【課題】 電極膜としてのクロム膜を形成する際の引っ張り応力の発生を減少させ、ＣＩ値、温度特性などの特性劣化を防止することが可能な圧電振動片の製造方法を提供する。
【解決手段】 ジャイロ振動片１０の駆動アーム１５Ｂの表裏面にクロム膜１９Ｂを２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さに形成する。クロム膜１９Ｂは、スパッタリング装置５０を用い、スパッタリング法によって形成する。このときの、スパッタリング装置５０の容器５１内の圧力は、０．２８Ｐａ（パスカル）以上０．３２Ｐａ（パスカル）以下とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が制御されて高い配向性を有し優れた圧電特性を有し、圧電体膜と電極との密着性が高く、膜剥がれが抑制されて耐久性が高い圧電体及び、作動環境の温度が変化しても圧電特性が劣化しない圧電体を得て、これを用いた圧電体、圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置を提供する。
【解決手段】特定のＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物の積層構造を有し、積層構造が、第１の結晶相の層と、該第１の結晶相と異なる結晶相を有する第２の結晶相の層と、第１の結晶相の層と第２の結晶相の層との間に設けられる境界層とを有し、第１の結晶相と第２の結晶相が特定の結晶相を有し、境界層が結晶相が層の厚さ方向において漸次に変化するものであり、積層構造全体として、単結晶構造または一軸配向結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】硬質皮膜の耐欠損性、潤滑性の特性を犠牲にすることが無く、特に皮膜の低応力化により優れた密着性を有する硬質皮膜を提供することとその被覆方法を提供する。
【解決手段】硬質皮膜は、４ａ、５ａ、６ａ族、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉから選択される１種以上の金属元素と、Ｓを含みＣ、Ｎ、Ｏから選択される１種以上の非金属元素によって構成され、該硬質皮膜は柱状組織構造を有し、該柱状組織構造の結晶粒はＳ成分に組成差を有する多層構造を有し、少なくとも該多層構造における層間の境界領域で結晶格子縞が連続している領域があり、各層の厚みＴ（ｎｍ）が０．１≦Ｔ≦１００、Ｘ線回折による（２００）面のピーク強度をＩｂ、（１１１）面のピーク強度をＩａとしたときに、そのピーク強度比Ｉｂ／Ｉａは、Ｉｂ／Ｉａ＞１．０であることを特徴とする硬質皮膜とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マスクとの接触によるダメージを低減するとともに、目的部分に的確に薄膜を形成し、加工形状歩留まりに優れたマスク及びそのマスクの製造方法並びに液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 液滴吐出用の吐出室１３となる流路が形成されたキャビティ基板２に薄膜を形成するために使用される単結晶シリコン５０ａからなるマスク５０であって、キャビティ基板２の薄膜形成部分（共通電極部３０）に対応した形状に形成された開口部５１を備え、少なくとも吐出室１３となる流路範囲に対向する領域を開口部５１から隔離されたザグリ５２（凹部）として形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆高速度工具鋼製切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆高速度工具鋼製切削工具が、高速度工具鋼基体の表面に、（ａ）上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍの一層平均層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有する。 （もっと読む）

