【課題】 固体潤滑材の剥離防止。
【解決手段】 摺動面をめっき皮膜で被覆した摺動部材において、前記めっき皮膜には空洞部が内在されていると共に前記めっき皮膜の表面に前記空洞部と連通するクラックが形成され、前記クラックと前記クラックに連通する前記空洞部に固体潤滑材が充填されていることを特徴とする。 （もっと読む）

無電解ＮｉＷＰ層がＴＦＴ銅ゲートプロセスのために使用される。ＮｉＷＰ堆積プロセスは、（ａ）例えば紫外線、オゾン溶液及び/又はアルカリ混合物溶液を使用するベース表面の浄化、（ｂ）例えば希釈酸を使用するベース表面のミクロエッチング、（ｃ）例えばＳｎＣｌ_２及びＰｄＣｌ_２溶液を使用するベース表面の触媒活性化、（ｄ）還元剤溶液を使用するベース表面のコンディショニング及び（ｅ）ＮｉＷＰ層堆積のステップを含む。ある条件下で堆積されたＮｉＷＰ層は、ガラス基板へのまた、良好なＣｕバリアー能力をもつＣｕ層への、良好な接着性を提供することができることが見出された。ＮｉＷＰ層は、接着、キャッピング及び/又はＴＦＴＣｕゲートプロセスのためのバリアー層に有益である。（例えば、フラットスクリーンディスプレイパネル） （もっと読む）

めっき膜の密着性を向上させるのに好適な無電解銅めっき液、また、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供する。無電解銅めっき液中に水溶性窒素含有ポリマーを含むことを特徴とする無電解銅めっき液であり、さらに前記無電解銅めっき液中に還元剤としてグリオキシル酸、及びホスフィン酸を含有することが好ましい。また、前記水溶性窒素含有ポリマーとしては、ポリアクリルアミドまたはポリエチレンイミンが好ましく、その重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００以上、かつＭｗ／Ｍｎが１０．０以下であることが好ましい。 （もっと読む）

めっき反応が起こりにくい半導体ウェハー等の鏡面上等で無電解銅めっきを行う際に、より低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。還元剤として第一の還元剤とともに、第二の還元剤として次亜リン酸または次亜リン酸塩を使用し、さらに銅析出抑制用安定剤を同時に使用することを特徴とする無電解銅めっき液。第一の還元剤としては、ホルマリン、グリオキシル酸等が挙げられ、次亜リン酸塩としては、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸アンモニウム等が挙げられる。銅析出抑制用安定剤としては２，２’−ビピリジル、イミダゾール、ニコチン酸、チオ尿素、２−メルカプトベンゾチアゾール、シアン化ナトリウム、チオグリコール酸等が挙げられる。 （もっと読む）

超小型電子デバイスの製造において金属基材の基板上にＣｏまたはＣｏ合金を析出するための無電解めっきの方法および組成物であって、Ｃｏイオンの供給源、基板上へ析出イオンを金属に還元する還元剤、およびオキシム基剤の化合物安定剤を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極と接続パッドとを常に正常に電気的に接続することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線導体を有する絶縁基板の表面に銅から成る接続パッド２ａ（２ｂ）が形成されているとともに該接続パッド２ａ（２ｂ）の表面に無電解ニッケルめっき皮膜１１と還元型無電解パラジウムめっき皮膜１２と置換還元型無電解金めっき皮膜１３とが順次被着されている配線基板およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 フレーク状アルミニウム粉末等の顔料より安価で、化学的により安定な新規顔料の提案を課題とする。
【解決手段】基板表面に離型剤層を設ける工程、離型剤層表面に触媒を付与し活性化する工程、所望の無電解めっき液と接触させて厚さ0.01〜0.5μｍの無電解めっき被膜を生成させる工程、無電解めっき皮膜付きの基板を溶媒と接触させて離型剤を溶解除去して前記無電解めっき被膜と基板とを分離する工程、分離した無電解めっき被膜を粉砕して径が1〜300μｍの顔料用フレーク状金属粉を得る工程からなる方法により顔料用フレーク状金属粉を得る。 （もっと読む）

