【課題】磁性粒子間の磁気的な分離を十分に行うことができ、しかも垂直磁気記録媒体を容易に製造することができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、磁性粒子１５ａとこの磁性粒子１５ａを取り囲むＭｏＣｕＯ１５ｂとからなるグラニュラー膜１５を形成する。このグラニュラー膜１５をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりＭｏＣｕＯ１５ｂを除去し、空隙とする。こうしてＭｏＣｕＯ１５ｂを除去した膜を磁気記録層として用いる。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｏ：１〜３０原子％、Ｃｒ:２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか１種）：０．５〜１５原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、表面がＣｏおよびＣｒの酸化物層により被覆されたＣｏ−Ｃｒ二元系合金相、ＰｔとＢの合金相およびＭの酸化物相が均一分散している組織を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、真空成膜装置としてのＤＣマグネトロンスパッタリング装置２００を用いて、ディスク基体１１０上に少なくとも磁気記録層１２２を成膜する成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜工程では、キャリア２０８に取り付けられたグリッパ２１６をディスク基体に接触させてディスク基体を保持し、グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、グリッパの表層２１６ａを構成する金属はグリッパの下層２１６ｂを構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に、反応性スパッタを用いてグラニュラ構造の磁性層を形成するに際して、スパッタチャンバ内の酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性膜中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層を形成することができる磁性層の形成方法と装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０１内に、被成膜基板２００を、その面方向が縦方向となるように配置し、スパッタ電極と該スパッタ電極の表面にターゲットが配設されてなる一対の電極ユニットを、各々、ターゲットを被成膜基板２００側にして、被成膜基板２００の両面と対向するように配置し、アルゴンおよび酸素を含む混合ガスを、一対の電極ユニットの各非成膜基板２００側の表面付近に、外周部から中央部に向かって流れるように供給するとともに、排ガスを、前記反応容器１０１の両端部から排気し、反応性スパッタリングによって磁性層を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の製造方法において、媒体ノイズを低減可能な磁気記録媒体を製造することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層であるグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなる前記グラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成し、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、第１の酸化物を形成するＴｉ酸化物及びＳｉ酸化物と、第２の酸化物を形成するＣｏ酸化物を含み、前記ターゲットの前記第１の酸化物の総量はモル分率で約１２mol.%以下であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】スペーシングロスを小さくして良好な磁気記録再生特性を発揮することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、柱状の磁性粒子間に非磁性の粒界部を有するグラニュラ構造の磁気記録層と、前記磁気記録層上に設けられ、前記磁性粒子同士を交換結合させる作用を付与するための交換結合層とを具備する磁気記録媒体を製造するものであって、前記磁気記録層上に交換結合層を積層した後、前記交換結合層の全面に対してイオン照射を行うイオン照射工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時スパッタ数の多い多元スパッタリング装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板とターゲット電極との間に、第１及び第２のシャッター板を設け、該シャッター板によって対象となるターゲットと基板との間を遮断してプリスパッタ工程を行う。また、本スパッタ工程に移行する際に、第１及び第２のシャッター板を適宜回転させて、該シャッター板に設けた貫通孔を重ねることで対象となるターゲットと基板との間を開放して本スパッタ工程を行う。 （もっと読む）

【課題】保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物が形成する粒子をより微細化することにより、成膜性の向上を実現できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法は、コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と、少なくとも酸化クロムを含む２種以上の金属酸化物からなる酸化物相とを含有し、かつ該酸化物相が粒子を形成してなるスパッタリングターゲット材の製造方法であって、原料粉末全量１００ｍｏｌ％中、該酸化クロムを１．０ｍｏｌ％以上の量で配合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２層構造のＲｕ下地層において第１の下地層の結晶粒のサイズを小さくすることで、記録層であるグラニュラ磁性層の磁性結晶粒をより微細化することのできる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を下部下地層１４上に堆積させることにより上部下地層１５を形成する。上部下地層１５上に、磁性結晶粒１６ａを含んだ磁性層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット汚染を低減する、カルーセル式マグネトロンカソード及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明のカルーセル式マグネトロンカソードは、所定の真空状態に保たれたチャンバ１０内にて、固定位置に設けられたデバイス１１の成膜面に、所定の薄膜を成膜するために、当該デバイスを多層に成膜するために、スパッタ粒子を放出可能なターゲットを各々が有する複数のカソード１３ａ，１３ｂ，１３ｃと、複数のカソード１３ａ，１３ｂ，１３ｃを、所定の半径を有する円の円周上にそれぞれ配置するとともに、複数のカソードの各々を保持するカソード保持機構２０と、カソード保持機構２０によって保持された複数のカソード１３ａ，１３ｂ，１３ｃを、順にスパッタ粒子を放出するのに適した、当該円の中心を回転軸として回転する回転機構２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 保磁力などの磁気特性が効果的に向上または回復し、かつ、耐食性や耐候性を有する永久磁石を高い量産性で製造できる永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理室７０を画成する処理箱７内に焼結磁石と、Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料ｖとを配置した後、真空チャンバ３内に収納する。そして、真空中にて処理箱を加熱して金属蒸発材料を蒸発させ、蒸発した金属原子を焼結磁石表面に付着させ、前記付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させる。処理室内の昇温過程で金属蒸発材料が蒸発しないように処理室内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード２２と、カソード２２から熱電子が放出されている状態においてカソード２２との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド２３と、カソード２２との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード２４と、加速された電子を集束して電子ビームＥＢを生成する集束部２５とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置６であって、アノード２４は、カソード２２に対向配置されたフランジ部（鍔状部）２４ａと、熱電子を集束部２５に向けて案内する筒状部２４ｂとが一体形成されて構成されると共に、フランジ部２４ａにおけるカソード２２側の一面２４ｓの算術平均粗さＲａが２．０μｍ以上７．３μｍ以下の範囲内となるようにショットブラスト加工されている。 （もっと読む）

【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード２２と、カソード２２から熱電子が放出されている状態においてカソード２２との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド２３と、カソード２２との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード２４と、加速された電子を集束して電子ビームＥＢを生成する集束部２５とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置６であって、カソード２２は、アノード２４側の一面２２ｓの十点平均粗さＲｚが０．１０μｍ以上０．２８μｍ以下の範囲内となるように研磨されている。 （もっと読む）

【課題】飽和磁束密度の大きいＦｅ−Ｃｏ系合金にＡｌまたはＣｒを０．２〜５ａｔ％添加した耐候性を向上させた軟磁性ターゲット材を提供する。
【解決手段】厚さ５ｍｍ以上とするスパッタ性に優れたＦｅ−Ｃｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１００：０〜３０：７０とし、Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下、かつ、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、媒体ノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Ｃｏ合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薄膜層を蒸着することが出来る真空スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ガス導入手段及びガス排気手段とを有する真空チャンバー１、回転可能な基板支持テーブル２で、基板支持テーブル２の平面に直角な、少なくとも一つの軸を中心に基板支持テーブルを回転させるための手段、真空チャンバーの壁に沿って間隔を空けて配置されている複数のスパッタリング用ターゲット５で、かつ複数のターゲットの一つに対して基板支持テーブルの位置を変更するための手段は、使用に際して、基板支持テーブル上に置かれた基板は、複数個のターゲット５の少なくとも一つからスパッタリングされた膜を有していても良く、その後、基板支持テーブルの位置の変更の後に、その上に、複数個のターゲットの少なくとも他の一つからスパッタリングされた別の一つの膜を有する様に構成されている変更手段、とから構成されている真空スパッタリング装置。 （もっと読む）