【課題】蒸発させた蒸着物質が供給される開口を複数設けた構成であっても、各開口部からの蒸着物質の蒸発供給量を均一化することができ、これにより膜厚の均一な蒸着膜を得ることが可能な蒸着成膜装置を提供する。
【解決手段】天面１３ａに複数の開口を備えた外箱１３と、外箱１３内に収納されるルツボ１２と、外箱１３を加熱する熱源１４とを備えた蒸着源１０を有する蒸着成膜装置において、ルツボ１２には、外箱１３の床面１３ｂとの間に間隔ｄを設けるための脚部１５が設けられている。また、外箱１３に設けられた複数の開口１１は、ライン状に配列されており、蒸着膜の成膜対象となる基板を、蒸着源１０の上方に対向配置した状態で開口１１の配列方向と直交する方向に相対的に移動させることにより、この基板上に蒸着膜が成膜されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ³以上６．５ｇ／ｃｍ³以下である酸化物焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタターゲットタイルを溶接して、大型スパッタターゲット及びターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】支持部の表面上に少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを並べて配置し、少なくとも２個のターゲットタイルの端部は隣接し、ターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３上に少なくとも１の境界ライン５２１Ａを形成し、電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂ及びターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３を、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、並べて配置された少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを大型ターゲットに溶接する。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置において、ハースの消耗部分を容易に交換可能なハース機構及びハース交換装置を提供する。
【解決手段】 ハース機構２は、ハース２ａ、基礎部材２ｂ、及びカバー２ｃを備える。ハース２ａは、成膜材料Ｍａを挿通させるための貫通孔２１ａを有するハース基部２１と、ハース基部２１の貫通孔２１ａと連通して成膜材料Ｍａを挿通させるための貫通孔２２ａを有し、ハース基部２１上に載置されたハース先端部材２２とに分かれて構成されている。プラズマＰによる消耗はハース２ａの先端に主に発生するので、消耗したハース先端部材２２をハース基部２１から取り除き、交換用のハース先端部材２２をハース基部２１上に載置することにより、容易にハース２ａの消耗部分を交換できる。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置において、真空容器の真空状態を維持したまま真空容器内の被移送物を容易に移送できるハンドリング装置を提供する。
【解決手段】 ハンドリング装置４は、把持部４ａ、操作部４ｂ、連結部４ｃ、及び連結部支持部４ｄを備える。把持部４ａは、真空容器１０の内部に配置され、互いに開閉可能に結合された一対のロッド４３及び４４を有する。操作部４ｂは、真空容器１０の外部に配置され、ロッド４３及び４４の開閉を操作するためのハンドル４１ａ及び４１ｂを有する。連結部４ｃは、把持部４ａと操作部４ｂとを互いに連結し、操作部４ｂの動きをロッド４３及び４４へ伝達するシャフト４２ａ及び４２ｂを有する。連結部支持部４ｄは、連結部４ｃが挿通された屈曲可能な筒状部分４７を有し、筒状部分４７の一端及び他端のそれぞれにおいて真空容器１０及び連結部４ｃに気密に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇが本来もつ高反射率および低電気抵抗を維持しつつ、耐熱性および耐食性が向上したＡｇ基合金から構成された反射膜、配線膜、電極膜または半反射型半透過膜を提供すること。
【解決手段】 Ａｇに特定少量のＣｕとＴｅ／ＳｅをＣｕ≧Ｔｅ／Ｓｅの比で複合添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｕおよびＩｒの少なくとも１種および／またはＮｉ、Ｆｅ、ＢｉおよびＰの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された、スパッタリングターゲット材ならびに反射膜、配線用膜、電極用膜または半反射型半透過膜。 （もっと読む）

【課題】
本発明はシリコン、窒化ガリウム、ガリウムリン等の半導体を極薄で超平滑化するための加工キャリアを高品質化するために提供されたもので、加工キャリアを減圧下において、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なＤＬＣ膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、ＤＬＣ膜を形成した半導体加工キャリア部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の制御性、安定性および再現性に優れ、その抵抗温度特性が良好な帯電防止膜を提供し、更に、その用途を提供する。
【解決手段】帯電防止膜は０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造、或いは酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する。また、電子源が配置された第１の基板と、電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置において、第１の基板と第２の基板との間に上記帯電防止膜を有するスペーサを配置する。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリング源は、複数の電極（１２）とスイッチング回路（１４）とを含む。スイッチング回路（１４）は複数の電極（１２）の各々を接地基準に連続的に接続してそれらをアノードにする一方で、複数の電極の残りをカソードとして接続する。マグネトロンスパッタリング源を動作する方法は、複数のターゲット配列を与えるステップと、複数のターゲット配列をカソードとして作動するようにさせるステップと、複数のカソードの各々を一時的にアノードとして作動するよう連続的にさせるステップとを含む。
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【課題】 水素検知材料としての使用を可能にする酸化タングステン薄膜を安価に実現する作製技術を提供すること。
【解決手段】 室温で水素を含んだ雰囲気に触れることにより光学的な透過率が変化する特性を利用して水素検知を行う光学式水素検知材料用の酸化タングステン薄膜をスパッタ法により基板に形成させる際に、成膜温度を制御し、酸化タングステンの結晶性を調節する。 （もっと読む）

