【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

【課題】熱線反射機能に優れた熱線反射フィルムを提供すること。
【解決手段】透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成した、第１スパッタ層３１、第２スパッタ層３２、第３スパッタ層３３とを有する熱線反射フィルム１。第１スパッタ層３１は、ＩＴＯからなる膜厚１８〜２５ｎｍの層であり、第２スパッタ層３２は、Ａｇからなる膜厚５〜１０ｎｍの層であり、第３スパッタ層３３は、ＩＴＯからなる膜厚３６〜５５ｎｍの層である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚の下部層と０．３〜３μｍの平均層厚の上部層とからなり、（ｂ）下部層は、蒸着形成された、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．０２〜０．１）を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．０２〜０．１）を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層、薄層Ｂは、クロム窒化物（ＣｒＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性を高めて膜剥がれを防止すると共に、優れた反射防止特性を有する反射防止膜を提供する。
【解決手段】基板上に施される反射防止膜であって、前記基板側から順に、金属で構成される第１の層と、フッ化物で構成される第２の層とを有することを特徴とする反射防止膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】硬質難削材の切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、蒸着形成された特定な組成式を満足するＴｉとＣｒとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、特定な組成式を満足するＴｉとＣｒとＳｉの複合窒化物層、薄層Ｂは、Ｃｒ窒化物（ＣｒＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】レンズが着色せず、良好な帯電防止性及び撥水性を有する薄膜及び光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）パーフルオロアルキル基を有する撥水剤、（ｂ）シランカップリング剤、側鎖及び／又は両末端に有機基を導入した変性シリコーンオイル及びパーフルオロエーテル化合物との混合物、及び（ｃ）フラーレン類、カーボンナノチューブ類及び黒鉛化合物から選ばれる少なくとも１種類の導電性物質とを混合してなる撥水剤溶液を用い、真空蒸着法にて薄膜を形成する薄膜の製造方法、並びに、光学基板上に多層反射防止膜を形成する光学部材の製造方法において、該多層反射防止膜上に、前述の本発明の薄膜製造方法により薄膜をさらに形成する光学部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆切削工具が、超硬基体あるいはサーメット基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｒ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．０μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ及びＢは、特定な組成式を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｒ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、組成式：［Ｔｉ_{１−（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）}Ａｌ_ＸＢ_ＹＣｒ_Ｚ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．５０〜０．６０、Ｙは０．０１〜０．０９、Ｚは０．０１〜０．１５を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｒ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少ない、有機エレクトロルミネッセンス素子と、該素子を利用したＥＬパネルの製造方法を提供することが本発明の課題である。
【解決手段】基板上に、Ａ）第一の電極を成膜する工程と、Ｂ）該第一の電極上に発光層を含む一層以上の有機化合物薄膜層を積層する工程と、Ｃ）該有機化合物薄膜層上に第二の電極を積層する工程と、を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、工程Ｂ及びＣと、工程ＢとＣとの間と、工程Ｃ終了後、基板温度が室温となるまでの間と、における該基板温度が７０℃以下であり、かつ、温度変化速度の絶対値が１．５℃／ｓｅｃ以内である有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚方向の２種の酸化物の存在比の変化が広い範囲で得られる混合膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法を用いた酸化物の混合膜の製造方法であって、第１元素を含有するターゲットおよび第２元素を含有するターゲットが設けられた成膜室内において、酸化性ガスを含有する雰囲気中で、スパッタリングを行うことにより、基体上に第１元素の酸化物および第２元素の酸化物の混合膜を成膜させる工程を具備し、前記工程において、第１元素のスパッタリングおよび第２元素のスパッタリングをいずれも遷移領域で行い、第１元素および第２元素の両方について、電力と、ＯＥＤ値もしくは電圧とを変化させる方法等により、前記混合膜中の前記第１元素の酸化物および前記第２元素の酸化物の存在比を膜厚方向において変化させる、酸化物の混合膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚の下部層と０．３〜３μｍの平均層厚の上部層とからなり、（ｂ）下部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．０１〜０．１）を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．０１〜０．１）を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層、薄層Ｂは、組成式：［Ｃｒ_１−ＹＳｉ_Ｙ］Ｎ（Ｙは原子比で０．０１〜０．１）を満足するＣｒとＳｉの複合窒化物層からなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、蒸着形成された組成式：［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（ただし、Ｘは、原子比で、０．０２〜０．１を示す）を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（ただし、Ｘは、原子比で、０．０２〜０．１を示す）を満足するＴｉとＳｉの複合窒化物層、薄層Ｂは、チタン窒化物（ＴｉＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜の内部応力のために基板が歪んだり膜剥がれが発生する等のトラブルを効果的に回避できる光学多層膜フィルタの製造方法を提供すること。
