【課題】磁界形成手段を最適場所に配置し、液滴を混入させずに成膜する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置１は、磁界形成手段４０と、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２とを有している。磁界形成手段４０は、Ｎ極平面４３とＳ極平面４４の間に、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２の放出口３６が位置するように、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２に近づけられているので、真空槽１０内部の他の部材と設置場所が競合せず、成膜に最適な磁界が形成されるように設置することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 微粒子の吹きつけによる成膜方法であって、良好な膜質で成膜を行うことが可能な成膜方法と、当該成膜方法を実施する成膜装置を提供する。
【解決手段】 微粒子を成膜対象へ吹き付けることによって、前記微粒子により構成される膜を形成する成膜方法であって、前記微粒子の吹き付けの流れの前記成膜対象への入射角が、第１の角度θ１（但し、−５°<θ１<０）、第２の角度θ２（但し、０<θ２<５°）、第３の角度θ３（但し、―９０°<θ３<−６０°）、および第４の角度θ４（但し、６０°<θ４<９０°）よりなる群より選択される角度とされることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく、除電ユニットからの漏出荷電粒子に起因するフィルムの熱変形を防止することができる巻取式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る巻取式真空成膜（蒸着）装置１０は、冷却用キャンローラ１４と除電ユニット２３の間に、除電ユニット２３からキャンローラ１４へ向かう荷電粒子を捕捉する電荷捕捉体２５を設けることで、除電ユニット２５から漏出した荷電粒子がキャンローラ１４へ到達することを阻止して、キャンローラ１４に印加されたフィルム密着用のバイアス電位の変動を抑止し、フィルム１２に対する静電力を安定に保持する。これにより、フィルム１２とキャンローラ１４の間の密着力が安定に保持されるので、フィルム１２の熱変形が防止されることになる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に垂直磁気記録媒体における磁気記録など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｂ：０．５〜１０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物よりなるＣｏ−Ｂ系合金であって、該Ｃｏ−Ｂ系合金中に、１０μｍ以下のＣｏ硼化物が分散していることを特徴とするＣｏ−Ｂ系ターゲット材。また、上記、Ｃｏ−Ｂ系合金アトマイズ粉末の焼結体であるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
【解決手段】実施形態は、銅配線について、エレクトロマイグレーション耐性を向上させるため、より低い金属抵抗率を提供するため、そして金属−金属またはシリコン−金属の界面接着を改善するために、金属−金属界面またはシリコン−金属界面を形成するプロセスおよび統合システムを提供する。統合システム内において、銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、基板表面を調整する代表的方法が提供される。方法は、統合システム内において、基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、汚染物および金属酸化物を除去した後に、統合システム内において、還元環境を使用して基板表面を再調整することとを含む。方法は、また、基板表面を再調整した後に、統合システム内において、銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることも含む。また、上述された代表的方法を実施するためのシステムも、提供される。 （もっと読む）

【課題】金属蒸着膜の酸化度を、膜厚に依存せず求めること。
【解決手段】巻き出しロール(2)より巻き出した蒸着用フィルム(3)を冷却ロール(4)に所定角度,巻きつけ下方から金属蒸気を蒸着されて、巻き取りロール(5)に巻き取り、かつ前記金属蒸気に対し上流側及び下流側から酸素を供給するようにした金属蒸着膜形成装置において、前記巻き取りロール(5)と前記冷却ロール(4)との間で前記蒸着用フィルム(3)の表面に近接して表面反射率センサ(10)及び透過率センサ(11)を配設し、前記表面反射率センサ(10)及び前記透過率センサ(11)の検出値から、前記金属蒸着膜の膜厚に依存することなく前記金属蒸着膜中の金属酸化度を演算で求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】合金を成膜対象物に注入可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明は第一、第二の同軸型蒸着源３ａ、３ｂを有しており、第一、第二の蒸着源３ａ、３ｂの第一、第二の開口３９ａ、３９ｂからは正の微小荷電粒子が放出され、その微小荷電粒子はクーロン力によって飛行方向が曲げられて成膜対象物６８表面に到達する。このとき、成膜対象物６８の表面に負電圧を印加すれば、微小荷電粒子の飛行速度が加速されるので、微小荷電粒子が成膜対象物６８表面に注入される。第一、第二の同軸型蒸着源３ａ、３ｂの蒸着材料として異なる種類の金属材料を用いれば、成膜対象物６８表面に合金が注入される。 （もっと読む）

