防汚性光学物品の製造装置
【課題】 真空蒸着法によって、膜厚のばらつきの少ない防汚膜を光学物品に形成できる防汚性光学物品の製造装置を提供すること。
【解決手段】 円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【解決手段】 円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、防汚性光学物品の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学物品の基板上には、反射防止膜、各種フィルタ、ミラー等の光学多層膜が用途に応じて設けられる。光学多層膜は、各層の層厚の制御が容易な真空蒸着法、スパッタ法等の乾式の製造方法によって形成される。これら光学多層膜の表面には、付加価値を高めるために、皮脂等の汚れが付着しにくく、かつ汚れを拭取り易くするための防汚膜が形成される。
防汚膜は、製造工程を簡略化するために、光学多層膜の形成と同様に乾式の真空蒸着法で形成される。防汚膜を形成する材料には、フッ素含有有機ケイ素化合物等の高分子化合物が用いられる。これらの高分子化合物を真空蒸着することによって光学多層膜表面に防汚膜が形成される。
【０００３】
ここで、真空蒸着法により防汚膜の形成を行うと、真空蒸着の蒸発源と光学物品までの距離の差および蒸着角度によって防汚膜の膜厚にばらつきを生じる。また、蒸着を行うチャンバの排気口の配置によっては、チャンバ中の蒸着物質の濃度分布に偏りが生じ、光学物品に形成される防汚膜の膜厚が不均一になる。
蒸発源と光学物品までの距離の差等による防汚膜の膜厚のばらつきは、補正板の使用によって、ある程度少なくできるが、チャンバ内の蒸着物質の濃度分布の偏りに起因する膜厚のばらつきは、補正板では少なくできない。
チャンバ内のガス濃度分布を制御する方法として、排気口を試料（基板）の中心上に配置して、試料周辺のガス流を均一化する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２６９３６２号公報（５〜１０頁、図３〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１は、導入されたガスのガス流を均一化する方法である。したがって、ガスを導入しない真空蒸着法において、チャンバの排気口の配置を決めてチャンバ内の蒸着物質の濃度分布を制御する方法は示唆されていない。
本発明の目的は、真空蒸着法によって、膜厚のばらつきの少ない防汚膜を光学物品に形成できる防汚性光学物品の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の防汚性光学物品の製造装置は、光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、前記チャンバ内を排気する複数の排気口が、前記回転軸に対して回転対称に配置されていることを特徴とする。
ここで、回転軸に対し回転対称に配置するとは、ｎ個の排気口を回転軸に対し（３６０／ｎ）度回転しても、もとの排気口の配置と同じになるように排気口を配置することである。
【０００７】
この発明によれば、支持装置に対して、複数の排気口が支持装置の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れが支持装置の回転軸に対して等方的になる。排気が等方的に行われることによって、光学物品が支持された支持装置の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布が回転軸に対して等方的となり、かつ均一になる。したがって、光学物品の表面に形成される防汚膜の膜厚のばらつきが少なくなる。
【０００８】
本発明の防汚性光学物品の製造装置は、光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、前記チャンバを構成する上下面の少なくとも一方に、前記回転軸に対して回転対称となる形状を有している排気口が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、支持装置の回転軸に対して回転対称となる形状の排気口で排気するため、排気の流れが支持装置の回転軸に対して等方的になる。排気が等方的に行われることによって、光学物品が支持された支持装置の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布が回転軸に対して等方的となり、かつ均一になる。したがって、光学物品の表面に形成される防汚膜の膜厚のばらつきが少なくなる。
【００１０】
本発明の防汚性光学物品の製造装置は、光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、前記回転軸に対し回転対称となる形状を有している排気口が、前記チャンバを構成する側壁の全周に渡って設けられていることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、支持装置の外周方向にあたる側壁全周に渡って排気口が設けられているので、排気の流れが支持装置の回転軸に対して等方的になる。排気が等方的に行われることによって、光学物品が支持された支持装置の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布が回転軸に対して等方的となり、かつ均一になる。したがって、光学物品の表面に形成される防汚膜の膜厚のばらつきが少なくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本実施形態の防汚性光学物品であるプラスチックレンズ１の断面図が示されている。また、図２には、本実施形態の防汚性光学物品の製造装置である真空蒸着装置１００の概略図が示されている。
図１において、プラスチックレンズ１の基板１０の両面には、耐擦傷性を高めるためのハードコート層１１が設けられている。ハードコート層１１上には、反射防止膜１２が設けられ、その表面にはフッ素含有有機ケイ素化合物を含む膜である防汚膜１３が設けられている。
【００１３】
図２において、真空蒸着装置１００は、基板１０への乾式の表面処理を行う製造装置である。ここで、ハードコート層１１は、真空蒸着装置１００で形成してもよいし、予め他の方法、例えば湿式であるゾルゲル法等で形成してもよい。本実施形態では、予め湿式法によってハードコート層１１まで設けられた基板１０を基板１５として説明する（図１参照）。基板１５は、支持装置２０に複数支持されている。
【００１４】
以下に、真空蒸着装置１００を図面に基づいてより具体的に説明し、続いて基板１５への表面処理工程を説明する。
真空蒸着装置１００は、支持装置２０が内部を通過可能な三つのチャンバ３０，４０および５０を備えている。これらのチャンバ３０，４０，および５０は互いに連結され、その内部を支持装置２０が通過可能となっている。つまり、支持装置２０は、真空蒸着装置１００の内部を工程ごとに移動して、基板１５への表面処理が行われる。また、支持装置２０は、それぞれの基板１５に対して均一に表面処理が行えるように、図示しない回転機構によって回転させられている。
【００１５】
チャンバ３０，４０および５０は、チャンバ間に設けられた図示しないシャッタによって相互に密封されるようになっている。そして、チャンバ３０，４０および５０の内圧は、真空生成装置３１，４１および５１によってそれぞれ制御されている。
【００１６】
チャンバ３０は、エントランスまたはゲートチャンバである。支持装置２０は、外部からチャンバ３０の内部に導入され、一定時間、一定の圧力下で加熱される。このとき、基板１５および支持装置２０に吸着したガスの脱ガスが行われる。チャンバ３０の真空生成装置３１は、ロータリーポンプ３２、ルーツポンプ３３およびクライオポンプ３４を備えている。
【００１７】
チャンバ４０は、真空蒸着による薄膜の形成、プラズマ等による表面処理を行なうチャンバである。チャンバ４０の真空生成装置４１もチャンバ３０の真空生成装置３１と同様に、ロータリーポンプ４２、ルーツポンプ４３およびクライオポンプ４４を備えている。
【００１８】
チャンバ４０の内部には、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせて反射防止膜１２を効率よく形成するために、蒸発源６１および蒸発源６２が設けられている。そして、これらの蒸発源６１，６２に配置された蒸着物質６３，６４を蒸発させる電子銃６５，６６および蒸着量を調整するシャッタ６７，６８が設けられている。
屈折率の異なる蒸着物質の例として、低屈折率物質として酸化ケイ素が、高屈折率物質としては、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムが挙げられる。
【００１９】
また、チャンバ４０には、プラズマ処理を行うために、高周波プラズマ発生装置７０が設置されている。高周波プラズマ発生装置７０は、チャンバ４０の内部に設置されたＲＦコイル７１と、チャンバ４０の外部でこれに接続されているマッチングボックス７２と、高周波発信器７３とから構成されている。
プラズマ処理に使用されるガスである酸素とアルゴンは、酸素供給手段７４およびアルゴン供給手段７５から、マスフローコントローラ７８で流量が制御されて導入される。流量は、オートプレシャーコントローラ７７でチャンバ４０の内部が所定の圧力になるように制御されている。
【００２０】
