【課題】導電性金属部の細線状パターン形成を容易に行い、高い電磁波遮蔽性と高い透明性とを同時に有し、モアレのない光透過性電磁波遮蔽材料を、安価で大量に安定生産できる製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】露光装置１２、現像装置１４、及びめっき装置１６により、被めっき素材として、銀塩含有層が設けられた光透過性感光ウエブ１８を搬送しながら、所望の細線状パターン（例えば、格子状、ハニカム状などのパターン）露光・現像を施し、光透過性感光ウエブ１８に細線状金属銀部を形成し、これに、非接触搬送方式で搬送しつつめっき処理を施すことで、光透過性感光ウエブ１８の細線状金属銀部上に導電性金属部を形成する。このようにして光透過性導電性材料としての電磁波遮蔽材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、多数の微小突起を有する導電性無電解めっき粉体を製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の導電性無電解めっき粉体の製造方法では、芯材粉体と半導体粒子とを液体に懸濁させた状態下に光を照射して、該粉体の表面を親水化させると共に該粉体の表面に該半導体粒子を付着させ、次いで親水化され且つ該半導体粒子が付着した状態の該粉体の表面に、無電解めっきにより金属皮膜を形成する。芯材粉体及び半導体粒子として、その粒径比（前者／後者）が１０〜１０⁵のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の粗面化やエッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、急激な温度変化に対しても安定した密着性を維持することができる導電性パターンの形成方法を提供すること。また、高周波特性に優れる金属配線に好適な導電性パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に、該基板表面に直接結合し、且つ、親水性基を有するグラフトポリマーをパターン状に生成させる工程と、
該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与する工程と、
無電解メッキを行う工程と、
前記親水性基を疎水性に変換する工程と、
をこの順に有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物に密着性に優れためっき被膜を形成する無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 基板１の表面にシランカップリング処理を施し、基板１をニッケルめっき浴に液浸させることによって、基板１のシランカップリング処理が施された面にＮｉめっき被膜２を形成した後に、基板１をｐＨ１０以下の銅めっき浴に液浸させることによって、基板１のＮｉめっき被膜２が形成された面にＣｕめっき被膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ポリイミド膜の表面をＫＯＨ、エチレングリコール及びＫＯＨの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第１の伝導性金属膜を形成する第１のめっき段階と、前記第１のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第２の伝導性金属膜を形成する第２のめっき段階と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、優れた高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、厚さ０．１〜１０μｍの金属めっき層と、厚さ１〜１００μｍの有鉛または無鉛のはんだ層との順に電気めっきした、外径２．５μｍ〜１ｍｍのプラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関する。本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法によれば、優れた熱的特性及び高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理し、その後、無電解めっきして金属めっき層を形成して前記ビーズ表面及び金属めっき層間の密着力を改善した、１ｍｍ以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、密閉式６角バレルを電気めっき液に含浸させ、３６０°に回転するメッシュバレルを６〜１０ｒｐｍで回転させて電気めっきを行うか、または、従来の密閉式６角バレルの一面を開放し、左右２００°に回転するメッシュバレルを１〜５ｒｐｍで回転させて電気めっきを行うことによりはんだ層を形成する。本発明のプラスチック導電性微粒子は、パッケージギャップを保持できるので、ＩＣパッケージ、ＬＣＤパッケージ及びその他導電材に有用に用いられる。
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【課題】金属調の輝度を有しながら、透明感のある彩度の高い着色粒子を得る。
【解決手段】透明性を有する基体粒子、及び有機顔料を含み、カチオン性顔料分散剤及び／またはノニオン性顔料分散剤が添加された水性分散液（Ａ）を調製し、
該水性分散液（Ａ）を攪拌しながら金属塩溶液（Ｂ）及び還元剤溶液（Ｃ）を同時に滴下して、無電解めっき反応を行わせる。 （もっと読む）

自己触媒無電解めっき浴を用いて基板に金属めっきする方法において，めっき浴において少なくとも２つの相が存在するようめっき浴の曇り点よりも高い温度でめっき浴を作用させる方法を開示する。銀金属を被覆するための自己触媒無電解めっき浴も記載する。また，介在金属層を必要とせずに銀金属をシリコン表面上に直接自己触媒めっきする方法も開示する。得られた銀析出物は均一な非多孔質であり，電気特性を有する。この技術は，異なる方法及びめっき浴組成，すなわち，異なる金属，錯化剤及び還元剤に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】銅粉に付着している疎水性物質を除去する工程を経ることなく、直接、銀被覆処理を施し、均一性の高い銀被覆層を形成した銀被覆銅粉を提供する。
【解決手段】銀イオンが存在する有機溶媒含有溶液中、または有機溶媒相と水溶媒相からなり銀イオンが存在するエマルジョン中で、銀イオンと金属銅との置換反応により、銀を銅粒子の表面に被覆する。銀イオン源としては硝酸銀が好適に使用でき、有機溶媒としては硝酸銀等の銀塩に対して溶解度を有するアルコール、ケトン、アルデヒドおよびエーテルの１以上を使用することができる。この方法により、明度Ｌ^*が５０以上を呈する均一性の高い銀被覆層を形成した銀被覆フレーク状銅粉を得ることができ、これは、導電ペースト用のフィラーとして好適な対象となる。 （もっと読む）

