【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

【課題】 シリコン等の基板上に鉄シリサイド系磁性材料を形成した積層構造、特にスピンに依存した電子現象を発揮することを可能にするそのような積層構造、その積層構造を使用した磁性又は電子装置、および電界効果スピントランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン等の基板上に、ＭｇＯ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＹＳＺ，ＣａＦ_２，ＳｒＦ_２，ＢａＦ_２，ＬａＦ_３，ＮｄＦ_３，ＣｅＦ_３，（Ｂａ，Ｓｒ）Ｏ，ＣｅＯ_２，ＺｒＯ_２，ＭｇＡｌ_２Ｏ_４，ＳｒＴｉＯ_３，ＢａＴｉＯ_３，Ｙ_２Ｏ_３，ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＴｉＣあるいはβ−ＦｅＳｉ_２などの中間層を介してＦｅ_３±αＳｉ（式中、０≦α≦１．０５）の層を有する積層構造体。この積層構造体のＦｅ_３±αＳｉ層が磁性素子又はその構成要素である磁気又は電子装置。 （もっと読む）

【目的】一部に真空アークプラズマを用いて、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に単一膜、混合膜及び積層膜を成膜するプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びこれらを用いて処理された目的物を提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマであり、第１と第２プラズマ導入路２２、２３を介して共通輸送ダクト１０に導入される。このとき、第１及び第２プラズマ１６、１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。各プラズマ導入路のプラズマ導入角度は共通輸送ダクト１０の輸送方向に対して鋭角に設定されている。 （もっと読む）

【課題】内燃機関の燃焼ガスに曝されるチタン部品の疲労強度および衝撃強度を向上する。
【解決手段】本発明による内燃機関用チタン部品は、表面に形成されたセラミックス層７を有している。セラミックス層７は、１０ｎｍを超え７５０ｎｍ以下の厚さを有し、かつ、シリコンまたはアルミニウムを含む。 （もっと読む）

一実施例に係る集積回路（１０）は、基板（１２）と、基板に形成されたＳｉＷＮｉ薄膜抵抗体（１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線と配線を接続する接続部のバリア膜の構造を最適化し、エレクトロマイグレーション特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板上の第１層配線Ｍ１上に形成された層間絶縁膜ＴＨ２中に配線溝ＨＭ２およびコンタクトホールＣ２を形成した後、これらの内部にバリア膜ＰＭ２ａを、コンタクトホールＣ２の底部の全周に渡ってコンタクトホールＣ２の底部の中央部から側壁に向かってその膜厚が増加するよう形成し、このバリア膜ＰＭ２ａ上に銅膜（ＰＭ２ｂ、ＰＭ２ｃ）を形成した後、ＣＭＰ法により研磨することにより第２層配線Ｍ２と接続部（プラグ）Ｐ２を形成する。その結果、接続部（プラグ）Ｐ２を介して第２層配線Ｍ２から第１層配線Ｍ１へ流れる電流の幾何学的な最短経路と、電気的に抵抗が最小となるバリア膜ＰＭ２ａの薄い部分が一致せず、電流経路を分散することができ、電子の集中を起こりにくくできる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、誘電率が２.９またはそれ以下でかつ拡散係数が２５０μm²/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】半導体装置を製造するための方法は、(a)(i)複数の架橋可能基を含むシリコン含有炭化水素化合物から成るソースガス、(ii)架橋ガス、(iii)不活性ガス、及び(iv)流量がソースガス流量の２５％以下である酸素供給ガス、から成る反応ガスを使ったプラズマ反応により、イソプロピルアルコールを使用した測定で２５０μm²/minまたはそれ以下の拡散係数を有するシリコン含有絶縁膜を基板上に形成する工程と、(b)半導体装置を製造するべく、絶縁膜を集積処理にかける工程と、から成る。 （もっと読む）