さらに、チャンバ４０には、イオンアシスト蒸着および表面処理を行うためのイオンガン８０が設置されている。イオンガン８０には、導入ガスをプラズマ化し、正イオンを発生するためのＲＦ電源８１と、正イオンを加速するためのＤＣ電源８２とが接続されている。
イオンガン８０に使用する酸素とアルゴンは、酸素供給手段７４およびアルゴン供給手段７５から、マスフローコントローラ８３で流量が制御されて導入される。
【００２１】
チャンバ５０は、反射防止膜１２等の表面処理が施された表面に、蒸着により防汚膜１３を形成するチャンバである。反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５は、支持装置２０とともにチャンバ４０からチャンバ５０に移動する。
チャンバ５０の内部には、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む蒸発源９０と、加熱ヒータ９１と、補正板９２とが設置されている。補正板９２は、補正板支持部材９３によって加熱ヒータ９１に固定されている。支持装置２０の異なる位置に支持された基板１５に対する蒸着量は、補正板９２の開度を調整する事により調整できるようになっている。
チャンバ５０の内部は、排気口１１１から排気管１１０を通じて真空生成装置５１によって排気されている。ここで、支持装置２０に支持された各基板１５の位置でのフッ素含有有機ケイ素化合物の濃度をより均一にするために、複数の排気口１１１が所定の位置に設けられている。真空生成装置５１は、ロータリーポンプ５２、ルーツポンプ５３およびターボ分子ポンプ５４を備えている。
【００２２】
以下に、補正板９２の配置等について詳しく説明する。
図３には、支持装置２０および蒸発源９０の概略断面図が示されている。また、図４には、支持装置２０、蒸発源９０、加熱ヒータ９１、および補正板９２の上面図が示されている。支持装置２０は、円形ドーム形状を有している。
図３において、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５は、同心円状に四つの段にわたって支持装置２０に支持されている。各段の呼び名は、中心から順に１段、２段、３段、外周側を４段とする。また、支持装置２０は、蒸着が行われている間、図３中の１点鎖線で示されている回転軸を中心に回転させられている。
蒸発源９０は、各基板１５に形成される防汚膜１３の膜厚を均一にするために、各基板１５との距離ができるだけ等しく、蒸着角度ができるだけ狭い範囲になる位置に設置するのが好ましい。しかし、図中の矢印で示すように、蒸着距離と蒸着角度が支持装置２０の各段の位置によって大きく異なる。したがって、支持装置２０の異なる位置における蒸着量は大きく異なることになるが、補正板９２によって蒸着量を調整できる。
【００２３】
図４において、加熱ヒータ９１と補正板９２とは、支持装置２０の中心と外周との間に配置されている。また、二つの補正板９２は、蒸発源９０を挟むように配置され、かつ蒸発源９０と支持装置２０の間に配置されている（図２参照）。
支持装置２０は回転しているが、中心部と外周部では、蒸発源９０に対する移動速度が異なる。中心部は移動速度が遅く、外周部は早い。したがって、中心部ほど蒸着物質が多く蒸着される。
そこで、二つの補正板９２は、これらの間隔が中心部に向かっては狭く、外周部に向かって広く開口するように、ハの字型に配置、固定されている。
【００２４】
次に、排気口１１１の設けられている位置をより具体的に説明する。
図５には、図２で示された排気口１１１の配置が詳しく示されている。
図５（ａ）には、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図が示されている。図５（ｂ）は、真空蒸着装置１００の概略斜視図である。
本実施形態では、チャンバ５０は、互いに対向する上面の壁５５および下面の壁５６が正方形の直方体である。上面の壁５５と下面の壁５６とは、回転対称点１１２を有している。これら二つの回転対称点１１２を通る二点鎖線で示されている線は、チャンバ５０の回転対称軸であり、チャンバ５０は、二点鎖線で示されている回転対称軸に対し、回転対称な形状を有している。
支持装置２０は、チャンバ５０の回転対称軸と支持装置２０の回転軸が一致する位置で、回転させられている（図２参照）。したがって、回転対称点１１２は、支持装置２０の回転軸上に存在する。
【００２５】
排気口１１１は、上面の壁５５の４辺の中央付近に設けられている。つまり、４ヶ所の排気口１１１は、チャンバ５０の上面の壁５５にある回転対称点１１２に対して、回転対称に配置されている。これらの排気口１１１は、チャンバ５０の上面の壁５５または下面の壁５６のうち少なくとも一方に設けられていればよい。
【００２６】
排気口１１１のその他の配置例を図６〜図１３に示した。
図６および図７は、回転対称点１１２つまり回転軸に対して回転対称となる形状を有している排気口１１１を設けた場合を示した図である。
図６には、チャンバ５０の上面の壁５５および下面の壁５６に排気口１１１を配置した例を示した。
図６（ａ）には、チャンバ５０の上面から見た排気口１１１の配置図が示されている。図６（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図である。
排気口１１１は、回転対称点１１２に対し回転対称な形状である円形で、チャンバ５０の上面の壁５５および下面の壁５６の回転対称点１１２の位置に設けられている。排気口１１１は、少なくとも一方の壁に設けられていればよい。
【００２７】
図７には、排気口１１１をチャンバ５０の上面の壁５５に配置した例が示されている。
図７（ａ）には、チャンバ５０の上面の壁５５から眺めた排気口１１１の配置図が示されている。図７（ｂ）には、チャンバ５０の概略斜視図が示されており、図７（ｃ）には、チャンバ５０の概略断面図が示されている。
図７（ａ）において、排気口１１１の形状は、回転対称点１１２を中心としたリング状である。図７（ａ）では、排気口１１１は上面の壁５５の縁まで設けられているが、排気口１１１の大きさは、どのような大きさであってもよい。
図７（ｂ）および（ｃ）において、排気管１１０の形状は、片側の開口部が広がり、他方の開口部が絞られた漏斗状である。排気管１１０の広い開口部は、排気口１１１を覆うように上面の壁５５に接合されている。またリングの内側にあたる上面の壁５５は、チャンバ５０の内部に設けられた支持部材１１３によって支えられている。
【００２８】
図８〜図１２には、排気口１１１がチャンバ５０の側壁５７またはチャンバ５０内部に配置された例が示されている。
図８には、チャンバ５０の側壁５７上方に排気口１１１が４ヵ所配置された例が示されている。
図８（ａ）には、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図が示されている。図８（ｂ）には、真空蒸着装置１００の概略斜視図が示されている。
排気口１１１は、チャンバ５０の上面の壁５５から見て、壁５５の各辺の中心付近の側壁５７の上部４ヶ所に配置されている。つまり、複数の排気口１１１は、支持装置２０の回転軸に対し回転対称に配置されている。
図８（ｂ）に示されているように、チャンバ５０の側壁５７に排気口１１１を設ける場合、チャンバ５０とチャンバ４０との間には、段差が設けられている。特にチャンバ５０のチャンバ４０側の側壁５７に排気口１１１を設ける場合には、段差が必要である。
【００２９】
図９および図１０には、チャンバ５０に、排気口１１１を３ヶ所および５ヶ所に設けた例が示されている。
図９は、排気口１１１を３ヶ所に設けた配置図である。排気口１１１を３ヶ所に設ける場合、１ヶ所を側壁５７に設けると、支持装置２０の回転軸に対して回転対称となる他の二つの排気口１１１の配置は、チャンバ５０の内部になる。
したがって、他の二つの排気口１１１は、排気管１１０をチャンバ５０の内部まで延長して設けられる。
図１０は、排気口１１１をチャンバ５０に５ヶ所に設けた配置図である。３ヶ所設ける場合と同様に、１ヶ所を側壁５７に設けると、回転軸に対して回転対称となる他の四つの排気口１１１の配置位置は、チャンバ５０の内部になる。他の四つの排気口１１１は、排気管１１０をチャンバ５０の内部まで延長して設けられる。
【００３０】
図１１には、チャンバ５０の側壁５７の上方全周に排気口１１１が設けられた例が示されている。
図１１（ａ）は、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図である。図１１（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図で、図１１（ｃ）は、チャンバ５０の概略断面図である。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、排気口１１１は、チャンバ５０の側壁全周に設けられている。排気口１１１の形状は、側壁５７から見て帯状であり、支持装置２０の回転軸に対して回転対称な形状である。
図１１（ｂ）および図１１（ｃ）に示されているように、排気口１１１は、チャンバ５０の側壁５７上方の全周に設けられている。二つに分けられたチャンバ５０は、支持部材１１３によって４ヶ所で結合されている。
排気管１１０は、ほぼ漏斗状の形状を有しており、開口部の広い側が排気口１１１を包み込むように配置され、開口部の縁は、チャンバ５０の側壁５７に接合されている。他方の絞られた開口部は、真空生成装置５１に接続されている。
【００３１】
図１２には、図１１で示された排気口１１１の他に、下面の壁５６の回転対称点１１２に排気口１１１が設けられた例が示されている。
