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Fターム[4K024CB13]の内容

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Fターム[4K024CB13]に分類される特許

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【課題】被処理物の表面での液流の流速のばらつきをなくするとともに、被処理物の表面での液流を所望の流速に制御することができる浸漬処理装置を提供する。
【解決手段】めっき液で満たされ、被めっき材10が浸漬されるめっき槽22と、被めっき材10の側方に配設され、被めっき材10に対向する陽イオン交換膜42を有し、電解液で満たされた陽極室40と、陽極室40内にめっき液から分離されるように設けられ、陽イオン交換膜42を介して被めっき材10に対向する不溶性陽極48と、被めっき材10と陽極室40との間に、めっき槽22の下方から上方に向かって流れるめっき液の流れを形成する吹き出しユニット52とを有する。 (もっと読む)


【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、金属膜を内部にボイドを発生させることなく確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 第1めっき液を該第1めっき液にアノードを浸漬させて保持する第1めっき槽170aと、第1めっき液より金属濃度の低い第2めっき液を該第2めっき液にアノードを浸漬させて保持する第2めっき槽170bと、第1めっき槽170aと第2めっき槽170bとの間を移動自在で、被めっき材を該被めっき材に通電可能に保持するホルダ160を有し、ホルダ160で保持した被めっき材を第1めっき槽170a内の第1めっき液に接触させて行う第1めっき処理と、第2めっき槽170b内の第2めっき液に接触させて行う第2めっき処理を順次繰返す。 (もっと読む)


【課題】 従来の噴流式めっき装置において、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部におけるめっき液流動の滞留を解消するめっき処理装置を提供するものである。
【解決手段】 めっき槽の上部開口縁に、めっき槽内壁面より内側に突出するように設けられた環状載置台及び該環状載置台上部に配置されたシールパッキンを有する載置部と、めっき槽の底部に設けられた液供給管と、載置部の下方位置に設けられた液流出口とを備え、液供給管から上昇流で供給されるめっき液に、液流出口からめっき槽の外部へ流出させる流動を形成させ、めっき対象物の被めっき面全面にめっき液を接触させてめっき処理を行うめっき装置において、載置部には、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部に滞留するめっき液を外部に排出するための液排出孔が設けられているものであるめっき装置とした。 (もっと読む)


【課題】 スパージャへめっき液を供給するための配管の脱着を容易に行なうことができる部分めっき装置を提供する。
【解決手段】 スパージャ34の供給孔41と連通する流路81が内部に形成された筒状の接続部82が、スパージャ34の底面から突出して設けられ、接続部82に接続されてめっき液をスパージャ34内に供給させる配管84が設けられ、めっきマスク38をスパージャ34の開放端に装着すべく、スパージャ34とめっきマスク38とを挟み込んで締付けるためにスパージャ34の底面を押圧する押圧部64を有するクランプ装置43が設けられ、クランプ装置43の押圧部64が、配管84を押圧可能となるように設けられ、クランプ装置43がめっきマスク38とスパージャ34とを挟み込んで締付けた場合には、配管84がクランプ装置43の押圧部64によって押圧されて接続部82と接続するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、内部にボイドを発生させることなく、金属膜を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 めっき液188を保持するめっき槽186と、基板Wを保持して該基板に通電し、基板の被めっき面をめっき槽内のめっき液に接触させるホルダ160と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード214と、アノードとホルダで保持した基板との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部220,224と、基板とアノードとの間に電圧を周期的に印加するめっき電源230を有し、基板とアノードとの間に電圧が印加されていない時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を行い、基板とアノードとの間に電圧が印加されている時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を停止する。 (もっと読む)


【課題】金属製の細孔または細管の内壁部分を、高耐摩耗性、高耐食性、高耐熱性等の優れた特性を有する金属もしくは合金を場所的に制御された厚さで被覆、並びに成形することを可能にする。
【解決手段】金属製の細孔または細管の内壁を陰極として、この管状空洞内に細身の棒状陽電極を挿入し、前記棒状陽電極の一部表面上に前記内壁と電気的に接触することを防止する絶縁体を固定配置し、前記棒状陽電極と陰極との間隙に管軸方向に沿って電解液を流動させて供給しながら高耐摩耗性、高耐食性、高耐熱性等の優れた特性を有する金属もしくは合金を電解析出させる。電解析出中は前記棒状陽電極全体に管軸方向に往復運動または管軸を中心にした回転運動の少なくとも一つをさせつつ、前記金属もしくは合金を場所的に制御された厚さで電解析出させて、前記細孔または細管の内壁面を選択的に被覆するとともに成形する。 (もっと読む)


