【課題】Ｎｉアノード表面の不動態化を抑制して、電流効率および成膜レートの低下を防止する。安定したＮｉめっき膜を供給することで品質向上に寄与し、また、安定した生産能力を維持できる電解Ｎｉめっき装置を提供する。
【解決手段】平均グレインサイズが１０μｍ以下であるニッケル（Ｎｉ）アノードを備えることを特徴とする電解Ｎｉめっき装置。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。
【解決手段】
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。 （もっと読む）

【課題】被めっき面への気泡の滞留を確実に防止することができる電解めっき装置および電解めっき方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００を支持する保持体１０４とめっき液１０２とを水平方向に相対的に移動させる。これにより、半導体基板１００の表面に、半導体基板１００の表面に沿った力を作用させることができる。このため、半導体基板１００の被めっき面に存在する気泡を排出することができ、均一なめっき膜を安定して形成することができる。なお、保持体１０４とめっき液１０２との相対的な移動は、例えば、保持体１０４を水平方向に移動させる、あるいは、半導体基板１００の中心以外に位置する軸心周りに保持体１０４を回転させることにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】適切な成膜処理が出来るメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、メッキ処理槽（１２）は、メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、基板保持部（１１）は、基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
そのメッキ処理装置（１）は、メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、メッキ液循環流路（８）と第２流路（１４）との間に設けられ、第２流路（１４）からのメッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 細くて長い有底筒体でも、確実に内面に均一にメッキをすることができるメッキ方法およびメッキ装置を提供し、細長くて底面の内面にも厚いメッキ被膜が形成されたハイブリッド車用電池缶を得られるようにする。
【解決手段】 被メッキ物１０の開口部１０ａ側から陰極を兼ねた保持具１３の一端部を挿入して被メッキ物１０の内面に接触させて被メッキ物１０を保持し、保持具１３の他端部を回転自在に支持して保持具１３の一端部を回動運動させることにより、被メッキ物１０をメッキ槽１１内で開口部１０ａを上にしてメッキ液１４に浸漬する位置Ａおよびメッキ槽１４の外で被メッキ物１０の開口部１０ａが底部１０ｂより低くなる位置Ｂまでの間を往復運動させ、被メッキ物１０のメッキ液１４への浸漬と被メッキ物１０内のメッキ液の排出とを繰り返しながらメッキを行う。 （もっと読む）

【解決手段】電気めっき液中に凹陥部又は貫通孔を有する被めっき物を、アノード周囲のめっき液を連続的にエア攪拌すると共に、このエア攪拌により生じたエア気泡が被めっき物周囲に移行して該周囲のめっき液に巻き込まれないように上記アノードと被めっき物との配置を設定して、被めっき物周囲のめっき液を、エア気泡を随伴させることなく噴流攪拌及び／又は機械攪拌しながら電気めっきする。
【効果】ビアホールやスルーホールなどを有する被めっき物に対する電気めっきにおいて、エア攪拌によってめっき液中に分散される気泡が被めっき物に付着、保持されることを防止でき、その結果、ボイド等のめっき不良の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等のめっき処理において、めっき処理面へ付着する気泡を除去する。
【解決手段】噴流式めっき装置１００で、電界めっきに使用されためっき液をめっき液再生機構５０で再生するに際し、めっき液をフィルタ室８０へ入る直前に自己共鳴管９０を通過させる。自己共鳴管９０を通過しためっき液は、振動流となり、めっき液に付与された振動で、めっき液中のマイクロバブルＢが互いに結合して大きな気泡Ｃとなり、自然に脱気しやすい状態となる。かかる状態のめっき液をフィルタ８０ａで濾過して、マイクロバブルＢを含まないめっき液の再生を図る。 （もっと読む）