図１２（ａ）は、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図である。図１２（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図である。
【００３２】
図１３には、従来の排気口１１１の配置例が示されている。
図１３（ａ）は、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図である。図１３（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図である。
排気口１１１は、側壁５７の上方の隅に１ヶ所設けられている。
【００３３】
チャンバ５０の上面の壁５５および下面の壁５６は長方形であってもよい。この場合でも支持装置２０の回転軸に対して回転対称に排気口１１１を配置すればよい。また、排気口１１１が増えるほど、チャンバ５０内の排気の流れが等方的になるが、装置の構成が複雑になるため、排気口１１１は１〜５ヶ所が好ましい。
【００３４】
排気口１１１の片側は、真空生成装置５１に接続されている。各排気口１１１は、それぞれに同一排気量の真空生成装置５１を接続してもよい。つまり、各排気口１１１の排気量が、すべて等しくなるようにコンダクタンスを等しくして接続すればよい。
【００３５】
以下に真空蒸着装置１００による表面処理工程について説明する。
基板１０には、ハードコート層１１が形成されている。ハードコート層１１は、無機微粒子を有するゾルゲルを硬化する湿式法等によって得ることができる。この方法によれば、無機微粒子を基板１０の屈折率に合わせて選択することが可能で、基板１０とハードコート層１１との界面の反射が抑えられる。ハードコート層１１は、必要に応じて、片面および両面に形成される。基板１０の場合は、両面に形成する。
【００３６】
次に、反射防止膜１２を形成する。支持装置２０に支持された基板１５は、チャンバ３０に導入され脱ガスされる。次に支持装置２０を、チャンバ４０に移動し、ハードコート層１１の表面に反射防止膜１２を形成する。この工程では、高屈折率と低屈折率の複数の薄膜が交互に積層し、反射防止膜１２の最上層には、二酸化ケイ素を主成分とする薄膜を形成する。
【００３７】
次に、反射防止膜１２の最上層である二酸化ケイ素を含む薄膜とフッ素含有有機ケイ素化合物との反応性を高めるため、表面にシラノール基を生成するための処理を行う。
チャンバ４０に酸素またはアルゴンを導入し、オートプレシャーコントローラ７７とマスフローコントローラ７８によって、チャンバ４０内を一定圧力に制御する。高周波プラズマはおよそ１０-3から１０3Ｐａで発生可能であるが、１×１０-2Ｐａ〜１×１０-1Ｐａが好適である。高周波周波数は、１３．５６ＭＨｚである。処理時間は、０．５〜３分で、この工程で二酸化ケイ素の表面にシラノール基を生成する。
【００３８】
その他、シラノール基を生成するための処理として、イオンガン８０を使用することもできる。
イオンガン８０に、酸素またはアルゴンがマスフローコントローラ８３で一定流量に制御して導入する。導入されたガスは、イオンガン８０内部でプラズマ化される。プラズマは高周波プラズマであり、ＲＦ電源８１の周波数は通常１３．５６ＭＨＺである。生成した正イオンは、ＤＣ電源８２で電圧印加された加速電極によって引き出され、二酸化ケイ素の表面に照射される。なお、基板１０上で絶縁破壊が起き、異常放電が発生するのを防止するため、内蔵されたニュートライザーから電子を供給し中和している。処理時間は、０．５〜３分間で、この工程で、二酸化ケイ素の表面にシラノール基を生成する。
【００３９】
次に、蒸着によって、反射防止膜１２の表面に防汚膜１３を形成する。防汚膜１３が形成された後、チャンバ５０は徐々に大気圧に戻され、片面の表面処理の終了した基板１５を支持装置２０ごと取り出す。
【００４０】
その後、片面の表面処理の終了した基板１５は、表裏反転して再度支持装置２０にセットされ、同様な処理を行う。以上の工程によって、基板１５の両面に反射防止膜１２および防汚膜１３を形成する。
両面の表面処理の終了した基板１５を、チャンバ５０から取り出した後、図示しない恒温恒湿槽に投入し、適当な湿度と温度の雰囲気でアニールする。または、室内に所定時間放置してエージングを行う。その後、防汚膜１３の厚みを調整する必要があれば、過剰分を拭き取るなどの除去作業を行う。
以上の工程により、プラスチックレンズ１が得られる。
【００４１】
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
（１）円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４２】
（２）真空蒸着を行うチャンバ５０が円形ドーム形状の支持装置２０の回転軸に対して回転対称な形状を有しているので、排気口１１１による排気の流れをチャンバ５０内部に対しても等方的にできる。排気の流れが、支持装置２０およびチャンバ５０内部に対して等方的になることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対してより等方的にでき、かつより均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきをより少なくできる。
【００４３】
（３）上面の壁５５、下面の壁５６、側壁５７に排気口１１１を設けるので、チャンバ内に排気口を設ける必要がなく、チャンバの構造を簡単にできる。したがって、前述の効果を容易に達成できる。
【００４４】
（４）真空蒸着を行うチャンバ５０の回転対称軸と円形ドーム形状の支持装置２０の回転軸が一致し、支持装置２０の回転軸に対して回転対称となる形状の排気口１１１で排気するため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４５】
（５）支持装置２０の外周方向にあたる側壁５７全周に渡って排気口１１１が設けられているので、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４６】
（６）従来の真空蒸着装置では、チャンバ５０の排気口１１１が側壁５７の上方の隅の１ヶ所のみであるため、排気の流れが支持装置２０の回転軸に対して偏っており、補正板９２による膜厚調整は困難であった。
チャンバ５０内の排気の流れが支持装置２０の回転軸に対して等方的になるように排気口１１１を設けることによって、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にできる。したがって、補正板９２の調整を、支持装置２０の中心（回転軸）から外周にかけての濃度分布に対して行うことができ、防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４７】
以下、実施例に基づき本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
［実施例１］
プラスチック製の基板１０の上にハードコート層１１が形成された眼鏡用プラスチックレンズ（セイコーエプソン株式会社製：セイコースーパーソブリン）を凸面を下にして、支持装置２０の各段にセットした。
次に、チャンバ３０で脱ガスした後、チャンバ４０に移動し、ＳｉＯ2とＺｒＯ2の層を交互に蒸着し、これらの層からなる反射防止膜１２を成形した。この反射防止膜１２の最上層は、ＳｉＯ2層である。
その後、チャンバ５０に支持装置２０を移動して、真空蒸着法により防汚膜１３を形成した。真空蒸着には、チャンバ５０上面の壁に、４辺それぞれの中央部付近に排気口１１１を設けた真空蒸着装置１００を用いた（図５参照）。四つの排気口１１１は、それぞれのコンダクタンスが等しくなるように配管されて、真空生成装置５１に接続されている。
フッ素含有有機ケイ素化合物として、信越化学工業株式会社製の化合物（製品名ＫＹ−１３０、一般式（１））を用いた。
【００４９】
【化１】
ここで、ＫＹ−１３０を、フッ素系溶剤（住友スリーエム株式会社製：ノベックＨＦＥ−７２００）に希釈して固形分濃度３％溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに１ｇ含浸させ乾燥させたものを蒸発源９０としてチャンバ５０にセットした。
防汚膜１３形成中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ９１として使用し、蒸発源９０のペレットを６００℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は３分であった。
蒸着中は、四つの排気口１１１から絶えず排気を行った。防汚膜１３形成後、支持装置２０をチャンバ５０から取り出し、凹面にも同様の処理を施してプラスチックレンズ１を得た。
【００５０】
［実施例２］
フッ素含有有機ケイ素化合物として、ダイキン工業株式会社製の化合物（オプツールＤＳＸ、一般式（２））を用いた。
【００５１】
【化２】
オプツールＤＳＸを、フッ素系溶剤（ダイキン工業株式会社製：デムナムソルベント）に希釈して固形分濃度３％溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに１ｇ含浸させ乾燥させたものを蒸発源９０としてチャンバ５０にセットした。その他は、実施例１と同様であった。
【００５２】
［実施例３］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の上面の壁５５中央に１つの円形の排気口１１１が設けられた装置を用いた。図６（ｂ）に示された概略斜視図において、下面の壁５６の排気口１１１が設けられていない装置に相当する。その他は、実施例１と同様であった。