【課題】 カソード電極体及びその周辺部機構を改善することにより、被めっき物の品種切換毎に要するカソード電極体の交換部材の最小化、交換作業の簡素化を図る。
【解決手段】 めっき液の噴流を発生させる噴流めっき槽10の開口側に、被めっき物としての基板1の導体部を下向きとして配置し、前記導体部にめっき液を噴流させながら前記導体部に接続したカソード電極体30とアノード電極5間に電流を流してめっきする噴流めっき装置であり、カソード電極体30は固定カソード電極部31と給電電極部40とに分割されている。固定カソード電極部31はカソード固定支持部15に支持され、給電電極部40は昇降給電部45で昇降自在に支持され、固定カソード電極部31の基板1の導体部に接触する部分が少なくとも交換自在であり、昇降給電部45の下降時に給電電極部40が固定カソード電極部31に接触して給電する。 (もっと読む)


【課題】
従来の方法では十分な製造速度が得られなかったり、レジストで作られた細長いマスクの中に空気の泡が残ってしまい、銅ポストの径がφ50μm以下でかつ高さが50μm以上のような細い製品の場合良好な作業が出来ない場合が発生していた。また、その設備は高度な機構を使用しているものが多く、価格的に高価なものが多かった。
【解決手段】
本発明はプラズマによるドライ洗浄により、薬液のヌレ性を確保し、かつ、回転式治具を使用することで泡かみなく銅ポストを製造することができる。
また、一度に銅ポストのレジストマスクを形成するのではなく、数回に分けてレジスト製版及び銅ポスト形成を繰り返すことで、高速でかつ精度の高い銅ポストの製造が可能となった。 (もっと読む)


【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール1a及び配線溝1bを有するウェハWをめっき液に浸漬させ、かつウェハWとアノード11との間に電圧を印加して、ウェハW上にめっき膜4を形成する。めっき膜4を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハWをめっき液から取り出す。そして、シード膜3及びめっき膜4に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜5を形成する。最後に、ビアホール1a及び配線溝1bに埋め込まれた部分以外の配線膜5等を除去し、配線5aを形成する。 (もっと読む)


ワークピース上にマイクロ又はナノスケールのパターンを堆積又はエッチングする方法が開示され、その方法は(a)ワークピースを電気化学反応器内に、パターン付けされたツールに近接して配置するステップと、(b)ワークピースを、エッチングする場合にはアノードとなり、又は堆積する場合にはカソードとなるように、及び、パターン付けされたツールは対極になるように接続するステップと、(c)2つの電極間に形成されるセルの電解動作に必要な電解液をポンプ注入するステップと、(d)ワークピースをエッチング又は堆積するために、電極の両端に電流を印加するステップとを含む。
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【課題】ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部(ビア表面)の平坦性を向上させること。
【解決手段】絶縁層11の片面に銅箔12を有するプリント配線板用基材の絶縁層11に、底部に銅箔12が露呈するようにあけられたビアホール13を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔12をめっき給電用陰極とし、ビアホール13内に位置する針状の突出電極部51を含む電極部材50をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハW上の層間絶縁膜1に幅が0.3μm以下の細幅配線溝1a及び幅が0.3μmを超える太幅配線溝1bを形成する。層間絶縁膜1上にバリアメタル膜2及びシード膜3を形成する。その後、細幅配線溝1a全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝1bの一部に埋め込まれるように膜4を電解めっき法により形成する。太幅配線溝1bの他の部分に埋め込まれるように膜4よりも不純物濃度が低い膜5をスパッタ法により形成する。熱処理により膜4中の不純物を膜5中に拡散して、配線膜6を形成する。最後に層間絶縁膜1上の不要なバリアメタル膜2及び配線膜6を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 (もっと読む)


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