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Fターム[4K022DB06]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被覆手段 (3,746) | 液組成 (2,225) | ホルマリン (189)

Fターム[4K022DB06]に分類される特許

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【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 (もっと読む)


【課題】電解めっき工程の生産性を向上させた配線板の製造方法を提供する。また、金属薄膜と絶縁性基板との密着性が高い配線を有する配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に金属薄膜を形成して配線基板102とし、該配線基板102の金属薄膜2上に電解めっき法によってめっき膜を形成する配線板の製造方法である。めっき膜を形成する工程は、めっき液9に浸漬させていない状態の配線基板102の金属薄膜2とめっき液9に浸漬した状態のダミーカソード6を電気的に並列接続し、金属薄膜2とダミーカソード6に電圧が印加された状態を準備する準備工程と、配線基板102をめっき液9に浸漬して、配線基板102の金属薄膜2に電解めっきを行う電解めっき工程とからなる。 (もっと読む)


【課題】析出速度と浴安定性を兼ね備えた無電解銅めっき浴を簡便に提供することのできる無電解銅めっき浴用反応促進剤を提供すること。
【解決手段】 以下の式(I)、
【化1】


(式中、RおよびR’はそれぞれ独立して水素または炭素数1〜4のアルキル基を示し、Xは対アニオンを示す)
で表される構造単位を有するジアリルアミン系重合物を含有することを特徴とする無電解銅めっき浴用反応促進剤。 (もっと読む)


【課題】光透過性、電磁波シールド性、外観性、および視認性に優れ、高精度のメッシュパターンを有する光透過性電磁波シールド材を、簡易な方法で製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】複合金属酸化物及び/又は複合金属酸化物水化物と、合成樹脂とを含む無電解めっき前処理剤を、透明基板11上にメッシュ状に印刷することにより、前記透明基板11上にメッシュ状の前処理層12を形成する工程A1、及び、
前記前処理層12上に、無電解めっき処理により、メッシュ状の金属導電層13を形成する工程A3、
を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき層を有する多孔質樹脂材料の量産化に対応しうる形成方法を提供する。
【解決手段】多孔質PTFE膜からなるフレーム板2をマスク膜11,12により挟んで積層体14を構成した後、貫通孔5を形成する。コンディショニングにより、親水層40を多孔質PTFEの各繊維表面に形成する。その後、積層体14を容器に収納した状態でチャンバー内を減圧し、容器内に触媒液を供給し、減圧解除後、触媒液を排出し、減圧後触媒液を容器内に供給する処理を繰り返す。これにより、触媒液を均一に微細孔内に浸透させて、コロイド粒子層15の形成を行う。さらに、活性化処理により形成される触媒粒子を核として、無電解めっきにより、Cu層,Ni−P合金層,Au層などの無電解めっき層からなる筒状電極膜を形成する。 (もっと読む)


【解決手段】ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材上に、無電解めっきにより形成されたバリア層を介して無電解銅めっき層が積層された積層構造であって、上記バリア層が、有機シラン化合物の単分子層、及び該単分子層の上記バリア層側の端部を修飾するパラジウム触媒を介して上記基材上に形成され、かつ該基材側から無電解NiBめっき層と無電解CoWPめっき層とで構成されている積層構造。
【効果】ケイ素化合物系低誘電率材料上に、簡単な工程で密着性の良好なバリア層、配線層等に適用される無電解銅めっき層を全てウエットプロセスにて形成することができ、ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材、バリア層、及び配線層等の無電解銅めっき層が、相互に強固に密着した積層構造を得ることができる。また、この積層構造は、超LSIの銅配線、特に、従来に比べて更に狭小化されたトレンチに形成される銅配線の形成構造として好適である。 (もっと読む)


【課題】 銀メッキ層の密着性の悪化や白化等の問題を全く起こすことなく、変色抑制を容易にできる銀メッキ製品用変色抑制剤を提供する。
【解決手段】 銀メッキ層表面に、塩化物イオンと錯化剤を含有する処理液を塗布又は浸漬処理することで、銀メッキ表面から不純物を取り除くことができ、トップコート時の変色を容易に防止できる変色抑制剤である。本発明のこの様な変色抑制剤は、塩化物イオンと錯化剤を含有する溶液からなり、この溶液を銀メッキ層に塗布又は浸漬処理することで、容易に銀メッキ層の不純物を除去することができ、銀メッキ層の変色防止に優れた効果を発揮する。 (もっと読む)


