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Fターム[4K024CA03]の内容

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Fターム[4K024CA03]に分類される特許

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【課題】錫−銅合金、錫−銀合金および錫−銅−銀合金から選ばれた錫合金電気めっき皮膜に見られるウイスカ発生を、リフロー処理を利用せずに抑制する。
【解決手段】使用する電気めっき浴にボイド形成剤を含有させることによりめっき皮膜に微小なボイドを導入して、皮膜を軟質化する。錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を100%として、ビッカース硬度が80〜95%になるようにボイドを導入する。 (もっと読む)


【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴(A)を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴(B)を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 (もっと読む)


【課題】ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物、該ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物を有する電気メッキ溶液及び該電気メッキ溶液を用いる表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物はニッケル塩、コバルト塩、リン酸含有化合物、並びに、トリエチレン・テトラアミン、ジエチレン・トリアミン及びヒドラゾベンゼンを含む多座キレート剤を有する。また、前記ニッケル・コバルト・リン電気メッキの組成物を含む電気メッキ溶液とこの電気メッキ溶液を用いる材料表面処理方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】黒化処理用の電解液に浮遊物が発生しにくく、しかも得られた黒化層にすじむらや汚れが生じにくく、かつ該黒化層を湿熱条件保存下でも色味の経時変化が少ない黒化処理方法を提供すること。また、該処理方法を用いた導電性金属膜とその製造方法、さらに、色味変化が小さく、密着性も良好で黒化層が剥離しにくいプラズマディスプレー用の電磁波シールド膜を提供すること。また、住宅、工場などで汎用の導電性金属膜を提供すること。
【解決手段】ニッケル塩、亜鉛塩、チオシアン酸塩及びpKaの少なくとも1つが3〜6でカルボキシル基を1〜3個有する炭素数1〜5の脂肪族化合物を含有するめっき液を用いる電解めっきによって黒化層を形成めっき処理方法。また、該メッキ処理方法を用いた導電性金属膜及び透光性電磁波シールド膜、さらに透光性導電性シールド膜。 (もっと読む)


【課題】磁気特性を向上させることが可能な電気めっき層の磁気特性制御方法を提供する。
【解決手段】電解析出層の中に含まれることとなる全ての元素を溶液中に含有するめっき浴を用意し、そのめっき浴に、約0.05g/l以上0.3g/l以下の濃度でアリールスルフィネートを加え、電気めっき処理を行う。これにより、アリールスルフィネートを含まないめっき浴から電解析出された層の磁気特性とは異なる磁気特性を有する電解析出層を得る。この電解析出層は、磁気ヘッドに用いることができる。 (もっと読む)


【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる1種又は2種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる1種又は2種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 (もっと読む)


【課題】磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を形成でき、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、密着性が高く、良好な外観を有する保護膜を安定して成膜すること。
【解決手段】銅塩と、有機ホスホン酸化合物と、アミン、α−アミノ酸、アンモニウムイオン、炭酸イオン、カルボン酸イオン、ジカルボン酸イオン、硫酸イオンおよびチオ硫酸イオンから選ばれる少なくとも1種の化合物またはイオンと、を含むめっき液、およびこのめっき液を用いた導電性素材の表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のpH緩衝剤とを含有し、pHが2.2〜5.5に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度xが1.71mol/L以上であって、ニッケルイオンのモル濃度xとハロゲンイオンのモル濃度yとのモル濃度比x/yが3.0<x/y≦10.0である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極6a、6b上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜7a、7bが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜7a、7b上にスズ皮膜8a、8bを形成する。
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【課題】希土類磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を、希土類磁石などの導電性素材を腐蝕することなく形成できるめっき液を提供すること。
【解決手段】ニッケル塩化合物と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物と、を含み、pHが8〜12であるめっき液。前記ニッケルイオンと前記アミン化合物とのモル比が、前記アミン化合物の前記ニッケルイオンへの配位数の1.0〜3.0倍であり、また、前記アミン化合物は、ニッケルイオンと錯体形成する際における第一段階反応の逐次生成定数Kが、K=4.0〜15.0の範囲にあることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】表面抵抗の高いフィルムに、めっきをムラなく均一で、かつ線幅を増大させずにメッシュ状パターン上に電解めっきするめっき処理方法を提供すること。また、それを用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が1〜1000Ω/□のフィルム表面に、連続した複数の電解めっき槽を用い、同種類の貴金属を連続的に電解めっきするめっき処理方法であって、複数の電解めっき槽の上流から下流に向けての前半部における累積めっき通電量が、全累積めっき通電量に対し14.40%以上50.20%未満であるめっき処理方法。該方法を用いた導電性膜および透光性電磁波シールド膜。 (もっと読む)


【課題】水素脆化感受性を評価する鋼材表面に施す亜鉛めっきに用いる亜鉛めっき液およびその亜鉛めっき方法と、その方法で高濃度の拡散性水素を封入した試験片を用いて行う水素脆化感受性評価方法を提案する。
【解決手段】拡散性水素を導入した鋼材表面に施す亜鉛めっきを、塩化亜鉛:20〜70g/l、塩化アンモニウム:140〜230g/l、ホウ酸:1〜100g/l、減極剤:0.1〜20g/l、光沢剤:0.001〜20g/l、平滑化剤:0.01〜50g/lを含有する亜鉛めっき液を用いて行うことにより上記拡散性水素を封入し、その後、水素脆化感受性を評価する。 (もっと読む)


