【課題】 蒸発させた金属原子の被処理物への供給量が調節でき、簡単な構造を有する真空蒸気処理装置を提供する。
【解決手段】 所定圧力に保持可能な真空チャンバ１２と、この真空チャンバ内に隔絶して設けられた相互に連通する処理容器２及び蒸発容器３と、この処理容器Ｓに被処理物を配置すると共に蒸発容器に金属蒸発材料Ｖを配置した状態で処理容器及び蒸発容器の加熱を可能とする加熱手段６ａ、６ｂとを備える。そして、加熱手段によって処理容器及び蒸発容器をそれぞれ加熱して被処理物を所定温度まで昇温させつつ金属蒸発材料を蒸発させ、この蒸発した金属原子が処理容器内の被処理物表面に供給されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｎｉ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｎｉ系合金において、Ｆｅ：Ｎｉのａｔ比が１００：０〜２０：８０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内の基板８に、マグネトロンスパッタリングにより磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するカソード２を、前記ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係とすると共に、前記基板８を回転するための第１回転機構、前記カソード２の背後に位置するマグネット２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための第２回転駆動手段を有し、前記第１回転機構による前記基板８の回転の下及び第２回転機構による前記磁界発生装置７の回転の下で、前記基板８の上に磁性膜を成膜するように構成したマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはＣｏ−Ｃｒ二元系合金相１の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相２により包囲されている複合相３がＰｔ相素地４中に均一分散している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、前記高Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末よりもＣｒ含有量の少ない低Ｃｒ含有Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結する比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第一ＣｏＣｒ合金粉末、Ｃｒ：５〜１５原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第二ＣｏＣｒ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することを特徴とし、前記第一ＣｏＣｒ合金粉末および前記第二ＣｏＣｒ合金粉末のいずれか一方または両方の粉末は、さらにＢ：０．５〜８原子％を含有しても良い。 （もっと読む）

【課題】 ハードディスク等の磁気記録ディスクの製造に用いられると好適なインライン型基板処理装置を提供する。
【解決手段】 真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーが接続された第一第二の無終端状の搬送路１，２に沿って、基板を保持するための基板保持具５１，５２をそれぞれ周回させる第一第二の周回機構がそれぞれ設けられている。第一の基板保持具５１から基板を取り外し、第三の搬送路３に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送し、第二の基板保持具５２に移載する搬送系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。そして、最終研磨段階に先立って予めＳｉウェハ表面を酸化膜で被覆して酸化膜付きＳｉウェハとし（Ｓ１０７）、この酸化膜表面を平坦化することで表面に段差のない平坦な基板（酸化膜付きＳｉ基板）を得ている（Ｓ１０８）。 （もっと読む）

【課題】 十分な剥離防止効果を得ることにより洗浄回数を減少させ、歩留まりを向上させることのできる真空成膜装置を用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置を用いて、基体１上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、真空成膜装置の成膜雰囲気に曝される部品１０８、１１２の表面には、成膜材料の熱膨張率と部品を構成する材料の熱膨張率の中間の熱膨張率を有する金属または合金で構成された１または複数のコーティング層１５０を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ガス噴出口を工夫することで、面方向の膜厚の均一性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体の製造方法は、真空成膜装置１００を用いて、円板状基体１の上に少なくとも磁気記録層２２および媒体保護層２６を成膜する磁気記録媒体の製造方法であって、チャンバ１０２内に円板状基体１を搬入する工程と、チャンバ１０２内の空気を排出して略真空に引く工程と、チャンバ１０２内にガスを導入する工程と、を含み、ガスを導入する工程においては、複数のガス噴出口１１４を円板状基体１の外周に沿って配置し、当該円板状基体１の半径方向に対して所定角度傾斜した方向にガスを噴出することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を損なうことなく、平滑性に優れた薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体物質を有するターゲット２に、第１のレーザ光源４からレーザ光６を照射して、ターゲット２の固体物質を飛散させる工程と、飛散された固体物質に第２のレーザ光源５からレーザ光７を照射する工程とを有し、飛散された飛散物質を基板３に付着させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ数やスカム率が低く、コンピュータのデータ等の情報を記録する媒体としても利用可能な高品質の蒸着テープを得ることができる蒸着用 素材を提供する。
【解決手段】コバルト系蒸着用素材に含まれる炭素、マグネシウム、珪素、マンガン、アルミニウム、およびチタンの濃度を、合計で４２〜７１ｐｐｍとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高ＰＴＦ値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの１種または２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびターゲット材。
０．２０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質（但し、Ｔａ、ＣｕＮ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、及びＺｒの１以上からなる、金属又は半導体を除く）を含有するターゲットをスパッタリングして、成膜室の内壁に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室においてＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法によりＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。
【解決手段】第１成膜室１３Ａでの反強磁性層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第１成膜室１３Ａでの磁化固定層の成膜、プラズマ処理室１４でのプラズマ処理、第２成膜室１３Ｂでの非磁性伝導層または酸化物層の成膜の順に基板を移動させる基板搬送ロボットを備えたマルチチャンバ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子が得られる磁性多層膜形成装置を提供する。
【解決手段】アモルファスの強磁性体層を成膜する第１の成膜チャンバ２７Ａと、反強磁性体層を成膜する第２の成膜チャンバ２７Ｂと、成膜層の厚さ方向において、（００１）面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を成膜する第３の成膜チャンバ２７Ｃとが、それぞれゲートバルブ３０，３０，３０を介して搬送チャンバ２２に接続配置され、該搬送チャンバ２２内に、基板を第１〜第３チャンバ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃへ移動させるロボット搬送装置を備えた磁性多層膜製造装置とする。 （もっと読む）