【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、真空チャンバ２と、基板３１を保持する基板ホルダ３２と、真空チャンバ２内で基板３１に対向可能な状態にターゲット１１，１２をそれぞれ支持するカソード機構２１，２２と、互いに材質の異なるターゲット１１，１２と基板３１との間に個別に進退してターゲット１１，１２で発生した成膜粒子を遮蔽又は開放するシャッタ４１，４２とを備えている。これらシャッタ４１，４２の少なくとも１つ、例えばシャッタ４２を、ターゲット１１，１２の材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した。 （もっと読む）

【課題】下地膜を酸素や水分と反応させずに、下地膜の表面に光が透過できる金属酸化物膜を形成する光透過性金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
気体分子を前記気体分子の凝縮温度以下の凝縮面に凝縮させて捕捉する第一の真空ポンプ１２₁を用いて第一の真空雰囲気を形成し、第一の真空雰囲気中に配置された成膜対象物３０の下地膜の表面に金属酸化物の粒子を付着させて第一の金属酸化物膜を形成し、気体分子を大気中に移動させる第二の真空ポンプ１２₂を用いて第二の真空雰囲気を形成し、化学構造中に酸素を有する反応性ガスの第二の真空雰囲気中の分圧を第一の真空雰囲気中の分圧より大きくし、第二の真空雰囲気中に配置された成膜対象物の第一の金属酸化物膜の表面に金属又は金属酸化物の粒子を付着させて第二の金属酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】リークパスの発生を抑制し、耐電圧特性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】Ｐｔ下部電極層４上に第１の比誘電率を有する第１のＰＺＴ圧電体層５Ａをアーク放電反応性イオンプレーティング（ＡＤＲＩＰ）法により形成し、第１のＰＺＴ圧電体層５Ａ上に第１の比誘電率より小さく表面ラフネスの小さい第２のＰＺＴ圧電体層５ＢをＡＤＲＩＰ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】多様な３次元形状の射出成形物又はガラスのような外装部品にでも耐指紋コーティング又は超撥水コーティングが可能な外装部品の表面コーティング方法及びその装置を提供する。
【解決手段】外装部品の表面コーティング方法であって、蒸着チャンバー内で、表面コーティングの対象となる一つ以上の外装部品を公転及び自転可能に配置するステップと、前記外装部品の公転軌跡によって囲まれる領域内に設置される気化装置にコーティング成分を含む一つ以上のタブレットをセットするステップと、前記外装部品の公転及び自転を実行している間に、前記タブレットを気化させることにより前記外装部品それぞれの表面にコーティング層を蒸着するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電定数のばらつきを小さくでき、耐電圧特性を向上させることができ、製造歩留りを向上させる圧電アクチュエータとその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、TiO_x密着層３’、Pt下部電極層４、PZT圧電体層５及びPt上部電極層６を積層して圧電アクチュエータを構成する。TiO_x密着層３’のTiO_xの組成比xは0<x<2であり、つまり、TiO_x密着層３’はTiを不完全に酸化させて成膜する。密着層３’による絶縁層２と下部電極層４との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層４、密着層３’及び絶縁層２の境界を明瞭にすることができる。 （もっと読む）