本発明は、濡れヒステリシスが低い自由表面を得るために、ｘが１．４〜２であり、ｙが０．８〜１．４であるＳｉＣ_ｘＯ_ｙ：Ｈ、およびｘ’が１．２〜１．４であり、ｙ’が０．６〜０．８であるＳｉＣ_ｘ’Ｎ_ｙ’：Ｈから選択された化合物からなる、少なくとも一個の上側層（６）を含んでなる、好ましくは化学蒸着により得られる、表面被覆に関する。そのような疎水性表面被覆（６）は、少なくとも一個の、電極（４）の列を備えた基材（１）を含んでなり、electrowetting-on-dielectric により液滴を移動させるのに特に好適な微細要素の自由表面上に配置することができる。
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【課題】 高硬度鋼の高速断続切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削チップを提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削チップを、窒化チタン：１８〜２２％、金属アルミニウム：８〜１２％、酸化アルミニウム：０．５〜２％、立方晶窒化ほう素：残り（ただし、６５〜７３％含有）、からなる配合組成（以上、％は質量％を示す）を有する圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、かつ、走査型電子顕微鏡による組織観察で、分散相を形成する立方晶窒化ほう素相と連続相を形成する窒化チタン相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有する切削チップ本体の表面に、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ）Ｎ、（ただし、Ｘは、原子比で０．０１〜０．０５）、を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層からなる表面被覆層を１〜８μｍの平均層厚で蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ−Ｗから成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下、Ａｌ，Ｔｉ，Ｗ以外の重金属元素の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が５×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ−Ｗ材である。 （もっと読む）

【課題】高硬度、耐高温酸化性の優れる硬質皮膜においても密着性を犠牲にすること無く、特に靭性を改善し、高温状態での耐溶着性、潤滑特性も改善し、例えば切削加工などにおける乾式化、高速化、高送り化に対応可能な硬質皮膜を提供する。
【解決手段】物理蒸着法により基体表面に形成された硬質皮膜であって、該硬質皮膜は４ａ、５ａ、６ａ族、Ａｌ、Ｂから選択される１種以上の金属元素とＳｉを含み、Ｃ、Ｎ、Ｏから選択される１種以上の非金属元素からなり、該硬質皮膜は柱状組織を有し、該柱状組織中の結晶粒はＳｉ含有量に差がある複数の層からなる多層構造を有し、該層間の境界領域では少なくとも結晶格子縞が連続している領域が存在し、各層の厚みＴ（ｎｍ）が０．１≦Ｔ≦１００、であることを特徴とする。 （もっと読む）

製造安定化装置および方法は、ＴｉＡｌＮ等の融点の大きく異なる金属成分を持つ多元系被膜を、単一のルツボ（３）と収束プラズマ（７）とを用いて、高原料利用効率で、膜質良く作製する。この時、原料（４）を蒸発させるに必要な電力を最初に供給し、その後、最初の電力より順次増大した電力を、必要な最大電力に至るまで繰り返して供給する。或いは、原料を蒸発させるに必要な最初の領域にプラズマ（７）を収束させるためのプラズマ制御を行い、続いて、最初のプラズマ領域より最大のプラズマ領域に至るまでプラズマを連続的に順次移動・拡大せしめるプラズマ制御を行い、原料の未溶融部位（４ｂ）を順次溶解させる。原料は、焼結体または圧粉成型体（４）とする。
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【課題】 有機ＥＬディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機ＥＬ素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度を同時に十分満足できる有機ＥＬディスプレイデバイス用の基板を提供する。特に、ＩＴＯ膜の膜質を改善して、有機ＥＬ素子としての寿命を１０万時間を越えるようにできる有機ＥＬディスプレイデバイス用の基板を提供する。
【解決手段】 透明フレキシブル基材にＩＴＯ層からなる電極層を配設し、且つ、その水蒸気透過率が、１×１０^-2 g/ ｍ²/day 以下であるフレキシブル透明電極基板であって、ＩＴＯ層は、Ｘ線回折法における、そのＩＴＯ層の（２２２）面に相当する２θピークの積分強度Ａと（２１１）面に相当する２θピークの積分強度Ｂとの積分強度比Ａ／Ｂが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、優れた光・電気特性を示すβ−FeSi₂を高効率で得ることができ、しかも広範囲な基板への集積が可能な低温での合成が簡便に行える、工業的に有利なβ−FeSi₂の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーアニーリングによりβ−FeSi₂種結晶を有する薄膜からβ−FeSi₂を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi₂種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm²〜１．５J/cm²、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗシリサイド，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＷシリサイドから成るコンタクトバリアー層又はゲート電極層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１６個／ｃｍ^３以下、Ｗ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｗシリサイド材である。 （もっと読む）

