【課題】酸化物半導体層を備えた配線構造のスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に少なくとも、ゲート絶縁膜、及び酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｚ群元素）から構成される第１の酸化物半導体層、並びに、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｇｅ、ＷおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｙ群元素）を含む第２の酸化物半導体層を有する積層体であると共に、前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】坩堝同士の汚染を防止する。
【解決手段】
蒸発材料３が収められた複数の坩堝を備え回転軸を中心に回転する回転テーブル２と、電子ビーム照射位置に位置する一つの坩堝７に対して電子ビームを照射して坩堝７の蒸発材料３を蒸発させる電子銃１と、回転テーブル２の上側に複数の坩堝７を覆い、かつ電子銃１に対向する電子ビームの照射領域の全てが開口したカバー６とを備えた多点蒸発源装置において、回転テーブル２の上面に坩堝７を仕切るように形成された溝２４と、この溝２４に嵌り込みこんで各坩堝を仕切り、回転テーブル２の回転と共に回転する遮蔽体２０と、各坩堝が電子ビームの照射位置に来たとき、遮蔽体２０を上昇させ、遮蔽体２０とカバー６との間隔を狭める遮蔽体昇降手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】潤滑油を用いた湿式条件下で低摩擦かつ高耐摩耗性を示す摺動部材を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、潤滑油の存在下で摺動される摺動面をもつ基材と、該摺動面の少なくとも一部に固定した皮膜と、を備え、
前記皮膜は、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）およびホウ素（Ｂ）を含み、非晶質炭素を主成分として含む第一層と、ＣおよびＴｉを主成分として含む第二層と、を繰り返し交互に積層してなり、硬さが１８ＧＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に１％以下（ｐｐｍオーダー）の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧１×１０^−１〜１×１０^−３Ｔｏｒｒという環境下にて予めグロー放電によるプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第１高分子樹脂層、ガスバリア層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１０は、互いに異なる組成を有したＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂを有する。また、スパッタ装置１０は、基板Ｓを加熱する加熱面を有して、基板Ｓを該加熱面に吸着しながら加熱する基板ステージ１３と、基板ステージ１３を基板Ｓの周方向に回転させる回転部１８とを備えている。こうしたスパッタ装置１０は、基板ステージ１３が基板Ｓを吸着且つ加熱した状態で、回転部１８が基板ステージ１３を回転させつつ、ＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板Ｓ上に積層する。 （もっと読む）

【課題】光透過性、耐熱性および力学的強度に優れた透明導電性フィルムおよびそれを含むタッチパネルを提供すること。
【解決手段】基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を有する透明導電性フィルムであって、該基材が、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含む、透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性を有し、かつ、ガスバリア層と積層する薄膜層との密着性に優れた透明ガスバリアフィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子基材フィルム上に、少なくとも珪素酸化物からなる薄膜層が積層された透明ガスバリアフィルムであって、該珪素酸化物からなる薄膜層の表面がアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）の混合ガスを原料とするイオン照射処理されてなるものであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の機能領域を有する有機化合物膜を作製する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に複数の蒸発源を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を
連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。さらに
、成膜室の内壁の表面は電解研磨されている。成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手
段を有し、基板搬送手段は、成膜部の上方に設けられ、成膜部と同一空間を有しており、
成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有している。成膜部は、基板搬送手段に
よる基板の搬送空間を含んで設けられ、基板搬送手段に基板が保持された状態で蒸着が行
われる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 （もっと読む）

【課題】 積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、第１の無機層と第２の無機層とを積層した積層体であり、前記第１の無機層が、金属および半金属から選択される少なくとも１種と、窒素とを含む層であり、前記第２の無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも１種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む層であることを特徴とする。 （もっと読む）