【課題】耐摩耗性に優れ、また焼き付きなどが生じにくく、長期間使用しても摺動性に優れる硬質皮膜と、その摺動性に優れた硬質皮膜を短時間で形成することができる硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】化学式Ｍ_ｘＢ_ａＣ_ｂＮ_ｃで示される硬質皮膜であって、Ｍは、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の元素、及びＳｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種の金属元素であり、０≦ａ≦０．２、０≦ｃ≦０．２、０＜ｘ−ａ−ｃ、ｘ−ａ−ｃ＜ｂ≦０．９、０．０５≦ｘ＜０．５、ｘ＋ａ＋ｂ＋ｃ＝１の各式を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐久性の良好な防汚層を有する光学物品の製造方法を提供する。
【解決手段】基材２００の上に反射防止層を形成することと、ペレット５９を用いた真空蒸着法により、反射防止層に重ねて防汚層を形成することとを有する製造方法を提供する。ペレット５９は、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚溶液に触媒を添加し、活性状態のフッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚溶液を含浸した後、触媒の蒸発温度以上、フッ素含有有機ケイ素化合物の蒸発温度未満の温度範囲内で加熱処理されたものである。反応活性が適当な状態となったフッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚溶液をペレット内に固定することができ、拭き耐久性の高い防汚層を成膜できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜であり、かつ、耐食性に優れた保護膜を形成することで、高品質な被保護体を提供すること。
【解決手段】被保護体の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成方法であって、被保護体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上にダイアモンド状炭素膜を形成するＤＬＣ膜形成工程と、を有し、下地膜形成工程は、所定の膜厚の下地膜を成膜した後に当該下地膜の一部又は全部を除去する工程を繰り返して被保護体の表面に下地膜を複数回形成する。そして、さらに、ＤＬＣ膜形成工程の前に、ダイアモンド状炭素膜を形成する下地膜の表面上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２がその中心軸周りに回転するようにされて底壁に設けられ、かつウェハーホルダ上に配置されたウェハーに対して少なくとも２つの傾斜されたカソード１１ａ〜１１ｄが上壁に設けられる反応容器１０を備え、カソードの各々はｒｆ発生器から整合回路を介してｒｆ電流が供給され、ガス導入部とガス排出部を含む圧力制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】強度が強くて傷や磨耗が発生しにくいコーティング層が形成された装飾品を提供すること。
【解決手段】装飾品１０は、装飾品本体１１としてのキュービックジルコニア体の上部に透光性のコーティング層１３を形成したものである。コーティング層１３では、窒化シリコン層（Ｓｉ₃Ｎ₄）および酸化シリコン層（ＳｉＯ₂）が交互に６層ずつ形成されており、その最下層において、装飾品本体１１と接する層は窒化シリコン層である。また、コーティング層１３において、最上層は、酸素より窒素を多く含む酸窒化シリコン層になっている。かかる層はいずれも、反応性スパッタ法により形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、緻密で密着性がよく、ガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の酸化ケイ素と、平均粒径が５μｍ以下であり屈折率が１．８以上である高屈折率材料とを有し、高屈折率材料の含有量が、酸化ケイ素１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下である原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、酸化ケイ素の比表面積が６００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】気相成長速度が速く、安価で生産性に優れ、且つ、原料物質が加熱される際の熱から基体や成膜物を保護できる薄膜又は粉末製造方法、薄膜又は粉末製造装置、及び非水電解質二次電池用電極材の製造方法、並びに非水電解質二次電池用電極材を用いた非水電解質二次電池用電極及び非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】容器２内の原料物質３を加熱源４により減圧下で６００℃以上に加熱して蒸発させ、原料物質３の蒸気を基体１６上に凝縮させて気相成長させる薄膜の製造方法において、容器２と基体１６との間に断熱部材７を設置し、原料物質３の加熱源４からの熱による基体１６の加熱を抑制する。この断熱部材７に開口部を設け、蒸気を開口部を通して基体１６に導く。この断熱部材７は、熱伝導および輻射熱を軽減するための多孔性の断熱材を含む。 （もっと読む）

【課題】フィルムの両面に均一かつ高品質な薄膜を安定して形成できる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】搬送室３には成膜室５ａおよび５ｂが連接し、それぞれ真空ポンプ９ａないし９ｃにて減圧される。搬送室３内には巻出しドラム１３から巻取りドラム３１までのフィルム１５の搬送系が作られている。巻出しドラム１３から巻取りドラム３１の間には、フィルム１５を加熱する加熱手段１７ａないし１７ｆと、フィルム１５の片面に薄膜を形成する第１の成膜手段２５ａと、フィルム１５の他面に薄膜を形成する第２の成膜手段２５ｂが設けられている。巻出しドラム１３で巻き出され、両面に薄膜が形成されて、巻取りドラム３１で巻取られるまで、フィルム１５は減圧条件化におかれ、大気に触れることは無い。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】膜内の組成分布が均一で、かつ低屈折率の薄膜を形成することができる低屈折率膜の成膜方法及び該低屈折率膜の成膜方法で成膜される低屈折率膜を提供し、さらに該低屈折率膜を用いた反射防止膜を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法によりＭｇＦ₂−ＳｉＯ₂からなる低屈折率膜を基板１１上に成膜する低屈折率膜の成膜方法において、ＭｇＦ₂−ＳｉＯ₂の焼結体であるターゲット４Ａを用い、不活性ガスとＯ₂の混合ガス雰囲気下で前記基板１１とターゲット４Ａとの間に周波数２０〜９０ｋＨｚの交流電圧を印加してスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】摩耗を受ける基体、特に工具の表面に表面層を形成するための層組織を提供する。
