半導体装置の製造方法
【課題】ウエハ等のめっき処理において、めっき処理面へ付着する気泡を除去する。
【解決手段】噴流式めっき装置１００で、電界めっきに使用されためっき液をめっき液再生機構５０で再生するに際し、めっき液をフィルタ室８０へ入る直前に自己共鳴管９０を通過させる。自己共鳴管９０を通過しためっき液は、振動流となり、めっき液に付与された振動で、めっき液中のマイクロバブルＢが互いに結合して大きな気泡Ｃとなり、自然に脱気しやすい状態となる。かかる状態のめっき液をフィルタ８０ａで濾過して、マイクロバブルＢを含まないめっき液の再生を図る。
【解決手段】噴流式めっき装置１００で、電界めっきに使用されためっき液をめっき液再生機構５０で再生するに際し、めっき液をフィルタ室８０へ入る直前に自己共鳴管９０を通過させる。自己共鳴管９０を通過しためっき液は、振動流となり、めっき液に付与された振動で、めっき液中のマイクロバブルＢが互いに結合して大きな気泡Ｃとなり、自然に脱気しやすい状態となる。かかる状態のめっき液をフィルタ８０ａで濾過して、マイクロバブルＢを含まないめっき液の再生を図る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に半導体装置の製造工程における再配線層等のめっき工程に適用して有効な技術である。
【背景技術】
【０００２】
以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体ウエハを対象とした金属膜のめっき方法の一つに、噴流方式がある。噴流方式では、処理面に導電性薄膜を付けたシリコンウエハを、そのめっき処理面を下向きにしてセットする。その状態で、めっき液貯蔵槽に蓄えられためっき液を、噴流ポンプによりめっき処理カップ内の下方から導入し、下向きのウエハ処理面全面に向けてめっき液を噴流状態で接触させて電解めっきを行うものである。
【０００４】
かかる電界めっきでは、めっき処理カップ内に被めっき金属または白金類のアノード電極（正極）を設け、このアノードに対面配置させたウエハ側をカソード電極（負極）に接続して、ウエハのめっき処理面に所望の金属めっき膜を形成する。
【０００５】
めっき処理液中には、めっき液が気泡を巻き込んだり、あるいはめっき反応等によって気泡が発生したりするが、かかる気泡は、めっき液中を上方に移動して、その一部が下向きにセットしたウエハのめっき処理面に付着する。
【０００６】
例えば、バンプ形成用のウエハの場合には、めっき処理面には、パッシベーション膜を一部開口してめっき形成領域が狭小な凹部として多数形成されているが、かかる狭小な凹部等に一旦入り込んだ気泡は、めっき液の噴流による流れ程度では簡単に離散せず、気泡を残した状態で電解めっきが行われることとなる。
【０００７】
気泡を残した状態でめっきを行うと、気泡が残留している箇所ではめっき液との接触が妨げられてめっき成長が不十分となる。例えば、気泡が配線パッド上に付着した状態では、めっき部分と配線パッド側との接触面積が少なくなり、根元の細いバンプ電極が形成される。かかる根元の細いバンプ電極では、例えば、実装基板側の電極との間に異方性導電膜を介在させて所定圧力で圧接実装するに際して、バンプ電極の折れが発生する虞がある。
【０００８】
また、気泡が、バンプ電極形成範囲の配線パッド上の全面を覆った場合には、配線パッド上ではめっき成長が起きず、バンプ電極が全く形成されない無めっき状態のめっき膜欠陥に至ることともなる。
【０００９】
このようにめっき時における残留気泡はめっき処理時の大きな欠陥の原因の一つとなるが、しかし、噴流式めっき方式では、噴流ポンプでめっき液を上方に噴き上げる構成を採用するため、どうしても、気泡が発生し、めっき液に巻き込まれることとなる。
【００１０】
発生した気泡は自然消滅しにくく、噴流めっきと共に勢い良く上方に噴き上げられて、下方に向けたウエハ処理面の前記バンプ電極形成用の狭小な凹部に入る。一旦入った気泡は、狭小な凹部に閉じ込められた状態となりやすい。
【００１１】
また、気泡の発生は、噴流ポンプに関わる以外にも、乾燥した状態でのウエハのめっき処理面に、めっき液が接触する場合にも起こりやすい。すなわち、めっき処理面の濡れ性によっても気泡発生が見られるのである。
【００１２】
そこで気泡対策として、めっきスタート前に、例えば、１０分程度、めっき液の噴流量を適宜変更しながら、めっき噴流を処理面に当てることでめっき処理面の濡れ性を確保し、併せて、めっき処理面の狭小な凹部内に入り込んだ気泡を、めっき液の流れにより離散させる予備的な前処理を行っている。しかし、電解めっき処理前のかかる前処理程度では、気泡を十分に取り除くことはできない。
【００１３】
このようにめっきにおける気泡の問題は避けて通れない重要な解決課題であるため、例えば、以下に示すような様な方法で気泡を取り除く方法が提案されている。
【００１４】
例えば、特許文献１には、めっき液の減圧脱気が開示されている。特許文献２、３には、それぞれめっき液の減圧、沸騰脱気が開示されている。特許文献４、５には、脱気装置を有しためっき装置の開示がある。特許文献６には、中空疎水性繊維膜によるめっき液の脱気が開示されている。
【００１５】
また、特許文献７には、めっき液に微粒子を添加して不活性ガスをバブリングさせ、超音波振動子による超音波を照射し脱気を行うめっき装置の開示がある。特許文献８には、めっき液タンク内に仕切り板を設けてめっき液を静置して泡を消すめっき装置について開示がある。特許文献９には、超音波振動子による超音波でめっき面を洗浄しながらめっきを行うめっき装置に関しての開示がある。
【００１６】
さらに、特許文献１０には、例えば、段落００４２〜００４５、図２、図５において、ホトレジスト塗布前の濡れ性向上のためのシンナー塗布において、シンナー供給部分の下面に超音波振動子を配置して、シンナーに含まれる気泡を除去してシンナー供給タンクの下部によるシンナーを取り出し基板上に除去したシンナーを供給する技術が開示されている。
【００１７】
特許文献１１には、例えば、段落００２１〜００２５、図１等に、薬液中の不純物を除去するために、薬液の循環路において細孔を有する物質に窒素を注入して気泡を薬液中に発生させて気泡とともに不純物を取り込み、シリコン微粒子フィルタにおいて気泡とともに不純物を除去して薬液を薬液容器に返すようにした技術が開示されている。
【００１８】
特許文献１２には、例えば、段落００３８〜００４３、図５等に、液晶製造に用いる配向膜やレジストの機能性薄膜供給装置において、供給分岐間の途中にフッ素やナイロンの網目状の合成樹脂からなる気体分離材を配置して機能性薬液を供給する時の気体分離材により気泡を気体分離材に残して、寄り集めて大きな気体に成長させて上方に浮上させて気体を除去してから下方から薬液を供給する技術の開示がある。
【００１９】
特許文献１３には、例えば、段落００１０〜００１３、図１等に、液体中の気泡を脱泡する方法において、上流側と下流側に脱泡槽を設置して上流側には超音波振動数を低くして出力を大きくして発泡を促進させ、下流側には超音波振動数を高くして出力を小さくして気泡同士を集合させるようにした技術が開示されている。
【００２０】
特許文献１４には、例えば、段落００２６〜００３０、図１等に、噴流メッキ槽から循環路を経て気泡除去槽にメッキ液を循環させて、気泡除去槽の下部からメッキ液を流入して気泡除去槽の上部で気泡を除去した後に気泡除去槽に上部からあふれたメッキ液を循環路を経てメッキ液を噴流メッキ槽に戻す技術が開示されている。
【００２１】
特許文献１５の例えば段落００５０〜００６４、図１〜図３や、特許文献１６の例えば段落００２０〜００２４、図１等には、噴流式メッキ処理においてメッキ液の噴流部分においてＰＴＥＦ等の気液分離機能を有する管にメッキ液を通して気泡を脱気するようにして気泡を除去してからメッキ液の噴流部分に供給する技術が開示されている。
【００２２】
特許文献１７では、例えば、段落００１４〜００１６、図１、図２等に、噴流式メッキ装置においてメッキ液を旋回流を発生するメッキ液旋回室に導入して気泡を含む密度の小さいメッキ液を中央部に集め、気泡を含まない密度の大きいメッキ液を外周部に集めてメッキ液中から気泡を除去してメッキを行なう技術が開示されている。
【００２３】
特許文献１８では、例えば、段落０００６〜００１６、図１等に、液体中に自己共鳴の周波数になるように噴流ノズルの形状を形成して液体中に激しいキャビテーションを引き起こすようにしてバリや異物の除去を行なう技術が開示されている。
【００２４】
特許文献１９には、例えば、段落００６２〜００６４、図１等に、噴流式メッキ装置においてメッキ液供給部にベローズポンプまたはダイヤフラムポンプを用いてメッキ液の圧力に脈動周期を与えメッキ液中に発生した気泡を脈動の周期的変化で気泡が滞留するのを防止してメッキする技術が開示されている。
【００２５】
特許文献２０には、例えば、段落００１９〜００２３、図１等に、リードピンへの噴流式はんだメッキにおいて半田の噴流部分に超音波振動を与えて気泡がピンに付着しないようにしてメッキする技術が開示されている。
【００２６】
特許文献２１には、例えば、段落００２０〜００２８、図１等に、噴流式メッキ装置において超音波振動をメッキ液に与える時にプリント基板に合わせて超音波振動数を可変にして与えてメッキを良好に行なう技術が開示されている。
【００２７】
また、例えば、特許文献２２、２３、２４には、噴流めっき装置の構成をフェイスダウンの方式からフェイスアップの構成に変更することで、気泡の影響を回避する構成も提案されている。
【００２８】
さらに半導体の分野とは異なるが、特許文献２５には、石油等の探鉱用の掘削時に使用するトリコン型削岩ドリルに関し、自己共鳴管を用いた例が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１７１７９１号公報
【特許文献２】特開平１１−９３０００号公報
【特許文献３】特開平１１−９２９４８号公報
【特許文献４】国際特許ＷＯ０１／０６８９５２号公報
【特許文献５】国際特許ＷＯ００／２８１１５号公報
【特許文献６】特表２００４−５３１６４０号公報
【特許文献７】特開平５−１０６０９３号公報
【特許文献８】特開平６−２８００９９号公報
【特許文献９】特開平９−２０２９９４号公報
【特許文献１０】特開２０００−１４０５０５号公報
【特許文献１１】特開平８−２８８２４９号公報
【特許文献１２】特開２００５−５８８４２号公報
【特許文献１３】特開平１１−１９７４０６号公報
【特許文献１４】特開平７−１０６２９４号公報
【特許文献１５】特開２００３−２０１６００号公報
【特許文献１６】特開２００３−１２９２８３号公報
【特許文献１７】特開２００３−２７７９８６号公報
【特許文献１８】特開２００３−８０１１９号公報
【特許文献１９】特開２００２−３６３７８８号公報
【特許文献２０】特開平７−３２１４５３号公報
【特許文献２１】特開平９−２９３９５８号公報
【特許文献２２】特開平６−１８８２４７号公報
【特許文献２３】特開平７−２１６５８５号公報
【特許文献２４】特開平６−２８００９８号公報
【特許文献２５】特表平７−５０４７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
ところが、上記気泡除去技術等にはおいては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【００３０】
気泡付着を無くすことに関して、めっき処理面を上方に向けることにより、上昇する気泡を付着させないようにする構成は、確かに有効な技術ではあるが、それまでの噴流式めっき装置で採用されていた構成を大きく変える必要がある。
【００３１】
例えば、アノード、カソードの電極配置を逆構成にする一方で、処理面を上方に向けた状態で、めっき処理カップ内の下方にアノード電極に相対するようにウエハを保持させることが必要となり、ウエハ裏面にはめっきが付着しないようにすることが求められる。
【００３２】
装置経済の観点からは、これまで使用されてきた構成を大きく変えることなく、装置構成の一部の改作等で対応できるようにするのが好ましい。現在使用中の装置を入れ換えることなく、改作手段で対応できればより好ましい。また、既にある噴流式めっき装置の製造ラインを大幅に変えることなく対応できれば、装置の製造コストの大幅なアップも回避できる。
【００３３】
そこで、本発明者は、これまでの噴流式めっき装置で採用されているウエハ処理面を下方に向けた状態で、めっき噴流を当てて電解めっきを行う構成で、如何に気泡付着を抑制できるかの技術開発が必要と考えた。
【００３４】
また、例えば、前記提案のめっき液の減圧方式による脱気方法では、装置構成上バッチ処理となるため大量のめっき液を処理する場合には、大きな脱気処理槽が必要となり、連続処理が不可能となる。また、減圧に使用する真空ポンプも必要となり、全体としてのコスト上昇が避けられない。
【００３５】
一方、めっき液の沸騰による脱気方法は、熱に弱いめっき液の場合には使用できない。また、脱気槽を耐熱にする必要がありコストが上昇する。
【００３６】
また、中空疎水性繊維膜方式（デガッサー方式）によるめっき液の脱気方法では、液中の気体を除去する能力は高いが、めっき液中の異物による脱気膜の目詰まりによるメンテナンス頻度が増加し、併せて単位時間当たりの処理速度が遅い等のため、大量のめっき液を処理するためには脱気システムが大型化せざるを得ず、ランニングコスト、設備コスト等の上昇が避けられない。
【００３７】
さらに、めっきタンク内に仕切り板を設けてめっき液を静置し、微小気泡を液面まで浮上させ消泡する脱気方法は、気泡を自然に沈静させるために、大きなめっき液貯蔵槽を設置する必要があり、泡が消えるまでに時間がかかるので工程ロス、コスト高となる。
【００３８】
そこで、本発明者は、発生する気泡の処理をそのままにして気泡付着を回避するのではなく、めっき液中の気泡そのものの解消、排除に努める技術の開発が必要であると考えた。
【００３９】
すなわち、めっき液中に発生する気泡の除去、あるいは、発生した気泡をめっき液の噴流と共にめっき装置外に効果的に排出する技術が開発できれば、気泡付着の問題点をより十分に解消できるものと考えた。
【００４０】
また、噴流式めっき装置においても、他の装置同様にその小型化が求められている。現行の装置構成では、複数の噴流式めっき装置を平面配置して、必要枚数のウエハのめっき処理を平行処理できるように構成しているが、より省スペース化が図れる装置構成が望まれる。装置構成の拡大が必要となる超音波発生槽の併置構成等は、かかる観点からは採用し難い。
【００４１】
本発明は、ウエハ等のめっき処理において、めっき処理面へ付着する気泡を除去することにある。
【００４２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００４４】
すなわち、半導体ウエハのめっき処理を行うに際して、使用するめっき装置に自己共鳴管を設けることで、めっき液中のマイクロバブルが集合させられて大きな気泡となり除去されやすくなる。
【発明の効果】
【００４５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００４６】
本発明では、めっき液を振動流とすることで、めっき液中のマイクロバブルを集合させて大きな気泡とすることができ、めっき液からの脱気が容易になる。
【００４７】
めっき液を振動流とするには、めっき装置に自己共鳴管等を設置すればよく、装置構成上も特段のスペースを必要とせず、これまでの装置構成を踏襲することができ、装置経済の面でも有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００４９】
（実施の形態１）
図１は、本発明で使用する噴流式めっき装置の全体構成の一例を模式的に示す断面説明図である。図２（ａ）は噴流式めっき装置に設ける自己共鳴管の全体構成を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）はその断面構造を模式的に示す断面図である。図３は、これまでの噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す断面説明図であり。図４（ａ）〜（ｃ）は、めっき膜欠陥の形成過程を模式的に示す部分断面説明図である。
【００５０】
噴流式めっき装置１００には、図１に示すように、ウエハＷ等の被めっき処理物を保持するホルダ１０と、ホルダ１０に保持された被めっき処理物に向けてめっき液が噴流するめっき処理カップ２０とが設けられている。めっき処理カップ２０は、噴流ポンプ３０側と配管接続され、噴流ポンプ３０側はめっき貯蔵タンク４０と配管接続されている。さらに、めっき貯蔵タンク４０は、めっき液再生機構５０に接続されている。
【００５１】
めっき処理カップ２０は、上方に被めっき処理物の例えばウエハＷのめっき処理面にほぼ合わせた大きさの開口部を有するカップ状に形成され、カップ底面側に、下方に向けて噴流ポンプ３０側に通じる配管が設けられている。カップ底面側には、下方に向けて構成された配管口径に合わせためっきノズル２１が設けられている。かかるめっきノズル２１から、噴流ポンプ３０によるめっき液が開口部に向けて噴流させられるようになっている。
【００５２】
めっき処理カップ２０は、図１に示すように、めっき液再生機構５０の外方容器５１内に二重容器状態に格納されている。外方容器５１の側壁５１ａ部分は、めっき処理カップ２０の側壁２０ａより高く設定され、外方容器５１部分の上方開口部を塞ぐようにホルダ１０が載置できるようになっている。
【００５３】
ホルダ１０を載置した状態では、ホルダ１０とめっき処理カップ２０の側壁２０ａの上端側との間には隙間Ｓが形成されるようになっている。かかる隙間Ｓを通して、めっき処理に使用されためっき液が、めっき処理カップ２０外に排出されるようになっている。
【００５４】
さらに、外方容器５１の側壁５１ａ内面とめっき処理カップ２０の側壁２０ａの外面との間には、めっき処理カップ２０外に溢れ出た上記めっき液が流れるような隙間６０が形成されている。かかる隙間６０が、めっき液の流路６０ａとなっている。流路６０ａは、さらに、めっき液再生機構５０の再生めっき槽５２に通じるめっき液戻り配管６１に接続されている。めっき処理カップ２０から溢れて外に出ためっき液は、隙間Ｓ、隙間６０（流路６０ａ）、めっき液戻り配管６１を通って、再生めっき槽５２内に入ることとなる。
【００５５】
めっき液戻り配管６１の排出端６１ａ側は、再生めっき槽５２内のめっき液取り入れ口７１近くの深さで開口されている。そのため、めっき液戻り配管６１を介して再生めっき槽５２内に排出されためっき液は、周囲に余り拡散することなくめっき液取り入れ口７１内へ速やかに吸引される。めっき液取り入れ口７１から吸引されためっき液は、循環ポンプ７０により、再生めっき槽５２との間を循環させられる。循環する間に、フィルタ室８０のフィルタ８０ａを通過させられて、めっき液中の気泡、異物等が除去されるようになっている。
【００５６】