【課題】基材に完全に被覆し、製品の型形成後の分離が容易なコーティング形成方法の提供。
【解決手段】金属コーティングを形成する方法であって：（ａ）真空状態にあるかあるいは不活性雰囲気を有するチャンバー内において金属イオンを生成するための金属ターゲットにおいてアークを発生させる段階；（ｂ）その上に金属層を形成するための基材上へ金属イオンを被着させる段階；及び（ｃ）前記金属層上に一次金属−気体化合物層および前記一次金属−気体化合物層上に二次金属−気体化合物層を形成するためのチャンバー内の気体の量の調節であって、前記一次及び二次金属−気体化合物層が異なる気体原子含有量を有する調節の段階を含む方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超硬合金の表面に備わる金属機械加工のために改良された性質、及び前記基材の表面上に硬質の耐摩耗性の被膜を有する切削工具を開示する。
【解決手段】前記被膜は物理蒸着法（ＰＶＤ）によって堆積される。前記被膜は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）と組み合わされた金属窒化物からなる。前記被膜は、薄層で多層の構造からなる。このインサートは、すくい面及び逃げ面のそれぞれの上に種々の外側層を備えるためにさらに処理される。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆高速度工具鋼製切削工具を提供する。
【解決手段】高速度工具鋼基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の一層平均層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａは特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ａ＋Ｂ）}Ａｌ_ＡＶ_Ｂ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、上記薄層Ｂは特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｃ＋Ｄ）}Ａｌ_ＣＶ_Ｄ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＶ_Ｆ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 反射層に接して硫黄を含む保護層を設けても反射層が劣化せず安定性の高い光記録媒体の提供、及び、その光記録媒体を実現するために必要なスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 （１）少なくとも記録層、保護層、反射層を有する光記録媒体であって、保護層に接する反射層が、Ａｇを主成分とし、Ｉｎを０．３〜１重量％、Ｃｌを０．１〜０．６重量％含むことを特徴とする光記録媒体。
（２）保護層の材料が硫黄を含むことを特徴とする（１）記載の光記録媒体。
（３）Ａｇを主成分とし、Ｉｎを０．３〜１重量％、Ｃｌを０．１〜０．６重量％含むことを特徴とする（１）又は（２）記載の光記録媒体の反射層製膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】食品,日用品,医薬品などの包装分野において、また電子機器関連部材などの分野において、包装材料としての通常の加工が施されてもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に、好適に用いられる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、透明なプラスチックフィルムからなる基材層１の表面に、厚さ５〜３００nmの酸化アルミニウム蒸着薄膜層２と、厚さ１〜５nmのアルミニウム蒸着薄膜層３と、重合しうるアクリル系のモノマーからなる又はこのモノマーとオリゴマーとの混合物からなる未硬化のフラッシュ蒸着被膜層を、紫外線又は電子線を照射して硬化させてなる、厚さ０.０２〜２０μmのガスバリア性被膜層４とを、順次積層したことを特徴とするガスバリア性積層フィルムである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超硬合金の表面に備わる金属機械加工のために改良された性質、及び前記基材の表面上に硬質の耐摩耗性の被膜を有する切削工具を開示する。
【解決手段】前記被膜は物理蒸着法（ＰＶＤ）によって堆積される。前記被膜は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）と組み合わされた金属窒化物からなる。前記被膜は、薄層で多層の構造からなる。このインサートは、すくい面及び逃げ面のそれぞれの上に種々の外側層を備えるためにさらに処理される。 （もっと読む）

【課題】 結晶表面が平坦でかつ結晶性に優れ、しかも強磁性を有し、キュリー温度の高いIV−VI族強磁性半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜製造装置の成長室内の真空度を１×１０^-8Torr以下に保ち、さらにベースとなる基板の温度を１００℃〜４００℃の範囲内に保ち、使用する蒸着原料に応じて、IV−VI族化合物半導体の結晶成長表面への蒸着原料の供給量を制御する、すなわち、蒸着原料にIV−VI族化合物、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するVI族元素（VI）と磁性元素（ＴＭ）の供給比VI／ＴＭが０．５から５の範囲内となるように、蒸着原料にIV族元素、磁性元素、VI族元素を用いる場合には、成長室に供給するIV族元素（IV），磁性元素（ＴＭ），VI族元素（VI）の供給比VI／（ＴＭ＋IV）が１から６になるように制御することによる。 （もっと読む）

【課題】 蒸発源に充填できる蒸着材料の量は限られているので、ＥＬ層を成膜する際に、多数の大面積基板を連続して処理することが益々困難となっている。そこで、蒸着材料の利用効率を高め、大面積基板にも連続して蒸着することのできる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 被膜を堆積させる基板と対向し、該基板の一表面に対応して移動可能に設けられた蒸発源と、該蒸発源に蒸着材料を供給する手段（蒸着材料供給手段）とを備えた成膜装置とする。蒸発源は、被膜を堆積する基板の一表面を走査可能とする移動手段に保持され、蒸着材料供給手段は、気流により蒸着材料の粉末を供給する方式、蒸着材料を溶媒中に溶解又は分散している原料液をエアロゾル化して供給する方式、若しくは、ロッド状、ワイヤ状、可撓性フィルムに付着した状態、粉体状の蒸着材料を機械的機構により供給する方式とする。 （もっと読む）

