【課題】物理蒸着法であっても、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る。
【解決手段】 この樹脂製品１０は、樹脂基材１１の上に無機化合物を含む無機質下地膜１２を成膜し、無機質下地膜１２の上に光輝性及び不連続構造のＣｒ又はＩｎよりなる金属皮膜１３を物理蒸着法により成膜することを含んで製造される。より具体的には、無機質下地膜１２は、金属化合物よりなる薄膜であれば物理蒸着法により、無機塗料よりなる塗膜であればスプレー塗装等により成膜できる。金属皮膜１３は、Ｃｒ，Ｉｎ等を真空蒸着、スパッタリング等することにより成膜できる。 （もっと読む）

【課題】難削材の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、（ａ）１〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ−Ｚ}Ａｌ_ＸＳｉ_ＹＣｒ_Ｚ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．３０〜０．７０、Ｙは０．０１〜０．１０、Ｚは０．０１〜０．１５を示す）を満足するＴｉとＡｌとＳｉとＣｒの複合窒化物層からなる下部層、（ｂ）０．１〜１．５μｍの平均層厚を有する窒化バナジウム層からなる層間密着層、（ｃ）それぞれ０．１〜１μｍの一層平均層厚を有する窒化バナジウム層と酸化バナジウム層の交互積層構造からなり、かつ、１〜５μｍの全体平均層厚を有する上部層、以上（ａ）〜（ｃ）で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されて成るボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜と、半導体活性層間で汚れ付着等による汚染のない清浄な界面を実現と、生産性が高く、安価かつ大量に生産できる上、特性の優れたフレキシブル薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を形成した可撓性プラスチックの基材２上に、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層を形成するボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法であって、ロール状の基材２を連続巻取方式の成膜装置１２の真空成膜室内で、ゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層とを大気開放することなく連続してスパッタ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングにより、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る。
【解決手段】樹脂製品１０（例えばミリ波レーダー装置カバー）は、板状の樹脂基材１１と、樹脂基材１１の上に、結晶構造が同一であり格子定数差が１０％以内である少なくとも２種の金属であって真空蒸着では不連続構造を相対的に形成しやすい易形成金属と相対的に形成しにくい難形成金属とがその順で切り替わってスパッタリングされた部分を含んで成膜された光輝性及び不連続構造の金属皮膜１２とを含み、金属皮膜１２の上には保護膜としてのトップ塗膜、おさえ塗膜等が形成される。 （もっと読む）

