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Fターム[4K029BB02]の内容

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Fターム[4K029BB02]に分類される特許

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【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第1の層と、該第1の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第2の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第の層に含まれるシリコン原子の量は、第の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第1の層と前記第2の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜が、透明導電膜成膜時の基板温度を−60〜50℃とし、かつ成膜用の反応性ガスとして酸素を用い、酸素分圧を1.0×10−3〜40×10−3Paにしてスパッタリング法にて成膜されてなり、酸化インジウムの他、酸化スズを平均で0.1〜5質量%、及び特定の物質群のなかから選択した物質を平均で0.1〜5質量%少なくとも含み、かつ、透明導電膜の比抵抗が4×10−4〜2.5×10−3Ω・cmである透明導電性フィルム。 (もっと読む)


【課題】高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置(LCD)等の電子デバイスを提供すること。
【解決手段】シリコンを主成分とするメインターゲット1m上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット1sを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ7に載置した基板8に薄膜を形成することで解決できる。 (もっと読む)


【課題】耐久性、光学特性に優れると共に、配線精度の高精度化を容易に図ることができる透明配線層を備えた透明導電フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明導電フィルム1は、透明な樹脂からなる基材フィルム11と、基材フィルム11の表面に形成され、基材フィルム11よりも光屈折率の高い高屈折コート層12と、高屈折コート層12の表面に形成され、高屈折コート層12よりも光屈折率の低い低屈折コート層13と、低屈折コート層13の表面に形成された酸化形素からなる防湿性の下地層14と、下地層14の表面においてパターン形成され、下地層14よりも光屈折率の高い結晶質のITOからなる透明配線層15とを有する。透明配線層15は、ITOの結晶子サイズが9nm以下である。 (もっと読む)


【課題】基板上に中間層の1層としてCr膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板10上に中間層20を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてCr膜22を形成するCr膜形成工程と、その他の層(例えばベッド層24、2軸配向層26、キャップ層28等)を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高硬度鋼の高速切削加工でRaが0.5〜1.3μmの優れた仕上げ面精度を長期にわたって発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】窒化チタン13〜30%、アルミニウムおよび/または酸化アルミニウム6.5〜18%、残部窒化ほう素(以上、いずれも質量%)からなる圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、分散相を形成する立方晶窒化ほう素相と連続相を形成する窒化チタン相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有する切削チップ本体の表面に硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、(a)硬質被覆層は、1.5〜3μmの平均層厚を有する下部層と0.3〜3μmの平均層厚を有する上部層とからなり、(b)下部層は、組成式:[Ti1−XAl]N(ただし、原子比で、Xは0.40〜0.60)を満足するTiとAlの複合窒化物層からなり、(c)上部層は、一層平均層厚がそれぞれ0.05〜0.3μmの薄層Aと薄層Bの交互積層構造を有し、薄層Aは、組成式:[Ti1−XAl]N(ただし、原子比で、Xは0.40〜0.60)を満足するTiとAlの複合窒化物層、薄層Bは、Ti窒化物(TiN)層からなる。 (もっと読む)


【課題】弾性体からなるシール部材と硬質部材とが摺接する摺動部品において従来技術よりも高い耐摩耗性(高い耐久性)を備えた摺動部品およびそれを用いた機械装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る摺動部品は、弾性体からなるシール部材と硬質部材とが摺接する摺動部品であって、前記硬質部材の基材の最表面には窒素を含有する非晶質炭素皮膜が形成されており、前記非晶質炭素皮膜は、炭素と窒素との合計を100原子%とした場合に、窒素の含有率が3〜25原子%であり、前記シール部材は、少なくとも摺接面領域にフッ素を含有し、該フッ素の含有率が前記窒素の含有率以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材1上に硬質皮膜4を備えた硬質皮膜形成部材10(10a)であって、硬質皮膜4は、組成がTiCrAlSi(B)(ただし、a、b、c、d、e、u、v、wは所定量の原子比)を満足するA層2と、組成がTiCrAl(B)(ただし、f、g、h、x、y、zは所定量の原子比)を満足するB層3とを備え、厚さが0.5μm以下の中間層5を介してまたは中間層5を介さずにB層3の上にA層2が積層され、A層2の厚さが0.5〜5.0μmであり、B層3の厚さが0.05〜3.0μmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高速・高能率切削が可能な、TiAlSiNよりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の硬質皮膜は、(Ti1−a−b−c−d,Al,Cr,Si,B)(C1−eNe)からなる硬質皮膜であって、Al,Cr,Si,Bのそれぞれの原子比a,b,c,dが、0.5≦a≦0.8、0.06≦b≦0.3、0<c≦0.1、0≦d≦0.1、0.01≦c+d≦0.1およびa+b+c+d<1を満たすようにし、かつNの原子比eが0.5≦e≦1を満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】結晶系の異なる圧電材料の厚さ方向の分布にムラが生じるのを抑えて、基板上に圧電体を薄膜化した構成で圧電特性を向上させる。
【解決手段】基板上に形成される圧電薄膜4は、結晶系の異なる圧電材料からなる層が、各層ごとに柱状結晶を並べた状態で交互に積層されて構成される。各圧電材料の組成比は、結晶系が変化する相境界を構成する組成比である。 (もっと読む)


