【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】励起時の発光能を有するβ−鉄シリサイド薄膜、該薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置の提供。
【解決手段】レーザを鉄シリサイドからなるターゲット１２に照射して、ターゲット１２から発生する飛散粒子をシリコン基板１０に付着させるレーザアブレーション法を用いるに際し、ターゲット１２及び基板１０を略平行となるように配置し、これらの回転軸（Ｃ_１０及びＣ_１２（Ｃ_１２’））が重ならないように回転させ、ターゲット１２へのレーザ照射部位を変化させると共に、薄膜形成時における薄膜形成部位の位置を変化させつつ、基板１０上にβ−鉄シリサイド薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性および耐久性の良好な光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】光学基材１の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成することと、第１の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜３３を物理的蒸着により形成することとを有する。透光性薄膜を物理的蒸着により形成することは、炭素、ケイ素、ゲルマニウムのいずれかを含む第１の化合物群に含まれる少なくとも１種を含む第１の気体をイオン化することを含む。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れるガスバリア性フィルム、このガスバリア性フィルムを用いた装置、このガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１は、含有されるオリゴマー量が１質量％以下であるプラスチックフィルム２、プラスチックフィルム２上に設けられた紫外線硬化型樹脂からなる有機層３、及び有機層３の上に設けられた無機層４、を有し、有機層３の厚さが、プラスチックフィルム表面における最大高低差よりも大きくなっている。これによりガスバリア性に優れるガスバリア性フィルム１を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】耐摩擦性に優れた車両用窓ガラスを提供する。
【解決手段】真空槽２０内に有機ケイ素化合物の気体を導入しながら蒸着源２１からＳｉＯ₂の蒸気を放出させ、ＰＣ基板２５表面に炭素を含有するシリコン酸化物薄膜から成る保護膜を形成する。この保護膜は、耐摩耗性が高く、ヘーズの値が小さい。ＰＣ基板２５を保持する基板ホルダ２３に交流電圧を印加しながら保護膜を形成すると、耐摩耗性と密着性が高くなる。また、真空槽２０内に導入した炭化ケイ素化合物のガスをプラズマ化して保護膜を形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、クリーニング性能に優れるだけでなく、入手が容易で、環境に負荷をかけるＣＦ₄を実質的に副生しない新規なクリーニングガスを提供する。
【解決手段】
ＣＨＦ₂ＣＯＦを含んでなる堆積物のクリーニングガスであって、Ｏ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｆ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＸＦ_n（式中、ＸはＣｌ、ＩまたはＢｒを表し、ｎは１≦ｎ≦５の整数を表す。）、ＣＨ₄、ＣＨ₃Ｆ、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₃、Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒなどを含むことができ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｇｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物などを含む堆積物に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦ露光光を用いた光透過型リソグラフィにおいて、表面反射率および裏面反射率が低減された、さらなる微細化に対応可能なマスクブランクを提供する。
【解決手段】 合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。次に、遮光層１２が成膜された基板１１を枚葉式ＲＦスパッタ装置内に設置し、遮光層１２の上に、ＴａＳｉＯ混合焼結ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気で、ＲＦマグネトロンスパッタにより、ＴａＳｉＯ（膜組成比 Ｔａ：２７．４原子％，Ｓｉ：５．９原子％，Ｏ：６６．７原子％）からなる表面反射防止層１３を１２ｎｍの膜厚で成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属硅素化合物薄膜を、チャネル領域とした薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】 遷移金属原子Ｍの周りをz個のシリコン原子Siが取り囲む遷移金属内包シリコンクラスター（ＭＳｉz）を単位構造とし、シリコンと遷移金属との組成比（＝シリコン／遷移金属）をｎとしたとき、シリコンと遷移金属との組成比（＝シリコン／遷移金属）ｎが７以上１６以下である遷移金属とシリコンの化合物であって、ｎ／Ｚが０．７７８以上１．８１以下である遷移金属珪素化合物薄膜をチャネル領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
ただしＺは、遷移金属原子Ｍの周りを取り囲むシリコン原子の数zの平均値である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属硅素化合物薄膜を、チャネル領域とした薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】 遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを、７個以上１６個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第１及び第２近接原子にシリコンが配置されている金属珪素化合物薄膜をチャネル領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 、好ましくは−１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層でコーティングする。このＤＬＣ層を、ＤＬＣコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、ＤＬＣ層のピンホールを閉じる。
（もっと読む）

【課題】ＤＬＣ並みの潤滑特性を有し且つ高硬度、高耐熱性の硬質皮膜を被覆した多層皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材表面に組成が異なる硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、硬質皮膜１の組成は、ＳｉａＢｕＣｖＮｗＯｚで表され、該硬質皮膜１の下部層である該硬質皮膜２の組成は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、およびＭｏから選択される２種以上と、非金属成分がＮとＢ、Ｃ、Ｏ、およびＳから選択される少なくとも１種を有し、該硬質皮膜１はラマン分光分析において１３００から１６００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｘを有し、１９００から２２００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｙを有し、３．２≦Ｉｘ／Ｉｙ≦８．０であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマスクブランクの製造方法
等を提供する。
【解決手段】透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有
するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成する
ための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてス
パッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱す
る工程をと有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置の構成部品本体２の表面に、アーク溶射法でＡｌ溶射膜３を形成する。Ａｌ溶射膜３を真空中で加熱して脱ガス処理することによって、脱ガス処理後のＡｌ溶射膜を真空中で常温から７７３Ｋまで１時間で加熱した後、１時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下であるＡｌ溶射膜３を得る。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、１０００ｐｐｍ未満、好ましくは６００ｐｐｍ未満、特に好ましくは４５０ｐｐｍ未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の５倍未満、好ましくは３倍未満、特に好ましくは２倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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