【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】ＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜が高い付着強度で工具母材に設けられ、そのＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られるようにする。
【解決手段】Ａｌ_a Ｔｉ_b Ｃｒ_c の窒化物または炭窒化物から成るＩ層２２が工具母材１２の表面上に設けられるとともに、ＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜から成るII層２６が最表層となるように、それ等のＩ層２２およびII層２６が交互に２層以上積層されて硬質被膜２０が構成されているため、高い付着強度が得られる。また、Ｉ層２２およびII層２６の層厚Ｔ１、Ｔ２は何れも５０ｎｍを超えており、且つ被膜全体の総膜厚Ｔtotal は０．１μｍ〜２０μｍの範囲内であるため、II層２６を構成しているＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られ、高負荷時の工具寿命が向上するとともに、溶着が抑制されることで加工面粗さが向上する。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供する。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体１０を脱ガスし、第１の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料が成膜された基体を、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向で第２成膜室４２へ案内し、第２の方向に案内中の基体の第１の面とは反対側の第２の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第１の面に第１の膜材料が成膜され且つ第２の面に第２の膜材料が成膜された基体を第１ロール室と第２ロール室の間に設けた第３ロール室Ｗ３でロール状に巻取り、第３ロール室で巻き取った基体を第１の方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出し、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスし、基体の第１の面に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出し、第２の膜材料の上に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室でロール状に巻取り、第１ロール室で巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第１の面に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料の上に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 樹脂フィルムに比べて伸び難く且つ割れやすい長尺ガラスフィルムに対して熱負荷の掛かる表面処理を連続的に施す方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール２１０から連続的に引き出された長尺ガラスフィルムＧを搬送経路に沿って搬送しながら順に加熱処理、表面処理および冷却処理を施す長尺ガラスフィルムＧの処理方法であって、前記表面処理では長尺ガラスフィルムＧの一方の面を熱媒で加熱されたキャンロール２３３の外周面上に接触させながら他方の面にスパッタリング等の熱負荷の掛かる処理を施し、前記搬送経路における前記表面処理と前記加熱処理との間および／または前記冷却処理の後において例えばアキュムレータロールを用いて長尺ガラスフィルムＧの伸縮を調整する。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式：（Ａｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｃｒ_ｘＳｉ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層からなり、硬質被覆層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である断面長径０．０５〜１．０μｍの金属粒子を含有し、該金属粒子は硬質被覆層中に３〜２０％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち、構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ断面長径が基板表面となす鋭角が４５°以下などの条件を満たす粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）である。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐熱亀裂性および耐溶着欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｂ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ａ層＋Ｂ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｂ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ａ層＋Ｂ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的優れた品質の有機ＥＬ素子を製造し得る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を搬送部に供給し、該搬送部表面に前記基材の一面側を当接させて前記基材を搬送しつつ、前記搬送部と対向し且つ前記基材に対して近接する位置に配された蒸着源のノズルから、気化された有機ＥＬ膜の構成層形成材料を吐出させて、前記基材における前記搬送部と反対の面側に有機ＥＬ膜の構成層を形成する蒸着工程を含んでなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記蒸着工程では、更に、回転軸を中心として回転駆動する板状の回転体を有し且つ該回転体に開口部が形成されたシャドーマスクを、前記搬送部に当接した前記基材と前記ノズルとの間にて基材の近傍に介入させ、前記基材の移動に追従するように前記シャドーマスクを回転させつつ、前記開口部を通して気化された前記構成材料を基材側に供給し、前記基材に前記開口部に応じた有機ＥＬ膜の構成層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）

【課題】蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造が容易で、大型基板量産工程に容易に適用され、製造収率及び蒸着効率の向上した有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法に係り、蒸着物質を放射する第１蒸着源１１０ａ、及び第１蒸着源上にスタックされた形態に配列され、第１蒸着源と異なる蒸着物質を放射する第２蒸着源１１０ｂと、被蒸着体に向かう第２蒸着源の一側に配置され、第２蒸着源から形成された複数個の第２蒸着源ノズル１２１ｂを含む第２蒸着源ノズル部と、第２蒸着源の一側に配置され、第１蒸着源から第２蒸着源を貫通して形成された第１蒸着源ノズルを含む第１蒸着源ノズル部１２１ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】既知のＮＴＯ膜より低抵抗な透明伝導膜の製造方法および透明電動膜素材を提供すること。
【解決手段】ガラス基板等に導電性透明酸化亜鉛膜とＮＴＯ膜とをこの順に形成したのちにアニール処理することを特徴とする透明導電膜の作成方法である。導電性透明酸化亜鉛は、ＧＺＯとすることができる。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性（特に、水蒸気バリア性）を有するフィルム及びこのフィルムを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも一方の面にアンカー層２を介して、厚み方向の少なくとも一部の領域において、下記（１）及び／又は（２）の特性を有する酸化アルミニウムの蒸着層３を形成する。（１）酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）の組成比（ｙ／ｘ）のピークが２．１〜３．０にある（２）酸化アルミニウムの密度が３．４ｇ／ｃｍ^３以上である （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移（クエンチ）しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体１０は、金属製の基材１と、基材１上に設けられた単層または複数層からなる中間層２と、中間層２上に設けられた酸化物超電導層３と、を備え、中間層２を構成する全ての層２１、２２が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）