【００５３】
［実施例４］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の上面の壁５５の回転対称点１１２と、下面の壁５６の回転対称点１１２とにそれぞれ１つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図６参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５４】
［実施例５］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の上面の壁５５の周辺にわたって排気口１１１が設けられた装置を用いた（図７参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５５】
［実施例６］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の対向する側壁５７の上部にそれぞれ１つの排気口が設けられた装置を用いた（図８参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５６】
［実施例７］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０に３つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図９参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５７】
［実施例８］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０に５つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１０参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５８】
［実施例９］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の側壁５７の全周にわたって排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１１参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５９】
［実施例１０］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の側壁５７の上部全周にわたって排気口１１１が設けられ、さらに下面の壁５６の回転対称点１１２に１つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１２参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００６０】
［比較例］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の側壁５７の上端部に１ヶ所のみ排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１３参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００６１】
各実施例および比較例で得られたプラスチックレンズ１の評価を以下のように行った。
（１）接触角の測定
支持装置２０の各段で得られたプラスチックレンズ１の表面の接触角を、接触角計（「ＣＡ−Ｄ型」）協和株式会社製）を使用し、液適法によって純水の接触角を測定した。
（２）インク拭取り性
プラスチックレンズ１の凸面に、黒色油性マーカー（「ハイマッキーケア」ゼブラ株式会社製）で約４ｃｍの直線を引き５分放置した。その後、ワイプ紙で拭取りを行い、インクが完全に拭取れるまでに要する往復の拭取り回数を調べた。
【００６２】
接触角の測定およびインク拭取り性の評価を、初期段階と、１ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えた木綿布で３０００、５０００、および１００００回払拭した後に行った。
各実施例と比較例で得られたプラスチックレンズ１における接触角およびインク拭取り性の結果を各段ごとに、払拭回数に対して図１４に表として示した。
防汚膜１３に膜厚のばらつきが少ない場合には、払拭回数が増すにつれ、同じ割合で接触角およびインク拭取り性が低下する。そこで、初期の接触角を基準にして１００００回払拭後の接触角を規格化し相対的な膜厚を求めた。初期の接触角として、ＫＹ−１３０の場合は１０８°を、オプツールＤＳＸの場合は１１２°を用いた。
図１５に、求めた相対膜厚を支持装置２０の各段に対してグラフ化して示した。
図１５（ａ）は実施例１、（ｂ）は実施例２、（ｃ）は実施例３、（ｄ）は実施例４、（ｅ）は実施例５、（ｆ）は実施例６、（ｇ）は実施例７、（ｈ）は実施例８、（ｉ）は実施例９、（ｊ）は実施例１０、（ｋ）は比較例の結果を示している。
これらの評価結果から、排気口１１１による排気の流れが支持装置２０の回転軸に対して等方的になるように、排気口１１１を配置した各実施例では、比較例に対して各段間での膜厚のばらつきが少なくなることが確認できた。
【００６３】
また、本発明を実施するための最良の方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、排気口の数、排気口の形状、排気口の設けられる位置、使用する材料、処理時間、濃度、その他の詳細な事項において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した排気口の数、排気口の形状、排気口の設けられる位置、使用する材料、処理時間、濃度などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、排気口の数、排気口の形状、排気口の設けられる位置、それらの材料、処理時間、濃度などの限定の一部もしくは全部の限定を外した記載は、本発明に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラスチックレンズの断面図。
【図２】本発明の実施形態にかかる真空蒸着装置の概略図。
【図３】本発明の実施形態にかかる支持装置および蒸発源の概略断面図。
【図４】本発明の実施形態にかかる支持装置、蒸発源、加熱ヒータ、および補正板の上面図。
【図５】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態の真空蒸着装置の一例を示した概略斜視図。
【図６】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。
【図７】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。（ｃ）は、チャンバの一例を示した概略断面図。
【図８】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態の真空蒸着装置の一例を示した概略斜視図。
【図９】本実施形態の排気口の配置例を示した図。
【図１０】本実施形態の排気口の配置例を示した図。
【図１１】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。（ｃ）は、チャンバの一例を示した概略断面図。
【図１２】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。
【図１３】（ａ）は、比較例の排気口の配置を示した図。（ｂ）は、比較例のチャンバを示した概略斜視図。
【図１４】本発明の実施例と比較例との評価結果を表す図表。
【図１５】本発明の実施例と比較例との評価結果を表すグラフ。
【符号の説明】
【００６５】
１…防汚性光学物品であるプラスチックレンズ、１３…防汚膜、２０…支持装置、３０，４０，５０…チャンバ、５５…上面の壁，５６…下面の壁、５７…側壁、１００…防汚性光学物品の製造装置である真空蒸着装置、１１１…排気口。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、防汚性光学物品の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学物品の基板上には、反射防止膜、各種フィルタ、ミラー等の光学多層膜が用途に応じて設けられる。光学多層膜は、各層の層厚の制御が容易な真空蒸着法、スパッタ法等の乾式の製造方法によって形成される。これら光学多層膜の表面には、付加価値を高めるために、皮脂等の汚れが付着しにくく、かつ汚れを拭取り易くするための防汚膜が形成される。
防汚膜は、製造工程を簡略化するために、光学多層膜の形成と同様に乾式の真空蒸着法で形成される。防汚膜を形成する材料には、フッ素含有有機ケイ素化合物等の高分子化合物が用いられる。これらの高分子化合物を真空蒸着することによって光学多層膜表面に防汚膜が形成される。
【０００３】
ここで、真空蒸着法により防汚膜の形成を行うと、真空蒸着の蒸発源と光学物品までの距離の差および蒸着角度によって防汚膜の膜厚にばらつきを生じる。また、蒸着を行うチャンバの排気口の配置によっては、チャンバ中の蒸着物質の濃度分布に偏りが生じ、光学物品に形成される防汚膜の膜厚が不均一になる。
蒸発源と光学物品までの距離の差等による防汚膜の膜厚のばらつきは、補正板の使用によって、ある程度少なくできるが、チャンバ内の蒸着物質の濃度分布の偏りに起因する膜厚のばらつきは、補正板では少なくできない。
