【課題】シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に互いに相違する物質からなる第１及び第２のターゲットを載置し、スパッタ粒子を通過させる通過箇所とスパッタ粒子を遮断する遮断箇所とからなるシャッタ板を用い、第１ターゲットからのスパッタ粒子を遮断した箇所とは異なる位置で第２ターゲットからのスパッタ粒子を遮断するように、上記シャッタ板の回転角度を制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子が得られる磁性多層膜形成装置を提供する。
【解決手段】アモルファスの強磁性体層を成膜する第１の成膜チャンバ２７Ａと、反強磁性体層を成膜する第２の成膜チャンバ２７Ｂと、成膜層の厚さ方向において、（００１）面が該層の界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウム層を成膜する第３の成膜チャンバ２７Ｃとが、それぞれゲートバルブ３０，３０，３０を介して搬送チャンバ２２に接続配置され、該搬送チャンバ２２内に、基板を第１〜第３チャンバ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃへ移動させるロボット搬送装置を備えた磁性多層膜製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するためのカソード２を、該ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと該ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構３３及び前記カソード２の背後に位置するカソードマグネット２２を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】その鋳込み成形時の鋳込み口あたりの早期凝固、及び、それによりその鋳込み成形されたビレットの鋳込み口あたりに生じる鋳込み巣をなるべく存在させないスパッタリングターゲット材の製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】基材金属と添加金属とを溶融混練してから鋳込み成形をし、スパッタリング用ターゲット材を製造する方法において、前記溶融混練によりなる合金溶液を前記鋳込みをする鋳型に流し込ませる際、前記鋳型を冷却しながら前記鋳型の鋳込み口あたりを加熱し、鋳込み成形時の前記鋳込み口あたりの早期凝固及び鋳込み巣の発生を抑えることを特徴とするスパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、第１磁性金属からなる第１膜及び該第１磁性金属以外の金属からなる第２膜を同一の第１チャンバ１７Ａで成膜する工程を用いて、第１多層金属膜を設ける第１工程、該第１工程後の基板の上に、金属酸化物からなる第３膜を、第２チャンバ１７Ｂで設ける第２工程、並びに、該第２工程後の基板の上に、第２磁性金属からなる第４膜及び該第２磁性金属以外の金属からなる第５膜を同一の第３チャンバ１７Ｃで成膜する工程を用いて、第２多層金属膜を設ける第３工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】軟磁性層で生じる磁気ノイズを低減する。
【解決手段】基材に軟磁性薄膜をスパッタリングにより形成するための複数の第１チャンバ１１と、軟磁性薄膜に非磁性薄膜をスパッタリングにより積層して形成するための少なくとも１つの第２チャンバ１２とを備える。そして、第１チャンバ１１と第２チャンバ１２は、基材の搬送経路に沿って交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の装置に大きな変更を加えることなく高いスループットと高い保磁力およびＳ／Ｎ比を両立させることが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の代表的な構成は、基板上に配向制御層１６、非磁性の下地層１８、磁気記録層２２を備える磁気記録媒体において、配向制御層１６は、ニッケルまたはニッケルよりもイオン化傾向が小さい元素を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、２０≦Ｘ≦７０で表されるＦｅＣｏ合金に、Ｆｅに対する共晶点以上の（Ｎｂ、Ｔａ）から選ばれる１種または２種の元素Ｍ１を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが３７ＨＳ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー磁性層における磁性粒子が基板円周方向にも半径方向にも均一に形成され、磁気特性のより一層の向上を実現することにより、高情報記録密度化に資することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、配向調整層及び磁気記録層のそれぞれの成膜時に、ターゲット１から放出されるスパッタ粒子を、電位調整可能な多段から成るコリメータ板２，３を通して基板７表面に堆積させる。上記多段のコリメータ板２，３の各々に−３００Ｖ〜３００Ｖの範囲内で直流バイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】構造制御が容易で、高周波域で優れた磁気特性を有すると共に長時間に亘って優れた磁気特性の熱的安定性を有する磁性材料を提供する。
【解決手段】Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属酸化物とを含むアモルファス複合酸化物を熱処理して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなる磁性材料。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が５０以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる機能層の形成時における損傷を軽減しつつ生産性を向上し得る電子素子材料の中間体を提供する。
【解決手段】スパッタリングによって基板１００の表面１００ａに所定の機能層が形成されて構成される電子素子材料の製造に用いられる電子素子材料の中間体であって、スパッタリングの実行時に発生する異常放電を誘導する導電性の放電誘導膜１０２ａが機能層の形成以前における基板１００の外周縁部の所定部位に形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、搬送されてきた基板ホルダーを移動させることなく、基板を受け取り、その場で基板を回転することが可能な基板支持回転装置及び基板支持機構を提供することを目的とする。
【解決手段】中空の円柱状部材と、その中空部に第１のバネにより軸方向の一方に付勢して取り付けられ、一端部にテーパー部が形成された中心軸と、円柱状部材の一端面に設けられた径方向に移動する複数の移動部材であって、その外周側には基板の内周端面を支持するツメが設けられ、第２のバネにより中心軸方向に付勢された径方向移動部材と、からなり、中心軸の軸方向運動を径方向移動部材の径方向運動に変換して基板の支持、解放を行う基板支持機構を用いることを特徴とし、さらに、基板支持機構を軸方向移動及び回転させる機構及び中心軸を軸方向に移動させる機構を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく、除電ユニットからの漏出荷電粒子に起因するフィルムの熱変形を防止することができる巻取式真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る巻取式真空成膜（蒸着）装置１０は、冷却用キャンローラ１４と除電ユニット２３の間に、除電ユニット２３からキャンローラ１４へ向かう荷電粒子を捕捉する電荷捕捉体２５を設けることで、除電ユニット２５から漏出した荷電粒子がキャンローラ１４へ到達することを阻止して、キャンローラ１４に印加されたフィルム密着用のバイアス電位の変動を抑止し、フィルム１２に対する静電力を安定に保持する。これにより、フィルム１２とキャンローラ１４の間の密着力が安定に保持されるので、フィルム１２の熱変形が防止されることになる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＣｏを主体とする合金相とＦｅを主体とする合金相とからなる焼結組織を有し、前記Ｆｅを主体とする合金相中にＦｅ_２Ｍの非磁性ラーベス相金属間化合物が存在するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】均一な組織を持ち、酸素を低減できるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを安定してかつ低コストで製造できるようにするとともに、パーティクルの発生を防止又は抑制し、成膜の製品歩留りを上げることにより、ハードディスク用の膜形成に好適なＡｌＲｕスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】原料となるＡｌとＲｕを高周波溶解し、Ａｌ１３Ｒｕ４金属間化合物を主成分とする粉末とし、Ｒｕ粉を混合した後焼結する。また、９５ｖｏｌ．％以上のＡｌＲｕ金属間化合物からなる焼結体であるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）