【課題】 真空蒸着法によって、膜厚のばらつきの少ない防汚膜を光学物品に形成できる防汚性光学物品の製造装置を提供すること。
【解決手段】 円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆切削工具が、超硬基体の表面に、あるいは、高速度工具鋼基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ及びＢは、特定な組成式を満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｘ＋Ｚ）}Ａｌ_ＸＳｉ_Ｚ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．４５〜０．６５、Ｚは０．０１〜０．１０を示す）を満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 珪素単結晶を基板としてIII族窒化物半導体層を設けるのに際し、そのIII族窒化物半導体層を良質な結晶層とすることができ、素子特性を優れたものとすることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、珪素単結晶からなる基板１０１上にIII族窒化物半導体からなる層を備えた半導体素子１０において、上記基板１０１の一表面に、立方晶の炭化珪素ゲルマニウム（組成式Ｓｉ_1-XＧｅ_XＣ：０＜Ｘ＜１）からなるIV族元素膜１０２が設けられ、そのIV族元素膜１０２に接合させて上記III族窒化物半導体からなる接合層１０３が設けられているものである。 （もっと読む）

【課題】 電解研磨または化学研磨によって金属基材の表面粗さを改善し、優れた超電導特性を有する酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】 Ｍｏを含まないＮｉ−Ｃｒ合金からなり、その表面が電解研磨または化学研磨された金属基材上にイオンビームアシスト法によって多結晶中間薄膜が設けられ、該多結晶中間薄膜上に酸化物超電導体薄膜が設けられてなることを特徴とする酸化物超電導導体。 （もっと読む）

【課題】 高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を最表面側に含むＤＬＣ多層膜を約３μｍ以上厚く形成しても、基材およびＤＬＣ膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたＤＬＣ成形体を提供する。
【解決手段】 基材１と、ＤＬＣ系膜３と、基材１とＤＬＣ系膜３との間の中間層２とからなるＤＬＣ硬質多層膜成形体である。ＤＬＣ系膜３は、基材１側から順に、第１のＤＬＣ系膜３ａと第２のＤＬＣ系膜３ｂとからなり、第１のＤＬＣ系膜３ａの表面硬度は、ナノインデンテーション試験で１０ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下の範囲内にあり、第２のＤＬＣ系膜３ｂの表面硬度は、ナノインデンテーション試験で４０ＧＰａ超９０ＧＰａ以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】芳香族ポリアミドフィルムを使用したフレキシブル配線板の製造において、（１）初期密着力、（２）１５０℃大気中に１６８時間放置した後の耐熱密着力、（３）１２１℃、湿度９５％、２気圧の環境下に１００時間放置するＰＣＴ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）後のＰＣＴ密着力の各々が、すべて４００Ｎ／ｍ以上となる総厚の薄い２層フレキシブル基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の２層フレキシブル基板は、芳香族ポリアミドフィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成し、前記下地金属層が接する側の前記芳香族ポリアミドフィルムの表面には、乾式表面処理法により膜厚２〜１５ｎｍの改質層が設けられていることを特徴とする。また、改質した該フィルムの表面上に、ニッケル−クロム−モリブデン合金を含有する下地金属層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多層膜の成膜において、膜の密着性を高め、クラックの発生を抑制し、成膜後の波長シフトの小さい光学素子の製造を可能とする。
【解決手段】 多層膜の成膜方法であって、通常蒸着により圧縮応力を示す蒸着膜を形成するステップ、及びプラズマを用いた蒸着により引張応力を示す蒸着膜を形成するステップからなる多層膜の成膜方法において、圧縮応力を示す蒸着膜と引張応力を示す蒸着膜とを交互に積層するようにした。 （もっと読む）