かかるフィルタ８０ａは、例えばポリプロピレン、テフロン（登録商標）等で形成され、親水処理が予め施されている。親水処理は、例えば、純水を入れた耐圧容器に浸水させ、容器内部を真空ポンプにより減圧することにより行なう。親水処理によりメッシュを完全に濡れた状態にすることで、フィルタ８０ａのメッシュ孔径より大きい気泡を濾過することができるように構成されている。かかる親水処理を施さない場合は、メッシュ孔径より大きな気泡でも、気泡の形をメッシュ孔径に準じて変形させることでフィルタ８０ａを通過する。
【００５７】
めっき液取り入れ口７１から循環ポンプ７０により取り入れられためっき液は、配管７２を通してフィルタ室８０に送られる。フィルタ室８０の手前には、図１に示すように、本発明の構成の特徴の一つである自己共鳴管９０が設けられている。めっき液は自己共鳴管９０を通過した後、フィルタ室８０内に入るようになっている。
【００５８】
フィルタ室８０では、フィルタ８０ａの周囲を取り巻くようにめっき液の流路８１が形成され、図１に示すように、フィルタ室８０に入っためっき液は流路８１からフィルタ８０ａ内へ送り込まれ、フィルタ８０ａの全体から流れ込むことができるようになっている。すなわち、自己共鳴管９０を出て、フィルタ室８０に到達しためっき液は、フィルタ８０ａの全体を通じて、フィルタ８０ａ内へ抜けるように構成されている。
【００５９】
フィルタ８０ａ内を抜けためっき液は、気泡、異物等が除去された再生めっき液として、配管７３を通って、再生めっき液排出口７４から、再生めっき槽５２内に排出されるようになっている。再生めっき液排出口７４から排出された再生めっき液は、隔壁部７５により隔てられ、前記めっき液戻り配管６１の排出端６１ａから排出されたマイクロバブルＢ等を含んだ戻りめっき液とは混ざり難いようになっている。
【００６０】
一方、フィルタ８０ａの周辺側を包み込むように形成された流路８１は、その天端側には、気泡溜まり８２が設けられている。かかる気泡溜まり８２は、自動弁８３、圧縮窒素供給口８４が設けられたエアーコンバム８５を介して、受け皿８６に配管接続されている。気泡溜まり８２から受け皿８６までのエアー抜き配管により、気泡Ｃの除去と共に、気泡Ｃと共に入り込んだ少量のめっき液を、再生めっき槽５２内に戻すことができるようになっている。
【００６１】
因に、マイクロバブルＢとは、本明細書では、液体中に孤立して存在する直径１ｍｍ未満の気体のことを言うものとする。気泡Ｃは、かかるマイクロバブルＢよりも大きな気泡である。
【００６２】
一方、かかる構成の噴流式めっき装置１００では、めっき処理カップ２０の上方に対向配置されたホルダ１０には、トップリング１１が設けられている。トップリング１１は、ウエハＷ等の被めっき処理物をめっき処理カップ２０の開口部上方の所定高さにセットするセッティング用挿通孔１２を中央に設けたリング状に形成されている。
【００６３】
かかるトップリング１１の裏面側には、ウエハＷ等の被めっき処理物を支持する支持部１３が設けられている。支持部１３は、その一部がセッティング用挿通孔１２の周縁に沿って内側に迫り出して設けられている。本実施の形態では、かかる支持部１３は、カソード１３ａの一部を平らに突出させて構成されている。
【００６４】
そこで、セッティング用挿通孔１２内に、支持部１３に当接するまで被めっき処理物を落としこむことにより、被めっき処理物のめっき処理面が、めっき処理カップ２０の上方開口部の所定高さにセットされることとなる。
【００６５】
例えば、被めっき処理物としてウエハＷを想定すれば、ウエハＷの周縁部を予めレジスト剥離しておき、その状態で、上記セッティング用挿通孔１２内にウエハＷを挿入してセットする。セットした状態では、レジスト剥離がなされたウエハ周縁部が支持部１３としてのカソード１３ａと接触することとなり、バンプ電極用として電解めっきによりこれから形成する再配線層との電気的接続が確保されるようになっている。
【００６６】
このようにしてウエハＷは、セッティング用挿通孔１２内に入れられ、その周縁部がカソード１３ａに接触した状態で、ウエハＷ上には、ウエハ押え１４が載せられる。ウエハ押え１４の裏面側周縁部には、押圧用凸部１４ａが設けられ、ウエハＷとカソード１３ａとの接続部を所定の圧力で押え付けて電気的接続が緩まないように構成されている。
【００６７】
また、めっき処理カップ２０内には、図１に示すように、アノード１５が設けられている。アノード１５は、例えば、白金をメッシュ状に形成する等して形成されている。アノード１５と、カソード１３ａとで、回路が形成されて電界めっきが行えるように構成されている。
【００６８】
かかる構成の噴流式めっき装置１００では、めっき液中のマイクロバブルＢ等の気泡は、次のようにして効果的に除くことができる。
【００６９】
すなわち、めっき処理カップ２０から噴流として被めっき処理物であるウエハＷのめっき処理面に当てられためっき液は、ホルダ１０とめっき処理カップ２０との間の隙間Ｓを通って、めっき処理カップ２０外へ溢れ出る。かかるめっき液には、噴流としてめっき処理面に当てられた際等に、空気を巻き込み、マイクロバブルＢ等の気泡が混入させられている。
【００７０】
かかるマイクロバブルＢが混入しためっき液は、外方容器５１とめっき処理カップ２０との間の隙間６０である流路６０ａを通り、めっき液再生機構５０に送られる。すなわち、流路６０ａを通ってめっき液戻り配管６１に入り、めっき液戻り配管６１の排出端６１ａから再生めっき槽５２内に排出される。排出されためっき液は、めっき液取り入れ口７１から循環ポンプ７０で速やかに吸引され、配管７２を通してフィルタ室８０側に送られる。配管７２には、フィルタ室８０に入る手前に自己共鳴管９０が設けられており、かかる自己共鳴管９０内を通過してフィルタ室８０に入る。
【００７１】
自己共鳴管９０は、図２（ａ）に示すように、配管７２と同口径に形成され、配管７２の途中に介在させられるようにその両端側に取り付けねじ９１が設けられている。配管７２と同じ口径に形成されている自己共鳴管９０の管内には、図１に示すように、流路方向に沿って２個のオリフィス９２、９３が所定間隔離されて設けられている。
【００７２】
かかる２個のオリフィス９２、９３には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、配管７２の口径より小さい円形開口部９２ａ、９３ａが設けられている。このようにして配管７２と同じ口径の管内は、２個のオリフィス９２、９３により仕切られ、共鳴室９４に構成されている。
【００７３】
かかる共鳴室９４は、オリフィス９２、９３に設けた円形開口部９２ａ、９３ａの口径Ｘと、共鳴室９４の長さＬとの比が、例えばＸ：Ｌ＝１：２の割合に設定されている。さらに、Ｘは、配管７２の口径より小さく構成され、配管７２の口径をＹとしたとき、Ｘ：Ｙ＝１：２ならば、めっき液に脈動を付与することができることが実験で確認されている。
【００７４】
このように構成されたオリフィス９２、９３を通過することで、配管７２を流れてきためっき液は、所定の周波数で脈動を繰り返す振動流となる。配管７２の口径を流れてきためっき液はオリフィス９２の円形開口部９２ａを通過することで一旦絞られ、共鳴室９４に入って元に戻され、さらにオリフィス９３の円形開口部９３ａでまた絞られ、オリフィス９３を通過してまた元に戻される。
【００７５】
このようにして、オリフィス９２、９３の円形開口部９２ａ、９３ａを通過する際に、めっき液は絞られるため、所定の周波数の脈動を伴うめっき流となる。脈動の周波数は、共鳴室Ｌの長さと、円形開口部の開口口径Ｘとで決まる値である。Ｘ、Ｌの値は、Ｘ＝１０ｍｍ、Ｌ＝５〜２０ｍｍである。より好ましくはＸ＝１０ｍｍ、Ｌ＝１５ｍｍである。
【００７６】
めっき液は、オリフィス９２を通過させられることで、上記の如く絞られて渦が発生する。かかる渦は、共鳴室９４で増幅され、オリフィス９３から共鳴噴流として放出される。かかる共鳴噴流は、めっき流速、共鳴室容量に応じた数〜十数ｋＨｚの周波数を持つ振動流であり、めっき液を激しく振動させる。
【００７７】
かかる振動が、めっき液中のマイクロバブルＢに伝わり、めっき液中のマイクロバブルＢ同士の結合を促し大きな気泡Ｃにさせるのである。このように、オリフィス９２、９３を通過しためっき液は、振動が付与されると共に、強いキャビテーション効果をも発揮し、めっき液中に混ざっていたマイクロバブルＢを破裂させる等して互いに結合させてより大きな気泡Ｃに形成する作用を示す。
【００７８】
すなわち、図１に示すように、めっき液中のマイクロバブルＢを、めっき液に脈動を与えることで、複数のマイクロバブルＢが一つになって自然脱気しやすい大きな気泡Ｃに変換するのである。
【００７９】
ここで自己共鳴管９０による自己共鳴振動については、めっき液中に含まれるマイクロバブルＢの結合を促す程度の振動であり、またキャビテーション発生もめっき液中の気泡を破裂させる程度のキャビテーションの発生を行う程度のものであり、従来の自己共鳴管を用いた激しいキャビテーション発生により気泡破裂のエネルギーを用いてバリや異物の除去を行うようなキャビテーション発生を行うものではない。つまりキャビテーション発生はめっき液中の気泡を除去する程度のキャビテーションの発生になるように自己共鳴管９０を設計する点において、従来のキャビテーション発生の自己共鳴管設計とは全く異なる設計思想であり、また自己共鳴管９０の用途も従来の気泡破裂によるエネルギーを用いる用途とは全くことなる用途である。
【００８０】
このようにして発生した大きな気泡Ｃは、めっき液と共にフィルタ室８０のハウジング内に送られる。親水処理済みで完全に濡れた状態のフィルタ８０ａは、フィルタ８０ａのメッシュ孔径より大きい気体は通さないので、めっき液のみがフィルタ８０ａを通過するのである。
【００８１】
すなわち、前記したように、自己共鳴管９０を通過しためっき液は、自己共鳴管９０を通過する前のマイクロバブルＢが大きな気泡Ｃになった状態で、フィルタ室８０に至るのである。フィルタ室８０では、これまでと同様に流路８１からフィルタ８０ａ内に入って、配管７３を通って、再生めっき液排出口７４からマイクロバブルＢの混入が無いめっき液が再生めっき槽５２内へ戻されることとなる。
【００８２】
一方、めっき液が流路８１からフィルタ８０ａ内に移る間に、めっき液内の大きな気泡Ｃは、気泡溜まり８２内に上る。気泡溜まり８２内にたまった大きな気泡Ｃは、ある程度たまった時点で、自動弁８３が開けられ、エアーコンバム８５から窒素とともに流され、受け皿８６に至る。めっき液の酸化劣化が問題となるような場合には、このように圧縮窒素を用いてめっき液を流すことでその劣化が防止できる。
【００８３】
受け皿８６では上方が大気に開口されており、大きな気泡Ｃと共に僅かながら付随してきためっき液から気泡Ｃが自然脱気される。このようにして受け皿８６で気泡Ｃが自然脱気され、自然脱気されためっき液は、受け皿８６から溢れて側壁を越えて再生めっき槽５２内に戻るのである。
【００８４】
上記の如く、再生めっき液排出口７４、あるいは受け皿８６から再生めっき槽５２内へ戻された再生めっき液は、めっき液戻り配管６１内を通って再生めっき槽５２の低部に排出されるマイクロバブルＢを混在した戻りのめっき液とは、隔壁部７５、排出端６１ａの開口深度設定等により、両者は簡単に混ざり難いように構成されている。
【００８５】
このようにして再生めっき槽５２内に溜められた気泡を含まないめっき液は、めっき貯蔵タンク４０との仕切り壁４１を乗り越えて、めっき貯蔵タンク４０内へ流れ込む。めっき貯蔵タンク４０内の気泡を含まないめっき液は、噴流ポンプ３０により噴流としてめっきノズル２１を通してめっき処理カップ２０内に送られる。被めっき処理物である例えばウエハＷ等のめっき処理面に当てられ、電界めっきに利用されることとなる。
【００８６】
このように本実施の形態では、噴流式めっき装置１００に、自己共鳴管９０を設けることで、めっき液自体に脈動を与え、かかる脈動によりそれまでめっき液中に混入していた小さなマイクロバブルＢを集合させて大きな気泡Ｃにすることができる。かかる気泡Ｃは、マイクロバブルＢとは異なり、大きいため、その分浮力も大きくなり自然にめっき液から上方に上り脱気されやすくなる。
【００８７】
本実施の形態では、このように、めっき液の流れを自己共鳴管９０を通過させることで、めっき液に脈動を与え、小さいためなかなか消泡させづらいマイクロバブルＢを、脱気されやすい大きな気泡Ｃに変えて、めっき液からマイクロバブルＢ等の気泡そのものを除去するものである。
【００８８】
めっき液循環用のフィルタ室８０の入り口手前に自己共鳴管９０を設けることで、めっき液に脈動、すなわち振動を与え、めっき液中のマイクロバブルＢ等の溶存気体をガスとして脱気させたり、複数のマイクロバブル同士を結合させて大きな泡とすることができる。かかる泡を、フィルタ室８０のハウジング内で、親水処理済で完全に濡れた状態のフィルタ８０ａではそのメッシュ孔径より大きい気泡は通過させない性質を利用して、めっき液から分離する。分離した気泡Ｃを、フィルタ室８０に接続したエアー抜きラインで真空引きすることにより、めっき液の脱気を行うのである。
【００８９】
めっき液の脈動の周波数は、めっき液の粘度との関係もあるが、一般的には、４〜６ｋＨｚ程度が好ましい。かかる周波数であれば、現時点のめっき液として使用する粘度範囲では、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃに変換させて、自然脱気を推進することができる。
【００９０】
自己共鳴管９０は、本実施の形態では、フィルタ室８０に入る直前の配管７２部分に設けた。自己共鳴管９０により発生しためっき液の脈動で、マイクロバブルＢが集合して大きな気泡Ｃになるため、かかる気泡Ｃの除去機構の直前に、自己共鳴管９０を設ける方が好ましい。発生した気泡の再度の溶け込み等を極力防止して、より速やかに発生した気泡Ｃを除去するため、気泡除去機構の直前に設ける構成を採用したのである。
【００９１】
発生する気泡には、マイクロバブルＢに比べて十分に大きな気泡もあれば、マイクロバブルＢよりは大きいがそれ程までに大きくはない気泡等、種々の大きさの気泡が生ずると考えられる。そこで、マイクロバブルＢよりは大きいが十分とは言えない程度の大きさの気泡は、気泡除去機構までの距離が長いと、再度めっき液に溶け込む可能性も否定し得ない。そこで、かかる溶け込みを防止する意味で、気泡除去機構の直前配置の構成が好ましいと考えたものである。
【００９２】
従って、かかる溶け込みが実質的に防止できる範囲であれば、直前でなくとも、気泡除去機構より離して設けることは構わない。
【００９３】
めっき液中に溶解したガスは、高い濃度で長時間存在しやすい。めっき液中に存在する数μｍ以下のマイクロバブルＢは、マイクロバブルＢ同士結合して大きな気泡Ｃとなることで、めっき液の液面に浮かび上がり、大気中に放出される。しかし、そのプロセスを自然に起こさせるには、大きなめっき液用の貯蔵タンクに長時間めっき液を静置させる必要があり、実際的な脱気方法とは言えない。
【００９４】
また、溶存気体が脱気されためっき液では、噴流ポンプ３０のインペラー等による攪拌で発泡しにくくなる。さらには、発生した気泡も、再びめっき液中に溶け込み、気泡としてはめっき液中に長時間存在できなくなり、ウエハのめっき処理面等に気泡が付着する虞がなくなり、めっき膜の成長不良等を未然に防止することができる。
【００９５】
このようにしてめっき液の再生循環を繰り返すことで、よりめっき液中にマイクロバブルＢは発生しにくくなり、めっき液中のマイクロバブルＢは次第に減少することともなる。所謂、循環効果とも言うべき効果が得られるのである。
【００９６】
しかし、これまでの噴流式めっき装置１００ａでは、図３に示すように、自己共鳴管９０が設けられていない。これまでの噴流式めっき装置１００ａの構成は、噴流式めっき装置１００の構成とほぼ同様であるが、配管７２とフィルタ室８０との間には、自己共鳴管９０が設けられてない点で異なっている。
【００９７】
これまでは、自己共鳴管９０によりめっき液中のマイクロバブルＢを大きな気泡Ｃとして脱気するとの考えがないため、エアー抜き配管には、気泡溜まり８２と、エアーコンバム８５等の構成が当初から設けられてない。さらには、配管７３の再生めっき液排出口７４では、めっき液戻り配管６１から再生めっき槽５２内へもどされためっき液と、めっき液再生機構５０で再生されためっき液とを混ざらないようにするとの考えもない。そのため、隔壁部７５が設けられていないのである。その他の構成は、基本的には、本発明に関わる噴流式めっき装置１００と同様である。
【００９８】
かかる構成のこれまでの噴流式めっき装置１００ａでは、めっき液戻り配管６１の排出端６１ａから再生めっき槽５２に戻されたマイクロバブルＢが混入されためっき液は、循環ポンプ７０によりめっき液取り入れ口７１から吸引される。吸引されためっき液は、配管７２を通ってフィルタ室８０に送られる。
【００９９】
フィルタ室８０のハウジング内では、一部マイクロバブルＢより大きな気泡はエアー抜き配管を通ってエアー抜きされるが、しかし、マイクロバブルＢは、フィルタ８０ａのメッシュ孔径１．５μｍ程度より小さいため、めっき液と共にフィルタ８０ａを通過してしまう。フィルタ８０ａでは、めっき液中の異物のみが除去されるのである。
【０１００】
その結果、異物除去の観点から再生されためっき液には、マイクロバブルＢが依然として混入されたままである。かかるマイクロバブルＢが混入された状態で、再生めっき液は、めっき貯蔵タンク４０内に入り、噴流ポンプ３０によりめっき処理カップ２０からウエハＷ等の被めっき処理物の表面に噴流として当てられることとなる。
【０１０１】
その結果、例えば、図４（ａ）に示すように、ウエハＷのめっき処理面に形成されたレジスト１１０による凹部１２０に、マイクロバブルＢが入り込むこととなる。一旦入り込んだマイクロバブルＢは、簡単には除かれず、図４（ｂ）に示すように、そのまま電界めっきが行われめっき膜１３０が形成されることとなる。かかる場合に、図４（ｃ）に示すように、めっき膜が一部欠損する等のめっき膜欠陥１４０が発生することとなる。
【０１０２】
しかし、本発明の如く、自己共鳴管９０をフィルタ室８０の配管７２の手前に設ける簡単な構成で、めっき液からマイクロバブルＢを除くことができ、電界めっき時におけるめっき膜欠陥の発生を未然に防止することができるのである。
【０１０３】
かかる構成の噴流式めっき装置１００を用いて、半導体装置を製造する方法について、以下説明する。以下の説明においては、ＬＣＤドライバを半導体装置の一例として取り上げるが、しかし、本発明に係る噴流式めっき装置の適用は、かかるＬＣＤドライバに限定するものではなく、ＬＣＤドライバ以外の構成を有する半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
【０１０４】
先ず、ウエハプロセスにおいて、表面が鏡面研磨されたウエハＷの主面上に、液晶表示装置の駆動に必要な素子、およびＬＣＤ（ Liquid Crystal Display）のセルアレイの各画素に電圧供給を行い液晶分子の向きを制御するドライバ回路を設けて、多数の半導体チップ２００を作り込む。ウエハ状態でのかかる様子を、図５（ａ）に示した。
【０１０５】
