【課題】 樹脂粒子に金属めっきを施したもので、光触媒を含まない導電性粒子を得ることができる導電性粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】 光触媒である酸化亜鉛微粒子を分散させた液に樹脂粒子を分散させ、紫外線を照射して樹脂粒子表面を改質処理した後、触媒化処理の前又は後に酸又はアルカリ処理して酸化亜鉛微粒子を溶解して除去するとともに、前記触媒化処理した樹脂粒子表面に無電解めっき被膜を形成して導電性粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 金属、セラミックス及び樹脂表面に原子、原子団及び分子レベルで付着して機能的な反応性を付与する。
【解決手段】
下記一般式（１）：
【化７】


で示されるアルコキシシリルトリアジンジチオール。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部１２、１３および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層１４を形成する段階と、ワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層１６を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 無電解スズの有機スルホン酸メッキ浴において、優れたハンダ濡れ性のスズ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩と有機スルホン酸とチオ尿素類を含有する無電解スズメッキ浴において、上記有機スルホン酸として、(Ａ)アルカンスルホン酸と(Ｂ)アルカノールスルホン酸の各アニオン部分を含有し、さらに(Ｃ)カルボン酸と(Ｄ)次亜リン酸類とを含有し、成分(Ａ)（アニオン換算）が０.５０モル／Ｌ以上、成分(Ｂ)（アニオン換算）が１.０モル／Ｌ以上、成分(Ｃ)（アニオン換算）が０.２モル／Ｌ以上、成分(Ｄ)が０.７５モル／Ｌ以上含有される無電解スズメッキ浴である。成分(Ａ)〜(Ｄ)の各種酸が所定濃度以上で含まれて有機一体的な相乗作用が働くため、ハンダ濡れ性の向上並びに良好なフィレットの形成に効果的に寄与する。 （もっと読む）

【課題】多孔質基材上にその形状と表面積を損なうことなく金属を担持させ、当該金属を粒状もしくは針状にして表面積をさらに大きくした金属−多孔質基材複合材料を得る。
【解決手段】金属Ｍ_２よりも酸化還元電位の低い金属Ｍ_３のイオンを含む溶液に超音波をかけながら多孔質基材を浸漬して多孔質基材に金属イオンＭ_３を担持させる工程と、金属イオンＭ_３を担持した多孔質基材を純水あるいは希薄酸溶液に浸漬する工程と、金属Ｍ_２のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンＭ_３を担持した多孔質基材を浸漬して多孔質基材に金属Ｍ_２のコロイドを担持させる工程と、金属イオンＭ_２のコロイドを担持した多孔質基材を純水あるいは希薄酸溶液に浸漬する工程と、金属Ｍ_１のイオン及び還元剤を含み平滑化剤の濃度を５０ｐｐｍ以下とした溶液に金属Ｍ_２のコロイドを担持した多孔質基材を浸漬する無電解めっき工程とを含むようにする。 （もっと読む）

【課題】色調および耐磨耗性に優れた無電解ニッケル黒色めっき膜を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケル黒色めっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬してめっき膜を形成し、前記めっき膜に黒色化処理を施し、前記めっき膜を黒色保持処理に付し、次いで、前記黒色保持処理後のめっき膜を１００〜３００℃の範囲の温度で熱処理する。Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角２θ＝４６〜４９°に回折ピークを有する無電解ニッケル黒色めっき膜。 （もっと読む）

【課題】細孔とセル径を制御可能とし、大面積基板に対して適用可能で、低コスト且つ簡易な装置によるナノ構造体を得る方法、及び該ナノ構造体を鋳型として金属ナノ構造体を得る方法及び金属ナノ構造体の提供。
【解決手段】アルミニウム等の基体２を陽極酸化し、細孔拡大処理により孔径を拡大させたアルミナ皮膜３からなる多孔質酸化皮膜ナノ構造体１を鋳型とし、金属Ｍ２よりも酸化還元電位の低い金属Ｍ３のイオンを含む溶液に超音波をかけながら鋳型を浸漬して鋳型に金属イオンＭ３を担持させる工程、金属Ｍ２のイオンを含む溶液に超音波をかけながら金属イオンＭ３を担持した鋳型を浸漬して鋳型に金属Ｍ２のコロイドを担持させる工程、金属Ｍ１のイオン、還元剤及び平滑化剤を含む溶液に金属Ｍ２のコロイドを担持した鋳型を浸漬する無電解めっき工程、及び、酸化皮膜３を選択的にエッチング除去する工程とを含む方法により金属ナノ構造体４を得る。 （もっと読む）

