【課題】高いＳＮＲが得られる薄膜積層体としての磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録媒体製造装置、さらにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】成膜用基板を複数のスパッタチャンバ内に順次搬送し、スパッタチャンバ内で、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成する際、スパッタチャンバ内に、複数の成膜用基板を同時に収容し、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、成膜前の待機中の他の成膜用基板を加熱する第１の工程と、成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、前記第１の工程で薄膜を形成した後の成膜用基板を加熱する第２の工程のうち、少なくとも一方を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最適な構造を有する粒状垂直磁気記録層を得るために改良された中間層を成膜する。
【解決手段】５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも一つの合金化材料とを含んで構成されたレニウム（Ｒｅ）ベース合金材料であり、前記合金化材料がレニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されたもので、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されて、ターゲットにされる。 （もっと読む）

【課題】ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズおよび発生量を低減することにより、ターゲットの均質性を高め、かつノジュールまたはアーキングの発生を抑制するとともに、目標とする組成比を有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が４０μｍ以下であることを特徴とするＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：２〜４０原子％、Ｃｒ：５〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｔａ：０．５〜１５原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する焼結体からなるターゲットにおいて、前記ターゲット素地中にＣｒ、Ｔａおよび酸素からなる酸化物粒子が均一分散している組織を有し、前記Ｃｒ、Ｔａおよび酸素からなる酸化物粒子は、Ｃｒ、Ｔａおよび酸素の合計を１００原子％とした場合、Ｃｒ：１２〜２０原子％、Ｔａ：１４〜２２原子％を含有し、残部が酸素からなる酸化物粒子であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダ上の基板に対して真空室の外部から高い電力を安定してかつ高い制御精度で導入することでき、さらにメンテナンス管理を容易化することを可能にする電力導入技術を提供すること。
【解決手段】 電力導入装置は、静電チャックに供給するための電力を外部電源から導入する電力導入機構を備える。電力導入機構は、支柱の端部に固定され、支柱とともに回転が可能な第１の導電性環状部材と、筐体部に固定され、第１の導電性環状部材と面接触する第２の導電性環状部材と、供給された第１電圧を前記第２の導電性環状部材及び第１の導電性環状部材を介して、静電チャックの電極に導入するための第１電力導入部材と、を備える。 （もっと読む）

陰極スパッタリングによって、一定且つ特定の方向に方向性を有する層、例えば、好ましい磁化方向を有する低保磁力層または低保磁力層の支持層を基板表面（４）上に形成するために、ターゲット表面（６）から出てくる複数の微粒子の基板表面（４）の接平面上での投影が、特定の方向を取り囲む好ましい角度範囲内にある状態において、複数の微粒子が支配的に基板表面（４）に衝突することによって、コーティングプロセスが実行される。コーティングプロセスは、例えば、特定の方向に平行な基板表面（４）に対し直角に伸びる複数のプレート（９）を包含するコリメータ（８）を、基板表面（４）の前面に配置することによって達成される。ただし、コリメータ（８）を配置する代わりに、またはコリメータ（８）を配置することに加えて、ターゲット表面（６）に対する基板表面（４）の位置または動きを適切に調整するかまたは制御することも可能である。
（もっと読む）

【課題】スパッタリング装置で磁化容易軸の制御を行いながら軟磁性薄膜を成膜する場合に、大面積基板内に高い精度で方向が揃えられた直交または任意角度で交差する２つの磁界を発生させる。
【解決手段】比較的大きな面積を有する基板表面に、スパッタ法を用いて、磁化容易軸が直交または任意角度で交差する少なくとも２つの磁性膜を積層成膜するとき、基板表面の近傍に当該表面に平行な方向の磁界を生成する磁界発生装置であって、基板表面を囲むように配置される環状の磁気ヨーク２１と、この磁気ヨークの周囲に巻かれ、第１の磁化容易軸の方向に磁界を生成する複数のコイルからなるコイルグループ２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂと、磁気ヨークの周囲に巻かれ、第２の磁化容易軸の方向に磁界を生成する複数のコイルからなるコイルグループ１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂから構成される。 （もっと読む）