【課題】 良質で圧壊の生じるおそれが低いＳｉＯタブレットを量産性高く製造する。
【解決手段】 一次焼成済みのＳｉＯタブレットを、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で二次焼成する。或いは、ＳｉＯ粉末を加圧成形した後、大気炉で１０００℃未満の温度で一次焼成し、一次焼成物を、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で二次焼成する。或いは、ＳｉＯ粉末を加圧成形した後、真空或いは不活性ガス雰囲気下において、１０００℃以上１３９０℃以下の温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定で、毒性がなく、導電性・透明性共に良好であり、容易かつ安価に膜形成が可能な透明導電性成形物を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_x（Ｘは０．５以上２．０未満）と酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）を含有し、体積固有抵抗が０．０１Ωｃｍ未満である透明導電性成形物。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板にＡｌ膜を成膜した表面鏡は、ガラス基板とＡｌ膜との密着性が弱く、硬度、耐高温、耐湿性、耐塩水性のについて十分な耐久性を有していないため、リアプロジェクションテレビの反射鏡に用いることが困難であった。
また、また反射角度が大きい場合の可視光線全域(４００〜７００nm)における反射率が低いという欠点があり、表面鏡の反射角を大きくして、リアプロジェクションテレビの奥行きを小さくすることが困難であった。
【解決手段】ガラス基板の表面がイオンエッチング処理され、金属膜がＡｌ膜を該イオンエッチング処理したガラス基板表面に成膜されてなる表面鏡である。
金属酸化物膜は、Ａｌ膜の上にＳｉＯ_２膜、Ｎｂ₂Ｏ₅膜を順次積層してなる。 （もっと読む）

【課題】有機発光層と有機化合物からなるキャリア輸送層を用いた高効率で、特性劣化の少ない発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、陽極と、前記陽極と対向する陰極と、前記陽極と陰極の間に設けられた有機化合物からなる発光層と、有機化合物からなるキャリア輸送層を有し、前記発光層と前記キャリア輸送層とが交互に積層されており、前記キャリア輸送層の膜厚は前記発光層の膜厚よりも薄く、前記キャリア輸送層が正孔輸送層の場合には前記発光層は電子輸送性発光層であり、前記キャリア輸送層が電子輸送層の場合には前記発光層は正孔輸送性発光層である。 （もっと読む）

【課題】 新たに添加物を加えなくても、長期に亘って可視光に応答できる光触媒を提供する。
【解決手段】 基材２外側に向けて順に、第１，第２触媒層３，４が積層されている。第１触媒層３が、酸素欠損状態とされたＴｉＯ2-x（xは、０＜x＜０．０２）をもって形成されていると共に、該ＴｉＯ2-xの酸素欠損割合に関して、第２触媒層４から基材方向に離れる側が該第２触媒層４側に比して多くなる傾斜組成構造とされ、第２触媒層４が、ＴｉＯ2をもって形成されている。これにより、第１触媒層３において、イオン注入等の混入を行わなくても、紫外線だけでなく可視光に対しても応答できるようにし、第２触媒層４には、紫外線に基づき光触媒反応を起こすだけでなく、外部からの酸素の侵入を防いで、第１触媒層３（ＴｉＯ2-x）の酸化を抑制する機能をもたせる。 （もっと読む）

【課題】 光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリング用ターゲット１の外径（Ｃ）は、ターゲット表面温度分布が考慮されている。具体的には、スパッタリング用ターゲット１の外径（Ｃ）は、第二磁石１５Ｂの内径（Ｄ）寸法よりも小さく、かつ、第一磁石１５Ａの外径（Ｅ）寸法よりも大きい径となっている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用マスクの製造工程等において膜剥がれを生じない導電膜を基板側面に設けたＥＵＶ露光用マスクブランクスとその製造方法を提供し、ＥＵＶ露光後、ＥＵＶ露光用マスクが強固に静電チャックに付着してしまい、取り外しにくくなるということが無く、静電チャックに簡単に着脱できるＥＵＶ露光用マスクを提供する。
【解決手段】基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスであって、前記基板の他方の主面上に導電層が形成されており、前記基板の相対する主面上の前記パターン形成層と前記導電層が、前記基板の側面に設けられた一箇所以上の側面導電膜により導通されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。下部電極１３をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。 （もっと読む）

【課題】環境汚染の原因となるＣｒを含んでおらず、かつ、パーティクルが少ない薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｗを５〜３０質量％、ＡｌおよびＴｉの少なくとも１種を合計で０．１〜１０質量％含有させ、かつ、酸素量を０．０５質量％以下に規制し、残部が実質的にＮｉであるスパッタリングターゲットを用いる。
前記スパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径の大きさが１００μｍ以下であり、かつ、表面粗さＲａが１０μｍ以下であることが好ましい。
前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、得られる膜中の３μｍ以上のパーティクル数は２個／ｃｍ²未満となる。 （もっと読む）

本発明は、環境に有害な物質を使用せず、より単純な膜構成で、高温高湿環境下での実用的な耐久性に優れ、しかも可視領域で９８％以上の分光反射率を有する銀鏡を提供することを課題とする。 本発明は、例えば図１に示すように、基体１上に少なくとも反射膜として銀膜３が形成されてなる銀鏡において、前記銀膜３の両面に直接酸化アルミニウムを主体とする膜２、４が形成された構造を有することを特徴とする。また、前記銀膜３の両面側に形成された酸化アルミニウムを主体とする膜２、４が、いずれも膜密度がバルク比０．９５以上（好ましくはバルク比０．９７以上）の膜であることを特徴とする。
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