【課題】同一の材料を使用して透明導電膜の積層を行い、可撓性、高透過率を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材の少なくとも一方の面に、非晶性の第一透明導電膜と、結晶性の第二透明導電膜を積層してなる透明導電性積層体であって、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜が同一組成のスパッタリングターゲットを使用して形成され、かつ、前記第一透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ以上として形成され、前記第二透明導電膜が成膜時の水分圧を５．０×１０^-4Ｐａ未満として形成されることを特徴とする透明導電性積層体である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、Ａｌ_aＴｉ_bＭ_cＮ_dＯ_eからなるＡ層と、Ａｌ_fＣｒ_gＭｅ_hＮ_dＯ_eからなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、式中ＭおよびＭｅは、それぞれ独立してＶ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、およびＳｉからなる群より選ばれる１種以上の元素を示し、被覆膜の表面から被覆膜の厚み方向に被覆膜全体の厚みの１０％以上５０％以下の領域が、酸素を含有する酸素含有領域となっており、該酸素含有領域において、Ａ層およびＢ層は、ｅ＞０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高送り・乾式の深穴用ドリル加工条件においても硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性と切屑排出性を発揮する表面被覆ドリルを提供する。
【解決手段】ドリル先端部の逃げ面の皮膜断面の結晶粒形状を観察したとき、粒径制御層を構成する結晶粒が幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜６．０μｍの柱状晶からなり、かつ、ドリルの切屑排出溝のうち、ドリル先端部からドリル基体の長さに沿ってドリル径の５倍の長さまでの領域において、粒径制御層を構成する切れ刃の皮膜断面の結晶粒形状を観察したとき、粒径制御層を構成する結晶粒の平均アスペクト比が、ドリル先端から後方に向けて、１〜１００の範囲で漸次減少し、かつ、ドリル先端部から直径の０．０１倍の位置における平均アスペクト比が直径の５倍の位置における平均アスペクト比の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】薄い基材上に厚いアルミニウムを被着させても基材が撓むことのない被着方法を提供する。
【解決手段】基材を静電チャック上に配置し、静電チャックにバイアスを印加しない状態でアルミニウムの第１層を被着させ、次に静電チャックにバイアスを印加して基材を支持体に密着し、そして第１層より厚いアルミニウムの第２層を２２℃未満の基材温度で第１層に連続して被着させる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅（Ｃｕ）からなる第１ターゲット３０ａ，３０ａとニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素からなる第２ターゲット３０ｂ，３０ｂとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板１０上に第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程、及びその第１酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第２酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、Ａｌ_aＴｉ_bＭ_cＮ_dＯ_eからなるＡ層と、Ａｌ_fＣｒ_gＭｅ_hＮ_dＯ_eからなるＢ層とが交互に各２層以上積層された積層体を含み、式中ＭおよびＭｅは、それぞれ独立してＶ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、およびＳｉからなる群より選ばれる１種以上の元素を示し、被覆膜の表面から被覆膜の厚み方向に被覆膜全体の厚みの１０％以上５０％以下の領域が、酸素を含有する酸素含有領域となっており、該酸素含有領域において、Ａ層およびＢ層は、ｅ＞０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体膜中にｐ型酸化物半導体材料を含ませることで酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。これは、ｎ型酸化物半導体膜中の意図せずに生じた電子が、ｐ型酸化物半導体材料中に生じたホールと再結合することにより、消滅するためである。従って、酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高い水蒸気バリア性を示す水蒸気バリア膜を提供する。
【解決手段】第１酸化物（Ｘ）からなる蒸着材と第２酸化物（Ｙ）からなる蒸着材を用い、反応性プラズマ蒸着法によって同時に蒸着する共蒸着法で成膜した、２種類の酸化物から構成された水蒸気バリア膜であって、バリア膜の膜厚が３０〜５００ｎｍの範囲内であるとき、θ×ΔＢ≧５０（但し、５０°≦θ≦１２５°、ΔＢ＞０．４）を満たすことを特徴とする。なお、θは成膜後、温度２５℃、相対湿度５０％ＲＨの条件で１日間保持した水蒸気バリア膜における水滴接触角を示し、ΔＢは第１酸化物（Ｘ）の塩基度Ｂ_Xと第２酸化物（Ｙ）の塩基度Ｂ_Yとの差の絶対値を示す。また、水蒸気バリア膜中の第１酸化物（Ｘ）の含有割合をｘモル、第２酸化物（Ｙ）の含有割合をｙモルとするとき、ｘ及びｙは０．０５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５を満たす。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主な目的は、相変化材料層を形成する方法を提供することにより、従来の技術でのウエハの表面の汚染、歩留まりの減少という問題を克服することができる。
【解決手段】ケイ素又は他の半導体、或いは、ケイ素系や他の半導体系の添加剤を有する相変化材料層が、ケイ素や他の半導体及び相変化材料を含む複合スパッタターゲットを使用することによって形成される。その複合スパッタターゲットのケイ素または他の半導体の濃度は、形成される前記層におけるケイ素または他の半導体の特定された濃度よりも５倍以上大きい。GST型の相変化材料のケイ素系添加剤に対し、スパッタターゲットは４０原子％以上のケイ素を含むことができる。ケイ素系又は他の半導体系の添加剤は、成膜時のスパッタチャンバー内に、酸素や窒素のような反応ガスの流れを伴なう複合スパッタターゲットを用いて形成され得る。 （もっと読む）

【課題】 基材と最表面層に被膜される炭化バナジウム（ＶＣ）膜との間に中間層としてバナジウム系金属とは異なる異種金属であるＴｉの窒化物膜又は炭窒化物膜を形成することにより、耐摩耗性に優れた硬度及び十分な密着性を得ることができる成膜方法及び耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】 ＶＣ膜をイオンプレーティング法によって基材に成膜するための成膜方法であって、前記基材の表面にＴｉＮ膜又はＴｉＣＮ膜を中間層として成膜し、前記基材に前記中間層を介して前記ＶＣ膜を最表面層として成膜する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、２以上の層を含み、該２以上の層のうち少なくとも一層は、ＭｏＮからなる第１化合物層であり、該第１化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第１化合物層の直下の層は、Ｍ_1-xＭｏ_xＮ_y（０．０１≦ｘ≦０．３、０．９５≦ｙ≦１．０５）からなる第２化合物層であり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、およびＶからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、第２化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ４２００ｍｇｆ／μｍ²以上の硬度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、２以上の層を含み、該２以上の層のうち少なくとも一層は、ＮｂＮからなる第１化合物層であり、該第１化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第１化合物層の直下の層は、Ｍ_1-xＮｂ_xＮ_y（０．０１≦ｘ≦０．３、０．９５≦ｙ≦１．０５）からなる第２化合物層であり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、およびＶからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、第２化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ４２００ｍｇｆ／μｍ²以上の硬度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）