【課題】無機材料との複合化を効率良く行うことが出来る多分岐ポリイミドを用いた無電解めっき促進用多分岐ポリイミド、及び無電解めっき促進用多分岐ポリイミドを無電解メッキして得られる、金属とポリイミドの密着性が良好である金属被覆多分岐ポリイミド及びその簡便な製造法を提供する。
【解決手段】テトラカルボン酸ニ無水物と、トリアミンを含むジアミンとを反応させて得られる多分岐ポリイミドのアミノ基に、無電解めっき触媒前駆物質を吸着させることを特徴とする無電解めっき促進用多分岐ポリイミドである。 (もっと読む)


【課題】エラストマー材料からなる基体の表面に、密着性の高い金属パターンが比較的簡単な工程で精度よく形成された表面実装用部品を提供する。
【解決手段】表面実装用部品1は、基体3と、基体3の表面に形成されたパターン5とを備えている。基体3は、導電性を有するエラストマー材料によって形成されたもので、導電性を有するエラストマー材料としては、シリコーン系エラストマーをベースにして導電材として機能する銀フィラーを配合してなる材料が利用されている。パターン5は、銅によって形成されたもので、パラジウム化合物を含有する触媒成分含有液を用いて、パターン5に相当する形状の印刷を基体3の表面に施すとともに、当該印刷が施された箇所に銅を含有する金属成分含有液を接触させて、無電解めっき法にて銅を析出させることによって形成されている。 (もっと読む)


【課題】 銀めっき付き繊維材料において、銀めっき膜は、薄くしても、抗菌性や防臭性、導電性や電磁波遮蔽性などの性能を維持する。
【解決手段】 繊維、繊維束や糸などの繊維材料は、外周面に銅めっき又は銅合金めっきを付着して外周面を銅めっき膜又は銅合金めっき膜で覆い、その銅めっき膜又は銅合金めっき膜の外周面に銀めっきを付着して銅めっき膜又は銅合金めっき膜の外周面を銀めっき膜で覆い、銀めっき膜の内周面に銅又は銅合金めっき膜を積層している。この銀めっき付き繊維材料を製造する場合は、繊維材料に、銅又は銅合金の無電解めっきを施し、その後、銀の無電解めっきを施す。 (もっと読む)


【課題】 基材の表面に銀メッキ層を形成させた製品において、基材表面に形成された銀メッキ層の密着性に優れた銀メッキ製品の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材の表面に銀メッキ層を形成する方法において、基材表面を第一スズイオン含有水溶液、銀塩含有水溶液、還元剤含有水溶液の順に塗布又は浸漬処理した後、これに銀鏡反応により銀メッキ層を形成させることを特徴とする銀メッキ製品の製造方法である。
本発明の銀メッキ製品の製造方法によれば、基材表面に形成された銀メッキ層は、その密着性に優れた銀メッキ製品を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材上に構築させる回路の微細化や製造工程の簡略化に対応するための樹脂基材のメタライズ(薄膜,多層化,めっき)に関する微細配線形成方法を提供する。
【解決手段】レーザーデトネーション法を用いた原子状ビームの照射による表面改質を利用して、ポリイミド樹脂表面の局所的な濡れ性を制御し、微細配線を形成する。すなわち、樹脂基材表面に原子状フッ素ビームを照射後(第1の改質工程)、マスキングを施し、その後で原子状酸素ビームを照射することにより(第2の改質工程)、無電解金属めっきにおいてマスク開口部のみに銅などの金属を析出させるマスクパターンの転写を可能とする。 (もっと読む)


【課題】液晶ポリマー基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、容易な工程によって無電解めっき方法により良好な密着力のめっき膜を形成することができ、このめっき膜により、ファインピッチの配線パターンの回路電極を形成する。
【解決手段】フィラーを含まない液晶ポリマー基材に紫外線を照射する紫外線処理工程と、紫外線処理工程の後に、液晶ポリマー基材を硫酸過水に接触させる溶液処理工程と、溶液処理工程の後に、液晶ポリマー基材にアルカリ処理を行うアルカリ処理工程と、溶液処理工程の後に、液晶ポリマー基材に触媒を付与する触媒処理工程と、触媒処理工程の後に、液晶ポリマー基材をめっき液に接触させるめっき処理工程と、めっき処理工程の後に、液晶ポリマー基材を加圧しながら加熱する熱処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】Pd活性化処理を行わずとも、被めっき金属微粒子を無電解めっき法によりめっき用金属にて良好にめっきする方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】被めっき金属微粒子は、まず第三工程においてその表面が清浄化処理されて、機械油、手垢、グリスなどの油脂類、あるいは軽度に脆化した酸化物や水酸化物などが除去され、ついで第一工程において高温度の大気中での加熱や酸化力のある酸水溶液などで酸化処理されてその表面に均一な酸化膜が形成され、最後に第二工程において所望のめっき用金属を自己触媒析出する無電解めっき液に浸漬して無電解めっきされる。 (もっと読む)