金属微細構造化表面を有する基材上へ金属を選択的におよび無電解で堆積する方法が開示される。本方法は、自己組織化モノレイヤーを金属微細構造化表面上に形成する工程と、自己組織化モノレイヤーを、可溶型の堆積金属を含む無電解めっき液に暴露させる工程と、堆積金属を選択的に金属微細構造化表面上に無電解堆積させる工程と、を含む。本方法で形成された物品もまた開示される。
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【課題】液冷式発電機における漏れを補修および防止するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】ステータバー（１６）の少なくとも一部を形成する冷媒を流すための内部液体通路を備えるステータバー（１６）を封止する方法は、ステータバー（１６）の濡れた内部表面の少なくとも一部分を無電解めっきするステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、光沢度測定による絶縁性基体のエッチング工程のコントロールに関する。本方法により、引き続いて行われるメタライゼーション工程において堆積金属層の良好な接着を結果する表面粗度を得ることができる。本方法は特にプリント基板の製造に好適である。 （もっと読む）

銀で有機基材をメッキをするための改良された方法が開示される。
【課題】 本方法は、（ａ）有機基材を洗浄し、表面を下処理する洗浄ステップと、（ｂ）洗浄された有機的基材をスズ塩と無機酸を含む金属被覆前処理水溶液に接触させるステップと、（ｃ）銀で金属被覆前処理された有機基材をメッキするステップとを含み、該ステップ（ｃ）が更に、（i)金属被覆前処理された有機基材を、Ｎａ₄ＥＤＴＡ水溶液と接触させ、（ii)金属被覆前処理された有機基材を、銀塩水溶液と接触させて有機基材上に酸化銀を析出させる。銀塩水溶液は錯化剤を含み、（iii)析出した酸化銀を有する有機基材を還元剤と接触させ、有機基材上にメタリックシルバーを形成させる。この改良されたメッキは、部分的にＮａ₄ＥＤＴＡを使用して達成され、廃棄材料からの銀の回復と改良された結晶粒形成を促進する。本発明の手段を使用して処理される物品も、また開示される。
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【課題】 屈曲可能で、寸法安定性、回路形成性、導体引き剥がし強度などに優れる金属めっき基板、それを用いてなるフレキシブルプリント配線板と多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 繊維基材に、硬化物の弾性率が５００〜７０００ＭＰａ（ＡＳＴＭ Ｄ−８８２に準じて測定）である接着剤組成物を含浸させてなる熱硬化型接着シートの少なくとも片面にめっき皮膜を形成し、該接着シートを加熱硬化させてなる金属めっき基板、この金属めっき基板を用いてなるフレキシブルプリント配線板、及び前記金属めっき基板を用いて得られた内層回路板に、回路を形成した各層を接着シートを介して一体的に接合してなる多層プリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するパラジウム−銀合金皮膜を形成できる、無電解パラジウム−銀合金めっき液を提供する。
【解決手段】
（ｉ）水溶性パラジウム化合物、
（ii）水溶性銀化合物、
（iii）アンモニア、モノメチルアミン、モノエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン及びモノエタノールアミンからなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、
（iv）一般式：
【化１】


（式中：ｎは１〜５の整数であり、Ｒは水素原子又は−ＣＨ₂−ＣＨ₂−ＮＨ₂である）で表されるエチレンジアミン類、
（ｖ）水溶性アルデヒド化合物、並びに
（vi）周期律表第四周期の遷移元素を含む水溶性化合物、
を含有する水溶液からなる無電解パラジウム−銀合金めっき液。 （もっと読む）

本発明は、触媒前駆体樹脂組成物及びこれを利用した透光性電磁波遮蔽材の製造方法に係り、より詳しくは、（ａ）反応性低重合体；（ｂ）反応性単量体；（ｃ）光重合開始剤；（ｄ）非電着性メッキ用触媒前駆物質；及び（ｅ）溶媒を含む触媒前駆体樹脂組成物及びこれを利用した透光性電磁波遮蔽材の製造方法に関するものである。
本発明の触媒前駆体樹脂組成物は基材との接着性に優れた紫外線硬化型樹脂を含んでいて、電磁波遮蔽材の製造時に別途の前処理作業が必要でなく、電磁波遮蔽材の製造が容易である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂素材のめっきにおいて、樹脂とめっき金属層との密着強度を向上させるとともに、めっき処理に要するコスト削減を達成する。
【解決手段】 樹脂素材に対してめっき皮膜を樹脂めっき方法において、樹脂素材をオゾン溶液で処理する工程と、銀、コバルト、ニッケル、ルテニウム、セリウム、鉄、マンガン、ロジウム触媒から選択される金属触媒の１種以上を吸着させる工程とを含むことを特徴とする樹脂めっき方法。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性、耐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに、乾式めっき法により、チタンの割合が３〜２２重量％、クロムの割合が５〜２２重量％で残部がニッケルのニッケル−チタン−クロム合金を主として含有する膜厚３〜５０ｎｍの下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に湿式めっき法により銅被膜層を形成した２層フレキシブル基板とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性及び密着性を有し、且つ導電性素材の保持性及びその持続性に優れた導電膜の製造方法、及び該導電膜の製造方法により得られた導電膜を提供すること。
【解決手段】 基材上に、無電解メッキ触媒又はその前駆体と相互作用しうる官能基及び架橋性官能基を有するグラフトポリマーを直接結合させる工程と、該グラフトポリマーに無電解メッキ触媒又はその前駆体を付与して無電解メッキ触媒含有層を形成する工程と、該無電解メッキ触媒含有層にエネルギーを付与することにより、該無電解メッキ触媒含有層中に架橋構造を形成する工程と、無電解メッキを行う工程と、を有することを特徴とする導電膜の製造方法、及び、該導電膜の製造方法により得られた導電膜である。 （もっと読む）