図５（ａ）に模式的に示す構成では、個々の半導体チップ２００は、ドライバ回路として、ゲート駆動回路、ソース駆動回路、液晶駆動回路、グラフッイクＲＡＭ（Random Access Memory）、周辺回路が作り込まれている。さらに、個々の半導体チップ２００の周縁域には、複数のパッド２１０が設けられている。
【０１０６】
このように形成された半導体チップ２００のパッド２１０上に、めっき工程により、ＦＣ（フリップ・チップ）用のバンプ電極２２０が、図５（ｂ）に模式的に示すように形成される。
【０１０７】
かかるバンプ電極２２０は、図５（ａ）で示すように所定のパッド２１０が形成された段階で、ウエハＷごと一括して前記説明の噴流式めっき装置１００を用いて電解めっきにより形成される。かかる電解めっきは、図６に示すフローに従って行われる。尚、図６では、説明のため、めっき工程の前後のステップをも示している。
【０１０８】
図６のめっき工程に入る前には、ウエハＷ上には、前述の通り、ウエハ状態で必要な素子、ドライバ回路、パッド２１０がそれぞれ形成され、その上にパッシベーション膜が設けられる。かかるパッシベーション膜にフォトレジスト膜を塗布し、露光、現像によりパッシベーション膜上にパッド２１０上に通じる開口部を形成する。
【０１０９】
この開口されたパッド２１０上に、図６のフローに示すように、ＵＢＭ膜（Under Bump Metal、金属下地膜）をステップＳ１０でスパッタにより形成する。
【０１１０】
その後、パッド２１０上に対応した部分に電解めっきによりバンプ電極２２０を形成するためのめっき用マスクを形成する。めっき用マスクは、図６のフローに示すように、ステップＳ２０、Ｓ３０においてＵＢＭ膜上にフォトレジスト用の感光性樹脂を塗布し、所定温度でベーク後、所望のマスクパターンを用いて露光させて樹脂感光を行えばよい。
【０１１１】
ステップＳ４０で感光後の現像を行い、さらに、ステップＳ５０で処理面のレジスト膜の残りを除去するためにプラズマ等のドライエッチングを利用してアッシングを行う。
【０１１２】
このようにしてめっき処理面の不要なレジスト残りを十分に除去した状態で、めっき工程Ｓ１００に移行する。めっき工程Ｓ１００における一連のステップは、図６のフローでは、四角の大枠で囲んで示した。
【０１１３】
めっき工程Ｓ１００では、図６のフローに示すように、めっき付着が良好となるように、めっき前水洗ステップＳ１１０により、ウエハ表面を純水で濡らし、めっき処理面の濡れ性を確保する。例えば、５リットル／分の流量の水で洗浄を行う。
【０１１４】
このようにして水で濡れたままのウエハＷは、ロボットにより前記説明の噴流式めっき装置１００まで搬送される。搬送されたウエハＷは、その裏面が吸着保持された状態で、噴流式めっき装置１００のセッテイング用挿通孔１２内に挿入される。支持部１３にウエハＷが支持された状態で吸着が解除され、ウエハ裏面側には上からウエハ押え１４が被せられる。
【０１１５】
ウエハ押え１４の内側、すなわち、ウエハＷの裏面に相対する側には、押圧用凸部１４ａが設けられ、ウエハＷを支持部１３に圧接させる。圧接させられた状態では、ウエハＷの周縁域のレジストが剥離されて露出しているＵＢＭが、支持部１３を兼ねているカソード１３ａと電気的に接続されることとなる。
【０１１６】
この状態で、ステップＳ１２０のめっき前フラッシングステップで、ウエハＷのめっき処理カップ２０に対向して下方を向けためっき処理面に、めっき液を噴流させる。かかるステップは、あくまで、めっき処理面の気泡を除去することを目的として行うもので、例えば、電解めっき時のめっき流量より多い流量のめっき液を噴き付ける。例えば、２０リットル／分の流量のめっき液を、２分程度噴き付ける。
【０１１７】
しかし、かかるめっき前フラッシングステップＳ１２０は、前記説明の噴流式めっき装置１００では、自己共鳴管９０を設けることで噴流めっき液中のマイクロバブルＢの混入を十分に抑制することができるので、めっき前フラッシングステップの省略、あるいは、めっき前フラッシング時間の短縮を行うこともできる。
【０１１８】
上記めっき前フラッシング時間は、自己共鳴管９０による気泡処理を行わない場合は約１０分程度必要とされていたが、自己共鳴管９０を設けることで上記の如く例えば１／５の２分に時間短縮が可能となった。
【０１１９】
また、図６に示すフローでは、めっき前フラッシング処理を残した工程を示しているが、上記の如く、めっき前フラッシング処理を省く構成も可能となる。めっき前フラッシング処理を行う場合には、フラッシング用のめっき液を気泡除去の目的で勢い良く噴き付けることができるようにウエハＷのめっき処理面とめっき処理カップ２０側との間隔をある程度確保するように構成していた。
【０１２０】
しかし、かかるめっき前フラッシング処理を省く構成では、めっき処理カップ２０とウエハＷのめっき処理面との間を、これまでよりも短く設定することが可能となる。
【０１２１】
ステップＳ１２０の終了後は、ステップＳ１３０により電解めっきによる金めっきを施すこととなる。ウエハＷの金めっきは、ウエハ周縁部のレジスト剥離により露出したＵＢＭ膜を支持部１３を兼ねるカソード１３ａに電気的に接続させた状態で、電解めっきにより行われる。図示はしないが、カソード１３ａと、アノード１５は電源を介して接続され、めっき液を介して通電したＵＢＭ上に金めっきを形成することとなる。
【０１２２】
めっき流量は、例えば、１０リットル／分程度で、液温は約６０℃に設定しておけばよい。因みに、金めっき液の組成としては、例えば、亜硫酸金ナトリウム（Ｎａ３Ａｕ（ＳＯ３）２）溶液を用いればよい。
【０１２３】
このようにしてマイクロバブルＢの混入しないめっき液で、気泡付着を十分に抑制した状態でめっき処理を行った後は、図６のフローに示すように、ステップＳ１４０のめっき後水洗ステップで、ウエハＷに付着しためっき液を純水で洗浄する。水洗後は、ステップＳ１５０に従って、例えばウエハＷを高速回転させるスピン乾燥法等を用いてウエハＷの乾燥を行う。
【０１２４】
その後は、レジスト除去ステップＳ６０で、めっき用マスクとして使用していたフォトレジストをアッシング等で処理し、さらに、ステップＳ７０で不要箇所のＵＢＭ膜もエッチング処理で除去すればよい。このようにして所要のバンプ電極２２０が形成された半導体チップ２００が、図５（ｂ）に示すように、ウエハＷ上に形成されることとなる。
【０１２５】
ウエハＷ上に多数個取りに構成された半導体チップ２００は、その後、ダイシングにより個片化され、液晶表示機構の互いに交差する方向に設けられるゲート線群と、ドレイン線群との電圧切替え制御を行う細長矩形形状に形成されたＬＣＤドライバ２００ａとなる。
【０１２６】
ＬＣＤドライバ２００ａには、図７に示すように、液晶表示画面の画素数に対応したゲート線群、ドレイン線群を構成する多数の線数に対応したバンプ電極２２０が、ＬＣＤドライバ２００ａの矩形面の長辺側、短辺側の周縁に沿って多数設けられている。
【０１２７】
このようにして形成されたＬＣＤドライバ２００ａは、バンプ電極２２０を用いて、実装基板側の電極に、フリップチップボンダにより面実装することができる。上方に向けた実装側基板の電極上に、ＬＣＤドライバ２００ａ側のバンプ電極２２０を下方に向けて相対させ、その状態で、両者の間に異方性導電膜を介在させて、所定圧力でＬＣＤドライバ２００ａを圧着させればよい。
【０１２８】
圧着に際しては、異方性導電膜中の導電性粒子が両電極の間で、潰される程度に圧力を掛けて行えばよい。液晶基板では、例えば、実装側基板として、ガラス基板等を想定すればよい。
【０１２９】
ＬＣＤには、種々の形式のものが開発されているが、代表的なＴＦＴ（ Thin Film Transistor ）液晶ディスプレイでは、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、内側に配向膜(図示省略)を設けた２枚のガラス基板３１０ａ、３１０ｂを、配向膜同士を相対させた状態で、その間にＳＴＮ液晶３２０を挟んで液晶パネル３００が構成されている。
【０１３０】
液晶パネル３００の一方のガラス基板３１０ｂには、ガラス基板３１０ｂの板面方向に沿って互いに交差するＸ電極線、Ｙ電極線がそれぞれ複数本設けられ、一方のＸ電極線がゲート線（データ信号線とも云う）に、他方のＹ電極線がドレイン線（アドレス線とも云う）に形成され、他方のガラス基板３１０ａが共通電極に形成されている。
【０１３１】
両複数本のＸ電極線、Ｙ電極線の各々の交差位置に対応してアドレスが指定された画素が設定され、個々の画素に対応してＴＦＴアクティブ素子が設けられている。モノクロディスプレイでは、画素数は、Ｘ電極線の本数とＹ電極線の本数を掛け合わせた数となる。カラーディスプレイでは、各々の画素が、赤、青、黄色の三原色表示用のサブ画素にさらに分かれ、併せてＸ電極線の数も３倍となるため、画素数はモノクロディスプレイの場合の３倍となる。
【０１３２】
このようにＸ電極線群と、Ｙ電極線群との交差域で画素を決めるマトリックス表示方式では、Ｙ電極線により特定されたアドレスにＸ電極線から送られた映像データを、ＴＦＴアクティブ素子を介して取り込み、各々の画素に映像データの書込を行う。ＴＦＴアクティブ素子で取り込まれた映像データは、各々の画素に設けた蓄積キャパシタに充放電電荷として蓄えられ、この電荷により映像表示を行う。
【０１３３】
かかる構成の液晶パネル３００では、図８（ａ）に示すように、ガラス基板３１０ｂがガラス基板３１０ａより大きく形成されており、ガラス基板３１０ａの二方の周縁に沿って、マトリックス表示に必要な上記Ｘ電極線群、Ｙ電極線群の線数に合わせて、Ｘ電極線用、すなわちゲート線用にＬＣＤドライバ２００ａが、Ｙ電極線、すなわちドレイン線用にＬＣＤドライバ２００ｂが、それぞれ必要な数ＣＯＧ実装形式で設けられている。
【０１３４】
図８（ｂ）に示すように、ガラス基板３１０ａ、３１０ｂの間にシール部３３０により封止されたＳＴＮ液晶３２０が封入されている。かかる液晶ディスプレイ側からは、入力側基板配線３４０が延ばされて外部端子が形成され、かかる外部端子とＬＣＤドライバ２００ａのバンプ電極２２０の一方がフリップチップ方式で、異方性導電膜２４０を介在させて実装されている。
【０１３５】
ＬＣＤドライバ２００ａの他方のバンプ電極２２０は、図８（ｂ）に示すように、出力側基板配線３５０に、異方性導電膜２４０を介してフリップチップ方式で実装され、出力側基板配線３５０が異方性導電膜２４０を介在させてプリント基板などの外部回路３６０に接続されている。かかる構成は、ＬＣＤドライバ２００ｂにおいても同様である。
【０１３６】
外部回路３６０から映像データが出力側基板配線３５０を通してＬＣＤドライバ２００ａ、入力側基板配線３４０を通して所定アドレスにＸ電極線を通して送られることとなる。同様に、ＬＣＤドライバ２００ｂによりＹ電極線による画素の書込などのアドレス指定がなされる。このようにして、ＬＣＤドライバ２００ａ、２００ｂにより、Ｘ電極線を介しての所要アドレスの画素における電圧制御が行われる。
【０１３７】
図９には、フィルムなどフレキシブル素材上に液晶パネルに必要な周辺回路を設けて、かかるフィルム上に前記構成の電極表面の平坦度を向上させたバンプ電極２２０を有するＬＣＤドライバ２００ａを実装した構成を示す。
【０１３８】
フィルム３７０上には、周辺回路がプリントされ、これに通じる配線電極３８０、３９０が、それぞれ異方性導電膜２４０を介在させて、ガラス基板３１０ｂ上の透明な入力側基板配線３４０、ＬＣＤドライバ２００ａのバンプ電極２２０に接続されている。このようにＬＣＤにおける分野のＣＯＦ実装方式でも本発明は有効に適用することができる。
【０１３９】
かかるＣＯＦ実装においても、前述の如く、バンプ電極２２０の平坦化により導電性粒子との接触面積の増加により、ＬＣＤモジュールの信頼性が向上する。
【０１４０】
例えば、上記説明では、ＬＣＤドライバを例に挙げて説明したが、本発明は、ＬＣＤドライバ以外でも、異方性導電膜を介在させてフェイスダウン実装によりバンプ電極を実装基板側電極等の相手側電極と電気的に接続させる構成の半導体装置に適用しても構わない。
【０１４１】
尚、上記説明のＬＣＤドライバ２００ａでは、例えば、図７に示すように、バンプ電極２２０を周辺配置にした構成を示したが、例えば、図５（ａ）に示す構成のパッド２１０の配置から、図示はしないが、樹脂封止をウエハ状態で行い、さらに再配線を行って、バンプ電極を周辺域に過密に設けるのではなく、中央側にも設けるようにして、ＷＰＰ（ウエハ・プロセス・パッケージ）に基づく構成にしても構わない。
【０１４２】
また、上記の如く、本発明に関わる半導体装置の製造方法では、半導体装置として半導体チップ２００をＬＣＤドライバ２００ａ等に構成した場合を例に挙げて説明したが、本発明に関わる半導体装置の製造方法により、噴流めっきを用いて再配線層をめっきで形成する場合にも適用できることは言うまでもない。
【０１４３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、自己共鳴管９０を、噴流式めっき装置１００ｂのめっき液の噴流側に設けた場合について示す。図１０に示すように、噴流式めっき装置１００ｂでは、自己共鳴管９０が、図１に示す構成のめっき処理カップ２０のめっきノズル２１に代えて設けられている。かかる構成では、自己共鳴管９０の取り付けねじ９１は片方のみに設けられ、オリフィス９２、９３、円形開口部９２ａ、９３ａ、共鳴室９４は、前記実施の形態１と同様に形成されている。
【０１４４】
このように、めっき処理カップ２０内に自己共鳴管９０を設けることで、噴流ポンプ３０により攪拌されたマイクロバブルＢが混入させられためっき液は、被めっき物のウエハＷに当てられる直前で、大きな気泡Ｃに変換させられる。
【０１４５】
かかる大きな気泡Ｃは、ウエハＷのめっき処理面の細かな凹部にはマイクロバブルＢとは異なり、入り込み難く、めっき処理カップ２０から排出されるめっき液と共に排出されることとなる。
【０１４６】
また、自己共鳴管９０を出ためっき液は、前記の如く脈動を伴う振動流となっているため、大きな気泡Ｃがめっき処理面の凹部にかかっても、その脈動で気泡Ｃを凹部から追い出すこともできる。
【０１４７】
さらには、自己共鳴管９０を出ためっき液は、周期的な振動を伴った脈動であるため、かかる振動が大きなキャビテーション効果を示すこととなる。そのため、マイクロバブルＢが凹部に引っかかっていても、大きな気泡Ｃが破裂してマイクロバブルＢ等の小さな気泡をも消滅させることができる。
【０１４８】
図１０では、自己共鳴管９０により、噴流ポンプ３０により発生したマイクロバブルＢが大きな気泡Ｃとなって、めっき処理面に付着することなく、めっき処理カップ２０外に出ていく様子を示している。
【０１４９】
めっき処理カップ２０から排出されためっき液は、図１０に示すように、めっき処理カップ２０と外方容器５１との間に設けられた隙間６０である流路６０ａからめっき液戻り配管６１内に入り、めっき貯蔵タンク４０内に戻される。めっき貯蔵タンク４０内に戻されためっき液には、めっき液中に大きな気泡Ｃが混在しているが、めっき貯蔵タンク４０内に戻された段階で、浮力でめっき液の液面に出て自然の脱気が行われることとなる。
【０１５０】
従って、本実施の形態の構成では、図１０に示すように、図１に示す場合とは異なり、めっき液再生機構５０の構成は不要となる。勿論、マイクロバブルＢの存在を確実に無くす意味では、めっき液再生機構５０を併置した構成であっても構わない。併置した構成では、図１に示すように、めっき液戻り配管６１を、再生めっき槽５２に戻し、循環ポンプ７０によりめっき液をフィルタ室８０のフィルタ８０ａを通して循環させることで、めっき液の再生を行うようにしても構わない。
【０１５１】
尚、本実施の形態では、めっきノズル２１に代えて、自己共鳴管９０を設ける構成であるが、噴流となってウエハＷのめっき処理面にあたるめっき液は、前記の如く強いキャビテーション効果を有している。そのために、めっき液があたるめっき処理面、あるいはめっき処理面のレジスト等が、キャビテーション効果のために痛む虞もある。
【０１５２】
かかる場合には、めっき処理開始前のフラッシング中の短時間のみめっき流速を上昇させて気泡、異物等を除去して、めっき中に流速を落としてキャビテーション効果を低減するようにすればよい。
【０１５３】
（実施の形態３）
本発明は、前記実施の形態でも重ねて強調したように、自己共鳴管９０を設けることで、めっき液を所定の周波数で振動させてめっき液中のマイクロバブルＢを結合させ、大きな気泡Ｃに変換して、自然脱気を促す方法であった。
【０１５４】
そこで、本発明者は、めっき液にマイクロバブルＢを結合させて大きな気泡とすることができるような振動を与えさえすれば、自己共鳴管９０の構成でなくても、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃとして脱気させることができる筈と考えた。
【０１５５】
例えば、図１１に示すように、超音波振動子４００を噴流式めっき装置１００ｃのめっき液中に置いて、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃに変換することを着想した。例えば、発振器４００ａに接続させた超音波振動子４００を、再生めっき槽５２の低部側に置いた。めっき液戻り配管６１の付近、例えば、めっき液戻り配管６１の排出端６１ａと、めっき液取り入れ口７１との間の再生めっき槽５２の底面側に配置した。
【０１５６】
かかる構成では、被めっき処理物の例えばウエハＷのめっき処理面に、噴流めっきとして当てられ、その際に空気を巻き込んでマイクロバブルＢが混入しためっき液を、めっき処理カップ２０から、隙間Ｓ、隙間６０である流路６０ａ、めっき液戻り配管６１を通して、再生めっき槽５２内に戻す。
【０１５７】
再生めっき槽５２内に戻っためっき液は、再生めっき槽５２の低部に配置した超音波振動子４００からの例えば１５〜５０ｋＨｚ程度の振動により、マイクロバブルＢ同士が結合促進されて大きな気泡Ｃが形成される。かかる大きな気泡Ｃが混在しためっき液はめっき液再生機構５０のめっき液取り入れ口７１から、循環ポンプ７０によりフィルタ室８０に送られる。
【０１５８】
フィルタ室８０に送られためっき液は、大きな気泡Ｃを除いてフィルタ８０ａに濾過され、再生めっき液排出口７４から再生めっき槽５２内に戻される。一方、大きな気泡Ｃは、エアー抜き配管を構成する自動弁８３を経て受け皿８６で大気に自然開放される。
【０１５９】
このようにしてマイクロバブルＢが除かれためっき液は、再生めっき槽５２からめっき貯蔵タンク４０内に入り、その後噴流ポンプ３０によりめっき処理カップ２０に向けて噴流されて循環する。
【０１６０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、前記実施の形態３におけると同様に、めっき液にマイクロバブルＢを結合させて大きな気泡Ｃとすることができるような振動を与えることで、自己共鳴管９０の構成でなくても、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃとして脱気させることができる筈との考えに基づいてなされたものである。
【０１６１】