チャンバ内のガス濃度分布を制御する方法として、排気口を試料（基板）の中心上に配置して、試料周辺のガス流を均一化する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２６９３６２号公報（５〜１０頁、図３〜図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１は、導入されたガスのガス流を均一化する方法である。したがって、ガスを導入しない真空蒸着法において、チャンバの排気口の配置を決めてチャンバ内の蒸着物質の濃度分布を制御する方法は示唆されていない。
本発明の目的は、真空蒸着法によって、膜厚のばらつきの少ない防汚膜を光学物品に形成できる防汚性光学物品の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の防汚性光学物品の製造装置は、光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、前記チャンバ内を排気する複数の排気口が、前記回転軸に対して回転対称に配置されていることを特徴とする。
ここで、回転軸に対し回転対称に配置するとは、ｎ個の排気口を回転軸に対し（３６０／ｎ）度回転しても、もとの排気口の配置と同じになるように排気口を配置することである。
【０００７】
この発明によれば、支持装置に対して、複数の排気口が支持装置の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れが支持装置の回転軸に対して等方的になる。排気が等方的に行われることによって、光学物品が支持された支持装置の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布が回転軸に対して等方的となり、かつ均一になる。したがって、光学物品の表面に形成される防汚膜の膜厚のばらつきが少なくなる。
【０００８】
本発明の防汚性光学物品の製造装置は、光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、前記チャンバを構成する上下面の少なくとも一方に、前記回転軸に対して回転対称となる形状を有している排気口が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、支持装置の回転軸に対して回転対称となる形状の排気口で排気するため、排気の流れが支持装置の回転軸に対して等方的になる。排気が等方的に行われることによって、光学物品が支持された支持装置の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布が回転軸に対して等方的となり、かつ均一になる。したがって、光学物品の表面に形成される防汚膜の膜厚のばらつきが少なくなる。
【００１０】
本発明の防汚性光学物品の製造装置は、光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、前記回転軸に対し回転対称となる形状を有している排気口が、前記チャンバを構成する側壁の全周に渡って設けられていることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、支持装置の外周方向にあたる側壁全周に渡って排気口が設けられているので、排気の流れが支持装置の回転軸に対して等方的になる。排気が等方的に行われることによって、光学物品が支持された支持装置の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布が回転軸に対して等方的となり、かつ均一になる。したがって、光学物品の表面に形成される防汚膜の膜厚のばらつきが少なくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本実施形態の防汚性光学物品であるプラスチックレンズ１の断面図が示されている。また、図２には、本実施形態の防汚性光学物品の製造装置である真空蒸着装置１００の概略図が示されている。
図１において、プラスチックレンズ１の基板１０の両面には、耐擦傷性を高めるためのハードコート層１１が設けられている。ハードコート層１１上には、反射防止膜１２が設けられ、その表面にはフッ素含有有機ケイ素化合物を含む膜である防汚膜１３が設けられている。
【００１３】
図２において、真空蒸着装置１００は、基板１０への乾式の表面処理を行う製造装置である。ここで、ハードコート層１１は、真空蒸着装置１００で形成してもよいし、予め他の方法、例えば湿式であるゾルゲル法等で形成してもよい。本実施形態では、予め湿式法によってハードコート層１１まで設けられた基板１０を基板１５として説明する（図１参照）。基板１５は、支持装置２０に複数支持されている。
【００１４】
以下に、真空蒸着装置１００を図面に基づいてより具体的に説明し、続いて基板１５への表面処理工程を説明する。
真空蒸着装置１００は、支持装置２０が内部を通過可能な三つのチャンバ３０，４０および５０を備えている。これらのチャンバ３０，４０，および５０は互いに連結され、その内部を支持装置２０が通過可能となっている。つまり、支持装置２０は、真空蒸着装置１００の内部を工程ごとに移動して、基板１５への表面処理が行われる。また、支持装置２０は、それぞれの基板１５に対して均一に表面処理が行えるように、図示しない回転機構によって回転させられている。
【００１５】
チャンバ３０，４０および５０は、チャンバ間に設けられた図示しないシャッタによって相互に密封されるようになっている。そして、チャンバ３０，４０および５０の内圧は、真空生成装置３１，４１および５１によってそれぞれ制御されている。
【００１６】
チャンバ３０は、エントランスまたはゲートチャンバである。支持装置２０は、外部からチャンバ３０の内部に導入され、一定時間、一定の圧力下で加熱される。このとき、基板１５および支持装置２０に吸着したガスの脱ガスが行われる。チャンバ３０の真空生成装置３１は、ロータリーポンプ３２、ルーツポンプ３３およびクライオポンプ３４を備えている。
【００１７】
チャンバ４０は、真空蒸着による薄膜の形成、プラズマ等による表面処理を行なうチャンバである。チャンバ４０の真空生成装置４１もチャンバ３０の真空生成装置３１と同様に、ロータリーポンプ４２、ルーツポンプ４３およびクライオポンプ４４を備えている。
【００１８】
チャンバ４０の内部には、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせて反射防止膜１２を効率よく形成するために、蒸発源６１および蒸発源６２が設けられている。そして、これらの蒸発源６１，６２に配置された蒸着物質６３，６４を蒸発させる電子銃６５，６６および蒸着量を調整するシャッタ６７，６８が設けられている。
屈折率の異なる蒸着物質の例として、低屈折率物質として酸化ケイ素が、高屈折率物質としては、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ジルコニウムが挙げられる。
【００１９】
また、チャンバ４０には、プラズマ処理を行うために、高周波プラズマ発生装置７０が設置されている。高周波プラズマ発生装置７０は、チャンバ４０の内部に設置されたＲＦコイル７１と、チャンバ４０の外部でこれに接続されているマッチングボックス７２と、高周波発信器７３とから構成されている。
プラズマ処理に使用されるガスである酸素とアルゴンは、酸素供給手段７４およびアルゴン供給手段７５から、マスフローコントローラ７８で流量が制御されて導入される。流量は、オートプレシャーコントローラ７７でチャンバ４０の内部が所定の圧力になるように制御されている。
【００２０】
さらに、チャンバ４０には、イオンアシスト蒸着および表面処理を行うためのイオンガン８０が設置されている。イオンガン８０には、導入ガスをプラズマ化し、正イオンを発生するためのＲＦ電源８１と、正イオンを加速するためのＤＣ電源８２とが接続されている。
イオンガン８０に使用する酸素とアルゴンは、酸素供給手段７４およびアルゴン供給手段７５から、マスフローコントローラ８３で流量が制御されて導入される。
【００２１】
チャンバ５０は、反射防止膜１２等の表面処理が施された表面に、蒸着により防汚膜１３を形成するチャンバである。反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５は、支持装置２０とともにチャンバ４０からチャンバ５０に移動する。
チャンバ５０の内部には、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む蒸発源９０と、加熱ヒータ９１と、補正板９２とが設置されている。補正板９２は、補正板支持部材９３によって加熱ヒータ９１に固定されている。支持装置２０の異なる位置に支持された基板１５に対する蒸着量は、補正板９２の開度を調整する事により調整できるようになっている。
チャンバ５０の内部は、排気口１１１から排気管１１０を通じて真空生成装置５１によって排気されている。ここで、支持装置２０に支持された各基板１５の位置でのフッ素含有有機ケイ素化合物の濃度をより均一にするために、複数の排気口１１１が所定の位置に設けられている。真空生成装置５１は、ロータリーポンプ５２、ルーツポンプ５３およびターボ分子ポンプ５４を備えている。
【００２２】
以下に、補正板９２の配置等について詳しく説明する。
図３には、支持装置２０および蒸発源９０の概略断面図が示されている。また、図４には、支持装置２０、蒸発源９０、加熱ヒータ９１、および補正板９２の上面図が示されている。支持装置２０は、円形ドーム形状を有している。