【課題】近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って、異方性導電材料として用いられる導電性微粒子の接続抵抗において、更なる低減化が求められてきている点に鑑み、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性微粒子、及び、異方性導電材料を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成されたニッケルからなる導電層とからなる導電性微粒子であって、前記導電層は、表面に突起を有するものであり、かつ、少なくとも前記突起はアルミニウム及び／又は亜鉛を含有する導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】
金めっき浴槽やフィルター等に金が析出しにくく、下地の無電解ニッケルめっき被膜の局所的な侵食を起こすことも、下地ニッケルめっき被膜を酸化させることもなく、優れたはんだ接合強度が得られるＥＮＩＧ用の置換型無電解金めっき液を提供すること。
【解決手段】
少なくとも、水溶性金塩、分子内に窒素原子を３個以上有するヘテロ環化合物及び緩衝剤を含有する無電解金めっき液であって、その２５℃における酸化還元電位が、−１５０ｍＶ〜＋５０ｍＶの範囲にあることを特徴とする置換型無電解金めっき液により課題を解決した。 （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基材の表面に密着性に優れた無電解めっき被膜を形成する。
【解決手段】 樹脂基板１の表面に電子線を照射し、当該樹脂基板１の表面にラジカルを発生させる電子線照射工程と、ラジカルが発生した樹脂基基板１の表面に二重結合を持つモノマーをグラフト重合させ、当該樹脂基板１の表面にグラフト重合鎖４を形成するグラフト重合工程と、グラフト重合鎖４にイオン交換基５を導入するイオン交換基導入工程と、イオン交換基５に触媒６を付与する触媒付与工程と、樹脂基板１の触媒６が付与された部分に無電解めっき被膜７を形成するめっき処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】導電性金属部の細線状パターン形成を容易に行い、高い電磁波遮蔽性と高い透明性とを同時に有し、モアレのない光透過性電磁波遮蔽材料を、安価で大量に安定生産できる製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】露光装置１２、現像装置１４、及びめっき装置１６により、被めっき素材として、銀塩含有層が設けられた光透過性感光ウエブ１８を搬送しながら、所望の細線状パターン（例えば、格子状、ハニカム状などのパターン）露光・現像を施し、光透過性感光ウエブ１８に細線状金属銀部を形成し、これに、非接触搬送方式で搬送しつつめっき処理を施すことで、光透過性感光ウエブ１８の細線状金属銀部上に導電性金属部を形成する。このようにして光透過性導電性材料としての電磁波遮蔽材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面上に金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜の製造方法であって、基材が複雑な構造部を有する場合においても、簡便なプロセスで均一な金属酸化物膜を得ることが可能であり、さらに結晶性に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、基材表面に、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を接触させることにより金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記基材表面と上記金属酸化物膜形成用溶液とを接触させる際に、光を照射することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に設けられた細孔２２内へめっき法により金属を充填するナノ構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液Ｉ（２７）および少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液ＩＩ（２６）を用意する工程、該溶液Ｉ（２７）を基板の細孔内に充填する工程、溶液Ｉを充填した基板を溶液ＩＩ（２６）に浸漬し、溶液Ｉの金属イオンと溶液ＩＩの還元剤による無電解めっきにより細孔内に金属２８を析出する工程を有するナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 有害物質である鉛等を実質的に含有させずに、良好なめっき皮膜が得られ、めっき被膜中への水不溶性材料の共析が優れると共に、めっき浴の連続使用を達成できる無電解ニッケル（合金）複合めっき浴を提供すること。
【解決手段】 水溶性ニッケル塩、還元剤、モリブデン及びアンチモン並びに水不溶性材料を含有する無電解ニッケル複合めっき浴およびこれに更に合金化金属塩を含有する無電解ニッケル合金複合めっき浴。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、多数の微小突起を有する導電性無電解めっき粉体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の導電性無電解めっき粉体の製造方法では、芯材粉体と半導体粒子とを液体に懸濁させた状態下に光を照射して、該粉体の表面を親水化させると共に該粉体の表面に該半導体粒子を付着させ、次いで親水化され且つ該半導体粒子が付着した状態の該粉体の表面に、無電解めっきにより金属皮膜を形成する。芯材粉体及び半導体粒子として、その粒径比（前者／後者）が１０〜１０⁵のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 簡単かつ安価に、不活性素材上に無電解めっき皮膜を形成できる感受性化処理方法及びそれを用いた無電解めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 不活性素材の表面に固体を接触させて付着させる感受性化処理方法であって、前記固体は、２価のスズを含む化合物を含有することを特徴とする感受性化処理方法。 （もっと読む）

【課題】 特にＩＣ等の外部接続部と接触する接触子の導電性とばね性の双方を良好にすることが可能な接続装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 接触子片２０ａの導電性部材４０の上面、下面及び両側面は補助弾性部材４１で完全に囲まれている。前記導電性部材４０は、前記補助弾性部材４１よりも比抵抗が低く、前記補助弾性部材４１は導電性部材４０よりも降伏点及び弾性係数が高い材料である。これによりスパイラル接触子の導電性とばね性の双方を良好に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリント用モールドとして使用可能な構造体を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき反応の触媒１３を含む樹脂１２に構造体１４を圧着し剥離して該樹脂１２に該構造体１４の構造を転写する工程と、該樹脂１２の転写された構造１５にめっきを行いめっき物１６を形成する工程と、該めっき物１６と該樹脂１２を分離する工程とを有する構造体の製造方法。前記触媒の主成分がイオンであり、樹脂に構造体を圧着した後からめっきを行なう間にイオンを還元させて金属としてもよい。前記触媒の主要元素がＰｄであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物に密着性に優れためっき被膜を形成する無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 基板１の表面にシランカップリング処理を施し、基板１をニッケルめっき浴に液浸させることによって、基板１のシランカップリング処理が施された面にＮｉめっき被膜２を形成した後に、基板１をｐＨ１０以下の銅めっき浴に液浸させることによって、基板１のＮｉめっき被膜２が形成された面にＣｕめっき被膜３を形成する。 （もっと読む）