本実施の形態では、噴流式めっき装置１００ｄでは、前記実施の形態３とは異なり、図１２に示すように、めっき液の噴流側に発振器４１０ａに接続された超音波振動子４１０を設けた。超音波振動子４１０は、めっきノズル２１のめっき液突出口の中央に設けられ、めっき液は、超音波振動子４１０とめっきノズル２１とのリング状の隙間から噴流となって突出するように構成されている。
【０１６２】
かかる構成では、噴流としてめっきノズル２１から突出するめっき液は、突出口を出る際に超音波振動子４１０により、所定の振動を付与された振動流となる。かかるめっき液の振動により、めっき液中に混在していたマイクロバブルＢは互いに結合されて大きな気泡Ｃとなる。
【０１６３】
大きな気泡Ｃは、ウエハＷのめっき処理面の細かな凹部にはマイクロバブルＢとは異なり、入り込み難く、めっき処理カップ２０から排出されるめっき液と共に排出されることとなる。
【０１６４】
また、大きな気泡Ｃを含むめっき液は、めっき処理前のめっき液の吹きつけにおいて、マイクロバブルＢに比べてめっき処理面の凹部から出やすく、前処理段階でめっき処理面から追い出すことが可能となる。
【０１６５】
さらには、めっき液には超音波振動子４１０によりキャビテーション効果が付与されており、マイクロバブルＢが凹部に引っかかっていても、大きな気泡Ｃが破裂してマイクロバブルＢ等の小さな気泡をも消滅させることができる。
【０１６６】
図１２では、超音波振動子４１０により、噴流ポンプ３０により発生したマイクロバブルＢが大きな気泡Ｃとなって、めっき処理面に付着することなく、めっき処理カップ２０外に出ていく様子を示している。
【０１６７】
めっき処理カップ２０から排出されためっき液は、図１２に示すように、めっき処理カップ２０と外方容器５１との間に設けられた隙間６０である流路６０ａからめっき戻り配管６１内に入り、めっき貯蔵タンク４０内に戻される。めっき貯蔵タンク４０内に戻されためっき液には、めっき液中に大きな気泡Ｃが混在しているが、めっき貯蔵タンク４０内に戻された段階で、浮力でめっき液の液面に出て自然の脱気が行われることとなる。
【０１６８】
従って、本実施の形態の構成では、図１に示す場合とは異なり、敢えてめっき液再生機構５０の構成を設けない構成とすることができる。勿論、マイクロバブルＢの存在を確実に無くす意味では、めっき液再生機構５０を併置した構成も考えられる。
【０１６９】
（実施の形態５）
前記実施の形態の噴流式ポンプ１００、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、全て被めっき処理物であるウエハＷ等のめっき処理面を、下方に向けてセットするフェイスダウンの方式であった。しかし、本発明は、必ずしもフェイスダウンの場合にのみ有効なのではなく、フェイスアップの方式でも当然に使用することができることは言うまでもない。
【０１７０】
本実施の形態で述べる噴流式めっき装置１００ｅは、フェイスアップに対応するものである。かかる構成では、図１３に示すように、めっき液再生機構５０については前記の図１に示す構成と同様であるが、めっき液を噴流させてめっきを行う箇所が、図１に示すフェイスダウンの構成とは異なっている。
【０１７１】
すなわち、めっき処理を行うめっきヘッド６００の構成が、フェイスアップ対応の構成となっている。図１３に示す構成では、めっき噴流は、めっきヘッド６００を構成するめっき処理カップ６１０の上方から入り、めっき処理カップ６１０の底面側の側方から排出されるようになっている。
【０１７２】
めっき処理カップ６１０は、下方に開口されており、めっき処理カップ６１０内にアノード１５としての白金メッシュが設けられている。かかるアノード１５に対向して、被めっき処理物であるウエハＷ等をセットする支持部材６２０が設けられている。対向支持する支持部材６２０は、ウエハＷを保持した状態で、上下動できるように構成されている。
【０１７３】
かかる支持部材６２０は、めっきヘッド下方部材６３０から下方に移動して、その状態でウエハＷがセットされる。ウエハＷのセットに際しては、めっき時にウエハＷの裏面側にめっき液が回り込まないように構成されている。
【０１７４】
このようにウエハＷをセットした状態で、支持部材６２０は上方に移動して、めっきヘッド下方部材６３０と密着接続する。図１３は、支持部材６２０が、めっきヘッド下方部材６３０に密着している様子を示している。
【０１７５】
かかるめっきヘッド下方部材６３０と、支持部材６２０との密着は、間にゴム、あるいは樹脂等でできたＯリング等を介して、めっき液がもれないように確実にシールすることができるように構成されている。
【０１７６】
かかる支持部材６２０上に裏面を密着させてシールした状態のウエハＷを保持した状態で、図１３に示すように、めっきヘッド下方部材６３０との間がシーリングされて密着させられている。
【０１７７】
めっきヘッド下方部材６３０は、中央開口のリング状に形成され、その周囲にはカソード１３ａが設けられている。ウエハＷを保持した状態で支持部材６２０をめっきヘッド下方部材６３０に密着させると、カソード１３ａが、ウエハＷのめっき処理面のレジストが剥離された箇所に接触できるようになっている。
【０１７８】
このようにして、ウエハＷにカソード１３ａを接触させた状態で、めっき処理カップ６１０内にめっき噴流を上方から下方のウエハＷのめっき処理面に向けて吹き出す。めっき処理面では、噴流めっきが当てられ電界めっきが行われる。電界めっきに使用されためっき液は、めっきヘッド下方部材６３０側の底面側を経て、めっき処理カップ６１０の側方から、めっき液戻り配管６１内に入り、再生めっき槽５２内に戻される。
【０１７９】
再生めっき槽５２内に戻されためっき液は、前掲の図１のめっき液再生機構５０と同様に構成された図１３に示すめっき液取り入れ口７１から、循環ポンプ７０により、フィルタ室８０内に送られる。フィルタ室８０内に入る直前の配管７２部分に設けられた自己共鳴管９０で、めっき液は脈動を有する振動流となる。
【０１８０】
かかる振動流となっためっき液からは、混在するマイクロバブルＢが振動により結合して大きな気泡Ｃとなり脱気される。めっき液は、フィルタ８０で濾過され、再生めっき液排出口７４から、再生めっき槽５２内に戻される。一方、大きな気泡Ｃは、気泡溜まり８２、自動弁８３、エアーコンバム８５等のエアー抜き配管を経て、受け皿８６で大気に放出され、気泡Ｃの除去の際に混入した少量のめっき液は受け皿８６に溜まって、再生めっき槽５２内に戻される。
【０１８１】
再生めっき槽５２に戻されためっき液は、マイクロバブルＢが含まれないめっき液となり、めっき貯蔵タンク４０に移される。その後、噴流ポンプ３０により噴流として、上方から下方に向けて、フェイスアップ状態にセットされたウエハＷ等のめっき処理面に当てられる。
【０１８２】
かかる構成では、前記実施の形態の場合とは異なり、フェイスアップの構成であるため、めっき液にマイクロバブルＢ等の気泡が混じっていても、めっき処理面の凹部には気泡が溜まりにくい。しかし、かかる場合であっても、僅かにマイクロバブルＢがめっき処理面の凹部等に付着する場合が当然に考えられるので、本実施の形態のようなめっき液からマイクロバブルＢを除去する構成は極めて有効である。
【０１８３】
図１４に示す場合は、噴流式めっき装置１００ｆのめっきヘッド６００の構成において、めっき液の流れる方向が、図１３の構成と逆にされている。すなわち、めっきヘッド６００を構成するめっき処理カップ６１０では、使用されためっき液は、めっき処理カップ６１０の上方のめっき液排出口６４０から、めっき液戻り配管６１に入り再生めっき槽５２に排出される。
【０１８４】
一方、噴流ポンプ３０により噴流となっためっき液は、めっき処理カップ６１０の下方に位置するめっきヘッド下方部材６３０側の側方から導入されることとなる。このようにしてめっき処理カップ６１０内にめっき液が満たされた状態で、めっき液は循環されることとなる。
【０１８５】
また、支持部材６２０は、図１３に示す場合と同様に、図１４の場合にも、上下に移動できるように構成され、めっきヘッド下方部材６３０から下方に離された状態で、ウエハＷ等の被めっき処理物を支持部材６２０にセットできるように構成されている。支持部材６２０にウエハＷを装着した状態で、支持部材６２０を上方に移動させ、めっきヘッド下方部材６３０に密着させる。
【０１８６】
密着状態は、支持部材６２０とめっきヘッド下方部材６３０との間に、ゴム、あるいは樹脂等でできたＯリング等を介して、めっき液がもれないように確実にシールして、密着させることができるようになっている。
【０１８７】
また、めっきヘッド下方部材６３０は、中央が開口されたリング状に形成されており、リング周辺にはカソード１３ａが設けられており、ウエハＷをセットした状態では、ウエハＷの周辺のレジストを剥離した箇所にカソード１３ａを接触させることができるようになっている。
【０１８８】
かかる状態で、めっきヘッド６００内に下方側面からめっき液を導入し、導入しためっき液を上方から排出することで、めっき液を循環させながら、ウエハＷの電界めっきを行うことができる。
【０１８９】
電界めっきに使用されためっき液は、めっきヘッド６００のめっき液排出口６４０から、めっき液戻り配管６１を経て再生めっき槽５２に戻される。再生めっき槽５２内に戻されためっき液は、前掲の図１のめっき液再生機構５０で説明したと同様に、図１４のめっき液取り入れ口７１から、循環ポンプ７０により、フィルタ室８０内に送られる。フィルタ室８０内に入る直前の配管７２部分で、自己共鳴管９０を通過してめっき液は脈動を有する振動流となる。
【０１９０】
振動流となっためっき液は、混在するマイクロバブルＢをめっき液の振動により結合させて大きな気泡Ｃとして脱気する。めっき液は、フィルタ８０ａで濾過され、再生めっき液排出口７４から、再生めっき槽５２内に戻される。大きな気泡Ｃは、気泡溜まり８２、自動弁８３、エアーコンバム８５等のエアー抜き配管を経て、受け皿８６で大気に放出される。気泡Ｃの除去の際に混入した少量のめっき液は、受け皿８６に溜まって、その後再生めっき槽５２内に戻される。
【０１９１】
再生めっき槽５２に戻されためっき液は、マイクロバブルＢが含まれないめっき液となり、めっき貯蔵タンク４０を経て、噴流ポンプ３０により噴流として、めっきヘッド６００の下方側方から、フェイスアップ状態にセットされたウエハＷ等のめっき処理面に満たされ、電界めっきが行われる。
【０１９２】
かかる構成でも、フェイスアップの構成であるため、めっき液にマイクロバブルＢ等の気泡が混じっていても、めっき処理面の凹部には気泡が溜まりにくい。しかし、かかる場合であっても、僅かにマイクロバブルＢがめっき処理面の凹部等に付着する場合が当然に考えられるので、本実施の形態のようなめっき液からマイクロバブルＢを除去する構成は極めて有効な構成である。
【０１９３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１９４】
前記実施の形態では、自己共鳴管は直管に構成した場合を例に挙げて説明したが、曲がり管に構成しても一向に構わない。共鳴室部分で曲がりが入るようにしても、あいるは共鳴室を避けて曲がりが入るようにしても一向に構わない。
【０１９５】
また、前記実施の形態では、自己共鳴管をめっき装置に一つ設けた構成について説明したが、例えば噴流側のめっきノズル位置に、めっき再生機構側のめっき室直前部分に等のように、複数設けても一向に構わない。さらには、自己共鳴管を直列に設ける構成も考えられる。
【０１９６】
自己共鳴管は、ダイヤフラムポンプと、あるいは超音波振動子と併せて使用しても構わない。さらには、自己共鳴管を、ダイヤフラムポンプ、超音波振動子と共に３者併置した構成も考えられる。
【０１９７】
前記実施の形態では、フェイスアップ方式で電界めっきを行う場合には、めっきヘッドが固定されているため、被めっき処理物のウエハのセットは、めっきヘッド下方部材より支持部材を離してウエハをセットし、その後に両者を密着させる構成であった。
【０１９８】
しかし、めっきヘッド自体を反転できるように構成して、フェイスダウン方式と同様に被めっき処理物のウエハをめっき処理カップに対してフェイスダウン状態でセットし、その後にめっきヘッドを反転させて、フェイスアップ状態で電界めっきを行うように構成しても一向に構わない。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明は、工程にめっき処理工程を含む半導体装置等の製造方法において有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】本発明に関わる一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成の一実施例を模式的に示す断面説明図である。
【図２】（ａ）は本発明に関わる一実施の形態の自己共鳴管の一実施例を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図３】これまでの噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す断面説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、マイクロバブルに起因しためっき膜欠陥のできる様子を模式的に示した部分断面説明図である。
【図５】（ａ）ウエハプロセスにおける半導体チップのパッドの形成状況をウエハ状態で模式的に示す平面説明図であり、（ｂ）はウエハプロセスにおける半導体チップのバンプ電極の形成状況をウエハ状態で模式的に示す平面説明図である。
【図６】本発明に関わる一実施の形態のめっき処理工程の一実施例の処理ステップを示すフロー図である。
【図７】ウエハ状態から個片化された状況でのＬＣＤドライバにおけるバンプ電極の配列状況を示す平面図である。
【図８】（ａ）液晶パネルを模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＬＣＤドライバの接続状況を模式的に示す要部断面図である。
【図９】液晶ディスプレイにおいてＬＣＤドライバをＣＯＦ実装方式で実装した様子を模式的に示す要部断面図である。
【図１０】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１１】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１２】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１３】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１４】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１０ ホルダ
１１ トップリング
１２ セッティング用挿通孔
１３ 支持部
１３ａ カソード
１４ ウエハ押え
１４ａ 押圧用凸部
１５ アノード
２０ めっき処理カップ
２０ａ 側壁
２１ めっきノズル
２１ａ 側壁
３０ 噴流ポンプ
４０ めっき貯蔵タンク
４１ 仕切り壁
５０ めっき液再生機構
５１ 外方容器
５１ａ 側壁
５２ 再生めっき槽
６０ 隙間
６０ａ 流路
６１ めっき液戻り配管
６１ａ 排出端
７０ 循環ポンプ
７１ めっき液取り入れ口
７２ 配管
７３ 配管
７４ 再生めっき液排出口
７５ 隔壁部
８０ フィルタ室
８０ａ フィルタ
８１ 流路
８２ 気泡溜まり
８３ 自動弁
８４ 圧縮窒素供給口
８５ エアーコンバム
８６ 受け皿
９０ 自己共鳴管
９１ 取り付けねじ
９２ オリフィス
９２ａ 円形開口部
９３ オリフィス
９３ａ 円形開口部
９４ 共鳴室
１００ 噴流式めっき装置
１００ａ 噴流式めっき装置
１００ｂ 噴流式めっき装置
１００ｃ 噴流式めっき装置
１００ｄ 噴流式めっき装置
１００ｅ 噴流式めっき装置
１００ｆ 噴流式めっき装置
１１０ レジスト
１２０ 凹部
１３０ めっき膜
１４０ めっき膜欠陥
２００ 半導体チップ
２００ａ ＬＣＤドライバ
２００ｂ ＬＣＤドライバ
２１０ パッド
２２０ バンプ電極
２４０ 異方性導電膜
３００ 液晶パネル
３１０ａ ガラス基板
３１０ｂ ガラス基板
３２０ ＳＴＮ液晶
３３０ シール部
３４０ 入力側基板配線
３５０ 出力側基板配線
３６０ 外部回路
３７０ フィルム
３８０ 配線電極
３９０ 配線電極
４００ 超音波振動子
４００ａ 発振器
４１０ 超音波振動子
４１０ａ 発振器
６００ めっきヘッド
６１０ めっき処理カップ
６２０ 支持部材
６３０ めっきヘッド下方部材
６４０ めっき液排出口
Ｂ マイクロバブル
Ｃ 気泡
Ｓ 隙間
Ｗ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に半導体装置の製造工程における再配線層等のめっき工程に適用して有効な技術である。
【背景技術】
【０００２】
以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体ウエハを対象とした金属膜のめっき方法の一つに、噴流方式がある。噴流方式では、処理面に導電性薄膜を付けたシリコンウエハを、そのめっき処理面を下向きにしてセットする。その状態で、めっき液貯蔵槽に蓄えられためっき液を、噴流ポンプによりめっき処理カップ内の下方から導入し、下向きのウエハ処理面全面に向けてめっき液を噴流状態で接触させて電解めっきを行うものである。
【０００４】
かかる電界めっきでは、めっき処理カップ内に被めっき金属または白金類のアノード電極（正極）を設け、このアノードに対面配置させたウエハ側をカソード電極（負極）に接続して、ウエハのめっき処理面に所望の金属めっき膜を形成する。
【０００５】
めっき処理液中には、めっき液が気泡を巻き込んだり、あるいはめっき反応等によって気泡が発生したりするが、かかる気泡は、めっき液中を上方に移動して、その一部が下向きにセットしたウエハのめっき処理面に付着する。
【０００６】
例えば、バンプ形成用のウエハの場合には、めっき処理面には、パッシベーション膜を一部開口してめっき形成領域が狭小な凹部として多数形成されているが、かかる狭小な凹部等に一旦入り込んだ気泡は、めっき液の噴流による流れ程度では簡単に離散せず、気泡を残した状態で電解めっきが行われることとなる。
【０００７】
気泡を残した状態でめっきを行うと、気泡が残留している箇所ではめっき液との接触が妨げられてめっき成長が不十分となる。例えば、気泡が配線パッド上に付着した状態では、めっき部分と配線パッド側との接触面積が少なくなり、根元の細いバンプ電極が形成される。かかる根元の細いバンプ電極では、例えば、実装基板側の電極との間に異方性導電膜を介在させて所定圧力で圧接実装するに際して、バンプ電極の折れが発生する虞がある。
【０００８】
また、気泡が、バンプ電極形成範囲の配線パッド上の全面を覆った場合には、配線パッド上ではめっき成長が起きず、バンプ電極が全く形成されない無めっき状態のめっき膜欠陥に至ることともなる。
【０００９】
このようにめっき時における残留気泡はめっき処理時の大きな欠陥の原因の一つとなるが、しかし、噴流式めっき方式では、噴流ポンプでめっき液を上方に噴き上げる構成を採用するため、どうしても、気泡が発生し、めっき液に巻き込まれることとなる。