図３において、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５は、同心円状に四つの段にわたって支持装置２０に支持されている。各段の呼び名は、中心から順に１段、２段、３段、外周側を４段とする。また、支持装置２０は、蒸着が行われている間、図３中の１点鎖線で示されている回転軸を中心に回転させられている。
蒸発源９０は、各基板１５に形成される防汚膜１３の膜厚を均一にするために、各基板１５との距離ができるだけ等しく、蒸着角度ができるだけ狭い範囲になる位置に設置するのが好ましい。しかし、図中の矢印で示すように、蒸着距離と蒸着角度が支持装置２０の各段の位置によって大きく異なる。したがって、支持装置２０の異なる位置における蒸着量は大きく異なることになるが、補正板９２によって蒸着量を調整できる。
【００２３】
図４において、加熱ヒータ９１と補正板９２とは、支持装置２０の中心と外周との間に配置されている。また、二つの補正板９２は、蒸発源９０を挟むように配置され、かつ蒸発源９０と支持装置２０の間に配置されている（図２参照）。
支持装置２０は回転しているが、中心部と外周部では、蒸発源９０に対する移動速度が異なる。中心部は移動速度が遅く、外周部は早い。したがって、中心部ほど蒸着物質が多く蒸着される。
そこで、二つの補正板９２は、これらの間隔が中心部に向かっては狭く、外周部に向かって広く開口するように、ハの字型に配置、固定されている。
【００２４】
次に、排気口１１１の設けられている位置をより具体的に説明する。
図５には、図２で示された排気口１１１の配置が詳しく示されている。
図５（ａ）には、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図が示されている。図５（ｂ）は、真空蒸着装置１００の概略斜視図である。
本実施形態では、チャンバ５０は、互いに対向する上面の壁５５および下面の壁５６が正方形の直方体である。上面の壁５５と下面の壁５６とは、回転対称点１１２を有している。これら二つの回転対称点１１２を通る二点鎖線で示されている線は、チャンバ５０の回転対称軸であり、チャンバ５０は、二点鎖線で示されている回転対称軸に対し、回転対称な形状を有している。
支持装置２０は、チャンバ５０の回転対称軸と支持装置２０の回転軸が一致する位置で、回転させられている（図２参照）。したがって、回転対称点１１２は、支持装置２０の回転軸上に存在する。
【００２５】
排気口１１１は、上面の壁５５の４辺の中央付近に設けられている。つまり、４ヶ所の排気口１１１は、チャンバ５０の上面の壁５５にある回転対称点１１２に対して、回転対称に配置されている。これらの排気口１１１は、チャンバ５０の上面の壁５５または下面の壁５６のうち少なくとも一方に設けられていればよい。
【００２６】
排気口１１１のその他の配置例を図６〜図１３に示した。
図６および図７は、回転対称点１１２つまり回転軸に対して回転対称となる形状を有している排気口１１１を設けた場合を示した図である。
図６には、チャンバ５０の上面の壁５５および下面の壁５６に排気口１１１を配置した例を示した。
図６（ａ）には、チャンバ５０の上面から見た排気口１１１の配置図が示されている。図６（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図である。
排気口１１１は、回転対称点１１２に対し回転対称な形状である円形で、チャンバ５０の上面の壁５５および下面の壁５６の回転対称点１１２の位置に設けられている。排気口１１１は、少なくとも一方の壁に設けられていればよい。
【００２７】
図７には、排気口１１１をチャンバ５０の上面の壁５５に配置した例が示されている。
図７（ａ）には、チャンバ５０の上面の壁５５から眺めた排気口１１１の配置図が示されている。図７（ｂ）には、チャンバ５０の概略斜視図が示されており、図７（ｃ）には、チャンバ５０の概略断面図が示されている。
図７（ａ）において、排気口１１１の形状は、回転対称点１１２を中心としたリング状である。図７（ａ）では、排気口１１１は上面の壁５５の縁まで設けられているが、排気口１１１の大きさは、どのような大きさであってもよい。
図７（ｂ）および（ｃ）において、排気管１１０の形状は、片側の開口部が広がり、他方の開口部が絞られた漏斗状である。排気管１１０の広い開口部は、排気口１１１を覆うように上面の壁５５に接合されている。またリングの内側にあたる上面の壁５５は、チャンバ５０の内部に設けられた支持部材１１３によって支えられている。
【００２８】
図８〜図１２には、排気口１１１がチャンバ５０の側壁５７またはチャンバ５０内部に配置された例が示されている。
図８には、チャンバ５０の側壁５７上方に排気口１１１が４ヵ所配置された例が示されている。
図８（ａ）には、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図が示されている。図８（ｂ）には、真空蒸着装置１００の概略斜視図が示されている。
排気口１１１は、チャンバ５０の上面の壁５５から見て、壁５５の各辺の中心付近の側壁５７の上部４ヶ所に配置されている。つまり、複数の排気口１１１は、支持装置２０の回転軸に対し回転対称に配置されている。
図８（ｂ）に示されているように、チャンバ５０の側壁５７に排気口１１１を設ける場合、チャンバ５０とチャンバ４０との間には、段差が設けられている。特にチャンバ５０のチャンバ４０側の側壁５７に排気口１１１を設ける場合には、段差が必要である。
【００２９】
図９および図１０には、チャンバ５０に、排気口１１１を３ヶ所および５ヶ所に設けた例が示されている。
図９は、排気口１１１を３ヶ所に設けた配置図である。排気口１１１を３ヶ所に設ける場合、１ヶ所を側壁５７に設けると、支持装置２０の回転軸に対して回転対称となる他の二つの排気口１１１の配置は、チャンバ５０の内部になる。
したがって、他の二つの排気口１１１は、排気管１１０をチャンバ５０の内部まで延長して設けられる。
図１０は、排気口１１１をチャンバ５０に５ヶ所に設けた配置図である。３ヶ所設ける場合と同様に、１ヶ所を側壁５７に設けると、回転軸に対して回転対称となる他の四つの排気口１１１の配置位置は、チャンバ５０の内部になる。他の四つの排気口１１１は、排気管１１０をチャンバ５０の内部まで延長して設けられる。
【００３０】
図１１には、チャンバ５０の側壁５７の上方全周に排気口１１１が設けられた例が示されている。
図１１（ａ）は、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図である。図１１（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図で、図１１（ｃ）は、チャンバ５０の概略断面図である。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、排気口１１１は、チャンバ５０の側壁全周に設けられている。排気口１１１の形状は、側壁５７から見て帯状であり、支持装置２０の回転軸に対して回転対称な形状である。
図１１（ｂ）および図１１（ｃ）に示されているように、排気口１１１は、チャンバ５０の側壁５７上方の全周に設けられている。二つに分けられたチャンバ５０は、支持部材１１３によって４ヶ所で結合されている。
排気管１１０は、ほぼ漏斗状の形状を有しており、開口部の広い側が排気口１１１を包み込むように配置され、開口部の縁は、チャンバ５０の側壁５７に接合されている。他方の絞られた開口部は、真空生成装置５１に接続されている。
【００３１】
図１２には、図１１で示された排気口１１１の他に、下面の壁５６の回転対称点１１２に排気口１１１が設けられた例が示されている。
図１２（ａ）は、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図である。図１２（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図である。
【００３２】
図１３には、従来の排気口１１１の配置例が示されている。
図１３（ａ）は、チャンバ５０の上面の壁５５から見た排気口１１１の配置図である。図１３（ｂ）は、チャンバ５０の概略斜視図である。
排気口１１１は、側壁５７の上方の隅に１ヶ所設けられている。
【００３３】
チャンバ５０の上面の壁５５および下面の壁５６は長方形であってもよい。この場合でも支持装置２０の回転軸に対して回転対称に排気口１１１を配置すればよい。また、排気口１１１が増えるほど、チャンバ５０内の排気の流れが等方的になるが、装置の構成が複雑になるため、排気口１１１は１〜５ヶ所が好ましい。
【００３４】
排気口１１１の片側は、真空生成装置５１に接続されている。各排気口１１１は、それぞれに同一排気量の真空生成装置５１を接続してもよい。つまり、各排気口１１１の排気量が、すべて等しくなるようにコンダクタンスを等しくして接続すればよい。
【００３５】
以下に真空蒸着装置１００による表面処理工程について説明する。
基板１０には、ハードコート層１１が形成されている。ハードコート層１１は、無機微粒子を有するゾルゲルを硬化する湿式法等によって得ることができる。この方法によれば、無機微粒子を基板１０の屈折率に合わせて選択することが可能で、基板１０とハードコート層１１との界面の反射が抑えられる。ハードコート層１１は、必要に応じて、片面および両面に形成される。基板１０の場合は、両面に形成する。
【００３６】