【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも１種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも１種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも１種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 置換銀メッキにおいて、光沢のある銀白色の美麗な銀メッキ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性銀塩と、チオ尿素類、スルフィド類、メルカプタン類などの含イオウ化合物からなる錯化剤とを含有する置換銀メッキ浴において、オルトリン酸、縮合リン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれたリン酸類の少なくとも一種を含有し、且つ、当該リン酸類の含有量が０.５モル／Ｌ以上である置換銀メッキ浴である。特定のリン酸類を所定以上の濃度で含有することで、銀皮膜が黒変したり、色調むらが発生するのを防止でき、光沢のある銀白色の美麗な銀皮膜が得られる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクデバイスの製造においてコバルト，ニッケル，あるいはこれらの合金を基板上に無電解的に(electrolessly)堆積する(depositing)方法と組成体(composition)。無電解コバルト及びニッケル堆積溶液のためのグレインリファイナー(grain refiner)， レベラー（leveler），酸素除去剤(oxygen scavenger) ，及び安定化剤(stabilizer)。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の変質を抑制して、特性及び信頼性を損なうことのないめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】 めっき液貯槽３０２内のめっき液をめっき槽２００に供給するめっき液供給管３０８とめっき槽２００内のめっき液をめっき液貯槽３０２に戻すめっき液回収管３１０を有するめっき液循環系３５０と、めっき液循環系３５０全体におけるめっき液の液温の低下を抑制する保温部２７２ａ，２７２ｂ，３５２，３５６とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】（ａ）（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個の珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）白金族金属系触媒
を含有するシリコーンゴム組成物：３〜４０重量％、
（ｂ）非導電性母材粒子の最外層表面が金属で被覆され、かつ（ａ）成分の重合体の比重に対する差が±１．５以内である比重を有する導電性粒子：３〜４０重量％、
（ｃ）金属粉末からなる導電性粒子：３０〜９４重量％（但し、この（ｃ）成分の含有量は（ｂ）成分の含有量より多い）
を含有することを特徴とする導電性組成物。
【効果】本発明の導電性組成物は、貯蔵安定性に優れ、硬化性の経時変化が小さく、かつ硬化して得られる導電性ゴムの体積抵抗率の経時変化が小さい。 （もっと読む）

【課題】 最小限の欠陥しかない均一な層を堆積することのできる一体型無電界堆積装置を提供する。
【解決手段】 無電界堆積システム及び無電界堆積ステーションが提供される。このシステムは、処理メインフレームと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板洗浄ステーションと、メインフレームに位置された無電界堆積ステーションとを備えている。無電界堆積ステーションは、環境的に制御される処理エンクロージャーと、基板の面を洗浄し活性化するように構成された第１処理ステーションと、基板の面に層を無電界堆積するように構成された第２処理ステーションと、第１及び第２の処理ステーション間で基板を移送するように位置された基板シャトルとを備えている。また、無電界堆積ステーションは、汚染のない均一な無電界堆積プロセスを遂行するために種々の流体配送及び基板温度制御装置も備えている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を形成し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質を、めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、光触媒物質、又はアミノ基を有する物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質又はアミノ基を有する物質表面に金属膜を形成し半導体装置を作製し、めっき触媒物質を含む溶液はｐＨを３以上６以下に調整して用いる。 （もっと読む）

【課題】
１００℃以上にも達する高温下、７〜１２ＭＰａにも達する高圧下であっても、腐食の発生，キャビテーション、さらにはエロージョンによる損耗を抑え、それらの耐環境性を改善し、アルミニウム材を用いた場合に優れた寿命を有する筒内直接噴射装置用の燃料ポンプを提供すること。
【解決手段】
アルミニウム又はアルミニウム合金を有する筒内直接燃料噴出装置における燃料ポンプに、無電解によりＮｉ−Ｐ或いはＮｉ−Ｐ系のめっき被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金化合物と、シュウ酸及び／又はその塩とを含有し、下地金属溶出抑制剤を含まないことを特徴とするワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液。シアン化金化合物は金イオン濃度で０．５〜１０ｇ／Ｌ、シュウ酸及び／又はその塩は５〜５０ｇ／Ｌが好ましい。前記無電解金めっき液は、下地溶出金属の隠蔽剤を含有することが好ましく、前記隠蔽剤はエチレンジアミン四酢酸及び／又はその塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき液の再生処理を、効率的かつ自動的に行う。
【解決手段】本発明の無電解めっき液の再生装置は、めっき処理に伴ってめっき槽２０内で生成される亜リン酸の生成速度を測定するセンサ２０ｂと、めっき槽内のめっき液１００を分取し第一処理槽１１に移送する分取装置２１と、分取されためっき液に含まれる亜リン酸の濃度を測定するセンサ３１と、このめっき液に含まれる亜リン酸から、亜リン酸カルシウム１０５を生成させるために必要な炭酸カルシウム又は水酸化カルシウム１０４を第一処理槽に供給する添加装置１３と、第一処理槽内で生成した亜リン酸カルシウムをめっき液から分離除去する分離装置１４と、亜リン酸カルシウムが分離除去されためっき液をめっき槽に移送する戻しポンプ２２と、分取装置２１及び戻しポンプ２２の移送速度を制御するコントローラ１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 疲労寿命および耐摩耗性、密着性などの特性を保障しうる、信頼性の高いＮｉ−Ｐめっきを施した、耐摩耗性チタン材を提供することである。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を設けたチタン材であって、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜が、質量％で、Ｎｉ：８５％以上、Ｐ：１〜５％、ＮＨ₄ 基：０．１〜１％を含むＮｉ合金からなるとともに、Ｘ線回折法によるＮｉ−Ｐめっき皮膜組織解析における皮膜の結晶子平均サイズが１〜５ｎｍである結晶性めっき皮膜からなり、かつ前記チタン材とＮｉ−Ｐめっき皮膜との界面に、Ｎｉが９９％以上からなるＮｉまたはＮｉ合金層か、Ｐｄが９０％以上からなるＰｄまたはＰｄ合金層かの、少なくともいずれか一方が形成されており、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜のめっきままでの硬度が５００Ｈｖ以上であることとする。 （もっと読む）