【００１０】
発生した気泡は自然消滅しにくく、噴流めっきと共に勢い良く上方に噴き上げられて、下方に向けたウエハ処理面の前記バンプ電極形成用の狭小な凹部に入る。一旦入った気泡は、狭小な凹部に閉じ込められた状態となりやすい。
【００１１】
また、気泡の発生は、噴流ポンプに関わる以外にも、乾燥した状態でのウエハのめっき処理面に、めっき液が接触する場合にも起こりやすい。すなわち、めっき処理面の濡れ性によっても気泡発生が見られるのである。
【００１２】
そこで気泡対策として、めっきスタート前に、例えば、１０分程度、めっき液の噴流量を適宜変更しながら、めっき噴流を処理面に当てることでめっき処理面の濡れ性を確保し、併せて、めっき処理面の狭小な凹部内に入り込んだ気泡を、めっき液の流れにより離散させる予備的な前処理を行っている。しかし、電解めっき処理前のかかる前処理程度では、気泡を十分に取り除くことはできない。
【００１３】
このようにめっきにおける気泡の問題は避けて通れない重要な解決課題であるため、例えば、以下に示すような様な方法で気泡を取り除く方法が提案されている。
【００１４】
例えば、特許文献１には、めっき液の減圧脱気が開示されている。特許文献２、３には、それぞれめっき液の減圧、沸騰脱気が開示されている。特許文献４、５には、脱気装置を有しためっき装置の開示がある。特許文献６には、中空疎水性繊維膜によるめっき液の脱気が開示されている。
【００１５】
また、特許文献７には、めっき液に微粒子を添加して不活性ガスをバブリングさせ、超音波振動子による超音波を照射し脱気を行うめっき装置の開示がある。特許文献８には、めっき液タンク内に仕切り板を設けてめっき液を静置して泡を消すめっき装置について開示がある。特許文献９には、超音波振動子による超音波でめっき面を洗浄しながらめっきを行うめっき装置に関しての開示がある。
【００１６】
さらに、特許文献１０には、例えば、段落００４２〜００４５、図２、図５において、ホトレジスト塗布前の濡れ性向上のためのシンナー塗布において、シンナー供給部分の下面に超音波振動子を配置して、シンナーに含まれる気泡を除去してシンナー供給タンクの下部によるシンナーを取り出し基板上に除去したシンナーを供給する技術が開示されている。
【００１７】
特許文献１１には、例えば、段落００２１〜００２５、図１等に、薬液中の不純物を除去するために、薬液の循環路において細孔を有する物質に窒素を注入して気泡を薬液中に発生させて気泡とともに不純物を取り込み、シリコン微粒子フィルタにおいて気泡とともに不純物を除去して薬液を薬液容器に返すようにした技術が開示されている。
【００１８】
特許文献１２には、例えば、段落００３８〜００４３、図５等に、液晶製造に用いる配向膜やレジストの機能性薄膜供給装置において、供給分岐間の途中にフッ素やナイロンの網目状の合成樹脂からなる気体分離材を配置して機能性薬液を供給する時の気体分離材により気泡を気体分離材に残して、寄り集めて大きな気体に成長させて上方に浮上させて気体を除去してから下方から薬液を供給する技術の開示がある。
【００１９】
特許文献１３には、例えば、段落００１０〜００１３、図１等に、液体中の気泡を脱泡する方法において、上流側と下流側に脱泡槽を設置して上流側には超音波振動数を低くして出力を大きくして発泡を促進させ、下流側には超音波振動数を高くして出力を小さくして気泡同士を集合させるようにした技術が開示されている。
【００２０】
特許文献１４には、例えば、段落００２６〜００３０、図１等に、噴流メッキ槽から循環路を経て気泡除去槽にメッキ液を循環させて、気泡除去槽の下部からメッキ液を流入して気泡除去槽の上部で気泡を除去した後に気泡除去槽に上部からあふれたメッキ液を循環路を経てメッキ液を噴流メッキ槽に戻す技術が開示されている。
【００２１】
特許文献１５の例えば段落００５０〜００６４、図１〜図３や、特許文献１６の例えば段落００２０〜００２４、図１等には、噴流式メッキ処理においてメッキ液の噴流部分においてＰＴＥＦ等の気液分離機能を有する管にメッキ液を通して気泡を脱気するようにして気泡を除去してからメッキ液の噴流部分に供給する技術が開示されている。
【００２２】
特許文献１７では、例えば、段落００１４〜００１６、図１、図２等に、噴流式メッキ装置においてメッキ液を旋回流を発生するメッキ液旋回室に導入して気泡を含む密度の小さいメッキ液を中央部に集め、気泡を含まない密度の大きいメッキ液を外周部に集めてメッキ液中から気泡を除去してメッキを行なう技術が開示されている。
【００２３】
特許文献１８では、例えば、段落０００６〜００１６、図１等に、液体中に自己共鳴の周波数になるように噴流ノズルの形状を形成して液体中に激しいキャビテーションを引き起こすようにしてバリや異物の除去を行なう技術が開示されている。
【００２４】
特許文献１９には、例えば、段落００６２〜００６４、図１等に、噴流式メッキ装置においてメッキ液供給部にベローズポンプまたはダイヤフラムポンプを用いてメッキ液の圧力に脈動周期を与えメッキ液中に発生した気泡を脈動の周期的変化で気泡が滞留するのを防止してメッキする技術が開示されている。
【００２５】
特許文献２０には、例えば、段落００１９〜００２３、図１等に、リードピンへの噴流式はんだメッキにおいて半田の噴流部分に超音波振動を与えて気泡がピンに付着しないようにしてメッキする技術が開示されている。
【００２６】
特許文献２１には、例えば、段落００２０〜００２８、図１等に、噴流式メッキ装置において超音波振動をメッキ液に与える時にプリント基板に合わせて超音波振動数を可変にして与えてメッキを良好に行なう技術が開示されている。
【００２７】
また、例えば、特許文献２２、２３、２４には、噴流めっき装置の構成をフェイスダウンの方式からフェイスアップの構成に変更することで、気泡の影響を回避する構成も提案されている。
【００２８】
さらに半導体の分野とは異なるが、特許文献２５には、石油等の探鉱用の掘削時に使用するトリコン型削岩ドリルに関し、自己共鳴管を用いた例が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１７１７９１号公報
【特許文献２】特開平１１−９３０００号公報
【特許文献３】特開平１１−９２９４８号公報
【特許文献４】国際特許ＷＯ０１／０６８９５２号公報
【特許文献５】国際特許ＷＯ００／２８１１５号公報
【特許文献６】特表２００４−５３１６４０号公報
【特許文献７】特開平５−１０６０９３号公報
【特許文献８】特開平６−２８００９９号公報
【特許文献９】特開平９−２０２９９４号公報
【特許文献１０】特開２０００−１４０５０５号公報
【特許文献１１】特開平８−２８８２４９号公報
【特許文献１２】特開２００５−５８８４２号公報
【特許文献１３】特開平１１−１９７４０６号公報
【特許文献１４】特開平７−１０６２９４号公報
【特許文献１５】特開２００３−２０１６００号公報
【特許文献１６】特開２００３−１２９２８３号公報
【特許文献１７】特開２００３−２７７９８６号公報
【特許文献１８】特開２００３−８０１１９号公報
【特許文献１９】特開２００２−３６３７８８号公報
【特許文献２０】特開平７−３２１４５３号公報
【特許文献２１】特開平９−２９３９５８号公報
【特許文献２２】特開平６−１８８２４７号公報
【特許文献２３】特開平７−２１６５８５号公報
【特許文献２４】特開平６−２８００９８号公報
【特許文献２５】特表平７−５０４７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
ところが、上記気泡除去技術等にはおいては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【００３０】
気泡付着を無くすことに関して、めっき処理面を上方に向けることにより、上昇する気泡を付着させないようにする構成は、確かに有効な技術ではあるが、それまでの噴流式めっき装置で採用されていた構成を大きく変える必要がある。
【００３１】
例えば、アノード、カソードの電極配置を逆構成にする一方で、処理面を上方に向けた状態で、めっき処理カップ内の下方にアノード電極に相対するようにウエハを保持させることが必要となり、ウエハ裏面にはめっきが付着しないようにすることが求められる。
【００３２】
装置経済の観点からは、これまで使用されてきた構成を大きく変えることなく、装置構成の一部の改作等で対応できるようにするのが好ましい。現在使用中の装置を入れ換えることなく、改作手段で対応できればより好ましい。また、既にある噴流式めっき装置の製造ラインを大幅に変えることなく対応できれば、装置の製造コストの大幅なアップも回避できる。
【００３３】
そこで、本発明者は、これまでの噴流式めっき装置で採用されているウエハ処理面を下方に向けた状態で、めっき噴流を当てて電解めっきを行う構成で、如何に気泡付着を抑制できるかの技術開発が必要と考えた。
【００３４】
また、例えば、前記提案のめっき液の減圧方式による脱気方法では、装置構成上バッチ処理となるため大量のめっき液を処理する場合には、大きな脱気処理槽が必要となり、連続処理が不可能となる。また、減圧に使用する真空ポンプも必要となり、全体としてのコスト上昇が避けられない。
【００３５】
一方、めっき液の沸騰による脱気方法は、熱に弱いめっき液の場合には使用できない。また、脱気槽を耐熱にする必要がありコストが上昇する。
【００３６】
また、中空疎水性繊維膜方式（デガッサー方式）によるめっき液の脱気方法では、液中の気体を除去する能力は高いが、めっき液中の異物による脱気膜の目詰まりによるメンテナンス頻度が増加し、併せて単位時間当たりの処理速度が遅い等のため、大量のめっき液を処理するためには脱気システムが大型化せざるを得ず、ランニングコスト、設備コスト等の上昇が避けられない。
【００３７】
さらに、めっきタンク内に仕切り板を設けてめっき液を静置し、微小気泡を液面まで浮上させ消泡する脱気方法は、気泡を自然に沈静させるために、大きなめっき液貯蔵槽を設置する必要があり、泡が消えるまでに時間がかかるので工程ロス、コスト高となる。
【００３８】
そこで、本発明者は、発生する気泡の処理をそのままにして気泡付着を回避するのではなく、めっき液中の気泡そのものの解消、排除に努める技術の開発が必要であると考えた。
【００３９】
すなわち、めっき液中に発生する気泡の除去、あるいは、発生した気泡をめっき液の噴流と共にめっき装置外に効果的に排出する技術が開発できれば、気泡付着の問題点をより十分に解消できるものと考えた。
【００４０】
また、噴流式めっき装置においても、他の装置同様にその小型化が求められている。現行の装置構成では、複数の噴流式めっき装置を平面配置して、必要枚数のウエハのめっき処理を平行処理できるように構成しているが、より省スペース化が図れる装置構成が望まれる。装置構成の拡大が必要となる超音波発生槽の併置構成等は、かかる観点からは採用し難い。
【００４１】
本発明は、ウエハ等のめっき処理において、めっき処理面へ付着する気泡を除去することにある。
【００４２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００４４】
すなわち、半導体ウエハのめっき処理を行うに際して、使用するめっき装置に自己共鳴管を設けることで、めっき液中のマイクロバブルが集合させられて大きな気泡となり除去されやすくなる。
【発明の効果】
【００４５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００４６】
本発明では、めっき液を振動流とすることで、めっき液中のマイクロバブルを集合させて大きな気泡とすることができ、めっき液からの脱気が容易になる。
【００４７】
めっき液を振動流とするには、めっき装置に自己共鳴管等を設置すればよく、装置構成上も特段のスペースを必要とせず、これまでの装置構成を踏襲することができ、装置経済の面でも有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００４９】
（実施の形態１）
図１は、本発明で使用する噴流式めっき装置の全体構成の一例を模式的に示す断面説明図である。図２（ａ）は噴流式めっき装置に設ける自己共鳴管の全体構成を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）はその断面構造を模式的に示す断面図である。図３は、これまでの噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す断面説明図であり。図４（ａ）〜（ｃ）は、めっき膜欠陥の形成過程を模式的に示す部分断面説明図である。
【００５０】
噴流式めっき装置１００には、図１に示すように、ウエハＷ等の被めっき処理物を保持するホルダ１０と、ホルダ１０に保持された被めっき処理物に向けてめっき液が噴流するめっき処理カップ２０とが設けられている。めっき処理カップ２０は、噴流ポンプ３０側と配管接続され、噴流ポンプ３０側はめっき貯蔵タンク４０と配管接続されている。さらに、めっき貯蔵タンク４０は、めっき液再生機構５０に接続されている。
【００５１】
めっき処理カップ２０は、上方に被めっき処理物の例えばウエハＷのめっき処理面にほぼ合わせた大きさの開口部を有するカップ状に形成され、カップ底面側に、下方に向けて噴流ポンプ３０側に通じる配管が設けられている。カップ底面側には、下方に向けて構成された配管口径に合わせためっきノズル２１が設けられている。かかるめっきノズル２１から、噴流ポンプ３０によるめっき液が開口部に向けて噴流させられるようになっている。
【００５２】
めっき処理カップ２０は、図１に示すように、めっき液再生機構５０の外方容器５１内に二重容器状態に格納されている。外方容器５１の側壁５１ａ部分は、めっき処理カップ２０の側壁２０ａより高く設定され、外方容器５１部分の上方開口部を塞ぐようにホルダ１０が載置できるようになっている。
【００５３】
ホルダ１０を載置した状態では、ホルダ１０とめっき処理カップ２０の側壁２０ａの上端側との間には隙間Ｓが形成されるようになっている。かかる隙間Ｓを通して、めっき処理に使用されためっき液が、めっき処理カップ２０外に排出されるようになっている。
【００５４】
さらに、外方容器５１の側壁５１ａ内面とめっき処理カップ２０の側壁２０ａの外面との間には、めっき処理カップ２０外に溢れ出た上記めっき液が流れるような隙間６０が形成されている。かかる隙間６０が、めっき液の流路６０ａとなっている。流路６０ａは、さらに、めっき液再生機構５０の再生めっき槽５２に通じるめっき液戻り配管６１に接続されている。めっき処理カップ２０から溢れて外に出ためっき液は、隙間Ｓ、隙間６０（流路６０ａ）、めっき液戻り配管６１を通って、再生めっき槽５２内に入ることとなる。
【００５５】
めっき液戻り配管６１の排出端６１ａ側は、再生めっき槽５２内のめっき液取り入れ口７１近くの深さで開口されている。そのため、めっき液戻り配管６１を介して再生めっき槽５２内に排出されためっき液は、周囲に余り拡散することなくめっき液取り入れ口７１内へ速やかに吸引される。めっき液取り入れ口７１から吸引されためっき液は、循環ポンプ７０により、再生めっき槽５２との間を循環させられる。循環する間に、フィルタ室８０のフィルタ８０ａを通過させられて、めっき液中の気泡、異物等が除去されるようになっている。
【００５６】
かかるフィルタ８０ａは、例えばポリプロピレン、テフロン（登録商標）等で形成され、親水処理が予め施されている。親水処理は、例えば、純水を入れた耐圧容器に浸水させ、容器内部を真空ポンプにより減圧することにより行なう。親水処理によりメッシュを完全に濡れた状態にすることで、フィルタ８０ａのメッシュ孔径より大きい気泡を濾過することができるように構成されている。かかる親水処理を施さない場合は、メッシュ孔径より大きな気泡でも、気泡の形をメッシュ孔径に準じて変形させることでフィルタ８０ａを通過する。
【００５７】
めっき液取り入れ口７１から循環ポンプ７０により取り入れられためっき液は、配管７２を通してフィルタ室８０に送られる。フィルタ室８０の手前には、図１に示すように、本発明の構成の特徴の一つである自己共鳴管９０が設けられている。めっき液は自己共鳴管９０を通過した後、フィルタ室８０内に入るようになっている。
【００５８】
フィルタ室８０では、フィルタ８０ａの周囲を取り巻くようにめっき液の流路８１が形成され、図１に示すように、フィルタ室８０に入っためっき液は流路８１からフィルタ８０ａ内へ送り込まれ、フィルタ８０ａの全体から流れ込むことができるようになっている。すなわち、自己共鳴管９０を出て、フィルタ室８０に到達しためっき液は、フィルタ８０ａの全体を通じて、フィルタ８０ａ内へ抜けるように構成されている。
【００５９】
フィルタ８０ａ内を抜けためっき液は、気泡、異物等が除去された再生めっき液として、配管７３を通って、再生めっき液排出口７４から、再生めっき槽５２内に排出されるようになっている。再生めっき液排出口７４から排出された再生めっき液は、隔壁部７５により隔てられ、前記めっき液戻り配管６１の排出端６１ａから排出されたマイクロバブルＢ等を含んだ戻りめっき液とは混ざり難いようになっている。
【００６０】
一方、フィルタ８０ａの周辺側を包み込むように形成された流路８１は、その天端側には、気泡溜まり８２が設けられている。かかる気泡溜まり８２は、自動弁８３、圧縮窒素供給口８４が設けられたエアーコンバム８５を介して、受け皿８６に配管接続されている。気泡溜まり８２から受け皿８６までのエアー抜き配管により、気泡Ｃの除去と共に、気泡Ｃと共に入り込んだ少量のめっき液を、再生めっき槽５２内に戻すことができるようになっている。
【００６１】
因に、マイクロバブルＢとは、本明細書では、液体中に孤立して存在する直径１ｍｍ未満の気体のことを言うものとする。気泡Ｃは、かかるマイクロバブルＢよりも大きな気泡である。
【００６２】
一方、かかる構成の噴流式めっき装置１００では、めっき処理カップ２０の上方に対向配置されたホルダ１０には、トップリング１１が設けられている。トップリング１１は、ウエハＷ等の被めっき処理物をめっき処理カップ２０の開口部上方の所定高さにセットするセッティング用挿通孔１２を中央に設けたリング状に形成されている。
【００６３】
かかるトップリング１１の裏面側には、ウエハＷ等の被めっき処理物を支持する支持部１３が設けられている。支持部１３は、その一部がセッティング用挿通孔１２の周縁に沿って内側に迫り出して設けられている。本実施の形態では、かかる支持部１３は、カソード１３ａの一部を平らに突出させて構成されている。
【００６４】
そこで、セッティング用挿通孔１２内に、支持部１３に当接するまで被めっき処理物を落としこむことにより、被めっき処理物のめっき処理面が、めっき処理カップ２０の上方開口部の所定高さにセットされることとなる。
【００６５】
例えば、被めっき処理物としてウエハＷを想定すれば、ウエハＷの周縁部を予めレジスト剥離しておき、その状態で、上記セッティング用挿通孔１２内にウエハＷを挿入してセットする。セットした状態では、レジスト剥離がなされたウエハ周縁部が支持部１３としてのカソード１３ａと接触することとなり、バンプ電極用として電解めっきによりこれから形成する再配線層との電気的接続が確保されるようになっている。