次に、反射防止膜１２を形成する。支持装置２０に支持された基板１５は、チャンバ３０に導入され脱ガスされる。次に支持装置２０を、チャンバ４０に移動し、ハードコート層１１の表面に反射防止膜１２を形成する。この工程では、高屈折率と低屈折率の複数の薄膜が交互に積層し、反射防止膜１２の最上層には、二酸化ケイ素を主成分とする薄膜を形成する。
【００３７】
次に、反射防止膜１２の最上層である二酸化ケイ素を含む薄膜とフッ素含有有機ケイ素化合物との反応性を高めるため、表面にシラノール基を生成するための処理を行う。
チャンバ４０に酸素またはアルゴンを導入し、オートプレシャーコントローラ７７とマスフローコントローラ７８によって、チャンバ４０内を一定圧力に制御する。高周波プラズマはおよそ１０-3から１０3Ｐａで発生可能であるが、１×１０-2Ｐａ〜１×１０-1Ｐａが好適である。高周波周波数は、１３．５６ＭＨｚである。処理時間は、０．５〜３分で、この工程で二酸化ケイ素の表面にシラノール基を生成する。
【００３８】
その他、シラノール基を生成するための処理として、イオンガン８０を使用することもできる。
イオンガン８０に、酸素またはアルゴンがマスフローコントローラ８３で一定流量に制御して導入する。導入されたガスは、イオンガン８０内部でプラズマ化される。プラズマは高周波プラズマであり、ＲＦ電源８１の周波数は通常１３．５６ＭＨＺである。生成した正イオンは、ＤＣ電源８２で電圧印加された加速電極によって引き出され、二酸化ケイ素の表面に照射される。なお、基板１０上で絶縁破壊が起き、異常放電が発生するのを防止するため、内蔵されたニュートライザーから電子を供給し中和している。処理時間は、０．５〜３分間で、この工程で、二酸化ケイ素の表面にシラノール基を生成する。
【００３９】
次に、蒸着によって、反射防止膜１２の表面に防汚膜１３を形成する。防汚膜１３が形成された後、チャンバ５０は徐々に大気圧に戻され、片面の表面処理の終了した基板１５を支持装置２０ごと取り出す。
【００４０】
その後、片面の表面処理の終了した基板１５は、表裏反転して再度支持装置２０にセットされ、同様な処理を行う。以上の工程によって、基板１５の両面に反射防止膜１２および防汚膜１３を形成する。
両面の表面処理の終了した基板１５を、チャンバ５０から取り出した後、図示しない恒温恒湿槽に投入し、適当な湿度と温度の雰囲気でアニールする。または、室内に所定時間放置してエージングを行う。その後、防汚膜１３の厚みを調整する必要があれば、過剰分を拭き取るなどの除去作業を行う。
以上の工程により、プラスチックレンズ１が得られる。
【００４１】
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
（１）円形ドーム形状の支持装置２０に対し、複数の排気口１１１が支持装置２０の回転軸に対して回転対称な配置で設けられているため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４２】
（２）真空蒸着を行うチャンバ５０が円形ドーム形状の支持装置２０の回転軸に対して回転対称な形状を有しているので、排気口１１１による排気の流れをチャンバ５０内部に対しても等方的にできる。排気の流れが、支持装置２０およびチャンバ５０内部に対して等方的になることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対してより等方的にでき、かつより均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきをより少なくできる。
【００４３】
（３）上面の壁５５、下面の壁５６、側壁５７に排気口１１１を設けるので、チャンバ内に排気口を設ける必要がなく、チャンバの構造を簡単にできる。したがって、前述の効果を容易に達成できる。
【００４４】
（４）真空蒸着を行うチャンバ５０の回転対称軸と円形ドーム形状の支持装置２０の回転軸が一致し、支持装置２０の回転軸に対して回転対称となる形状の排気口１１１で排気するため、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４５】
（５）支持装置２０の外周方向にあたる側壁５７全周に渡って排気口１１１が設けられているので、排気の流れを支持装置２０の回転軸に対して等方的にできる。排気が等方的に行われることによって、反射防止膜１２等の表面処理が施された基板１５が支持された支持装置２０の異なる位置において、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にでき、かつ均一にできる。したがって、各プラスチックレンズ１の表面に形成される防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４６】
（６）従来の真空蒸着装置では、チャンバ５０の排気口１１１が側壁５７の上方の隅の１ヶ所のみであるため、排気の流れが支持装置２０の回転軸に対して偏っており、補正板９２による膜厚調整は困難であった。
チャンバ５０内の排気の流れが支持装置２０の回転軸に対して等方的になるように排気口１１１を設けることによって、蒸着物質の濃度分布を回転軸に対して等方的にできる。したがって、補正板９２の調整を、支持装置２０の中心（回転軸）から外周にかけての濃度分布に対して行うことができ、防汚膜１３の膜厚のばらつきを少なくできる。
【００４７】
以下、実施例に基づき本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
［実施例１］
プラスチック製の基板１０の上にハードコート層１１が形成された眼鏡用プラスチックレンズ（セイコーエプソン株式会社製：セイコースーパーソブリン）を凸面を下にして、支持装置２０の各段にセットした。
次に、チャンバ３０で脱ガスした後、チャンバ４０に移動し、ＳｉＯ2とＺｒＯ2の層を交互に蒸着し、これらの層からなる反射防止膜１２を成形した。この反射防止膜１２の最上層は、ＳｉＯ2層である。
その後、チャンバ５０に支持装置２０を移動して、真空蒸着法により防汚膜１３を形成した。真空蒸着には、チャンバ５０上面の壁に、４辺それぞれの中央部付近に排気口１１１を設けた真空蒸着装置１００を用いた（図５参照）。四つの排気口１１１は、それぞれのコンダクタンスが等しくなるように配管されて、真空生成装置５１に接続されている。
フッ素含有有機ケイ素化合物として、信越化学工業株式会社製の化合物（製品名ＫＹ−１３０、一般式（１））を用いた。
【００４９】
【化１】
ここで、ＫＹ−１３０を、フッ素系溶剤（住友スリーエム株式会社製：ノベックＨＦＥ−７２００）に希釈して固形分濃度３％溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに１ｇ含浸させ乾燥させたものを蒸発源９０としてチャンバ５０にセットした。
防汚膜１３形成中は、ハロゲンランプを加熱ヒータ９１として使用し、蒸発源９０のペレットを６００℃に加熱して、フッ素含有有機ケイ素化合物を蒸発させた。蒸着時間は３分であった。
蒸着中は、四つの排気口１１１から絶えず排気を行った。防汚膜１３形成後、支持装置２０をチャンバ５０から取り出し、凹面にも同様の処理を施してプラスチックレンズ１を得た。
【００５０】
［実施例２］
フッ素含有有機ケイ素化合物として、ダイキン工業株式会社製の化合物（オプツールＤＳＸ、一般式（２））を用いた。
【００５１】
【化２】
オプツールＤＳＸを、フッ素系溶剤（ダイキン工業株式会社製：デムナムソルベント）に希釈して固形分濃度３％溶液を調製し、これを多孔質セラミックス製のペレットに１ｇ含浸させ乾燥させたものを蒸発源９０としてチャンバ５０にセットした。その他は、実施例１と同様であった。
【００５２】
［実施例３］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の上面の壁５５中央に１つの円形の排気口１１１が設けられた装置を用いた。図６（ｂ）に示された概略斜視図において、下面の壁５６の排気口１１１が設けられていない装置に相当する。その他は、実施例１と同様であった。
【００５３】
［実施例４］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の上面の壁５５の回転対称点１１２と、下面の壁５６の回転対称点１１２とにそれぞれ１つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図６参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５４】
［実施例５］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の上面の壁５５の周辺にわたって排気口１１１が設けられた装置を用いた（図７参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５５】
［実施例６］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の対向する側壁５７の上部にそれぞれ１つの排気口が設けられた装置を用いた（図８参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５６】
［実施例７］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０に３つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図９参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５７】
