マグネシウムおよびマグネシウム合金基材をジンケート処理するための改良された組成物および方法。約８から約１１のｐＨを有し、かつ亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオン、および還元剤を含む、水性ジンケート処理組成物。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、非電解水性ジンケート処理組成物を、基材上に亜鉛酸塩を析出させるに充分な時間浸漬する工程、を含む、方法。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオンを含み、そして約８から約１１の範囲のｐＨを有する水性非電解組成物を調製する工程；該組成物に、該マグネシウムまたはマグネシウム合金基材上への亜鉛酸塩の析出を向上させるに充分な量の還元剤を添加する工程；および該基材を該組成物中に、該亜鉛酸塩を該基材上に析出させるに充分な時間浸漬する工程；を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属被覆膜を形成する方法において、該被覆膜と成形品との密着性
が優れ、美麗な外観を有する金属メッキ方法を提供すること。
【解決手段】芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品の表面の、少なくとも一部に、特定の方法で金属メッキ膜を形成する方法であって、特にストライクメッキ工程において、メッキ浴として硫酸銅又は硫酸ニッケルの溶液を用いる。また、該金属メッキされた成形品が、特定のヒートサイクル試験を行った場合に測定されるビスフェノールＡの量が１０μｇ／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】ボイドのないポリマー層を、塗布液に用いる溶媒の沸点に関わらず、短い乾燥時間で形成することが可能な、ポリマー層の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のポリマー層の形成方法は、（ａ）ガラス転移温度が１８０℃以下のポリマーＰ、及び、該ポリマーＰを溶解する溶媒Ａを含む塗布液を、支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、（ｂ）該塗膜に、前記ポリマーＰを溶解しない、水及びアルコールの少なくとも一方を含む液体Ｂを接触させて、当該塗膜から溶媒Ａを取り除く工程と、（ｃ）該塗膜を乾燥する工程と、をこの順に含み、前記溶媒Ａと前記液体Ｂとが「溶媒Ａの沸点」＞「液体Ｂの沸点」の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】CNT（カーボンナノチューブ）をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Cuめっき液を提供する。
【解決手段】無電解Cuめっき液は、CNTと、該CNTを分散させる、ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースとからなる分散剤とを含む。ドデシル硫酸ナトリウムとヒドロキシプロピルセルロースの添加量は、それぞれ1.0×10−３Ｍ〜2.0×10−３Ｍ程度が好適である。 （もっと読む）

【課題】表面に均一に金属メッキを施したポリエチレン粒子及び該ポリエチレン粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が１μｍ〜１００μｍの樹脂粒子の表面に無電解メッキ層が形成されていることを特徴とする機能性微粒子であって、上記樹脂粒子がポリエチレン粒子に極性モノマーをグラフト重合したグラフト共重合体であることを特徴とする機能性粒子、および極性モノマーをグラフト重合する方法が、放射線グラフト重合である上記機能性微粒子。 （もっと読む）

【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩（Ａ）、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 （もっと読む）

本発明は、プリント回路板、ＩＣ基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての１μｍ以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解（浸漬）めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 （もっと読む）

光起電太陽電池における金属接点にめっきを施すための方法及び組成物を記載する。めっき性金属イオン及び化学還元剤を含有する水性浴に前記電池を浸漬する。次いで、前記電池を光に曝露して、前記電池の２つの側面を逆の極性に帯電させる。外部電気接触、裏側のアノード腐蝕、及び裏側の犠牲物質の必要なしに、金属イオンをめっきできる。 （もっと読む）