【００６６】
このようにしてウエハＷは、セッティング用挿通孔１２内に入れられ、その周縁部がカソード１３ａに接触した状態で、ウエハＷ上には、ウエハ押え１４が載せられる。ウエハ押え１４の裏面側周縁部には、押圧用凸部１４ａが設けられ、ウエハＷとカソード１３ａとの接続部を所定の圧力で押え付けて電気的接続が緩まないように構成されている。
【００６７】
また、めっき処理カップ２０内には、図１に示すように、アノード１５が設けられている。アノード１５は、例えば、白金をメッシュ状に形成する等して形成されている。アノード１５と、カソード１３ａとで、回路が形成されて電界めっきが行えるように構成されている。
【００６８】
かかる構成の噴流式めっき装置１００では、めっき液中のマイクロバブルＢ等の気泡は、次のようにして効果的に除くことができる。
【００６９】
すなわち、めっき処理カップ２０から噴流として被めっき処理物であるウエハＷのめっき処理面に当てられためっき液は、ホルダ１０とめっき処理カップ２０との間の隙間Ｓを通って、めっき処理カップ２０外へ溢れ出る。かかるめっき液には、噴流としてめっき処理面に当てられた際等に、空気を巻き込み、マイクロバブルＢ等の気泡が混入させられている。
【００７０】
かかるマイクロバブルＢが混入しためっき液は、外方容器５１とめっき処理カップ２０との間の隙間６０である流路６０ａを通り、めっき液再生機構５０に送られる。すなわち、流路６０ａを通ってめっき液戻り配管６１に入り、めっき液戻り配管６１の排出端６１ａから再生めっき槽５２内に排出される。排出されためっき液は、めっき液取り入れ口７１から循環ポンプ７０で速やかに吸引され、配管７２を通してフィルタ室８０側に送られる。配管７２には、フィルタ室８０に入る手前に自己共鳴管９０が設けられており、かかる自己共鳴管９０内を通過してフィルタ室８０に入る。
【００７１】
自己共鳴管９０は、図２（ａ）に示すように、配管７２と同口径に形成され、配管７２の途中に介在させられるようにその両端側に取り付けねじ９１が設けられている。配管７２と同じ口径に形成されている自己共鳴管９０の管内には、図１に示すように、流路方向に沿って２個のオリフィス９２、９３が所定間隔離されて設けられている。
【００７２】
かかる２個のオリフィス９２、９３には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、配管７２の口径より小さい円形開口部９２ａ、９３ａが設けられている。このようにして配管７２と同じ口径の管内は、２個のオリフィス９２、９３により仕切られ、共鳴室９４に構成されている。
【００７３】
かかる共鳴室９４は、オリフィス９２、９３に設けた円形開口部９２ａ、９３ａの口径Ｘと、共鳴室９４の長さＬとの比が、例えばＸ：Ｌ＝１：２の割合に設定されている。さらに、Ｘは、配管７２の口径より小さく構成され、配管７２の口径をＹとしたとき、Ｘ：Ｙ＝１：２ならば、めっき液に脈動を付与することができることが実験で確認されている。
【００７４】
このように構成されたオリフィス９２、９３を通過することで、配管７２を流れてきためっき液は、所定の周波数で脈動を繰り返す振動流となる。配管７２の口径を流れてきためっき液はオリフィス９２の円形開口部９２ａを通過することで一旦絞られ、共鳴室９４に入って元に戻され、さらにオリフィス９３の円形開口部９３ａでまた絞られ、オリフィス９３を通過してまた元に戻される。
【００７５】
このようにして、オリフィス９２、９３の円形開口部９２ａ、９３ａを通過する際に、めっき液は絞られるため、所定の周波数の脈動を伴うめっき流となる。脈動の周波数は、共鳴室Ｌの長さと、円形開口部の開口口径Ｘとで決まる値である。Ｘ、Ｌの値は、Ｘ＝１０ｍｍ、Ｌ＝５〜２０ｍｍである。より好ましくはＸ＝１０ｍｍ、Ｌ＝１５ｍｍである。
【００７６】
めっき液は、オリフィス９２を通過させられることで、上記の如く絞られて渦が発生する。かかる渦は、共鳴室９４で増幅され、オリフィス９３から共鳴噴流として放出される。かかる共鳴噴流は、めっき流速、共鳴室容量に応じた数〜十数ｋＨｚの周波数を持つ振動流であり、めっき液を激しく振動させる。
【００７７】
かかる振動が、めっき液中のマイクロバブルＢに伝わり、めっき液中のマイクロバブルＢ同士の結合を促し大きな気泡Ｃにさせるのである。このように、オリフィス９２、９３を通過しためっき液は、振動が付与されると共に、強いキャビテーション効果をも発揮し、めっき液中に混ざっていたマイクロバブルＢを破裂させる等して互いに結合させてより大きな気泡Ｃに形成する作用を示す。
【００７８】
すなわち、図１に示すように、めっき液中のマイクロバブルＢを、めっき液に脈動を与えることで、複数のマイクロバブルＢが一つになって自然脱気しやすい大きな気泡Ｃに変換するのである。
【００７９】
ここで自己共鳴管９０による自己共鳴振動については、めっき液中に含まれるマイクロバブルＢの結合を促す程度の振動であり、またキャビテーション発生もめっき液中の気泡を破裂させる程度のキャビテーションの発生を行う程度のものであり、従来の自己共鳴管を用いた激しいキャビテーション発生により気泡破裂のエネルギーを用いてバリや異物の除去を行うようなキャビテーション発生を行うものではない。つまりキャビテーション発生はめっき液中の気泡を除去する程度のキャビテーションの発生になるように自己共鳴管９０を設計する点において、従来のキャビテーション発生の自己共鳴管設計とは全く異なる設計思想であり、また自己共鳴管９０の用途も従来の気泡破裂によるエネルギーを用いる用途とは全くことなる用途である。
【００８０】
このようにして発生した大きな気泡Ｃは、めっき液と共にフィルタ室８０のハウジング内に送られる。親水処理済みで完全に濡れた状態のフィルタ８０ａは、フィルタ８０ａのメッシュ孔径より大きい気体は通さないので、めっき液のみがフィルタ８０ａを通過するのである。
【００８１】
すなわち、前記したように、自己共鳴管９０を通過しためっき液は、自己共鳴管９０を通過する前のマイクロバブルＢが大きな気泡Ｃになった状態で、フィルタ室８０に至るのである。フィルタ室８０では、これまでと同様に流路８１からフィルタ８０ａ内に入って、配管７３を通って、再生めっき液排出口７４からマイクロバブルＢの混入が無いめっき液が再生めっき槽５２内へ戻されることとなる。
【００８２】
一方、めっき液が流路８１からフィルタ８０ａ内に移る間に、めっき液内の大きな気泡Ｃは、気泡溜まり８２内に上る。気泡溜まり８２内にたまった大きな気泡Ｃは、ある程度たまった時点で、自動弁８３が開けられ、エアーコンバム８５から窒素とともに流され、受け皿８６に至る。めっき液の酸化劣化が問題となるような場合には、このように圧縮窒素を用いてめっき液を流すことでその劣化が防止できる。
【００８３】
受け皿８６では上方が大気に開口されており、大きな気泡Ｃと共に僅かながら付随してきためっき液から気泡Ｃが自然脱気される。このようにして受け皿８６で気泡Ｃが自然脱気され、自然脱気されためっき液は、受け皿８６から溢れて側壁を越えて再生めっき槽５２内に戻るのである。
【００８４】
上記の如く、再生めっき液排出口７４、あるいは受け皿８６から再生めっき槽５２内へ戻された再生めっき液は、めっき液戻り配管６１内を通って再生めっき槽５２の低部に排出されるマイクロバブルＢを混在した戻りのめっき液とは、隔壁部７５、排出端６１ａの開口深度設定等により、両者は簡単に混ざり難いように構成されている。
【００８５】
このようにして再生めっき槽５２内に溜められた気泡を含まないめっき液は、めっき貯蔵タンク４０との仕切り壁４１を乗り越えて、めっき貯蔵タンク４０内へ流れ込む。めっき貯蔵タンク４０内の気泡を含まないめっき液は、噴流ポンプ３０により噴流としてめっきノズル２１を通してめっき処理カップ２０内に送られる。被めっき処理物である例えばウエハＷ等のめっき処理面に当てられ、電界めっきに利用されることとなる。
【００８６】
このように本実施の形態では、噴流式めっき装置１００に、自己共鳴管９０を設けることで、めっき液自体に脈動を与え、かかる脈動によりそれまでめっき液中に混入していた小さなマイクロバブルＢを集合させて大きな気泡Ｃにすることができる。かかる気泡Ｃは、マイクロバブルＢとは異なり、大きいため、その分浮力も大きくなり自然にめっき液から上方に上り脱気されやすくなる。
【００８７】
本実施の形態では、このように、めっき液の流れを自己共鳴管９０を通過させることで、めっき液に脈動を与え、小さいためなかなか消泡させづらいマイクロバブルＢを、脱気されやすい大きな気泡Ｃに変えて、めっき液からマイクロバブルＢ等の気泡そのものを除去するものである。
【００８８】
めっき液循環用のフィルタ室８０の入り口手前に自己共鳴管９０を設けることで、めっき液に脈動、すなわち振動を与え、めっき液中のマイクロバブルＢ等の溶存気体をガスとして脱気させたり、複数のマイクロバブル同士を結合させて大きな泡とすることができる。かかる泡を、フィルタ室８０のハウジング内で、親水処理済で完全に濡れた状態のフィルタ８０ａではそのメッシュ孔径より大きい気泡は通過させない性質を利用して、めっき液から分離する。分離した気泡Ｃを、フィルタ室８０に接続したエアー抜きラインで真空引きすることにより、めっき液の脱気を行うのである。
【００８９】
めっき液の脈動の周波数は、めっき液の粘度との関係もあるが、一般的には、４〜６ｋＨｚ程度が好ましい。かかる周波数であれば、現時点のめっき液として使用する粘度範囲では、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃに変換させて、自然脱気を推進することができる。
【００９０】
自己共鳴管９０は、本実施の形態では、フィルタ室８０に入る直前の配管７２部分に設けた。自己共鳴管９０により発生しためっき液の脈動で、マイクロバブルＢが集合して大きな気泡Ｃになるため、かかる気泡Ｃの除去機構の直前に、自己共鳴管９０を設ける方が好ましい。発生した気泡の再度の溶け込み等を極力防止して、より速やかに発生した気泡Ｃを除去するため、気泡除去機構の直前に設ける構成を採用したのである。
【００９１】
発生する気泡には、マイクロバブルＢに比べて十分に大きな気泡もあれば、マイクロバブルＢよりは大きいがそれ程までに大きくはない気泡等、種々の大きさの気泡が生ずると考えられる。そこで、マイクロバブルＢよりは大きいが十分とは言えない程度の大きさの気泡は、気泡除去機構までの距離が長いと、再度めっき液に溶け込む可能性も否定し得ない。そこで、かかる溶け込みを防止する意味で、気泡除去機構の直前配置の構成が好ましいと考えたものである。
【００９２】
従って、かかる溶け込みが実質的に防止できる範囲であれば、直前でなくとも、気泡除去機構より離して設けることは構わない。
【００９３】
めっき液中に溶解したガスは、高い濃度で長時間存在しやすい。めっき液中に存在する数μｍ以下のマイクロバブルＢは、マイクロバブルＢ同士結合して大きな気泡Ｃとなることで、めっき液の液面に浮かび上がり、大気中に放出される。しかし、そのプロセスを自然に起こさせるには、大きなめっき液用の貯蔵タンクに長時間めっき液を静置させる必要があり、実際的な脱気方法とは言えない。
【００９４】
また、溶存気体が脱気されためっき液では、噴流ポンプ３０のインペラー等による攪拌で発泡しにくくなる。さらには、発生した気泡も、再びめっき液中に溶け込み、気泡としてはめっき液中に長時間存在できなくなり、ウエハのめっき処理面等に気泡が付着する虞がなくなり、めっき膜の成長不良等を未然に防止することができる。
【００９５】
このようにしてめっき液の再生循環を繰り返すことで、よりめっき液中にマイクロバブルＢは発生しにくくなり、めっき液中のマイクロバブルＢは次第に減少することともなる。所謂、循環効果とも言うべき効果が得られるのである。
【００９６】
しかし、これまでの噴流式めっき装置１００ａでは、図３に示すように、自己共鳴管９０が設けられていない。これまでの噴流式めっき装置１００ａの構成は、噴流式めっき装置１００の構成とほぼ同様であるが、配管７２とフィルタ室８０との間には、自己共鳴管９０が設けられてない点で異なっている。
【００９７】
これまでは、自己共鳴管９０によりめっき液中のマイクロバブルＢを大きな気泡Ｃとして脱気するとの考えがないため、エアー抜き配管には、気泡溜まり８２と、エアーコンバム８５等の構成が当初から設けられてない。さらには、配管７３の再生めっき液排出口７４では、めっき液戻り配管６１から再生めっき槽５２内へもどされためっき液と、めっき液再生機構５０で再生されためっき液とを混ざらないようにするとの考えもない。そのため、隔壁部７５が設けられていないのである。その他の構成は、基本的には、本発明に関わる噴流式めっき装置１００と同様である。
【００９８】
かかる構成のこれまでの噴流式めっき装置１００ａでは、めっき液戻り配管６１の排出端６１ａから再生めっき槽５２に戻されたマイクロバブルＢが混入されためっき液は、循環ポンプ７０によりめっき液取り入れ口７１から吸引される。吸引されためっき液は、配管７２を通ってフィルタ室８０に送られる。
【００９９】
フィルタ室８０のハウジング内では、一部マイクロバブルＢより大きな気泡はエアー抜き配管を通ってエアー抜きされるが、しかし、マイクロバブルＢは、フィルタ８０ａのメッシュ孔径１．５μｍ程度より小さいため、めっき液と共にフィルタ８０ａを通過してしまう。フィルタ８０ａでは、めっき液中の異物のみが除去されるのである。
【０１００】
その結果、異物除去の観点から再生されためっき液には、マイクロバブルＢが依然として混入されたままである。かかるマイクロバブルＢが混入された状態で、再生めっき液は、めっき貯蔵タンク４０内に入り、噴流ポンプ３０によりめっき処理カップ２０からウエハＷ等の被めっき処理物の表面に噴流として当てられることとなる。
【０１０１】
その結果、例えば、図４（ａ）に示すように、ウエハＷのめっき処理面に形成されたレジスト１１０による凹部１２０に、マイクロバブルＢが入り込むこととなる。一旦入り込んだマイクロバブルＢは、簡単には除かれず、図４（ｂ）に示すように、そのまま電界めっきが行われめっき膜１３０が形成されることとなる。かかる場合に、図４（ｃ）に示すように、めっき膜が一部欠損する等のめっき膜欠陥１４０が発生することとなる。
【０１０２】
しかし、本発明の如く、自己共鳴管９０をフィルタ室８０の配管７２の手前に設ける簡単な構成で、めっき液からマイクロバブルＢを除くことができ、電界めっき時におけるめっき膜欠陥の発生を未然に防止することができるのである。
【０１０３】
かかる構成の噴流式めっき装置１００を用いて、半導体装置を製造する方法について、以下説明する。以下の説明においては、ＬＣＤドライバを半導体装置の一例として取り上げるが、しかし、本発明に係る噴流式めっき装置の適用は、かかるＬＣＤドライバに限定するものではなく、ＬＣＤドライバ以外の構成を有する半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
【０１０４】
先ず、ウエハプロセスにおいて、表面が鏡面研磨されたウエハＷの主面上に、液晶表示装置の駆動に必要な素子、およびＬＣＤ（ Liquid Crystal Display）のセルアレイの各画素に電圧供給を行い液晶分子の向きを制御するドライバ回路を設けて、多数の半導体チップ２００を作り込む。ウエハ状態でのかかる様子を、図５（ａ）に示した。
【０１０５】
図５（ａ）に模式的に示す構成では、個々の半導体チップ２００は、ドライバ回路として、ゲート駆動回路、ソース駆動回路、液晶駆動回路、グラフッイクＲＡＭ（Random Access Memory）、周辺回路が作り込まれている。さらに、個々の半導体チップ２００の周縁域には、複数のパッド２１０が設けられている。
【０１０６】
このように形成された半導体チップ２００のパッド２１０上に、めっき工程により、ＦＣ（フリップ・チップ）用のバンプ電極２２０が、図５（ｂ）に模式的に示すように形成される。
【０１０７】
かかるバンプ電極２２０は、図５（ａ）で示すように所定のパッド２１０が形成された段階で、ウエハＷごと一括して前記説明の噴流式めっき装置１００を用いて電解めっきにより形成される。かかる電解めっきは、図６に示すフローに従って行われる。尚、図６では、説明のため、めっき工程の前後のステップをも示している。
【０１０８】
図６のめっき工程に入る前には、ウエハＷ上には、前述の通り、ウエハ状態で必要な素子、ドライバ回路、パッド２１０がそれぞれ形成され、その上にパッシベーション膜が設けられる。かかるパッシベーション膜にフォトレジスト膜を塗布し、露光、現像によりパッシベーション膜上にパッド２１０上に通じる開口部を形成する。
【０１０９】
この開口されたパッド２１０上に、図６のフローに示すように、ＵＢＭ膜（Under Bump Metal、金属下地膜）をステップＳ１０でスパッタにより形成する。
【０１１０】
その後、パッド２１０上に対応した部分に電解めっきによりバンプ電極２２０を形成するためのめっき用マスクを形成する。めっき用マスクは、図６のフローに示すように、ステップＳ２０、Ｓ３０においてＵＢＭ膜上にフォトレジスト用の感光性樹脂を塗布し、所定温度でベーク後、所望のマスクパターンを用いて露光させて樹脂感光を行えばよい。
【０１１１】
ステップＳ４０で感光後の現像を行い、さらに、ステップＳ５０で処理面のレジスト膜の残りを除去するためにプラズマ等のドライエッチングを利用してアッシングを行う。
【０１１２】
このようにしてめっき処理面の不要なレジスト残りを十分に除去した状態で、めっき工程Ｓ１００に移行する。めっき工程Ｓ１００における一連のステップは、図６のフローでは、四角の大枠で囲んで示した。
【０１１３】
めっき工程Ｓ１００では、図６のフローに示すように、めっき付着が良好となるように、めっき前水洗ステップＳ１１０により、ウエハ表面を純水で濡らし、めっき処理面の濡れ性を確保する。例えば、５リットル／分の流量の水で洗浄を行う。
【０１１４】
このようにして水で濡れたままのウエハＷは、ロボットにより前記説明の噴流式めっき装置１００まで搬送される。搬送されたウエハＷは、その裏面が吸着保持された状態で、噴流式めっき装置１００のセッテイング用挿通孔１２内に挿入される。支持部１３にウエハＷが支持された状態で吸着が解除され、ウエハ裏面側には上からウエハ押え１４が被せられる。
【０１１５】
ウエハ押え１４の内側、すなわち、ウエハＷの裏面に相対する側には、押圧用凸部１４ａが設けられ、ウエハＷを支持部１３に圧接させる。圧接させられた状態では、ウエハＷの周縁域のレジストが剥離されて露出しているＵＢＭが、支持部１３を兼ねているカソード１３ａと電気的に接続されることとなる。
【０１１６】
この状態で、ステップＳ１２０のめっき前フラッシングステップで、ウエハＷのめっき処理カップ２０に対向して下方を向けためっき処理面に、めっき液を噴流させる。かかるステップは、あくまで、めっき処理面の気泡を除去することを目的として行うもので、例えば、電解めっき時のめっき流量より多い流量のめっき液を噴き付ける。例えば、２０リットル／分の流量のめっき液を、２分程度噴き付ける。
【０１１７】
