【課題】対向ターゲット式スパッタ法による化合物薄膜の作成において、薄膜の組成比を制御することのできる装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲット式スパッタ装置の相対する２個のターゲット５，６に組成の異なる化合物ターゲット用い、かつ基板ホルダー４をターゲットに対して垂直から平行まで左または右に様々な角度をつけることによって組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】静電容量式タッチパネル等に使用される電極フィルムにおいて、透明導電性薄膜がパターニングされた際に、透明導電性薄膜の有る部分と無い部分での光学特性の差が小さいため、視認性に優れ、かつパターニングが強調されにくい透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルム１１からなる基材の少なくとも片面上に、組成傾斜薄膜層１３及び透明導電性薄膜層１４をこの順に積層した構成を有することを特徴とする透明導電性積層フィルム１０。 （もっと読む）

【課題】ハイドロキシアパタイトを膜形成成分として含む蒸着膜がプラスチック基材の表面に形成されており、ハイドロキシアパタイトの特性が活かされ、プラスチック基材のガスバリア性が著しく高められたガスバリア材を提供する。
【解決手段】プラスチック基材１と、その表面に、リン酸カルシウム化合物が層状に分布している領域３ａを含む蒸着膜３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ膜を形成した基板よりも耐摩耗性を含む外的耐性を向上させる。
【解決手段】 基板８１上に透明導電膜からなる電極配線８２が積層形成され、電極配線８２上に保護膜８３が積層形成されている。基板８１上に形成される保護膜は、ＳｉＯＣ膜からなる。なお、少なくとも基板８１への保護膜８３の形成は、下記する成膜装置１であるＭＰＤ装置により行う。 （もっと読む）

本発明のシリコーン薄膜の製造方法は、基板を提供する段階と；前記基板上にシリコーンソースを供給する段階と；前記シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成するとともに、電子ビームとイオンビームを照射したり、シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成した後後処理として前記基板上に電子ビームとイオンビームを照射する段階とを含む。本発明によって、前記供給されたシリコーンソースによって前記基板上にシリコーン薄膜が蒸着されながら前記照射された電子ビームが前記蒸着中のシリコーン薄膜にエネルギーを供給してこのシリコーン薄膜を蒸着工程中に（ｉｎ−ｓｉｔｕ）結晶化させたり、非晶質シリコーン薄膜が形成された後後処理として電子ビームとイオンビームを照射することによって結晶化させることができる。また、電子ビームを照射するとともに、イオンビームをともに照射することによって、基板表面に蓄積される電子ビームの電荷がイオンビームの電荷によって中和されるようにして、電子ビームの電荷が基板表面に蓄積されて不必要な表面電流を形成することを防止し、效率的に非晶質シリコーン薄膜を結晶化させることができる。
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【課題】複数の異なる材料からなる蒸発源に対して複数の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射することにより、所望特性の物理蒸着膜を得る成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の異なる材料からなる蒸発源のそれぞれに対して、複数の蒸発用圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射して、蒸発源を粒子として蒸発・プラズマ化し、所望の成分組成、均質性、結晶形態、密着性、強度・硬度等を備えた物理蒸着膜を基板表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルム基板上に、物理気相成長法により酸化物誘電体膜層と吸収膜層を交互に積層してなり、可視波長域における各波長の透過率の均一性に優れた吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】 酸化物誘電体膜層がＳｉＣ及びＳｉを主成分とする成膜材料を原料として成膜されたＳｉＣｙＯｘ（ただし、０＜ｙ≦０.１、１.５＜ｘ＜２）膜であり、吸収膜層がＮｉ−１８〜３２重量％Ｗ合金の成膜材料を原料として成膜された金属膜でであって、吸収型多層膜の最外層及び最内層が酸化物誘電体膜層で構成されている。この吸収型多層膜ＮＤフィルターの可視波長域（４００〜７００ｎｍ）における透過率均一性は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】成膜中に膜材料の表面に付着または析出した異物を落下し易くできる成膜方法、膜材料、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜方法であって、膜材料２２は、表面が曲面で構成された形状を有する固体からなり、複数の膜材料２２をハース２０に収容し、膜材料２２の表面を加熱することにより膜材料２２を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

（a）カソーディック真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって基板上に材料を蒸着する工程;および（b）CVA蒸着以外の、化学蒸着（CVD）工程および物理蒸着（PVD）工程の少なくとも1つを実施することによって基板上に材料を蒸着する工程を含む、基板上にコーティングを蒸着する方法を開示する。本方法においては、工程（b）において蒸着された材料の厚さが、工程（a）において蒸着された材料の厚さよりも大きい。

