【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード８０２と、回転可能なステージ８０１と、回転可能な遮蔽板８０５とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体及びその製造方法並びに記憶装置において、記録層をパターニングする際に記録層を形成する磁性粒子の体積の局所的減少を抑えて熱揺らぎの影響を受けにくくすることを目的とする。
【解決手段】非磁性母体の中に磁性粒子を分散させたグラニュラ構造を有する記録層と、記録層に形成されたパターンの凹部に埋め込まれた非磁性体を備え、磁性粒子は記録層の上部領域内の直径が記録層の下部領域内の直径より大きい逆円錐台形状を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング膜のバラツキを抑制すべく、均一な組織を有するＮｉ合金ターゲット材を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）から選ばれる１種または２種以上を１０〜３０質量％含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるＮｉ合金ターゲット材の製造方法において、前記Ｎｉ合金を溶解鋳造したインゴットを温度８００〜１３００℃、圧下率５０％以上で塑性加工を施した後、８００〜１３００℃で０．５〜３時間の再結晶化熱処理を行うＮｉ合金ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石Ｓと、Ｄｙ及びＴｂの少なくとも一方を含む蒸発材料ｖとを収納して加熱し、焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相にＤｙやＴｂを拡散させて高性能磁石を得る際に、処理温度を低くでき、処理室で使用される治具や処理箱の寿命を延ばすことができる低コストの永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 蒸発材料ｖとして臭化テルビウムまたは臭化ジスプロシウムを用いる。そして、処理室７０内に鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石Ｓを配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置した前記蒸発材料を蒸発させる。この蒸発した臭化テルビウムまたは臭化ジスプロシウムを焼結磁石表面への供給量を調節して付着させ、焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリングにより形成する磁性層の形成方法であって、反応容器内に、基板を配置するとともに、スパッタ電極と、該スパッタ電極の表面に配設された酸化物以外のクロムを含むターゲットとからなる電極ユニットを、一対、それぞれ前記ターゲットを前記基板側にして、前記基板の両面と対向するように配置し、アルゴン及び水を含む混合ガスを、前記一対の電極ユニットの各前記基板側の表面付近に供給し、前記ターゲットに含まれる酸化物以外のクロムを、反応性スパッタリングにより、グラニュラ構造を有する磁性層に含まれる酸化クロムとして形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録層の磁気特性の変化が生じにくい信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填する充填部１８と、を有し、該充填部１８は金属系材料の主充填材料と窒素とを含んでなり、且つ、主充填材料の原子数及び窒素の原子数の合計値に対する窒素の原子数の比率が充填部１８の上面部１８Ａにおいて充填部１８の下部１８Ｂにおけるよりも高くなるように充填部１８中に窒素が偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する材料からなる薄膜が基板上に成膜されにくく、反応チャンバ内の雰囲気に存在する不純物ガスを効果的に除去して反応チャンバ内の真空度を高めることができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１１８が、磁性材料領域１８ａと、ゲッター作用を有するゲッター材料からなるゲッター材料領域１８ｃとを含むものであり、基板２００とターゲット１１８との間にシールド部材２１が設けられ、シールド部材２１が、磁性材料領域１８ａ側に向かって基板２００全面を露出させるものであって、磁性材料領域１８ａから発生したスパッタ粒子を通過させる開口部２１ａと、ゲッター材料領域１８ｃから発生したスパッタ粒子を遮るものであって、表面にゲッター材料からなるゲッター膜が形成される遮断部２１ｂとを有している成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_ａ−Ｆｅ_{１００−ａ}）_{１００−ｂ}−Ｎｉ_ｂ）_{１００−ｃ}−Ｍ１_ｃ、１０≦ａ≦９０、０＜ｂ≦２０、５≦ｃ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−Ｘ}−Ｍ１_Ｘ、５≦Ｘ≦３０で表され、Ｍ１元素が１種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
Ｎｉ粉末を粉末Ｃ、
としたとき、粉末Ａ、粉末Ｂおよび粉末Ｃを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜方法、基板保持具及び成膜装置において、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することを目的とする。
【解決手段】チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法において、チャンバ内で前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁石により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁石により吸着するように構成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームが走査された蒸発源から、基板に向かって成膜を行う薄膜の製造方法において、長時間安定成膜に有効な、棒状の供給材料を先端より順次溶解して供給する供給方法を長時間安定に実現する。
【解決手段】 蒸発源の上方に棒状供給材料３２を差し向け、前記棒状供給材料３２に前記電子ビームを照射することにより前記蒸発源の材料の溶解供給を行うものであって、かつ、前記棒状供給材料３２を前記蒸発源の両側に配し、前記電子ビームの走査範囲は、前記棒状供給材料上および前期蒸発源上であって、前記蒸発源上の電子ビームの走査範囲は一定であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な膜を手軽に成膜する。
【解決手段】ロータリーマグネトロンスパッタ装置３００において、ターゲット３３０と、そのターゲット３３０のディスク基板２０１側に対する裏側に配置され磁界を発生させる、その磁界は頂点がターゲット３３０のディスク基板２０１側に達するアーチ状の磁界であり、その磁界をターゲット３３０に沿って周回移動させるロータリーマグネトロンカソード３４０との間に挿入され、上記磁界の周回移動経路上の一部でその磁界のターゲット３３０への到達を減らす軟磁性板３６０を備えた。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材において、アモルファス化と耐食性の向上を容易に実現し、かつ磁気特性に優れたＦｅ−Ｃｏ系合金組成のスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、３０≦Ｘ≦８０で表されるＦｅ−Ｃｏ合金に、ＴａあるいはＮｂを１０〜３０原子％含有するスパッタリングターゲット材において、ＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相における（１１０）面のＸ線回折強度［Ｉ（ＦｅＣｏ−ＢＣＣ）］とＴａあるいはＮｂを主体とするＢＣＣ相における（１１０）面のＸ線回折強度［Ｉ（ＴａＮｂ−ＢＣＣ）］の強度比［Ｉ（ＴａＮｂ−ＢＣＣ）／Ｉ（ＦｅＣｏ−ＢＣＣ）］が０．１５以下である軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、ＳｉおよびＢを総量として０．１〜１０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜を製造するスパッタリングターゲット材。また、上記ＳｉおよびＢの組成比が２：８〜６：４である、スパッタリングターゲット材、および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜にある。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＭ_Ｙ、２０≦Ｘ≦８０、４≦Ｙ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／あるいはＴａであるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相および／またはＦＣＣ相とＭ元素を含有する金属間化合物相とでなる金属組織を有し、ミクロ組織においてＭ元素を含有する金属間化合物相に描ける最大内接円の直径が１０μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５を非接触状態で駆動するリニアモータ駆動機構２０１と、キャリア２５の側面部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を水平方向にガイドする水平ガイド機構２０６と、キャリア２５の下端部に接触可能に設けられて、リニアモータ駆動機構２０１により駆動されるキャリア２５を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構２０７とを備え、水平又は鉛直ガイド機構２０６，２０７は、キャリア２５の搬送方向に並ぶ複数の支軸２０９，２１１に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング２１０，２１２を有し、この制振部材を介して支軸２０９，２１１とベアリング２１０，２１２との非接触状態が維持される。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリを製造するためのシステム及び方法が、開示される。特に、堆積の間に磁性膜のアライニング方法が、開示される。上記方法は、基板上への第１の磁性材料の堆積の間に存在する基板の領域の第１の方向に沿って第１の磁場を印加することを含む。上記方法は、基板上への前記第１の磁性材料の堆積の間に、領域に第２の方向に沿って第２の磁場を印加することをさらに含む。
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