［実施例８］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０に５つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１０参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５８】
［実施例９］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の側壁５７の全周にわたって排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１１参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００５９】
［実施例１０］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の側壁５７の上部全周にわたって排気口１１１が設けられ、さらに下面の壁５６の回転対称点１１２に１つの排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１２参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００６０】
［比較例］
真空蒸着装置１００として、チャンバ５０の側壁５７の上端部に１ヶ所のみ排気口１１１が設けられた装置を用いた（図１３参照）。その他は、実施例１と同様であった。
【００６１】
各実施例および比較例で得られたプラスチックレンズ１の評価を以下のように行った。
（１）接触角の測定
支持装置２０の各段で得られたプラスチックレンズ１の表面の接触角を、接触角計（「ＣＡ−Ｄ型」）協和株式会社製）を使用し、液適法によって純水の接触角を測定した。
（２）インク拭取り性
プラスチックレンズ１の凸面に、黒色油性マーカー（「ハイマッキーケア」ゼブラ株式会社製）で約４ｃｍの直線を引き５分放置した。その後、ワイプ紙で拭取りを行い、インクが完全に拭取れるまでに要する往復の拭取り回数を調べた。
【００６２】
接触角の測定およびインク拭取り性の評価を、初期段階と、１ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えた木綿布で３０００、５０００、および１００００回払拭した後に行った。
各実施例と比較例で得られたプラスチックレンズ１における接触角およびインク拭取り性の結果を各段ごとに、払拭回数に対して図１４に表として示した。
防汚膜１３に膜厚のばらつきが少ない場合には、払拭回数が増すにつれ、同じ割合で接触角およびインク拭取り性が低下する。そこで、初期の接触角を基準にして１００００回払拭後の接触角を規格化し相対的な膜厚を求めた。初期の接触角として、ＫＹ−１３０の場合は１０８°を、オプツールＤＳＸの場合は１１２°を用いた。
図１５に、求めた相対膜厚を支持装置２０の各段に対してグラフ化して示した。
図１５（ａ）は実施例１、（ｂ）は実施例２、（ｃ）は実施例３、（ｄ）は実施例４、（ｅ）は実施例５、（ｆ）は実施例６、（ｇ）は実施例７、（ｈ）は実施例８、（ｉ）は実施例９、（ｊ）は実施例１０、（ｋ）は比較例の結果を示している。
これらの評価結果から、排気口１１１による排気の流れが支持装置２０の回転軸に対して等方的になるように、排気口１１１を配置した各実施例では、比較例に対して各段間での膜厚のばらつきが少なくなることが確認できた。
【００６３】
また、本発明を実施するための最良の方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、排気口の数、排気口の形状、排気口の設けられる位置、使用する材料、処理時間、濃度、その他の詳細な事項において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した排気口の数、排気口の形状、排気口の設けられる位置、使用する材料、処理時間、濃度などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、排気口の数、排気口の形状、排気口の設けられる位置、それらの材料、処理時間、濃度などの限定の一部もしくは全部の限定を外した記載は、本発明に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラスチックレンズの断面図。
【図２】本発明の実施形態にかかる真空蒸着装置の概略図。
【図３】本発明の実施形態にかかる支持装置および蒸発源の概略断面図。
【図４】本発明の実施形態にかかる支持装置、蒸発源、加熱ヒータ、および補正板の上面図。
【図５】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態の真空蒸着装置の一例を示した概略斜視図。
【図６】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。
【図７】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。（ｃ）は、チャンバの一例を示した概略断面図。
【図８】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態の真空蒸着装置の一例を示した概略斜視図。
【図９】本実施形態の排気口の配置例を示した図。
【図１０】本実施形態の排気口の配置例を示した図。
【図１１】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。（ｃ）は、チャンバの一例を示した概略断面図。
【図１２】（ａ）は、本実施形態の排気口の配置例を示した図。（ｂ）は、本実施形態のチャンバの一例を示した概略斜視図。
【図１３】（ａ）は、比較例の排気口の配置を示した図。（ｂ）は、比較例のチャンバを示した概略斜視図。
【図１４】本発明の実施例と比較例との評価結果を表す図表。
【図１５】本発明の実施例と比較例との評価結果を表すグラフ。
【符号の説明】
【００６５】
１…防汚性光学物品であるプラスチックレンズ、１３…防汚膜、２０…支持装置、３０，４０，５０…チャンバ、５５…上面の壁，５６…下面の壁、５７…側壁、１００…防汚性光学物品の製造装置である真空蒸着装置、１１１…排気口。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、
前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、
前記チャンバ内を排気する複数の排気口が、前記回転軸に対して回転対称に配置されている
ことを特徴とする防汚性光学物品の製造装置。
【請求項２】
光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、
前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、
前記チャンバを構成する上下面の少なくとも一方に、
前記回転軸に対して回転対称となる形状を有している排気口が設けられている
ことを特徴とする防汚性光学物品の製造装置。
【請求項３】
光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、
前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、
前記回転軸に対し回転対称となる形状を有している排気口が、前記チャンバ側壁の全周に渡って設けられている
ことを特徴とする防汚性光学物品の製造装置。
【請求項１】
光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、
前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、
前記チャンバ内を排気する複数の排気口が、前記回転軸に対して回転対称に配置されている
ことを特徴とする防汚性光学物品の製造装置。
【請求項２】
光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、
前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、
前記チャンバを構成する上下面の少なくとも一方に、
前記回転軸に対して回転対称となる形状を有している排気口が設けられている
ことを特徴とする防汚性光学物品の製造装置。
【請求項３】
光学物品の表面に真空蒸着法により、フッ素含有有機ケイ素化合物を含む防汚膜を形成するチャンバを備えた防汚性光学物品の製造装置であって、
前記光学物品を支持し、前記チャンバ内で回転可能な回転軸を有する支持装置を備え、
前記回転軸に対し回転対称となる形状を有している排気口が、前記チャンバ側壁の全周に渡って設けられている
ことを特徴とする防汚性光学物品の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００７−７０６５７（Ｐ２００７−７０６５７Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５６０１９（Ｐ２００５−２５６０１９）
【出願日】平成１７年９月５日（２００５．９．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月５日（２００５．９．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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