【課題】垂直磁気記録媒体のグラニュラー記録層において磁性粒子と非磁性粒界を適切に分離し、磁性粒子の磁気異方性を損なうことなく粒子間の磁気的相互作用を低減し、媒体ノイズを低減する。
【解決手段】ＣｏとＰｔとＣｒとを含む合金結晶粒子と、ＳｉとＯとを含む非磁性粒界を含み、記録層中のＳｉ原子数に対するＯ原子数の比率が２．５以上５以下、記録層中のＳｉ原子含有率が３〜６原子％、Ｏ原子含有率が１２〜２０原子％である垂直磁気記録媒体を用いる。また、記録層の形成時、基板中心に対し同心円状に並ぶ気体導入口より酸素を含むプロセスガスを導入することにより、記録層の媒体面内の任意の点における垂直保磁力の分布を、平均値の±１０％以下とする。 （もっと読む）

本発明は、バリヤー層を形成するための方法を含む。材料はECAEターゲットからアブレートされ、基体表面上にわたって1%未満またはそれと同等の1シグマの厚みバラツキを有する層を形成する。本発明は、トンネル接合を形成する方法を含む。薄フィルムは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成される。その薄フィルム、第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ECAEターゲットから材料をアブレートすることにより形成され、非ECAEターゲットを使用して形成された対応する層と比較して改善された層厚み均一性を呈する。本発明は、物理蒸着ターゲットおよびそのターゲットを使用して形成された薄フィルムを含む。そのターゲットは、アルミニウムとGa、ZrおよびInから選択された少なくとも１つの合金化元素との合金を含有する。得られたフィルムは、その薄フィルム上にわたって1.5%未満の1シグマの厚みバラツキを有する。
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【課題】転がり摺動部材から発生する摩耗粉を簡易にトラップする。
【解決手段】被処理体に対してアモルファス状又は多層状に固体潤滑膜を成膜する。この成膜は、スパッタリングされるためのターゲット１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄと、ターゲットの表面に非平衡磁場を発生させる非平衡磁場発生手段１１，１２と、ターゲットからスパッタリングされる物質が付着するように被処理体を対向配置するための配置手段１４とを有し、電磁的に閉鎖した状態で被処理体に成膜する閉鎖磁界不均衡マグネトロンスパッタ（ＵＢＭＳ）装置を用いて行われる。そして、ターゲットの少なくとも１つ（１６ｂ）は磁性体（Ｎｉ）によって構成されているので、かかる装置によって成膜される固体潤滑膜は、被処理体に成膜された状態のときには磁場の影響をほとんど受けず、外力を受けることによって粉体となったときには磁場の影響を受ける。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第１の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第１の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第２の圧力調整手段と、中間空間を排気する第２の排気装置とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最適化された粒子サイズと粒子間分離性を持つ粒状媒体を形成するためのスパッタターゲット材を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、卑金属を含む強磁性合金と、０．２６６ｎｍ未満の原子径と前記卑金属の酸化電位より大きい酸化電位を有する金属であるＸとを含んで構成される。卑金属は、Ｆｅ、Ｃｏ又はその他の強磁性材料とすればよく、更に、保磁力を高めるためにＰｔ、Ｔａ及び／又はＣｒのような元素を含んでもよい。Ｘは、Ａｌ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｅ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇａ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｈｏ，Ｋ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｐｒ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｅ，Ｔｈ，Ｔｉ，Ｖ，Ｙ，Ｚｎ及びＺｒからなるグループから選択される金属であればよい。スパッタターゲットは、０原子％より多く１５原子％未満のＸを含有する。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気記録媒体を生産性良く製造でき、磁気記録媒体の面内での電磁変換特性のバラツキが少なく、また製造歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板上に、ターゲットを用いてスパッタリング法により、薄膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、スパッタリング中に円環状侵蝕領域が形成されるターゲットと複数枚の基板を載置した基板ホルダーとを中心軸を一致させて平行に対向配置する。そして円環状侵蝕領域の最深部のターゲット中心からの距離をＲ１、円環状侵蝕侵蝕領域の最内周のターゲット中心からの距離をＲ２、基板外径端の基板ホルダー中心からの最長距離をＲ３、最短距離をＲ４としたとき、Ｒ３／Ｒ１が１．１以下であり、かつＲ４がＲ２以上である位置に基板を基板ホルダーに配置して薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、トラック密度を大幅に増加させ、ひいては面記録密度を増加させようとすることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、成膜装置１０内に、非磁性基板１１、ターゲット材１２、マグネット板２１を平行に配置し、ターゲット材には高周波電圧を印加し、マグネット板の表面には交互に異なる極性を等間隔で生じさせ、ターゲット材の周囲にプラズマを発生させ、非磁性基板にスパッタリング法により薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