【課題】
熱や曲げなどの機械的負荷が加わっても、導電性を維持できるフレキシビリティ性を有する透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
可とう性の透明基板へ透明導電膜を形成した後に、該透明導電膜の表面へ、好ましくはレーザーが連続発振タイプであり、レーザー光の波長が４００〜１２００ｎｍである可視域から赤外域の波長を有するレーザー光を照射して表面処理を施し、１６０℃のオーブンで１時間保持した後に常温に戻す操作を３回繰返す熱サイクル試験においても、透明導電膜にクラックが発生しないことを特徴とする。 （もっと読む）

（Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ）群およびケイ素に属する成分Ｍから特に選択された異なるタイプの原子に基づく少なくとも１種の化合物を含むターゲットを、熱スプレー、特にプラズマスプレーによって製造する方法であって、
共有および／またはイオンおよび／または金属結合により結合する成分である該化合物の少なくとも一部分が該プラズマジェットに、注入され、該ターゲットの表面部分上に該化合物の被膜を堆積させるように、該ターゲットの上に該化合物の成分をスプレーすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】
反射率の低下が小さい多層膜反射鏡、その製造装置（成膜装置）等を提供すること。
【解決手段】
イオントラップ９は、側壁に波板状の散乱板１１を有するとともに、開口部１０を有する箱状のものである。標的材料６の表面で散乱したイオン１４ａ、１４ｂはイオントラップ９の散乱板１１に入射する。イオントラップ９の散乱板１１は波板状となっているので、散乱板１１に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板１１はスパッタされにくくなる。一方、散乱板１１に対する入射角が深いイオンは散乱板１１をスパッタするが、イオントラップ９の基板５の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板５の方向には飛散しないため、基板５に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。 （もっと読む）

【課題】 耐面圧性を含め密着性の高い硬質炭素膜を実現する。
【解決手段】 基材１０上に、当該基材１０と相性の良い中間層としての金属膜１２が、スパッタリング処理によって形成される。そして、この中間層１２上に、シリコンを含有する高濃度シリコン含有硬質炭素膜（高濃度層）１４が、プラズマＣＶＤ処理によって形成される。さらに、この高濃度層１４上に、当該高濃度層１４よりも少なめのシリコンを含有する低濃度シリコン含有硬質炭素膜（低濃度層と言う）１６が、同プラズマＣＶＤ処理により形成される。そして、高濃度層１４および低濃度層１６が、一連の硬質炭素膜１８を成す。このように硬質炭素膜１８に含まれるシリコンの量が基材１０から遠くなるに連れて減少することで、当該硬質炭素膜１８の耐面圧性を含めた密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】抵抗発熱体は種々の材料ソースあるいは基板加熱などに用いられ、近年あらゆる雰囲気で化学的に安定な発熱体材料が必要とされている。従来、炭化ケイ素、モリブデン、タンタル、タングステンを用いた発熱体が知られているが、薄膜化が困難であり、小さくできない。また形状も、板状、ワイヤー状に限られる場合が多く、熱効率がよい形状が望まれている。
【解決手段】MoSi₂の欠点を、RFマグネトロンスパッタリング装置などを用いて、るつぼ等に直接薄膜として堆積させることで改善し、高効率の加熱が可能な薄膜状のMoSi₂薄膜発熱体、および、基体にMoSi₂薄膜を形成した薄膜発熱器を提供する。薄膜層の劣化を防止するため第１電極と第２電極を設ける。 （もっと読む）