びフェニル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の置換基を有してもよい)で表される化合物、
を含有する水溶液からなる無電解金めっき浴。 (もっと読む)


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