【課題】めっき下地の表面であって非回路となる部分について、レーザー光の照射による除去が困難な部分と、マスク材の被覆が困難な部分との双方が存在する場合にも、電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体１に施した無電解銅めっき２の表面において、レーザー光３の照射による除去が容易な非回路となる部分２２ａ〜２２ｄについて、このレーザー光の照射によって無電解銅めっきを除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材４で被覆する。レーザー光３の照射によって除去されず、かつマスク材４で被覆されていない回路となる部分２１に電解銅めっき５を積層した後でマスク材４を溶解除去する。電解銅めっき５によってカバーされた回路となる部分２１以外の無電解銅めっき２をエッチング液で除去する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきとの間に十分な密着強度を確保できるように、化学エッチング剤を使用しないで基体の表面を粗化することができる。
【解決手段】基体１を成形する第１工程と、第１のレーザー光２を照射してこの基体の表面、またはこの表面のうち回路となる部分１ａのみのいずれかを粗化する第２工程と、
この基体の表面に触媒３を付与する第３工程と、この基体を乾燥させる第４工程と、非回路となる部分１ｂに第２のレーザー光４を照射して、この非回路となる部分の触媒の機能を低下または消失させる第５工程と、この回路部分となる部分に無電解めっきを施す第６工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】めっき触媒等の金属に対して充分な吸着性を有し、吸水性が低く、重合性に優れ、且つアルカリ水溶液による加水分解を抑制しうる新規共重合ポリマーの提供。
【解決手段】下記式（１）で表されるユニット、及び、下記式（２）で表されるユニットを含むポリマー。式（１）及び式（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、夫々独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表し、Ｒ^６は、無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、Ｖ及びＺは、夫々独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、Ｌ^１及びＬ^２は、夫々独立して、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
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【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】導電膜と基板との密着性に寄与する樹脂層の柔軟性、耐熱衝撃性に優れた導電膜の形成方法、該導電膜の形成方法を工程中に含むプリント配線板の製造方法及び導電膜材料を提供する。
【解決手段】（ａ）有機樹脂基材上に、ラジカル重合性基を有する化合物と、熱可塑性樹脂とを含有してなる樹脂層を形成する工程、（ｂ）無電解めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂とラジカル重合性基を有する化合物とを含有する無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる樹脂層を形成する工程、（ｃ）無電解めっき触媒またはその前駆体を吸着しうる層に、無電解めっき触媒またはその前駆体を付与する工程、及び、（ｄ）無電解めっきを行い、無電解めっき膜を形成する工程、を含む導電膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｃｕめっき液を提供する。
【解決手段】ＣＮＴの分散剤として、トリメチルセチルアンモニウム塩を1.0×10−３Ｍ〜2.0×10−３Ｍ程度添加する。トリメチルセチルアンモニウム塩は、トリメチルセチルアンモニウムクロリドが好適である。めっき条件によって、ＣＮＴが無電解Ｃｕめっき皮膜内に完全に埋没している状態や、無電解Ｃｕめっき皮膜表面にＣＮＴの先端が突出している状態に調整できる。ＣＮＴ先端がめっき皮膜表面に突出している場合には、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。また、無電解Ｃｕめっき皮膜中にＣＮＴを取り込ませた場合、２μｍ程度のめっき皮膜の厚さで、１００ｋＨｚ〜数ＧＨｚ程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有することが期待できる。 （もっと読む）

【課題】樹脂層との密着性に優れためっき膜の形成に有用な、表面が平滑であっても、その表面に形成されるめっき膜との高密着性を達成しうるめっき用感光性樹脂組成物、それを用いた、表面金属膜材料、及びその作製方法などを提供する。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体と配位結合性の相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマー、及び、合成ゴムとエポキシアクリレートモノマーとベンジルアルコール基を有する重合性モノマーとからなる群より選択される１種以上を含有するめっき用感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、およびそのような無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】塩素イオンを１〜１５ｐｐｍ含む無電解銅めっき液を用いてめっきを行う。また、さらに例えばビス−（３−スルホプロピル）ジスルファイドのような、分子量５０以上２０００以下の硫黄系有機化合物を含有するめっき液を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来の銀メッキ銅微粉における、銀メッキ前の銅微粉の酸化状態によって銀メッキ反応後の色調にバラツキが生じることや、フレーク状の銀メッキ銅微粉の表面に機械的な変形痕が生じる等の問題点を解決し、導電性と銀メッキ反応時の再現性に優れた銀メッキ銅微粉及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フレーク状に加工した銅微粉を熱処理して銅微粉表面を酸化し、次に、銅微粉をアルカリ性溶液中で銅微粉表面の有機物を除去・水洗した後、酸性溶液中で銅微粉表面の酸化物を酸洗・水洗し、その後、この銅微粉を分散させた酸性溶液中に還元剤を添加しｐＨを調整して銅微粉スラリーを作成し、この銅微粉スラリーに銀イオン溶液を連続的に添加することにより、無電解置換メッキと還元型無電解メッキにより銅微粉表面に銀層を形成することを特徴とする銀メッキ銅微粉の製造方法。 （もっと読む）