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基材上にコーティングを蒸着する方法であって、（a）陰極真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程、および（b）CVA蒸着を除く物理蒸着（PVD）工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程を含み、工程（a）において蒸着された材料の厚さが、工程（b）において蒸着された材料の厚さよりも大きい、方法を提供する。

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【課題】高融点の金属材料または非昇華性材料からなる蒸着性材料からなる薄膜を被成膜体に対して安定して形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１０は、被成膜体１３が配置された真空チャンバー１２と、蒸着性材料２０を収納するるつぼ１９と、プラズマビーム２２をるつぼ１９内の蒸着性材料２０に向けて照射する圧力勾配型プラズマガン１１とを備えている。るつぼ１９に、蒸着性材料２０を１０００℃乃至２５００℃の範囲内で加熱できる加熱機構４０が設けられている。プラズマビーム２２を蒸着性材料２０の表面に導き、真空チャンバー１２内の被成膜体１３上に薄膜２０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、高分子フィルムと無機酸化物層との密着性を改善し、さらに、従来よりもガスバリア性の高いガスバリアフィルムを提供することができる積層体の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の表面へのパーティクルの付着を抑えることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１０内で蒸着材料を蒸発させ基板ＷＡに対して蒸着させる成膜装置１である。蒸着材料を蒸発させるプラズマガン３０と、雰囲気ガス供給源１０６と、主制御装置８０と、を備える。主制御装置８０は、プラズマガン３０による加熱状態を、成膜状態の加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ａ）と、非成膜状態における加熱状態（成膜時電流Ｉ_Ｂ）との間で切り替え制御する。そして、主制御装置８０は、成膜状態と非成膜状態との間における加熱状態の切り替え途上において、蒸着材料の蒸発やプロセスガスの導入による真空チャンバ１０内の圧力変動を緩和する方向に、雰囲気ガス供給源１０６からの雰囲気ガスの供給量を変動させる。 （もっと読む）

【課題】装飾部品の表面にＡｕを含有する硬質膜であり、特にＡｕ固有の光沢と色調とを有して明度の高く耐傷性に富んだことを特徴とした装飾部品を提供すること。
【解決手段】表面に硬化層を有し、硬化層はＴｉ、Ｚｒ、またはＨｆのうちから選ばれる一種類以上の金属からなる窒化物、炭化物または炭窒化物で構成された下地層と、ＡｕまたはＡｕ合金からなる仕上層と、下地層と仕上層との間に設けた硬質透明誘電体層によって構成することにより、Ａｕ固有の光沢と色調とを有して明度が高く傷の目立たない高品位な装飾部品を達成できる。硬質透明誘電体層は積層構造を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造又は半導体装置、特に、太陽電池、ディスプレイ等のような半導体光装置のために使用できるシリコン含有膜をスパッタリングするためのスパッタターゲット、その製造方法及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】このターゲットは、シリコン含有スパッタ物質層１０４と、上記スパッタ物質層１０４を担持するためのキャリア１０２と、を含み、上記スパッタ物質層１０４は、２００ｐｐｍより少ない鉄を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、１以上の層を含み、該層のうち少なくとも１の層は、結晶構造が正方晶型である化学式Ｖ_XＮｂ_1-XＺ_Y（ただし、Ｘ、Ｙはそれぞれ原子比を示し、Ｘは０．５≦Ｘ≦０．６５であり、Ｙは０．１≦Ｙ≦２である。また、Ｚは硼素、酸素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される第１化合物を含むニオブ含有バナジウム層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ用途であり、透過率と色味に優れたガスバリアフィルムとその作製方法、装置を提供。
【解決手段】基材フィルム２と、その上に設けられた、ケイ素、酸素及び窒素を含有するガスバリア膜３とを少なくとも有するガスバリアフィルム１であって、ガスバリア膜は厚さ方向に、酸素含有量が窒素含有量よりも多い領域Ａと、窒素含有量が酸素含有量よりも多い領域Ｂと、領域Ａと領域Ｂとの間にあって領域Ａの酸素含有量が徐々に減少するとともに領域Ｂに向かって窒素含有量が徐々に増加する領域Ｃとを有するように構成する。ガスバリア膜の作製装置は、基材フィルムの供給装置と、ガスバリア膜を形成した後の基材フィルムの巻取装置と、供給装置と巻取装置との間の複数の成膜室を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】所定の有機膜と無機膜とを有する機能性フィルムの製造において、目的とする性能を有する機能性フィルムを安定して製造することを可能にする。
【解決手段】基板の表面に有機膜を成膜し、その後、真空成膜法によって無機膜を成膜し、かつ、真空装置内で有機膜に接触する部材は、機能発現部分以外に接触する構成とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）