【課題】所望のサイズのクラスターを効率良く得ると共に得られたクラスターを基材へ効率良く堆積させることができるクラスター製造装置及びクラスター製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るクラスター製造装置及びクラスター製造方法は、一対のターゲットを間隔をおいて互いに対向すると共に下流側に向いて傾斜するように対向配置し、複数のガス供給用毛細管が間隔をおいて同一平面上に配置されると共に、その径ｄｍｍと長さＬｍｍとの比Ｌ／ｄが５００≦Ｌ／ｄとなるように構成されるプラズマ源ガス供給手段によって、プラズマ源ガスを前記一対のターゲット間にシート状気流にして供給し、該供プラズマ源ガスをプラズマ状態にしつつ、前記一対のターゲットから蒸気を発生させ、クラスター発生部とクラスター成長部とが連通する連通部に配設されると共に、軸芯方向において、径が漸減する中空筒状の捕集筒によって、前記蒸気を捕集してクラスター成長部へ導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット面内に対して一様な磁界を形成する磁石構成体、この磁石構成体を用いた漏洩磁束測定装置、漏洩磁束測定方法及び検査方法を提供する。
【解決手段】磁石を固定する固定台と、スペーサーを介して組み合わされる一対の磁石であって、一方の磁石は正極を固定台側に向けて設置され、他方の磁石は負極を固定台に向けて設置される一対の磁石とからなる磁界形成手段、及び１以上の磁界形成手段を取り付けるための基体を備えた磁石構成体であって、磁界形成手段が２以上ある場合には、各磁界形成手段が、前記一対の磁石の正極及び負極がそれぞれ直線状に一列にそろうように基体上に取り付けられていることを特徴とする磁石構成体、並びにこの磁石構成体を用いた漏洩磁束測定装置及び測定方法及び検査方法である。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図ると共に、簡便なプロセスで製造することができ、効果の発揮される潤滑油の種類の制約も少ない硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】少なくとも相手材との摺動部位に硬質炭素被膜を備えた摺動部材の上記硬質炭素被膜中に、コバルト及びニッケルの一方又は両方を含有させ、その含有量を合計で１．４原子％以上３９原子％以下の範囲とし、さらにコバルトおよびニッケルの凝集体のうち、径５ｎｍを超えるものの割合を一定以下に抑制する。 （もっと読む）

【課題】金属膜のスパッタを、低いスパッタ電圧で実行する。
【解決手段】スパッタ処理装置の処理容器内に、イオンゲージから二次電子を導入し、前記処理容器内におけるプラズマの着火を促進する。 （もっと読む）

【課題】 潤滑油中において特に低い摩擦係数を示し、相対的に簡便なプロセスで製造することができ、潤滑剤・潤滑油の選択の制約が少ない硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】 非晶質炭素を主成分とし、副成分としてコバルトおよび／またはニッケルを合計で１．４原子％以上３９原子％以下含有させ、コバルトおよびニッケルの合計含有量が相対的に高い層と、相対的に低い層とが繰り返し重なった積層構造とする。厚み方向の積層数は１００ｎｍあたり８回以上、好ましくは１４回以上、より好ましくは２５回以上とし、潤滑剤中で用いる。潤滑剤はエンジン油が適している。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により形成される膜のウエハ面内の膜厚分布の均一性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】コリメータ１１５の本体１１６を中央部から周辺部にかけて徐徐に薄くして、本体１１６に設けられる多数個の制御孔１１７のアスペクト比をコリメータ１１５の中央から外側にかけて連続的に小さくする。このコリメータ１１５をウエハとターゲットとの間に設置し、３００℃以上に加熱されたウエハの上に膜厚１０ｎｍ程度のコバルト膜を堆積し、続いてコバルト膜の上に窒化シリコン膜を堆積した後、シリサイド反応によりコバルトダイシリサイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】巨大粒子を含まないナノ粒子を提供する。
【解決手段】同軸型アーク蒸着源１３に蒸発材料１３５を配置し、アーク放電によってアノード電極１３１内に蒸発材料の蒸気を放出させる。電子はアーク電流によって形成された磁界からローレンツ力を受け、真空槽１０内に放出される。正電荷を有する微小な蒸気は電子に引き付けられ、真空槽１０内に放出され、捕集板２０表面に付着し、蒸発材料のナノ粒子が形成される。巨大な液滴はアノード電極１３１の壁面に衝突し、真空槽１０内に放出されない。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化ポーラスアルミナ細孔内に真空蒸着法により他物質を充填するに際し、高アスペクト比の充填構造を簡便に、かつ、安価に達成可能とした、陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理により少なくとも陽極酸化ポーラスアルミナの細孔の開口部を拡径した後、細孔内に真空蒸着により他物質を充填する方法であって、前記エッチング処理の後再び陽極酸化を行うことにより、初期に形成されていた細孔の底部から延長する細孔を形成し、この２段の細孔に対してさらに前記エッチング処理を行うことを特徴とする陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、磁性結晶粒を十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ比を高める。
【解決手段】 Ａｌ系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板１上に少なくともアモルファス膜２を介してＣｏ層或いはＣｏ合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Ｃｒ系下地層（４）で覆われた島状膜からなるシード層３を設ける。 （もっと読む）