【解決手段】光学多層膜フィルタの製造方法は、基板１上に１層以上の無機薄膜を形成する工程と、無機薄膜の最下層と前記基板との間に、前記無機薄膜から前記基板への応力伝達を阻止する有機化合物からなる粘弾性緩衝層２を形成する工程とを備え、粘弾性緩衝層２を形成する工程において、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いる。ＣＶＤ法を用いているので、粘弾性緩衝層２の成膜速度が速く、実用的な厚さの膜を効率よく作成することができる。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピングを発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体あるいはサーメット基体の表面に、いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｃｒ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．０μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａは、特定の組成式：［Ｔｉ_{１−（Ａ+Ｂ+Ｃ）}Ａｌ_ＡＶ_ＢＣｒ_Ｃ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｃｒ）Ｎ層、上記薄層Ｂは、特定の組成式：［Ｔｉ_{１−（Ｐ＋Ｑ＋Ｒ）}Ａｌ_ＰＶ_ＱＣｒ_Ｒ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｃｒ）Ｎ層、からなり、上記下部層は、特定の組成式：［Ｔｉ_{１−（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）}Ａｌ_ＸＶ_ＹＣｒ_Ｚ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｃｒ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高温環境下であり且つ大きな接触応力が作用するような条件下、又は、高温環境下であり且つ無潤滑下というような厳しい条件下でも好適に使用可能な転動装置を提供する。
【解決手段】アンギュラ玉軸受の玉３はＳＵＪ２で構成されており、玉３の転動面３ａには潤滑性を有するＤＬＣ層Ｄが設けられている。ＤＬＣ層Ｄは、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｚｒ，及びＦｅのうちの２種以上の金属からなる金属層Ｍと、前記金属及び炭素からなる複合層Ｆと、炭素からなるカーボン層Ｃと、の３層で構成されていて、該３層は表面側からカーボン層Ｃ，複合層Ｆ，金属層Ｍの順に配されている。また、複合層Ｆ中の炭素の割合は、金属層Ｍ側からカーボン層Ｃ側に向かって徐々に増加している。さらに、ＤＬＣ層Ｄの等価弾性定数は１００ＧＰａ以上２４０ＧＰａ以下である。さらに、玉３の平均残留オーステナイト量は６体積％以下である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体あるいはサーメット基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、上部層は０．５〜１．０μｍ、下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａは、特定の組成式：［Ｔｉ_{１−（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）}Ａｌ_ＡＳｉ_ＢＣｒ_Ｃ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ）Ｎ層、上記薄層Ｂは、特定の組成式：［Ｔｉ_{１−（Ｐ＋Ｑ＋Ｒ）}Ａｌ_ＰＳｉ_ＱＣｒ_Ｒ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ）Ｎ層、からなり、下部層は、単一相構造を有し、特定の組成式：［Ｔｉ_{１−（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）}Ａｌ_ＸＳｉ_ＹＣｒ_Ｚ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】同時加熱スパッタ法による圧電体薄膜の成膜において、酸素抜けや高い内部応力の発生を防ぐ。
【解決手段】液体吐出ヘッドのアクチュエータとなる圧電体薄膜をスパッタリングによって基板を加熱しながら成膜する。この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ₁ の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。続いて、結晶化温度より高い温度に基板を加熱し、結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより大きい状態で堆積層を折衝貸しながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】 比較的耐熱性の低いガラス基板上やプラスチック基板上に、可視光に対する透過性が高いｐ型の透明酸化物を成膜した半導体接合を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板またはプラスチック基板上にp型の透明酸化物薄膜としてCuCrO₂を400℃未満で成膜したことを特徴とする半導体接合であり、さらに、上記CuCrO₂のCrの一部を二価の陽イオンであるM=Mg、Ca、Be、Sr、Ba、Zn、Cd、Fe、Niのいずれか一種類以上と元素置換したCu(Cr,M)O₂を用いたことを特徴とする半導体接合である。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着法であっても、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る。
【解決手段】 この樹脂製品１０は、樹脂基材１１の上に無機化合物を含む無機質下地膜１２を成膜し、無機質下地膜１２の上に光輝性及び不連続構造のＣｒ又はＩｎよりなる金属皮膜１３を物理蒸着法により成膜することを含んで製造される。より具体的には、無機質下地膜１２は、金属化合物よりなる薄膜であれば物理蒸着法により、無機塗料よりなる塗膜であればスプレー塗装等により成膜できる。金属皮膜１３は、Ｃｒ，Ｉｎ等を真空蒸着、スパッタリング等することにより成膜できる。 （もっと読む）

【課題】難削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）１〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ−Ｚ}Ａｌ_ＸＳｉ_ＹＣｒ_Ｚ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．３０〜０．７０、Ｙは０．０１〜０．１０、Ｚは０．０１〜０．１５を示す）を満足するＴｉとＡｌとＳｉとＣｒの複合窒化物層からなる下部層、（ｂ）０．１〜１．５μｍの平均層厚を有する窒化バナジウム層からなる層間密着層、（ｃ）それぞれ０．１〜１μｍの一層平均層厚を有する窒化バナジウム層と酸化バナジウム層の交互積層構造からなり、かつ、１〜５μｍの全体平均層厚を有する上部層、以上（ａ）〜（ｃ）で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されて成るボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜と、半導体活性層間で汚れ付着等による汚染のない清浄な界面を実現と、生産性が高く、安価かつ大量に生産できる上、特性の優れたフレキシブル薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を形成した可撓性プラスチックの基材２上に、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層を形成するボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法であって、ロール状の基材２を連続巻取方式の成膜装置１２の真空成膜室内で、ゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層とを大気開放することなく連続してスパッタ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）