【課題】優れた耐屈曲性、耐熱性およびガスバリア性を兼ね備えた積層フィルムを提供することにある。
【解決手段】基板フィルム上に少なくとも１層の無機層（Ａ）と、少なくとも１層のアモルファスカーボンを主成分とするアモルファスカーボン層（Ｂ）とを有し、少なくとも１層の前記アモルファスカーボン層（Ｂ）の表面における（酸素原子数／炭素原子数）の比が０．０１以上であることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、蒸着形成された組成式：［Ｃｒ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（ただし、Ｘは、原子比で、０．０２〜０．１を示す）を満足するＣｒとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｃｒ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（ただし、Ｘは、原子比で、０．０２〜０．１を示す）を満足するＣｒとＳｉの複合窒化物層、薄層Ｂは、クロム窒化物（ＣｒＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度と適度な靭性を有しながら、クラック進展を抑制する効果、低摩擦係数、耐凝着性に有効な非晶質カーボン被覆切削工具、及び非晶質カーボン皮膜の製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質カーボン皮膜を被覆した非晶質カーボン被覆切削工具において、該非晶質カーボン皮膜は、Ｂ、Ｃｌ、Ｓ、Ｐ、Ｆ、Ｏ、Ｎの少なくとも１種以上の元素を含有し、該元素の含有量は、原子％で、０．０１％以上、２５％以下であることを特徴とする非晶質カーボン被覆切削工具及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性銀系被覆、そのような被覆を堆積させる方法およびその使用方法の提供。
【解決手段】銀系材料被覆の耐硫化性は、被覆の自由表面から１０ｎｍ〜１μｍ、特に１００ｎｍ〜１μｍの深さまで、銀、酸素および材料中に存在することがある一種以上の酸化し得る合金化元素の濃度勾配を形成することにより、さらに改良される。そこで、本被覆は、１個の、銀系材料から製造された主要層１および１個の、酸化された薄膜２の積重構造を含んでなる。これによって、厚さ１０ｎｍ〜１μｍの薄膜が、薄膜２と主要層１との間の界面３から該薄膜２の自由表面２ａに向かって減少して行く銀濃度勾配を有する。支持体上への被覆の堆積は、２つの連続した物理的蒸着工程により、より詳しくは、マグネトロン陰極スパッタリングにより、達成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はダイヤモンドライクカーボン複合層と基材が比較的高い結合力を持つ金型を提供する。
【解決手段】本発明は、ダイヤモンドライクカーボン複合層を有する金型に関するものであり、前記ダイヤモンドライクカーボン複合層は、基材から外側表面までに、順次に第一層乃至第Ｎ＋１層を備え、前記第一層から第Ｎ層までは、金属又は金属窒化物である詰め物を含むダイヤモンドライクカーボン層であって、且つ各層の詰め物のモルパーセント含有量が逓減し、第Ｎ＋１層は純ダイヤモンドライクカーボン層であって、前記Ｎの値は２〜３０である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、ＣｒとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａ及び薄層Ｂは、特定な組成式を満足するＣｒとＳｉの複合窒化物層及びＴｉとＳｉの複合窒化物層からなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化ほう素を３０〜９５質量％含有する超高圧焼結材料製インサートの表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、１．５〜６μｍの平均層厚を有する下部層と０．３〜３μｍの平均層厚を有する上部層とからなり、（ｂ）下部層は、蒸着形成された組成式：［Ｃｒ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（ただし、Ｘは、原子比で、０．０２〜０．１を示す）を満足するＣｒとＳｉの複合窒化物層からなり、（ｃ）上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ０．０１〜０．３μｍの薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、薄層Ａは、組成式：［Ｃｒ_１−ＸＳｉ_Ｘ］Ｎ（ただし、Ｘは、原子比で、０．０２〜０．１を示す）を満足するＣｒとＳｉの複合窒化物層、薄層Ｂは、チタン窒化物（ＴｉＮ）層からなる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。
前記スパッタリングによって被処理物に光学薄膜を成膜するに際し、前記ターゲットにバイアス印加手段１０５によって正のバイアスを印加して、前記被処理物に光学薄膜を成膜する工程を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
高速度切削、高送り切削、被削材の高硬度化などの厳しい切削加工条件において長寿命を実現できる切削工具用の被覆部材を提供する。
【解決手段】
基材の表面に被膜を被覆した被覆部材において、被膜は、基材に接して被覆された平均膜厚０．００１〜０．１μｍのＭＮ_x（但し、ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ａｌの中の少なくとも１種を示し、ｘはＭに対するＮの原子比を示し、ｘは０．１０≦ｘ≦０．９０を満足する。）で表される窒素拡散膜と、窒素拡散膜に接して被覆された表面膜と、からなる被覆部材。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】簡素な工程で、高品質な保護膜を形成することができる表示装置の製造方法およびそれに用いるマスクを提供する。
【解決手段】基板１１上にマスク１４０を配置し、マスク１４０の枠部１４２で電極パッド領域２０を覆うと共に開口部１４１内に表示領域３０を露出させ、プラズマＣＶＤ法により表示領域３０に窒化ケイ素などよりなる保護膜を形成する。枠部１４２の開口部１４１側に、傾斜面を有するガス案内部１４３を設ける。枠部１４２と基板１１との接点近傍でガスの流れが変わってしまうことがなく、マスク１４０近傍で保護膜の厚みが不均一になってしまうことがなくなる。ガス案内部１４３の下端１４３Ａと上端１４３Ｂとを結ぶ直線が、枠部１４２の基板対向面１４４に対してなす傾斜角θは、１０度以上１５度以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気データ記録層の結晶化度と磁気結晶異方性を高めることにより、垂直磁気記録媒体に要求される熱安定性と雑音特性を達成することを目的とする。
【解決手段】磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ³/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。合金化元素は、ホウ素(Ｂ)、炭素(Ｃ)、アルミニウム(Ａｌ)、ケイ素(Ｓｉ)、チタン(Ｔｉ)、バナジウム(Ｖ)、マンガン(Ｍｎ)、クロム(Ｃｒ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ニオブ(Ｎｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、イッテルビウム(Ｙｂ)、ルテチウム(Ｌｕ)、ハフニウム(Ｈｆ)、ビスマス(Ｂｉ)及びタングステン(Ｗ)から選択される。同磁気記録媒体の製造方法と使用するスパッタターゲットとの構成を特定構成とした。 （もっと読む）

【課題】皮膜の更なる高硬度化と耐摩耗性を向上させ、耐熱性を改善して温度上昇よる摩耗増大を抑制した硬質皮膜を提供することである。更に、該硬質皮膜を複数層被覆した多層皮膜被覆部材、及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】基材表面に組成が異なる硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、該硬質皮膜は少なくとも硬質皮膜Ａ及び硬質皮膜Ｂを有し、該硬質皮膜Ａは、Ｓｉ（Ｂ_ｕＣ_ｖＮ_ｗＯ_ｚ）で示され、但し、ｕ、ｖ、ｗ、ｚは各元素の原子％、ｕ＞０、ｖ＞０、ｗ＞０、ｚ≧０、ｕ＋ｖ＋ｗ＋ｚ＝１、を満足する硬質皮膜、該硬質皮膜Ｂは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｖ、Ｓｉから選択される２種以上とＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓから選択される１種以上を有する硬質皮膜であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体デバイスにおいて、漏れ電流路が形成されることを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物パワー半導体デバイスの製造方法において、少なくとも２つの異なる成長方法により、遷移層を基板上で成長させる。 （もっと読む）

【課題】炭素系膜を生産性良好に形成することができる真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】炭素系膜を形成するための、炭素を主成分とするカソード１１を真空アーク放電により蒸発させて炭素系膜を基材Ｗ上に形成する真空アーク蒸着装置。該装置は、１００アンペア程度以下の低アーク電流で真空アーク放電を維持するためにアーク電源１３とカソード１１との間のリアクタンス成分発生回路Ｒを有しており、アーク放電回路におけるリアクタンス成分発生のためのインダクタンスは１ｍＨ以上１０ｍＨ以下である。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】〔１〕 （Ｚｒ_1-a ，Ｈｆ_a ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜であって、０．０５≦ａ≦０．４、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜（但し、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである）、〔２〕（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（ただし、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜（但し、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである）等。 （もっと読む）