【課題】ターゲットを大型化してもそのクラックや破壊を未然に防止できる新規なコーティング装置およびスパッタリング成膜方法の提供。
【解決手段】チャンバー10内に設置されるバッキングプレート90に当該バッキングプレート90と線膨張係数の異なる板状のターゲット40を備えたコーティング装置100であって、前記ターゲット40を複数の分割ターゲット40aで構成すると共に当該各分割ターゲット40a同士を元の形状を維持すべく互いに所定の隙間を隔てて配置し、各々前記バッキングプレート90に取り付ける。これによって、各分割ターゲット40a間の隙間が適宜拡大縮小することでその膨張収縮量の差を吸収できるため、大型のターゲット40を用いた場合でも、これにクラックや破壊が生ずるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるウエットプロセス（レジスト剥離方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透過量を調整する機能を有するＭｏとＳｉを含む半透光性膜を少なくとも有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記ＭｏとＳｉを含む半透光性膜は、マスクブランク及びマスクの製造工程及び使用工程で使用されるアルカリ水溶液（例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ））に１５分接触させた前後において、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域における透過率の変化量が５％以下である、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、受光センサ部上に導波路を設けて集光効率を向上させる。
【解決手段】受光センサ部１２上方の絶縁層１４に導波路１８が設けられ、この導波路１８の側壁部に反射膜１７が設けられた固体撮像素子１０を製造する際に、図１のイオン化スパッタリング装置１によるイオン化スパッタリング法により、導波路形成用穴１８ａ内に反射膜１７を形成することにより、導波路形成用穴１８ａの側壁表面に直に均一な反射膜１７を形成すると同時に、イオン化されたターゲット材料７により導波路形成用穴１８ａの底部などに堆積した反射膜１７が除去される。これによって、従来技術のように、導波路１８の底部に形成された金属膜の反射膜１７を除去する工程は不要となる。また、反射膜１７と導波路形成用穴１８ａの側壁表面との間には従来のように下地膜が形成されない。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用の基板であるＴＦＴアレイ基板１０上に、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）からなる下側遮光膜をスパッタリング法により成膜する電気光学装置の製造方法において、ＷＳｉ膜の平均成膜速度が前記スパッタリング法の放電維持限界における平均成膜速度以上、３５Å／ｓ以下となるようにＷＳｉ膜を成膜する。このような条件でＷＳｉ膜を成膜する事により、熱処理により結晶化した後のＷＳｉ膜の内部応力を抑制することができ、ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線による発光の取り出し効率に優れ且つシンチレータ結晶の耐湿性に優れた放射線シンチレータプレートとその製造方法の提供。
【解決手段】基板２に放射線が照射されることにより光を発する柱状結晶の蛍光体層３とその上部に保護層が形成される放射線用シンチレータプレートにおいて、蛍光体層３の表面には、フッソ系溶剤ＨＦＥをＡｒガスをキャリアにして導入して形成したＣｓ−Ｆ結合を存在させて、蛍光体層８とする。次にポリパラキシリレンを体積して保護層とする。蛍光体層表面と保護層は接触させる。 （もっと読む）

本発明は、伝導性であり、金属非含有であり、かつ、親水性の炭素系被覆を少なくとも部分的に基板に設けることによって、基板の湿潤性を向上させる方法に関する。この炭素系被覆は、窒素でドープされ、１０^８ｏｈｍ−ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。さらに本発明は、伝導性であり、金属非含有であり、かつ親水性の炭素系被覆で少なくとも部分的に被覆された基板にも関する。
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【課題】酸化物領域を有する基板上への選択スパッタを実現する膜の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。第１及び第２の領域が共に、酸化物からなるのが好ましい。一つ以上の元素からなる構成元素群と、構成元素群の異なる複数の領域を有する基体、基体に堆積させるための一つ以上の元素からなる原料元素群と、イオン化した元素を照射する気相成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の保護膜形成する際に、効果的に成膜速度の低減を防ぎ、かつ、有機ＥＬ素子の物理的ダメージを抑えた、スパッタリング法による有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、プラズマ発光強度をモニターして、反応性ガスの導入量を制御するプラズマエミッションモニタリングによるスパッタリング法で、前記保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【解決手段】 遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料で構成された層を１層以上含む多層で構成された遮光膜と、１又は２以上のクロム系材料膜とを有し、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する材料のケイ素と遷移金属との比が、ケイ素：遷移元素＝１：１〜４未満：１（原子比）であり、かつ窒素含有量が５原子％以上４０原子％以下であるフォトマスクブランク。