【課題】シート抵抗値のばらつきが小さい薄膜抵抗層付き導電性基材を安価に提供すること、及び抵抗素子を安定に残してプリント抵抗回路基板を製造することができる抵抗層付き導電性基材を提供することである。
【解決手段】 表面に抵抗層が形成されている導電性基材であって、前記抵抗層がアモルファスと結晶質が混在するPを含有するNiからなる薄膜抵抗層である薄膜抵抗層付き導電性基材である。
また、表面に抵抗層が形成されている導電性基材であって、前記抵抗層が結晶質のPを含有するNiからなる薄膜抵抗層である薄膜抵抗層付き導電性基材である。 (もっと読む)


【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層22をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜26を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層22を形成した後、めっきシード層22の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層30を形成する工程と、前記めっきシード層22とキャップ層30をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】過酷な冷熱サイクル試験条件の下でウイスカー発生が無く、しかも、下地の金属の影響を受けないスズめっき皮膜の形成が可能な技術の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、スズめっき液を電解することにより得られるスズめっき皮膜において、当該スズめっき皮膜は、圧縮応力を内包したものであり、スパイラル法で測定した場合の圧縮応力が1MPa以上であることを特徴とした耐ウイスカー特性を備えるスズめっき皮膜等を採用する。また、このスズめっき皮膜の形成に、メタンスルホン酸スズをスズイオンの供給源として用い、導電塩としての硫酸ナトリウム、両性界面活性剤を含有したスズめっき液等を採用する。 (もっと読む)


【課題】 シリンダのサイズを問わずにブツやピット等の欠陥を生じることなくシリンダの全長に亘ってより均一な厚みの銅メッキを施すことができ、シリンダの両端部近傍が直胴部に比べて厚くメッキされるのを大幅に抑止して、事後的にメッキの厚みを均一化する研磨等の処理を不要乃至簡略化することのできるシリンダ用メッキ方法及び装置を提供する。
【解決手段】 長尺シリンダの外周表面に不溶性電極を用いてメッキを施すようにしたシリンダ用メッキ方法であって、前記不溶性電極を多数の分割電極に分割するとともに前記シリンダの長手方向の少なくとも両端部近傍に対応する前記不溶性電極部分をそれぞれ少なくとも3つの分割電極群に分割し、各分割電極群が1個以上の分割電極を有し、該分割電極群の電位を制御して該シリンダの両端部外周表面のメッキ層の厚みを調整するようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を45〜200mM、好ましくは45〜100mMの濃度で、及び2〜4つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも1種の銅錯化剤を30〜200mM、好ましくは60〜200mMの濃度で溶媒中の溶液に含有し;かつ上記銅/錯化剤のモル比が0.2〜2、好ましくは0.3〜1.5である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 (もっと読む)


【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が1〜1000Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第1段階と、該第1段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第1段階のめっき液中の濃度の0〜70%の濃度で含む液による第2段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 (もっと読む)


【課題】リン酸ナトリウム溶液処理に代わる鉛フリーめっき皮膜に対する有効な変色防止処理剤を開発し提供する。
【解決手段】ホスホン酸基が結合しているメチレン基を少なくとも2個以上有したアミノ窒素を有する化合物から選ばれる一種又は二種以上を含有する溶液に、複素環式含窒素化合物又はその塩、脂肪族又は芳香族のアミン、又は炭素数6〜24の直鎖又は分岐の脂肪族カルボン酸又は該カルボン酸と前記アミンとの塩から選ばれる一種又は二種以上を含有させ、溶液pHが7以下の酸性領域に調整された変色防止剤組成物を用いることによって、極めて効果的にすず又はすず合金表面の変色を防止できる。 (もっと読む)


【課題】通電ロールへの金属錫の析出を効果的に抑制することができる錫めっき鋼帯の製造方法と、その製造に用いる水平型錫めっきセルを提供する。
【解決手段】可溶性の錫アノード5とめっき液4を備えるめっき槽1と、該めっき槽1の入側と出側のそれぞれに配設され、被めっき鋼帯Sを連続的に搬送する通電ロール2とバックアップロールのロール対とからなる水平型めっきセルを用いて、前記錫アノード5と被めっき鋼帯Sとの間に通電して錫めっき鋼帯を製造する方法において、前記錫アノード5と出側通電ロール2との間に遮蔽ダム9を設けた水平型錫めっきセルを用いることを特徴とする錫めっき鋼帯の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は電解質成分と同様に、基板上にクロム・ベアリング電解質から機能的なクロム層を堆積するための方法に関するものである。
【解決手段】本発明による電解質成分はスルホ酢酸から構成される。本発明による方法は、電流密度が約20から約150A/dmの間で、電流効率が30%より高い状態で行う事ができ、800HV0.1より高い硬度と、200時間を超えて耐食を示す層が堆積される。 (もっと読む)


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