【課題】有機材料の利用効率の向上と装置設置面積の削減とを両立させて、有機ELデバイスの製造コストを低減できる薄膜形成装置及びインライン型の有機ELデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】基板16の搬入位置20に配置され、基板16と蒸着マスク17とを相対的に移動させて位置合わせする位置合せ機構15と、基板16が組み込まれた蒸着マスク17を搬送する搬送機構14と、基板16と蒸着マスク17が移動しながら、蒸着マスク17の開口部を通して基板16上に有機材料を積層する成膜機構13と、を備え、少なくとも成膜機構13の前段もしくは後段のいずれか一方において、基板16の搬入位置20もしくは搬出位置21の搬送機構14a、14cと成膜区間の搬送機構14bとが並列配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性に優れた硬質皮膜形成部材および硬質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材1上に硬質皮膜4を備えた硬質皮膜形成部材10であって、硬質皮膜4は、組成がTiCrAlSi(B)(ただし、a、b、c、d、e、u、v、wは所定量の原子比)を満足するA層2と、組成がTiCrAl(B)(ただし、f、g、h、x、y、zは所定量の原子比)を満足するB層3とを備え、A層2とB層3が交互に積層され、前記A層と前記B層の1組の積層構造を1単位としたときに、この1単位の厚さが、10〜50nmであり、かつ硬質皮膜4の膜厚が1〜5μmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高硬度鋼の高速切削加工で優れた耐剥離性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素の含有量が50〜85容量%のcBN基超高圧焼結体の表面に硬質被覆層を形成してなる切削工具において、(a)硬質被覆層は、1.5〜3μmの平均層厚を有する下部層と上部層とからなり、(b)下部層は、組成式:[Ti1−XAl]N(Xは原子比で0.30〜0.60)を満足するTiとAlの複合窒化物層からなり、(c)上部層は、一層平均層厚がそれぞれ0.03〜0.3μmの薄層Aと薄層Bの交互積層構造を有し、薄層Aは、組成式:[Ti1−XAl]Nを満足するTiとAlの複合窒化物層、薄層Bは、Ti窒化物(TiN)層からなり、(d)皮膜表面の表面粗さ、残留応力、ナノインデンテーション硬さを所定の値とする。 (もっと読む)


【課題】 切削工具や冷間および温熱間における鍛造、プレス加工といった金属の塑性加工に使用される工具において耐久性に優れる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に皮膜を被覆した被覆工具であり、該皮膜は、硬度が30GPa以上であるAlCr系の窒化物または炭窒化物の硬質皮膜と、該硬質皮膜と基材の界面にある中間皮膜からなり、該中間皮膜は膜厚が2〜40nm、結晶粒子の平均幅が40nm以下のTiの金属、またはTiの窒化物、炭化物、炭窒化物の何れかからなる被覆工具である。 (もっと読む)


【課題】表面の親水性に優れ、摺動抵抗が小さいダイヤモンド状炭素被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが35mJ/m以上であることを特徴としており、ダイヤモンド状炭素被膜中におけるケイ素含有量は、3原子%以上であることが好ましく、スパッタリング法により形成することができる。 (もっと読む)


【課題】DCスパッタ法を用いて、MgO膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にMgO膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するMgO下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でMgおよびMgOを含むターゲットを用いる反応性DCスパッタ法によって、非磁性基体にMgOからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、L10系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】隣接する薄膜間に勾配層が形成された多層膜であって、勾配層における濃度勾配がなだらかな多層膜を形成し得る方法を提供する。
【解決手段】円筒型の第1及び第2のターゲット31b,32bを、第1のターゲット31bからのスパッタ粒子の飛散領域である第1の飛散領域R1と、第2のターゲット32bからのスパッタ粒子の飛散領域である第2の飛散領域R2とが重なるように配列し、第1のターゲット31b内の第1のカソード31aと第2のターゲット32b内の第2のカソード32aとの間に交流電圧を印加した状態で、基体10を、第1及び第2のターゲット31b,32bの配列方向において、第1のターゲット31b側から第2のターゲット32b側に向けて移動させ、第1及び第2の飛散領域R1,R2を通過させることによって基体10の上に、第1及び第2の薄膜11,13と勾配層12とを形成する。 (もっと読む)


【課題】耐久性に優れた表面被覆部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面被覆部材は、鋼系部材もしくは超硬合金部材からなる基部にPVD法によりTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、AlおよびCrの少なくとも1種以上の窒化物、炭化物または炭窒化物からなる第1層と、第1層上に被覆されたAl−Cr系窒化物の第2層と、または第1層上に被覆された傾斜層であるAl−Cr系窒化物の第2層を有する。表面被覆部材の製造方法は、鋼系部材もしくは超硬合金部材からなる基部にPVD法によりTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、AlおよびCrの少なくとも1種以上の窒化物、炭化物または炭窒化物からなる第1層を被覆し、第1層上にAl−Cr系窒化物の第2層を被覆し、または第1層上に傾斜層であるAl−Cr系窒化物の第2層を被覆することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高速加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆歯切工具を提供する。
【解決手段】 高速度鋼からなる歯切工具基体の表面に、すくい面摩耗性に優れた第一の被覆層と、逃げ面摩耗性に優れた第二の被覆層とを被覆形成した表面被覆歯切工具において、切れ刃エッジから1mmの位置における上記第一の被覆層のすくい面側の膜厚をT1、逃げ面側の膜厚をt1、また、上記第二の被覆層の逃げ面側の膜厚をT2、すくい面側の膜厚をt2とした場合に、逃げ面側の膜厚が、T2/t1>1、かつ、すくい面側の膜厚が、t2/T1<1を満足し、さらに、切れ刃エッジ部において、第一の被覆層と第二の被覆層の界面が連続して繋がっている層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】 切刃における被覆層のチッピングや剥離を抑制できるとともに耐溶着性を向上した切削工具を提供する。
【解決手段】 棒状で、外周に切刃2と、切刃2よりも内側に凹んだ位置に形成される切屑排出溝3とを備えた基体4の表面に1層以上の被覆層5を被覆してなり、切刃2の表面には基体4の全周にわたって被覆される第1被膜層5aに加えて基体4側に別途第2被覆層4bが形成されているツイストドリル1等の回転工具である。 (もっと読む)


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