予工程において、情報収集用に準備した試験用基板１１とターゲート１２上のレーザ光ＬＢの入射点の空間的位置の位置関係を固定した状態で、ターゲート１２にレーザ光ＬＢを照射するか、試験用基板を回転させながらターゲート１２にレーザ光ＬＢを照射するかしながら、一定の照射時間に応じて堆積された試験用基板上の膜厚分布情報を予め得る。本工程においては、基板１１または基板ホルダ２１とターゲート１２上のレーザ光ＬＢの入射点とを、相対的に特定の回転中心軸の周りに回転させるか相対的に空間的に移動させながら、あるいはそうした相対的回転と相対的移動を共に行いながら、予工程において予め得た膜厚分布情報に基づき、各相対位置関係における堆積時間を調整する。
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強電離プラズマを生成する方法および装置が記載されている。本発明による強電離プラズマを生成する装置には、アノードとカソードとが含まれており、カソードはアノードに隣接して配置され、アノードとカソードとの間にギャップが形成される。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を生成する。電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。二次電子は励起原子を電離することにより、強電離プラズマを生成する。
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【課題】 高密度化と、記録線速度がＤＶＤ８倍速以上の高線速化に対応でき、繰り返し特性と保存性に優れた光記録媒体等の提供。
【解決手段】 基板上に少なくとも記録層を有してなり、該記録層が、レーザー光走行方向長さが０．４μｍ以下の前記非晶質マークを記録可能であると共に、前記記録層が、次式、Ｉｎ_αＳｂ_β（ただし、α及びβは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０であり、かつα＋β＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体、又は、前記記録層が、次式、Ｍ_γＩｎ_αＳｂ_β（ただし、Ｍは、Ｉｎ、及びＳｂ以外の元素、並びに該元素の混合物から選択される少なくとも１種の元素を表す。α、β、及びγは、それぞれの元素の原子組成比率を表し、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０、α＞γ＞０であり、かつα＋β＋γ＝１００である）で表される組成を含有する光記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い磁化と絶縁特性を兼ね備える軟磁性薄膜を生成するための方法に関する。
【解決手段】該方法は、アモルファス基板内に浸漬したＦｅリッチな強磁性ナノ粒子の窒化、および、該アモルファス基板の選択的酸化を含む。本発明はまた、該方法によって得られた、磁化の高い、絶縁性のある、軟磁性薄膜に関する。本発明はまた、該方法によって得られた薄膜を組み込んだメンブレンを使用するコンポーネントを備える集積回路を提案する。 （もっと読む）

【課題】 製造インラインにおいて金属薄膜磁性層の非磁性支持体近傍における酸素含有量を正確に評価し、品質の安定した金属薄膜磁性層を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 走行している非磁性支持体１の一方の面上に、真空蒸着法により酸素ガスを供給しつつ金属薄膜磁性層を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法であって、
金属薄膜磁性層の形成後に、非磁性支持体１の他方の面側から支持体１を通して金属薄膜磁性層に光を投射し、その反射光の明度を測定１５することにより金属薄膜磁性層の非磁性支持体近傍における酸素含有量を監視する方法。 （もっと読む）

【課題】１０００〜４０００エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Ｃｏ、０より多く２４原子パーセント以下のＣｒ、０より多く２０原子パーセント以下のＰｔ、０より多く２０原子パーセント以下のＢ及び０より多く１０原子パーセント以下のＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、Ａｇ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｌｕ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｔｌ，Ｗ及びＹｂからなるグループから選択された１つの元素である。このスパッタターゲットは、更にＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、Ｗ，Ｙ，Ｍｎ及びＭｏからなるグループから選択された１つの元素である。スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ₃を含み、前記Ｘ₃が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 （もっと読む）

【解決手段】基板を磁気ディスクメモリに製造するのに使用するための冷却装置であって、冷却プレートが基板に関して動的に配置されるところの冷却装置が説明される。これにより、効果的な冷却のために冷却プレートを基板により近く配置することが可能となる。配置は冷却プレートと冷却すべき基板との間の容量測定値により制御される。 （もっと読む）

【課題】 高い規格化保磁力を有するとともに、熱的な安定性に優れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体１と、該非磁性基体１上に金属下地層２を介して形成されたコバルト基合金からなる強磁性金属層３とを備える磁気記録媒体１０において、保磁力Ｈｃが２０００（Ｏｅ）以上であり、かつ異方性磁界Ｈｋ^grainが１００００（Ｏｅ）以上であることを特徴とする。また、前記金属下地層２および／または強磁性金属層３が、到達真空度１０^-9Ｔｏｒｒ台の成膜室において、不純物濃度１ｐｐｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜されてなるものであることが好ましい。 （もっと読む）