【課題】 上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。
【解決手段】 めっき槽１内において、アノード電極７と半導体ウエハ９との間にはめっき液流入兼整流構成体１０が垂直に配置されている。めっき液流入兼整流構成体１０は、貫通孔１６およびめっき液流入孔１７を有するめっき液流入板１２の両面に多数の微小孔を有する第１、第２の整流板１３、１４が設けられ、第１の整流板１３の外面に貫通孔２３を有する電場遮蔽板１５が設けられた構造となっている。そして、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は、第１の整流板１３の微小孔を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出され、半導体ウエハ９の表面に当接される。なお、めっき槽１を密閉構造とし、水平にして複数積層するようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】エッジオーバーコーティングを防止すると共に、表面品質にも優れる錫めっき鋼帯の製造方法と、その製造に用いる水平型錫めっきセルを提供する。
【解決手段】可溶性の錫アノードとめっき液を備えるめっき槽と、該めっき槽の入側と出側のそれぞれに配設され、被めっき鋼帯を連続的に搬送する通電ロールとバックアップロールのロール対とからなる水平型めっきセルを用いて、前記錫アノードと被めっき鋼帯との間に通電して錫めっき鋼帯を製造する方法において、前記めっき槽の出側にめっき液排出口を設けた水平型錫めっきセルを用いることを特徴とする錫めっき鋼帯の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスキングテープやベルトマスクのような消耗品を必要としないで、低コストでストライプめっきを行う方法及び装置を提供する。
【解決手段】連続搬送されるめっき対象の金属薄板１を挟むようにめっき液噴射ユニット２とバックアップユニット３が配置され、めっき液噴射ユニット２のマスキング部材がシール部材を介して金属薄板１の表面に押圧されている。マスキング部材の開口部から露出した金属薄板１の表面に向かってめっき液噴射ユニット２からめっき液を噴射する。噴射されためっき液はめっき液回収路９を通ってリザーブタンク６に回収され、吹き上げポンプ８によってめっき液噴射ユニット２へ循環供給される。めっき液噴射ユニット２及びバックアップユニット３は液体貯槽４に貯められた液体５に浸されている。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにする。
【解決手段】配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するめっき装置であって、基板カセットを置くカセットテーブル１２と、基板に対して濡れ性を良くするためのプリウェット処理を施すプリウェット槽２６と、該プリウェット槽でプリウェット処理を施した基板にめっきを施すめっき槽３４と、めっきされた基板を洗浄する洗浄装置３０ｂと、洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置３２と、めっき液の成分を分析し、この分析結果に基づいてめっき液に成分を追加するめっき液管理装置と、基板を搬送する基板搬送装置４０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】研磨、エッチング等に対する処理耐性に優れ、且つ伝送特性の均一な複数のフィルドビアを有する多層配線基板を提供する。
【解決手段】フィルドビア形成に際して、該フィルドビアの軸に垂直な面内の大きさが変化する領域であって且つ該領域の導体結晶粒の大きさを略均一としたい領域を形成する際に、形成途中における導体表面であってめっき液中に露出する露出面に供給する電流を該露出面面積の拡大に応ずる所定の条件に従って増加させ、露出面に供給される電流の電流密度を一定保つこととする。 （もっと読む）

【課題】導電性が低く、表面の機械的損傷に対して敏感なストリップ状の処理素材を一巻き一巻き電解処理する、小さいライン長で高い生産能力を示す連続ライン、それも、ストリップの表面を全面電解処理する方法に適した連続ラインを提供する。
【解決手段】ストリップの一巻き一巻きの電解処理に関し、電気接触はストリップのどちらかの面が金属製の接触ローラ２、３を使って行われ、他方の面が弾性対向ローラ４、５の各々を使って行われる。連続ラインに沿って接触エリア１がより長い電解エリア１１と交互に位置する。電解エリアの場所ごとに電流密度を個別に調整するために、このエリアは、個別の電解セルを形作る個別の整流器を備えた個別の陽極を含む。これにより、ほとんど導電性のないストリップにおける電圧降下は、電解エリアの場所ごとに陽極のもとで所定の電流密度が有効になるように補償される。 （もっと読む）

【課題】部分めっき装置におけるフープの位置決め装置に関するものであり、フープが変更となりピン穴の位置、及び径が変更になっても、容易にピンの位置、及び径を変更することができるものである。
【解決手段】回転のつまみ１９ａ，１９ｂを回転させるとピン１ａ，１ｂをフープ３８の長手方向と直角方向に容易に動かすことができ、また、回転つまみ１３ａ，１３ｂを回転させるとピン１ａ，１ｂをフープ３８の長手方向に容易に動かすことができる。このような構成にすることにより、フープ３８が変更になりフープ３８のピン穴４０の位置が変更になっても、容易にピン１ａ，１ｂの位置を変更することができる。また、ピン１ａ，１ｂを変更すると容易にピン径を変更することができる構成をなしている。 （もっと読む）