【解決手段】組成（Ａｌ_ａＭｇ_ｂＣｒ_ｃＭｅ_ｄＢ_ｅＡＸ_ｍＳｉ_ｋ）α［Ｎ_ｕＣ_ｖＯ_ｗ］β〔ここで、（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｍ＋ｋ）＝α、（ｕ＋ｖ＋ｗ）＝β、及び（α＋β）＝１００、４０≦α≦６０、であり、Ｍｅは、元素周期表の第二亜族ＩＶｂ、Ｖｂ、及びＶＩｂの少なくとも一種類の元素であり、ＡＸが、元素周期表の第一亜族Ｉａの元素、及びＢｅ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａの元素、及び第二亜族ＶＩＩｂ、ＶＩＩＩｂ、Ｉｂ、ＩＩｂ、ＩＩＩｂの元素、及びランタノイド系の元素からなる群からの少なくとも一種類の元素であり、０．００４≦ｍ＜６０である〕の少なくとも一つの第一硬質層を含む層組織において、０．４≦ａ≦５８、及び０．０４≦ｂ≦１２、及び１８≦ｃ≦４２であることを特徴とする、層組織。 （もっと読む）

【課題】２層型位相シフト膜の膜厚を薄くし、膜中の欠陥低減とフォトマスクとしてのパターン解像度の改善を可能とすること。
【解決手段】透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φ_ｔと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ_０＝φ_０の位相差δφ_ｔ＝φ_ｔ−φ_０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φ_ｐと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ_０＝φ_０の位相差δφ_ｐ＝φ_ｐ−φ_０）の「符号」が「同符号」となるように「２層型」の位相シフト膜を設計することとした。これにより、位相シフト膜の薄膜化が図られ、膜中欠陥が抑制され、かつ、パターン解像度を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の加熱を要する工程を有する製造方法によって製造された半導体装置の、歩留まりの向上を実現させる。
【解決手段】半導体ウェハ１を加熱する工程を要する半導体装置の製造方法において、主面Ｓ１に複数の素子を形成し、主面Ｓ１と反対側の裏面Ｓ２に機械的な研削を施すことで薄くした半導体ウェハ１を処理室Ｒ内に載置する工程と、半導体ウェハ１の裏面Ｓ２に金属２からなる導体膜を形成する工程と、半導体ウェハ１の主面Ｓ１に沿うように設置された赤外線遮蔽板８を、処理室Ｒに備えられた駆動部１０によって移動させ、所望の位置に設置する工程と、主面Ｓ１側からランプヒータ６によって半導体ウェハ１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、クレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、この被膜は、１以上の層を含み、この層のうち少なくとも１の層は、化学式Ｓｉ_1-XＮｂ_XＺ_Y（ただし、Ｘ、Ｙはそれぞれ原子組成比を示し、０＜Ｘ≦０．４であり、０．８≦Ｙ≦１．２である。また、Ｚは硼素、酸素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される非晶質の第１化合物を含むニオブ含有シリコン層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、ハーフピッチ４５ｎｍ以降の微細パターンを精度良くパターン転写するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し２０原子％を超える量である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガスバリア性能を担保しつつ帯電防止性、耐擦傷性、耐候性等に優れた保護フィルムを生産効率よく形成する製造方法およびそのガスバリアフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】前記高分子樹脂基材（１０１）の少なくとも一方の面に、真空蒸着方法を用いてガスバリア層（１０２）を積層するガスバリア層積層工程と、次に、前記ガスバリア層（１０２）上に活性エネルギー線硬化樹脂Ａ層（Ａ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｂ層（Ｂ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｃ層（Ｃ）とを真空蒸着方法を用いて順次積層する活性エネルギー線硬化樹脂層積層工程と、次に、電子線あるいは紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化樹脂Ａ層（Ａ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｂ層（Ｂ）と活性エネルギー線硬化樹脂Ｃ層（Ｃ）とを、まとめて架橋する架橋工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、特にプラズマＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜４の鎖状又は分岐状アルキル基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。）
で示されるビニル基含有環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を提供する。 （もっと読む）