【課題】寿命を長くして交換頻度を少なくすることができる、マグネトロンスパッタリング用の強磁性体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明に係る強磁性体スパッタリングターゲットは、表面に、複数の孔状の凹部を有する。前記凹部は、少なくとも底面上の部分における径又は幅が３ｍｍ以下であるのが好ましい。前記強磁性体スパッタリングターゲットは円板状である場合、前記複数の凹部の一つは、前記強磁性体スパッタリングターゲットの中心に配置され、前記複数の凹部の少なくとも一部は、前記強磁性体スパッタリングターゲットと同心の円周に沿って略等間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】磁気データ記録粒状層の結晶化度と磁気結晶異方性を高めることにより、垂直磁気記録媒体に要求される熱安定性と雑音特性を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体２００の基板２０２上に、ニッケル（Ｎｉ）と、面心立方ニッケル（Ｎｉ）相に対する溶解度が室温以上で５０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ³/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるシード層２０４を付着し、続いて下地層２０６、磁気データ記録粒状層２０８を順次付着する。前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びトリウム（Ｔｈ）から選択される。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性に優れたマグネトプランバイト型化合物から成る柱状構造体が均一に分散された磁性膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型基板１３上に形成されたマグネトプランバイト型化合物１１が柱状構造を有し、その長軸方向がマグネトプランバイト型化合物１１の磁化容易軸と一致し、かつ前記長軸方向がペロブスカイト型基板１３に対して垂直である磁性膜。 （もっと読む）

【課題】量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、ＲＡ値が低く抑えられた積層膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜形成方法は、チャンバー内に飛散した酸化物によって、部材の表面に前記酸化物の薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記部材を前記チャンバーに格納する格納ステップと、前記チャンバー内に酸素を吸着する吸着部を設置することで、前記チャンバー内の余剰酸素を吸着する吸着ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に垂直磁気記録媒体における軟磁性下地膜など電子部品用の薄膜を形成するために用いられる（ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｃｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が８０：２０〜０：１００で合計８０ａｔ％以上とし、Ｚｒ，Ｈｆ，ＮｂおよびＴａのいずれか１種または２種以上を２０ａｔ％未満含有し、強磁性相であるＣｏ−Ｆｅ相中に、該Ｚｒ，Ｈｆ，ＮｂおよびＴａのいずれか１種または２種以上を合計で０．５〜２ａｔ％固溶していることを特徴とする（ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができ、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室１４と基板ロード室２の間にパーティクル捕捉電極１６を設置する。さらに、基板ロード室２以降でＣｏ合金キャップ層形成室１１までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極１６を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極１６のクーロン力によりに捕捉する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、主に垂直磁気記録媒体における磁気記録など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｂ：０．５〜１０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物よりなるＣｏ−Ｂ系合金であって、該Ｃｏ−Ｂ系合金中に、１０μｍ以下のＣｏ硼化物が分散していることを特徴とするＣｏ−Ｂ系ターゲット材。また、上記、Ｃｏ−Ｂ系合金アトマイズ粉末の焼結体であるＣｏ−Ｂ系ターゲット材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な製造技術を提供する。
【解決手段】排気系３１を接続した真空容器３と、真空容器３内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板１を保持するための基板ホルダー３２と、基板ホルダー３２を回転させるための回転機構３２１と、真空容器３内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソード３３と、真空容器３内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系３７と、を有する磁気抵抗多層膜製造装置を使用し、該アルゴンより原子番号の大きな元素のガスの流量を１０％以上として磁気抵抗多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】軟磁性薄膜を形成するためのＦｅＣｏ系ターゲット材を提供する。
【解決手段】ＦｅＣｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１０：９０〜７０：３０とすることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。また、上記にＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５．０ａｔ％含有させてなる軟磁性ＦｅＣｏターゲット材。さらに、上記にＢ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなるＦｅＣｏ軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織におけるＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＦｅを主体とする合金相とが微細に分散しているＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比をもった垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板１上に形成された密着層２と、該密着層２上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層３と、該軟磁性裏打ち層３上に形成された非磁性下地層４と、該非磁性下地層４上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層５と、該第一の強磁性層５上に形成された第二の強磁性層９とからなり、第一の強磁性層５上の少なくとも一部に非金属膜８が形成されている垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】良好な熱揺らぎ耐性を有すると共にＳＮ比を向上した垂直磁気記録媒体、その製造方法、およびその垂直磁気記録媒体を備える磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板上に形成された軟磁性裏打層１２と、第１の記録層１９、記録補助層２１、第２の記録層２２がこの順に堆積してなる記録層１８と、を備え、第１および第２の記録層１９，２２は、膜面に垂直な磁化容易軸を有する強磁性層であり、記録補助層２１は、膜面に略垂直で、非磁性部２１ｂにより互いに離隔された複数の磁性粒子からなり、該磁性粒子は膜面に対して斜め方向の磁化容易軸を有し、第１の記録層１９、記録補助層２１、および第２の記録層２２は隣接する層が互いに交換結合している。さらに、垂直磁気記録媒体１０は、第１の記録層１９と記録補助層２１との間、あるいは記録補助層２１と第２の記録層２２との間に交換結合力制御層２０を有してもよい。 （もっと読む）