しかし、かかるめっき前フラッシングステップＳ１２０は、前記説明の噴流式めっき装置１００では、自己共鳴管９０を設けることで噴流めっき液中のマイクロバブルＢの混入を十分に抑制することができるので、めっき前フラッシングステップの省略、あるいは、めっき前フラッシング時間の短縮を行うこともできる。
【０１１８】
上記めっき前フラッシング時間は、自己共鳴管９０による気泡処理を行わない場合は約１０分程度必要とされていたが、自己共鳴管９０を設けることで上記の如く例えば１／５の２分に時間短縮が可能となった。
【０１１９】
また、図６に示すフローでは、めっき前フラッシング処理を残した工程を示しているが、上記の如く、めっき前フラッシング処理を省く構成も可能となる。めっき前フラッシング処理を行う場合には、フラッシング用のめっき液を気泡除去の目的で勢い良く噴き付けることができるようにウエハＷのめっき処理面とめっき処理カップ２０側との間隔をある程度確保するように構成していた。
【０１２０】
しかし、かかるめっき前フラッシング処理を省く構成では、めっき処理カップ２０とウエハＷのめっき処理面との間を、これまでよりも短く設定することが可能となる。
【０１２１】
ステップＳ１２０の終了後は、ステップＳ１３０により電解めっきによる金めっきを施すこととなる。ウエハＷの金めっきは、ウエハ周縁部のレジスト剥離により露出したＵＢＭ膜を支持部１３を兼ねるカソード１３ａに電気的に接続させた状態で、電解めっきにより行われる。図示はしないが、カソード１３ａと、アノード１５は電源を介して接続され、めっき液を介して通電したＵＢＭ上に金めっきを形成することとなる。
【０１２２】
めっき流量は、例えば、１０リットル／分程度で、液温は約６０℃に設定しておけばよい。因みに、金めっき液の組成としては、例えば、亜硫酸金ナトリウム（Ｎａ３Ａｕ（ＳＯ３）２）溶液を用いればよい。
【０１２３】
このようにしてマイクロバブルＢの混入しないめっき液で、気泡付着を十分に抑制した状態でめっき処理を行った後は、図６のフローに示すように、ステップＳ１４０のめっき後水洗ステップで、ウエハＷに付着しためっき液を純水で洗浄する。水洗後は、ステップＳ１５０に従って、例えばウエハＷを高速回転させるスピン乾燥法等を用いてウエハＷの乾燥を行う。
【０１２４】
その後は、レジスト除去ステップＳ６０で、めっき用マスクとして使用していたフォトレジストをアッシング等で処理し、さらに、ステップＳ７０で不要箇所のＵＢＭ膜もエッチング処理で除去すればよい。このようにして所要のバンプ電極２２０が形成された半導体チップ２００が、図５（ｂ）に示すように、ウエハＷ上に形成されることとなる。
【０１２５】
ウエハＷ上に多数個取りに構成された半導体チップ２００は、その後、ダイシングにより個片化され、液晶表示機構の互いに交差する方向に設けられるゲート線群と、ドレイン線群との電圧切替え制御を行う細長矩形形状に形成されたＬＣＤドライバ２００ａとなる。
【０１２６】
ＬＣＤドライバ２００ａには、図７に示すように、液晶表示画面の画素数に対応したゲート線群、ドレイン線群を構成する多数の線数に対応したバンプ電極２２０が、ＬＣＤドライバ２００ａの矩形面の長辺側、短辺側の周縁に沿って多数設けられている。
【０１２７】
このようにして形成されたＬＣＤドライバ２００ａは、バンプ電極２２０を用いて、実装基板側の電極に、フリップチップボンダにより面実装することができる。上方に向けた実装側基板の電極上に、ＬＣＤドライバ２００ａ側のバンプ電極２２０を下方に向けて相対させ、その状態で、両者の間に異方性導電膜を介在させて、所定圧力でＬＣＤドライバ２００ａを圧着させればよい。
【０１２８】
圧着に際しては、異方性導電膜中の導電性粒子が両電極の間で、潰される程度に圧力を掛けて行えばよい。液晶基板では、例えば、実装側基板として、ガラス基板等を想定すればよい。
【０１２９】
ＬＣＤには、種々の形式のものが開発されているが、代表的なＴＦＴ（ Thin Film Transistor ）液晶ディスプレイでは、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、内側に配向膜(図示省略)を設けた２枚のガラス基板３１０ａ、３１０ｂを、配向膜同士を相対させた状態で、その間にＳＴＮ液晶３２０を挟んで液晶パネル３００が構成されている。
【０１３０】
液晶パネル３００の一方のガラス基板３１０ｂには、ガラス基板３１０ｂの板面方向に沿って互いに交差するＸ電極線、Ｙ電極線がそれぞれ複数本設けられ、一方のＸ電極線がゲート線（データ信号線とも云う）に、他方のＹ電極線がドレイン線（アドレス線とも云う）に形成され、他方のガラス基板３１０ａが共通電極に形成されている。
【０１３１】
両複数本のＸ電極線、Ｙ電極線の各々の交差位置に対応してアドレスが指定された画素が設定され、個々の画素に対応してＴＦＴアクティブ素子が設けられている。モノクロディスプレイでは、画素数は、Ｘ電極線の本数とＹ電極線の本数を掛け合わせた数となる。カラーディスプレイでは、各々の画素が、赤、青、黄色の三原色表示用のサブ画素にさらに分かれ、併せてＸ電極線の数も３倍となるため、画素数はモノクロディスプレイの場合の３倍となる。
【０１３２】
このようにＸ電極線群と、Ｙ電極線群との交差域で画素を決めるマトリックス表示方式では、Ｙ電極線により特定されたアドレスにＸ電極線から送られた映像データを、ＴＦＴアクティブ素子を介して取り込み、各々の画素に映像データの書込を行う。ＴＦＴアクティブ素子で取り込まれた映像データは、各々の画素に設けた蓄積キャパシタに充放電電荷として蓄えられ、この電荷により映像表示を行う。
【０１３３】
かかる構成の液晶パネル３００では、図８（ａ）に示すように、ガラス基板３１０ｂがガラス基板３１０ａより大きく形成されており、ガラス基板３１０ａの二方の周縁に沿って、マトリックス表示に必要な上記Ｘ電極線群、Ｙ電極線群の線数に合わせて、Ｘ電極線用、すなわちゲート線用にＬＣＤドライバ２００ａが、Ｙ電極線、すなわちドレイン線用にＬＣＤドライバ２００ｂが、それぞれ必要な数ＣＯＧ実装形式で設けられている。
【０１３４】
図８（ｂ）に示すように、ガラス基板３１０ａ、３１０ｂの間にシール部３３０により封止されたＳＴＮ液晶３２０が封入されている。かかる液晶ディスプレイ側からは、入力側基板配線３４０が延ばされて外部端子が形成され、かかる外部端子とＬＣＤドライバ２００ａのバンプ電極２２０の一方がフリップチップ方式で、異方性導電膜２４０を介在させて実装されている。
【０１３５】
ＬＣＤドライバ２００ａの他方のバンプ電極２２０は、図８（ｂ）に示すように、出力側基板配線３５０に、異方性導電膜２４０を介してフリップチップ方式で実装され、出力側基板配線３５０が異方性導電膜２４０を介在させてプリント基板などの外部回路３６０に接続されている。かかる構成は、ＬＣＤドライバ２００ｂにおいても同様である。
【０１３６】
外部回路３６０から映像データが出力側基板配線３５０を通してＬＣＤドライバ２００ａ、入力側基板配線３４０を通して所定アドレスにＸ電極線を通して送られることとなる。同様に、ＬＣＤドライバ２００ｂによりＹ電極線による画素の書込などのアドレス指定がなされる。このようにして、ＬＣＤドライバ２００ａ、２００ｂにより、Ｘ電極線を介しての所要アドレスの画素における電圧制御が行われる。
【０１３７】
図９には、フィルムなどフレキシブル素材上に液晶パネルに必要な周辺回路を設けて、かかるフィルム上に前記構成の電極表面の平坦度を向上させたバンプ電極２２０を有するＬＣＤドライバ２００ａを実装した構成を示す。
【０１３８】
フィルム３７０上には、周辺回路がプリントされ、これに通じる配線電極３８０、３９０が、それぞれ異方性導電膜２４０を介在させて、ガラス基板３１０ｂ上の透明な入力側基板配線３４０、ＬＣＤドライバ２００ａのバンプ電極２２０に接続されている。このようにＬＣＤにおける分野のＣＯＦ実装方式でも本発明は有効に適用することができる。
【０１３９】
かかるＣＯＦ実装においても、前述の如く、バンプ電極２２０の平坦化により導電性粒子との接触面積の増加により、ＬＣＤモジュールの信頼性が向上する。
【０１４０】
例えば、上記説明では、ＬＣＤドライバを例に挙げて説明したが、本発明は、ＬＣＤドライバ以外でも、異方性導電膜を介在させてフェイスダウン実装によりバンプ電極を実装基板側電極等の相手側電極と電気的に接続させる構成の半導体装置に適用しても構わない。
【０１４１】
尚、上記説明のＬＣＤドライバ２００ａでは、例えば、図７に示すように、バンプ電極２２０を周辺配置にした構成を示したが、例えば、図５（ａ）に示す構成のパッド２１０の配置から、図示はしないが、樹脂封止をウエハ状態で行い、さらに再配線を行って、バンプ電極を周辺域に過密に設けるのではなく、中央側にも設けるようにして、ＷＰＰ（ウエハ・プロセス・パッケージ）に基づく構成にしても構わない。
【０１４２】
また、上記の如く、本発明に関わる半導体装置の製造方法では、半導体装置として半導体チップ２００をＬＣＤドライバ２００ａ等に構成した場合を例に挙げて説明したが、本発明に関わる半導体装置の製造方法により、噴流めっきを用いて再配線層をめっきで形成する場合にも適用できることは言うまでもない。
【０１４３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、自己共鳴管９０を、噴流式めっき装置１００ｂのめっき液の噴流側に設けた場合について示す。図１０に示すように、噴流式めっき装置１００ｂでは、自己共鳴管９０が、図１に示す構成のめっき処理カップ２０のめっきノズル２１に代えて設けられている。かかる構成では、自己共鳴管９０の取り付けねじ９１は片方のみに設けられ、オリフィス９２、９３、円形開口部９２ａ、９３ａ、共鳴室９４は、前記実施の形態１と同様に形成されている。
【０１４４】
このように、めっき処理カップ２０内に自己共鳴管９０を設けることで、噴流ポンプ３０により攪拌されたマイクロバブルＢが混入させられためっき液は、被めっき物のウエハＷに当てられる直前で、大きな気泡Ｃに変換させられる。
【０１４５】
かかる大きな気泡Ｃは、ウエハＷのめっき処理面の細かな凹部にはマイクロバブルＢとは異なり、入り込み難く、めっき処理カップ２０から排出されるめっき液と共に排出されることとなる。
【０１４６】
また、自己共鳴管９０を出ためっき液は、前記の如く脈動を伴う振動流となっているため、大きな気泡Ｃがめっき処理面の凹部にかかっても、その脈動で気泡Ｃを凹部から追い出すこともできる。
【０１４７】
さらには、自己共鳴管９０を出ためっき液は、周期的な振動を伴った脈動であるため、かかる振動が大きなキャビテーション効果を示すこととなる。そのため、マイクロバブルＢが凹部に引っかかっていても、大きな気泡Ｃが破裂してマイクロバブルＢ等の小さな気泡をも消滅させることができる。
【０１４８】
図１０では、自己共鳴管９０により、噴流ポンプ３０により発生したマイクロバブルＢが大きな気泡Ｃとなって、めっき処理面に付着することなく、めっき処理カップ２０外に出ていく様子を示している。
【０１４９】
めっき処理カップ２０から排出されためっき液は、図１０に示すように、めっき処理カップ２０と外方容器５１との間に設けられた隙間６０である流路６０ａからめっき液戻り配管６１内に入り、めっき貯蔵タンク４０内に戻される。めっき貯蔵タンク４０内に戻されためっき液には、めっき液中に大きな気泡Ｃが混在しているが、めっき貯蔵タンク４０内に戻された段階で、浮力でめっき液の液面に出て自然の脱気が行われることとなる。
【０１５０】
従って、本実施の形態の構成では、図１０に示すように、図１に示す場合とは異なり、めっき液再生機構５０の構成は不要となる。勿論、マイクロバブルＢの存在を確実に無くす意味では、めっき液再生機構５０を併置した構成であっても構わない。併置した構成では、図１に示すように、めっき液戻り配管６１を、再生めっき槽５２に戻し、循環ポンプ７０によりめっき液をフィルタ室８０のフィルタ８０ａを通して循環させることで、めっき液の再生を行うようにしても構わない。
【０１５１】
尚、本実施の形態では、めっきノズル２１に代えて、自己共鳴管９０を設ける構成であるが、噴流となってウエハＷのめっき処理面にあたるめっき液は、前記の如く強いキャビテーション効果を有している。そのために、めっき液があたるめっき処理面、あるいはめっき処理面のレジスト等が、キャビテーション効果のために痛む虞もある。
【０１５２】
かかる場合には、めっき処理開始前のフラッシング中の短時間のみめっき流速を上昇させて気泡、異物等を除去して、めっき中に流速を落としてキャビテーション効果を低減するようにすればよい。
【０１５３】
（実施の形態３）
本発明は、前記実施の形態でも重ねて強調したように、自己共鳴管９０を設けることで、めっき液を所定の周波数で振動させてめっき液中のマイクロバブルＢを結合させ、大きな気泡Ｃに変換して、自然脱気を促す方法であった。
【０１５４】
そこで、本発明者は、めっき液にマイクロバブルＢを結合させて大きな気泡とすることができるような振動を与えさえすれば、自己共鳴管９０の構成でなくても、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃとして脱気させることができる筈と考えた。
【０１５５】
例えば、図１１に示すように、超音波振動子４００を噴流式めっき装置１００ｃのめっき液中に置いて、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃに変換することを着想した。例えば、発振器４００ａに接続させた超音波振動子４００を、再生めっき槽５２の低部側に置いた。めっき液戻り配管６１の付近、例えば、めっき液戻り配管６１の排出端６１ａと、めっき液取り入れ口７１との間の再生めっき槽５２の底面側に配置した。
【０１５６】
かかる構成では、被めっき処理物の例えばウエハＷのめっき処理面に、噴流めっきとして当てられ、その際に空気を巻き込んでマイクロバブルＢが混入しためっき液を、めっき処理カップ２０から、隙間Ｓ、隙間６０である流路６０ａ、めっき液戻り配管６１を通して、再生めっき槽５２内に戻す。
【０１５７】
再生めっき槽５２内に戻っためっき液は、再生めっき槽５２の低部に配置した超音波振動子４００からの例えば１５〜５０ｋＨｚ程度の振動により、マイクロバブルＢ同士が結合促進されて大きな気泡Ｃが形成される。かかる大きな気泡Ｃが混在しためっき液はめっき液再生機構５０のめっき液取り入れ口７１から、循環ポンプ７０によりフィルタ室８０に送られる。
【０１５８】
フィルタ室８０に送られためっき液は、大きな気泡Ｃを除いてフィルタ８０ａに濾過され、再生めっき液排出口７４から再生めっき槽５２内に戻される。一方、大きな気泡Ｃは、エアー抜き配管を構成する自動弁８３を経て受け皿８６で大気に自然開放される。
【０１５９】
このようにしてマイクロバブルＢが除かれためっき液は、再生めっき槽５２からめっき貯蔵タンク４０内に入り、その後噴流ポンプ３０によりめっき処理カップ２０に向けて噴流されて循環する。
【０１６０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、前記実施の形態３におけると同様に、めっき液にマイクロバブルＢを結合させて大きな気泡Ｃとすることができるような振動を与えることで、自己共鳴管９０の構成でなくても、マイクロバブルＢを大きな気泡Ｃとして脱気させることができる筈との考えに基づいてなされたものである。
【０１６１】
本実施の形態では、噴流式めっき装置１００ｄでは、前記実施の形態３とは異なり、図１２に示すように、めっき液の噴流側に発振器４１０ａに接続された超音波振動子４１０を設けた。超音波振動子４１０は、めっきノズル２１のめっき液突出口の中央に設けられ、めっき液は、超音波振動子４１０とめっきノズル２１とのリング状の隙間から噴流となって突出するように構成されている。
【０１６２】
かかる構成では、噴流としてめっきノズル２１から突出するめっき液は、突出口を出る際に超音波振動子４１０により、所定の振動を付与された振動流となる。かかるめっき液の振動により、めっき液中に混在していたマイクロバブルＢは互いに結合されて大きな気泡Ｃとなる。
【０１６３】
大きな気泡Ｃは、ウエハＷのめっき処理面の細かな凹部にはマイクロバブルＢとは異なり、入り込み難く、めっき処理カップ２０から排出されるめっき液と共に排出されることとなる。
【０１６４】
また、大きな気泡Ｃを含むめっき液は、めっき処理前のめっき液の吹きつけにおいて、マイクロバブルＢに比べてめっき処理面の凹部から出やすく、前処理段階でめっき処理面から追い出すことが可能となる。
【０１６５】
さらには、めっき液には超音波振動子４１０によりキャビテーション効果が付与されており、マイクロバブルＢが凹部に引っかかっていても、大きな気泡Ｃが破裂してマイクロバブルＢ等の小さな気泡をも消滅させることができる。
【０１６６】
図１２では、超音波振動子４１０により、噴流ポンプ３０により発生したマイクロバブルＢが大きな気泡Ｃとなって、めっき処理面に付着することなく、めっき処理カップ２０外に出ていく様子を示している。
【０１６７】
めっき処理カップ２０から排出されためっき液は、図１２に示すように、めっき処理カップ２０と外方容器５１との間に設けられた隙間６０である流路６０ａからめっき戻り配管６１内に入り、めっき貯蔵タンク４０内に戻される。めっき貯蔵タンク４０内に戻されためっき液には、めっき液中に大きな気泡Ｃが混在しているが、めっき貯蔵タンク４０内に戻された段階で、浮力でめっき液の液面に出て自然の脱気が行われることとなる。
【０１６８】
従って、本実施の形態の構成では、図１に示す場合とは異なり、敢えてめっき液再生機構５０の構成を設けない構成とすることができる。勿論、マイクロバブルＢの存在を確実に無くす意味では、めっき液再生機構５０を併置した構成も考えられる。
【０１６９】
（実施の形態５）
前記実施の形態の噴流式ポンプ１００、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄでは、全て被めっき処理物であるウエハＷ等のめっき処理面を、下方に向けてセットするフェイスダウンの方式であった。しかし、本発明は、必ずしもフェイスダウンの場合にのみ有効なのではなく、フェイスアップの方式でも当然に使用することができることは言うまでもない。
【０１７０】
本実施の形態で述べる噴流式めっき装置１００ｅは、フェイスアップに対応するものである。かかる構成では、図１３に示すように、めっき液再生機構５０については前記の図１に示す構成と同様であるが、めっき液を噴流させてめっきを行う箇所が、図１に示すフェイスダウンの構成とは異なっている。
【０１７１】
すなわち、めっき処理を行うめっきヘッド６００の構成が、フェイスアップ対応の構成となっている。図１３に示す構成では、めっき噴流は、めっきヘッド６００を構成するめっき処理カップ６１０の上方から入り、めっき処理カップ６１０の底面側の側方から排出されるようになっている。
【０１７２】
めっき処理カップ６１０は、下方に開口されており、めっき処理カップ６１０内にアノード１５としての白金メッシュが設けられている。かかるアノード１５に対向して、被めっき処理物であるウエハＷ等をセットする支持部材６２０が設けられている。対向支持する支持部材６２０は、ウエハＷを保持した状態で、上下動できるように構成されている。