【効果】遷移金属含有率が高いことから導電性が確保され、フォトマスク製造プロセスでのチャージアップ防止の機能を有すると共に、フォトマスク製造プロセスにおける洗浄に対して十分な化学的安定性を確保でき、更に、この遮光膜が、これと共に設けられたクロム系材料膜をエッチングする条件である塩素と酸素を含有するドライエッチングに対し高いエッチング耐性を示し、高い微細加工精度が確保される。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用のグレートーンマスクブランクを製造する場合に、検査に不合格になって半透光膜の剥離が必要になる基板の数を低減する。
【解決手段】ＦＰＤデバイスを製造するためのグレートーンマスクブランク１０の製造方法であって、透光性の基板１２を準備する準備工程と、金属シリサイドの半透光膜１４を基板上に形成する半透光膜形成工程と、半透光膜１４の透過率を調整する透過率調整工程と、透過率が調整された半透光膜１４上に遮光膜１６を形成する遮光膜形成工程とを備え、透過率調整工程は、半透光膜１４の透過率を測定し、測定された測定透過率と予め設定された設定透過率との差が、グレートーンマスクとして許容されるばらつきの範囲よりも大きく、かつ測定透過率が設定透過率の７５％以上１２５％以下である場合に、半透光膜１４に対して透過率調整を行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により形成される膜のウエハ面内の膜厚分布の均一性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】コリメータ１１５の本体１１６を中央部から周辺部にかけて徐徐に薄くして、本体１１６に設けられる多数個の制御孔１１７のアスペクト比をコリメータ１１５の中央から外側にかけて連続的に小さくする。このコリメータ１１５をウエハとターゲットとの間に設置し、３００℃以上に加熱されたウエハの上に膜厚１０ｎｍ程度のコバルト膜を堆積し、続いてコバルト膜の上に窒化シリコン膜を堆積した後、シリサイド反応によりコバルトダイシリサイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】無機反射防止層が基材から剥がれにくい無機反射防止層付き製品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】無機反射防止層付き製品１０、１０’、１０”は、基材１と、基材１上に形成された１〜５０ｎｍ厚のポリシロキサン層２、２’、２”と、ポリシロキサン層２、２’、２”の上に形成された無機反射防止層３とを備える。無機反射防止層付き製品１０、１０’、１０”の製造方法は、基材１上に、シランカップリング剤を蒸着してポリシロキサン層２、２’、２”を形成するポリシロキサン層形成工程と、ポリシロキサン層２、２’、２”の上に蒸着により無機反射防止層３を形成する無機反射防止層形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】連続成膜に適した高生産性を有する高ガスバリア性フィルムを提供すること。
【解決手段】基材フィルム上にガスバリア性積層体を有してなるガスバリア性フィルムにおいて、該ガスバリア性積層体が、珪素酸窒化物層、有機中間層、珪素酸窒化物層の順に互いに隣接して配置された３層からなるユニットを少なくとも１つ有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉとＢを含有する皮膜の耐摩耗性と耐熱性を活かし、靭性を更に高めることにより、高温環境下においても、チッピングや膜剥離が発生し難く、長時間安定して使用可能な、優れた寿命を有する被覆部材を提供することを課題とする。
【解決手段】基材表面に硬質皮膜を被覆した被覆部材において、該硬質皮膜の少なくとも１層はＳｉとＢを含有し、該ＳｉとＢを含有する皮膜は、高Ｓｉ濃度、低Ｂ濃度である帯域Ａと、低Ｓｉ濃度、高Ｂ濃度である帯域Ｂであり、該帯域Ａ、Ｂの交互積み重ね構造を有し、該交互積み重ね構造が膜厚方向に１〜６０ｎｍの周期であり、該周期における帯域ＡのＳｉ濃度をＳｉｈ、帯域ＢのＳｉ濃度をＳｉｌとしたとき、Ｓｉｈ／Ｓｉｌが１．５以上であることを特徴とする被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】中屈折率領域（ｎ＝１．５〜１．９程度）において、光吸収の少ない光学薄膜を有する光学製品の製造方法および光学製品を提供すること。
【解決手段】スパッタリングにより２つのターゲットを用いて基板上に光学薄膜を形成する光学製品の製造方法であって、前記スパッタリング用の２つのターゲットが、Ｓｉおよび、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＭｏから選ばれた少なくとも一種の遷移金属とＳｉからなる混合固溶体である。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ素子の製造方法に関するものであり、タングステンシリサイド膜の抵抗を減少させながらタングステンシリサイド膜とポリシリコン膜との界面特性を向上させること、タングステンシリサイド膜内のフッ素による誘電体膜の劣化を防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の上部にトンネル酸化膜１２及び第１ポリシリコン膜１３を形成した後、パターニングする段階と、全体構造の上部に誘電体膜１４、第２ポリシリコン膜１５及びタングステンシリサイド膜１６を形成する段階と、酸化工程を実施して上記タングステンシリサイド膜１６内の剰余シリコンを上記タングステンシリサイド膜１６の上部の表面に移動させた後、酸化させて酸化膜１７を形成する段階と、上記酸化膜１７を除去する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を得る。
【解決手段】 ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）