【課題】めっき膜により構成される回路電極の抵抗が高くなってしまうのを防止し、かつ、樹脂基板が強アルカリ性のめっき液によって浸食されてしまうのを防止するとともに、樹脂基板が吸水してしまうのを防止し、めっき配線基板の信頼性の向上を図る。
【解決手段】ポリイミド基板1におけるめっき膜非形成部7に、低透湿性かつ耐アルカリ性のシリコン酸化被膜8を形成する被膜形成工程と、ポリイミド基板1におけるめっき膜形成部3に、触媒層4を形成する触媒処理工程と、被膜形成工程および触媒処理工程の後に、ポリイミド基板1を銅めっき液に接触させ、めっき膜形成部3に、触媒層4を介して銅めっき膜5を形成するめっき処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法、それにより得られる金属膜、及び金属膜形成用基板を提供することにある。
【解決手段】(a)基板に直接化学結合しており、メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、及び架橋性基前駆体を有するポリマーを形成するポリマー層形成工程と、(b)該ポリマー層上にメッキ触媒又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、(c)該メッキ触媒又はその前駆体に対してメッキを行うメッキ工程と、(d)ポリマー層に架橋を行う架橋工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】 環境汚染となるクロム酸や過マンガン酸等を使用せずに、特に平均粒径が20μm以下の微粒子であっても優れためっき密着性を有する導電性無電解めっき粉体及びその工業的に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性無電解めっき粉体は芯材粉体の表面をメラミン樹脂で被覆処理し、更に無電解めっきにより金属皮膜が形成されてなることを特徴とする。また、その製造方法は該芯材粉体と該メラミン樹脂の初期縮合物を接触させて該初期縮合物の重合反応を行って該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体を得る工程、次いで該メラミン樹脂を被覆した該芯材粉体の表面に貴金属を担持させる工程、次いで該貴金属を担持させた該芯材粉体を無電解めっき処理する工程とを、含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ポリイミド等のポリマー基板の改良されためっき方法に関する。
【解決手段】 本発明は、ポリマー基板をプラズマジェット又はコロナ放電表面処理で表面処理する工程、ポリマー基板を水酸化物及びイオン性パラジウムを含むエッチング液でコンディショニング及びエッチングする工程、ポリマー基板をイオン性パラジウムで活性化する工程、ポリマー基板上のイオン性パラジウムを還元する工程、無電解ニッケル層を調製したポリマー基板上にめっきする工程、及び無電解銅層を無電解ニッケル層上にめっきする工程を含む。本発明のプロセスは、ポリマー基板を電解めっきするためにポリマー基板を調製する改良された方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】危険度の高いエッチング液を使用することなく、銀メッキ層との密着性も高く、良好な銀層を有するフィルムやシートを経済的に得ようとする。
【解決手段】プラスチック製のフイルム又はシートの表面に、ウレタン変性した飽和ポリエステル樹脂を含有する組成物を塗布した処理層を設ける。この処理層の上に銀鏡反応により銀層を生成する。これによって、良好な銀層を有するフイルム又はシートを得ることができる。
また、プラスチック製のフイルム又はシートの表面に飽和ポリエステル樹脂を含有する組成物を塗布した下処理層を設け、この下処理層の上に上記ウレタン変性した飽和ポリエステル樹脂の処理層を形成する。この処理層の上に銀鏡反応により銀層を生成する。これによって、良好な銀層を有するフイルム又はシートを得る。 (もっと読む)


【課題】 基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能であり、さらに簡単な製造方法にて前記密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板1上に単分子膜2が形成され、前記単分子膜2上に中間膜3が形成される。前記中間膜3に含まれるピロリル基及び単分子膜2に含まれるピロリル基の少なくとも一部は重合している。また前記中間膜3は、無電解メッキでの触媒能力のある金属、例えばパラジウムを含有する。金属膜5を構成する無電解メッキ膜6が前記中間膜3上に直接、無電解メッキ法によりメッキ形成されている。本実施形態の構成により、基板と金属膜間の密着性を従来に比べて向上させることが出来る。 (もっと読む)


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