【課題】 チップ部品等の微小なめっき対象物に衝撃を与えず破損を防止できると共に、めっき工程中に多数のめっき対象物とカソード側電極とを導通させられ、いずれの対象物においても確実なめっき状態が得られる微小物の電解めっき装置及び当該装置を用いる電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 チップ部品等の微小なめっき対象物４０をめっき液５０と共に収容する中空容器２０を回転させ、めっき対象物４０を常に容器下部の溝内に位置させつつ容器内面との接触状況を変化させ、各めっき対象物４０と電極３０との導通の機会をまんべんなく生じさせることにより、めっき対象物４０に衝撃等を与えることなくめっき状態を大きく改善することができ、適切な電解めっきが行える。 （もっと読む）

【課題】多品種、少量生産、生産台数の変動が大きく、製品寿命が短いものを製造する小規模で且つフレキシブルに機能の変更、或いは装置の更新ができる製造ラインに好適な半導体基板製造装置を提供すること。
【解決手段】ロード／アンロード部１２０と、めっき膜成膜ユニット１１３等の複数の処理ユニット、半導体基板をユニット間で搬送する搬送機構（ロボット１３１〜１３４）を備えた半導体基板製造装置において、各ユニットの搭載部分にはガイドを有し、各ユニットはガイドに沿って移動することにより、半導体製造装置へ搭載又は半導体製造装置から取り外し、他のユニットと交換することができるようになっており、半導体製造工程で必要なユニットを自在に組み合わせて半導体製造装置を構成し、また半導体製造装置内の異なる処理を行うユニットどうしの交換をできるようにした。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物に対してより均一なめっきを施すことができ、大幅にめっき不良を減少させることができるめっき方法を提供する。
【解決手段】 最初に被めっき物をめっき液で濡らしてから所定時間電流をゼロとし、次いで前記めっき液内の前記被めっき物および電極板に電流を印加してめっき処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 内部に陽極電極５が設けられためっき処理槽１００を備え、めっき処理槽１００内にめっき液及び電解液を流入し、半導体ウェハ１の被めっき面ｗに下方側からめっき液の噴流を当接させる一方、陽極電極５へ電解液を流入させながら、陽極電極５と半導体ウェハ１との間を通電することでめっきを行うめっき装置であって、めっき処理槽１００には、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、半導体ウェハ１と陽極電極５とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】めっき位置精度を向上させ、かつ、キャリア穴が支持体ドラムの突起部から外れるといったトラブルの発生を防止し、高品質の部分めっきを可能とするスポットめっき装置を提供する。
【解決手段】スポットめっき装置において、支持体ドラム１０は、金属又はセラミックにて作製した、複数の突起部１３ａと複数のめっき孔１３ｂとを外周部に有した円筒状のドラム本体１３と、ドラム本体１３を装置本体に設けた回転支持軸に回転自在に装着するための軸受け部１２と、を有する。また、支持体ドラム１０を駆動ロール１８にて当接駆動する。 （もっと読む）

【課題】 多層基板等のビアホールをめっきで充填する場合、高速に安定して均質な充填を行うことができる噴流めっき装置を提供する。
【解決手段】 めっき液の噴流を発生させる噴流めっき槽１０の開口側に、被めっき物としての基板１の導体部を下向きとして配置し、前記導体部にめっき液を噴流させながら前記導体部をカソード電極体として、前記カソード電極体とアノード電極体５に電流を付与してめっきする構成であり、アノード電極体５は噴流ノズルを兼ねている。また、噴流ノズルの噴射位置と基板１との距離が１５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲であり、且つアノード電極体５の基板１側への対向露出面積と、前記基板１のめっき液に接する対向面積の比が１：０．９〜１：１．１の範囲であることが望ましい。 （もっと読む）