【０１７３】
かかる支持部材６２０は、めっきヘッド下方部材６３０から下方に移動して、その状態でウエハＷがセットされる。ウエハＷのセットに際しては、めっき時にウエハＷの裏面側にめっき液が回り込まないように構成されている。
【０１７４】
このようにウエハＷをセットした状態で、支持部材６２０は上方に移動して、めっきヘッド下方部材６３０と密着接続する。図１３は、支持部材６２０が、めっきヘッド下方部材６３０に密着している様子を示している。
【０１７５】
かかるめっきヘッド下方部材６３０と、支持部材６２０との密着は、間にゴム、あるいは樹脂等でできたＯリング等を介して、めっき液がもれないように確実にシールすることができるように構成されている。
【０１７６】
かかる支持部材６２０上に裏面を密着させてシールした状態のウエハＷを保持した状態で、図１３に示すように、めっきヘッド下方部材６３０との間がシーリングされて密着させられている。
【０１７７】
めっきヘッド下方部材６３０は、中央開口のリング状に形成され、その周囲にはカソード１３ａが設けられている。ウエハＷを保持した状態で支持部材６２０をめっきヘッド下方部材６３０に密着させると、カソード１３ａが、ウエハＷのめっき処理面のレジストが剥離された箇所に接触できるようになっている。
【０１７８】
このようにして、ウエハＷにカソード１３ａを接触させた状態で、めっき処理カップ６１０内にめっき噴流を上方から下方のウエハＷのめっき処理面に向けて吹き出す。めっき処理面では、噴流めっきが当てられ電界めっきが行われる。電界めっきに使用されためっき液は、めっきヘッド下方部材６３０側の底面側を経て、めっき処理カップ６１０の側方から、めっき液戻り配管６１内に入り、再生めっき槽５２内に戻される。
【０１７９】
再生めっき槽５２内に戻されためっき液は、前掲の図１のめっき液再生機構５０と同様に構成された図１３に示すめっき液取り入れ口７１から、循環ポンプ７０により、フィルタ室８０内に送られる。フィルタ室８０内に入る直前の配管７２部分に設けられた自己共鳴管９０で、めっき液は脈動を有する振動流となる。
【０１８０】
かかる振動流となっためっき液からは、混在するマイクロバブルＢが振動により結合して大きな気泡Ｃとなり脱気される。めっき液は、フィルタ８０で濾過され、再生めっき液排出口７４から、再生めっき槽５２内に戻される。一方、大きな気泡Ｃは、気泡溜まり８２、自動弁８３、エアーコンバム８５等のエアー抜き配管を経て、受け皿８６で大気に放出され、気泡Ｃの除去の際に混入した少量のめっき液は受け皿８６に溜まって、再生めっき槽５２内に戻される。
【０１８１】
再生めっき槽５２に戻されためっき液は、マイクロバブルＢが含まれないめっき液となり、めっき貯蔵タンク４０に移される。その後、噴流ポンプ３０により噴流として、上方から下方に向けて、フェイスアップ状態にセットされたウエハＷ等のめっき処理面に当てられる。
【０１８２】
かかる構成では、前記実施の形態の場合とは異なり、フェイスアップの構成であるため、めっき液にマイクロバブルＢ等の気泡が混じっていても、めっき処理面の凹部には気泡が溜まりにくい。しかし、かかる場合であっても、僅かにマイクロバブルＢがめっき処理面の凹部等に付着する場合が当然に考えられるので、本実施の形態のようなめっき液からマイクロバブルＢを除去する構成は極めて有効である。
【０１８３】
図１４に示す場合は、噴流式めっき装置１００ｆのめっきヘッド６００の構成において、めっき液の流れる方向が、図１３の構成と逆にされている。すなわち、めっきヘッド６００を構成するめっき処理カップ６１０では、使用されためっき液は、めっき処理カップ６１０の上方のめっき液排出口６４０から、めっき液戻り配管６１に入り再生めっき槽５２に排出される。
【０１８４】
一方、噴流ポンプ３０により噴流となっためっき液は、めっき処理カップ６１０の下方に位置するめっきヘッド下方部材６３０側の側方から導入されることとなる。このようにしてめっき処理カップ６１０内にめっき液が満たされた状態で、めっき液は循環されることとなる。
【０１８５】
また、支持部材６２０は、図１３に示す場合と同様に、図１４の場合にも、上下に移動できるように構成され、めっきヘッド下方部材６３０から下方に離された状態で、ウエハＷ等の被めっき処理物を支持部材６２０にセットできるように構成されている。支持部材６２０にウエハＷを装着した状態で、支持部材６２０を上方に移動させ、めっきヘッド下方部材６３０に密着させる。
【０１８６】
密着状態は、支持部材６２０とめっきヘッド下方部材６３０との間に、ゴム、あるいは樹脂等でできたＯリング等を介して、めっき液がもれないように確実にシールして、密着させることができるようになっている。
【０１８７】
また、めっきヘッド下方部材６３０は、中央が開口されたリング状に形成されており、リング周辺にはカソード１３ａが設けられており、ウエハＷをセットした状態では、ウエハＷの周辺のレジストを剥離した箇所にカソード１３ａを接触させることができるようになっている。
【０１８８】
かかる状態で、めっきヘッド６００内に下方側面からめっき液を導入し、導入しためっき液を上方から排出することで、めっき液を循環させながら、ウエハＷの電界めっきを行うことができる。
【０１８９】
電界めっきに使用されためっき液は、めっきヘッド６００のめっき液排出口６４０から、めっき液戻り配管６１を経て再生めっき槽５２に戻される。再生めっき槽５２内に戻されためっき液は、前掲の図１のめっき液再生機構５０で説明したと同様に、図１４のめっき液取り入れ口７１から、循環ポンプ７０により、フィルタ室８０内に送られる。フィルタ室８０内に入る直前の配管７２部分で、自己共鳴管９０を通過してめっき液は脈動を有する振動流となる。
【０１９０】
振動流となっためっき液は、混在するマイクロバブルＢをめっき液の振動により結合させて大きな気泡Ｃとして脱気する。めっき液は、フィルタ８０ａで濾過され、再生めっき液排出口７４から、再生めっき槽５２内に戻される。大きな気泡Ｃは、気泡溜まり８２、自動弁８３、エアーコンバム８５等のエアー抜き配管を経て、受け皿８６で大気に放出される。気泡Ｃの除去の際に混入した少量のめっき液は、受け皿８６に溜まって、その後再生めっき槽５２内に戻される。
【０１９１】
再生めっき槽５２に戻されためっき液は、マイクロバブルＢが含まれないめっき液となり、めっき貯蔵タンク４０を経て、噴流ポンプ３０により噴流として、めっきヘッド６００の下方側方から、フェイスアップ状態にセットされたウエハＷ等のめっき処理面に満たされ、電界めっきが行われる。
【０１９２】
かかる構成でも、フェイスアップの構成であるため、めっき液にマイクロバブルＢ等の気泡が混じっていても、めっき処理面の凹部には気泡が溜まりにくい。しかし、かかる場合であっても、僅かにマイクロバブルＢがめっき処理面の凹部等に付着する場合が当然に考えられるので、本実施の形態のようなめっき液からマイクロバブルＢを除去する構成は極めて有効な構成である。
【０１９３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１９４】
前記実施の形態では、自己共鳴管は直管に構成した場合を例に挙げて説明したが、曲がり管に構成しても一向に構わない。共鳴室部分で曲がりが入るようにしても、あいるは共鳴室を避けて曲がりが入るようにしても一向に構わない。
【０１９５】
また、前記実施の形態では、自己共鳴管をめっき装置に一つ設けた構成について説明したが、例えば噴流側のめっきノズル位置に、めっき再生機構側のめっき室直前部分に等のように、複数設けても一向に構わない。さらには、自己共鳴管を直列に設ける構成も考えられる。
【０１９６】
自己共鳴管は、ダイヤフラムポンプと、あるいは超音波振動子と併せて使用しても構わない。さらには、自己共鳴管を、ダイヤフラムポンプ、超音波振動子と共に３者併置した構成も考えられる。
【０１９７】
前記実施の形態では、フェイスアップ方式で電界めっきを行う場合には、めっきヘッドが固定されているため、被めっき処理物のウエハのセットは、めっきヘッド下方部材より支持部材を離してウエハをセットし、その後に両者を密着させる構成であった。
【０１９８】
しかし、めっきヘッド自体を反転できるように構成して、フェイスダウン方式と同様に被めっき処理物のウエハをめっき処理カップに対してフェイスダウン状態でセットし、その後にめっきヘッドを反転させて、フェイスアップ状態で電界めっきを行うように構成しても一向に構わない。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明は、工程にめっき処理工程を含む半導体装置等の製造方法において有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】本発明に関わる一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成の一実施例を模式的に示す断面説明図である。
【図２】（ａ）は本発明に関わる一実施の形態の自己共鳴管の一実施例を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図３】これまでの噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す断面説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、マイクロバブルに起因しためっき膜欠陥のできる様子を模式的に示した部分断面説明図である。
【図５】（ａ）ウエハプロセスにおける半導体チップのパッドの形成状況をウエハ状態で模式的に示す平面説明図であり、（ｂ）はウエハプロセスにおける半導体チップのバンプ電極の形成状況をウエハ状態で模式的に示す平面説明図である。
【図６】本発明に関わる一実施の形態のめっき処理工程の一実施例の処理ステップを示すフロー図である。
【図７】ウエハ状態から個片化された状況でのＬＣＤドライバにおけるバンプ電極の配列状況を示す平面図である。
【図８】（ａ）液晶パネルを模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＬＣＤドライバの接続状況を模式的に示す要部断面図である。
【図９】液晶ディスプレイにおいてＬＣＤドライバをＣＯＦ実装方式で実装した様子を模式的に示す要部断面図である。
【図１０】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１１】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１２】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１３】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【図１４】本発明に関わる変形例の一実施の形態の噴流式めっき装置の全体構成を模式的に示す一実施例の断面説明図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１０ ホルダ
１１ トップリング
１２ セッティング用挿通孔
１３ 支持部
１３ａ カソード
１４ ウエハ押え
１４ａ 押圧用凸部
１５ アノード
２０ めっき処理カップ
２０ａ 側壁
２１ めっきノズル
２１ａ 側壁
３０ 噴流ポンプ
４０ めっき貯蔵タンク
４１ 仕切り壁
５０ めっき液再生機構
５１ 外方容器
５１ａ 側壁
５２ 再生めっき槽
６０ 隙間
６０ａ 流路
６１ めっき液戻り配管
６１ａ 排出端
７０ 循環ポンプ
７１ めっき液取り入れ口
７２ 配管
７３ 配管
７４ 再生めっき液排出口
７５ 隔壁部
８０ フィルタ室
８０ａ フィルタ
８１ 流路
８２ 気泡溜まり
８３ 自動弁
８４ 圧縮窒素供給口
８５ エアーコンバム
８６ 受け皿
９０ 自己共鳴管
９１ 取り付けねじ
９２ オリフィス
９２ａ 円形開口部
９３ オリフィス
９３ａ 円形開口部
９４ 共鳴室
１００ 噴流式めっき装置
１００ａ 噴流式めっき装置
１００ｂ 噴流式めっき装置
１００ｃ 噴流式めっき装置
１００ｄ 噴流式めっき装置
１００ｅ 噴流式めっき装置
１００ｆ 噴流式めっき装置
１１０ レジスト
１２０ 凹部
１３０ めっき膜
１４０ めっき膜欠陥
２００ 半導体チップ
２００ａ ＬＣＤドライバ
２００ｂ ＬＣＤドライバ
２１０ パッド
２２０ バンプ電極
２４０ 異方性導電膜
３００ 液晶パネル
３１０ａ ガラス基板
３１０ｂ ガラス基板
３２０ ＳＴＮ液晶
３３０ シール部
３４０ 入力側基板配線
３５０ 出力側基板配線
３６０ 外部回路
３７０ フィルム
３８０ 配線電極
３９０ 配線電極
４００ 超音波振動子
４００ａ 発振器
４１０ 超音波振動子
４１０ａ 発振器
６００ めっきヘッド
６１０ めっき処理カップ
６２０ 支持部材
６３０ めっきヘッド下方部材
６４０ めっき液排出口
Ｂ マイクロバブル
Ｃ 気泡
Ｓ 隙間
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき装置により半導体ウエハのめっき処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記めっき装置は、めっき液を通し気泡を発生する自己共鳴管を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記自己共鳴管は、めっき液流路のフィルタ前に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記自己共鳴管は、めっき液の噴流口側に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハは、めっきに際して、下方から噴流するめっき液に対してめっき処理面を下方に向けてセットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハは、めっき処理面を上方に向けてセットし、その後に電界めっきを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき装置では、めっき液は、親水処理により濡れた状態のフィルタを介して循環させられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記めっき装置では、めっき液は、超音波振動子により振動を付与された状態で、めっき液から気泡を含めた異物を除去するめっき液再生機構に送られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
めっき装置により半導体ウエハのめっき処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記めっき装置は、めっき液中のマイクロバブルを結合させて大きな気泡として前記めっき液から前記マイクロバブルを除去して、マイクロバブル除去前の前記めっき液と混合しないように前記めっき装置に循環させながら前記半導体ウエハのめっきを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき液中のマイクロバブルを結合させて大きな気泡として前記めっき液から前記マイクロバブルを除去するに際しては、前記めっき液に超音波を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき液中のマイクロバブルを結合させて大きな気泡として前記めっき液から前記マイクロバブルを除去するに際しては、前記めっき液を脈動を伴った振動流に変換して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
めっき装置により半導体ウエハのめっき処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記めっき装置は、めっき液を通し気泡を発生する自己共鳴管を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記自己共鳴管は、めっき液流路のフィルタ前に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記自己共鳴管は、めっき液の噴流口側に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハは、めっきに際して、下方から噴流するめっき液に対してめっき処理面を下方に向けてセットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハは、めっき処理面を上方に向けてセットし、その後に電界めっきを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき装置では、めっき液は、親水処理により濡れた状態のフィルタを介して循環させられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記めっき装置では、めっき液は、超音波振動子により振動を付与された状態で、めっき液から気泡を含めた異物を除去するめっき液再生機構に送られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
めっき装置により半導体ウエハのめっき処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記めっき装置は、めっき液中のマイクロバブルを結合させて大きな気泡として前記めっき液から前記マイクロバブルを除去して、マイクロバブル除去前の前記めっき液と混合しないように前記めっき装置に循環させながら前記半導体ウエハのめっきを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき液中のマイクロバブルを結合させて大きな気泡として前記めっき液から前記マイクロバブルを除去するに際しては、前記めっき液に超音波を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき液中のマイクロバブルを結合させて大きな気泡として前記めっき液から前記マイクロバブルを除去するに際しては、前記めっき液を脈動を伴った振動流に変換して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００７−２６２４６６（Ｐ２００７−２６２４６６Ａ）
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−８７７００（Ｐ２００６−８７７００）
【出願日】平成１８年３月２８日（２００６．３．２８）
【出願人】（５０３１２１１０３）株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２８日（２００６．３．２８）
【出願人】（５０３１２１１０３）株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Ｆターム（参考）】
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