【課題】被成膜物の表面近傍での磁場の拡散を抑制し被成膜物の表面近傍に所定の磁場を確保し、表面近傍に到達するプラズマ粒子量を増加させることによって成膜速度を向上させる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバの側面に一組以上のプラズマ進行管が接続されており、該プラズマ進行管の進行方向に対し被成膜物が垂直に配置されており、プラズマ源より発生したプラズマ粒子が被成膜物の表面に照射されることによって被成膜物の表面に薄膜が形成される。前記プラズマ進行管は、接続されている成膜チャンバより内部に配置されている被成膜物に向かって延出する内部プラズマ導出管に連接され、当該内部プラズマ導出管の外周に内部プラズマ制御用コイルが配置されている。 （もっと読む）

【課題】熱アシスト記録用磁気媒体に用いられる熱拡散制御膜であって、高い熱伝導率を維持すると共に、高い熱拡散率、平滑な表面粗さ、および高い耐熱性の全てを兼ね備えたＡｇ合金熱拡散制御膜を提供する。
【解決手段】本発明の熱アシスト記録用磁気記録媒体に用いられる熱拡散制御膜は、Ａｇを主成分とするＡｇ合金から構成されており、表面粗さＲａ１．０ｎｍ以下、熱伝導率１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、熱拡散率４．０×１０^-5ｍ²／ｓｅｃ以上を満足する。 （もっと読む）

【課題】キャリアからの基板の脱落を防止すると共に、キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第１の支持部材４１が支持台４０の取付面Ｓ１に沿った方向に変位可能に支持され、第２の支持部材４２の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第２の支持部材４２が第１の支持部材４２の取付面Ｓ２に沿って、第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持され、ホルダ３の熱膨張による鉛直方向の伸びに応じて、このホルダ３が第３の支持部材４３の取付面Ｓ３に沿って、第１及び第２の支持部材４１，４２の熱膨張による鉛直方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】磁性ターゲットを交換する際に生じる、ターゲットとカソードマグネットの吸着力によるターゲットの変形及び真空容器内の汚染を防止するとともに、ターゲットの交換を安全に行うことができるターゲット交換装置及び磁性ターゲット交換方法を提供する。
【解決手段】磁性ターゲット２の交換に用いられるターゲット交換装置２０は、カソードボディ５側に固定可能なベース部材２２と、ターゲット２を固定可能な固定プレート２３と、固定プレート２３をベース部材２２に対して移動操作可能な移動機構２５とを備え、固定プレート２３の長手方向には補強部材としてのリブが取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に投入する磁界の方向を基板面内で±１°以内に揃えることができ、且つコイル群毎に印加する電力を制御することで回転磁場を発生可能であるとともに、基板マグネットのサイズを低コストで変更することができる磁場発生装置を提供する。
【解決手段】磁場発生装置は、磁性材料からなる略棒状のコアエレメント２１に導線２３が巻回された有芯コイルエレメント２０を、磁性材料からなる接続部品３１を介して多角形状に連結して構成されており、基板保持台に載置された基板表面に平行な磁界を発生することができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた非晶質膜である垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金および軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比でＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０〜３５：６５の組成比のＣｏ−Ｆｅ系合金において、添加元素としてＹを４原子％以上および（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種または２種の元素を３原子％以上含有し、かつ該添加元素の含有量の総和が１５原子％以下の軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、該合金による軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＡＲＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキがあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】高周波成分カットフィルターにより高周波成分をカットした直流電力印加の下で、強磁性体ターゲットをDCスパッタリングすることによってアモルファス状態の強磁性体膜を成膜し、そして酸化マグネシウムターゲットを高周波スパッタリングすることによって結晶酸化マグネシウム膜を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置２００。 （もっと読む）

【課題】 強磁性層における磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスク１０であって、基体１２と、下地層１８と、グラニュラー構造の微細化促進層２０（非磁性グラニュラー層）と、グラニュラー構造の強磁性層３２を有する磁気記録層２２とを備え、微細化促進層２０は、無機酸化物のマトリックスと、非磁性の金属結晶粒子とを有し、強磁性層３２は、無機酸化物のマトリックスと、金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子とを有する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させ、中途の冷却キャン１６で定速回転させる。冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ１と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ１を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン１６を軟磁性部分１６Ａと非磁性部分１６Ｂで構成し、１つの電子銃２１から照射される蒸発，溶解用電子ビーム２１Ａ，２１Ｂと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解，蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ１を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜処理を行う複数のチャンバ２と、複数のチャンバ２内で成膜対象となる基板を保持するキャリア４と、キャリア４を複数のチャンバ２の間で順次搬送させる搬送機構５とを備え、搬送機構５は、キャリア４の下部側に並んで配置された複数の永久磁石２２と、複数の永久磁石２２に対向してキャリア４の搬送方向に並んで配置された複数の電磁石２３とを有して、電磁石２３に電力を供給することによって、この電磁石２３と永久磁石２２とを磁気的に結合させながら、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０を備える。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料供給時に生じる飛沫を抑え、投入時の液面の波紋が蒸着に与える影響を低減し、また蒸着材料のロスを少なくする。
【解決手段】真空状態となった真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させる。各ロール１３，１４は、ベースフイルム１５の幅と略同じ円筒状、冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ３１と略同じ円筒状で、内部に冷却水が流れ、ベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。また真空室１２内には、冷却キャン１６と略同じ幅で設けられたルツボ３１には、蒸着材料（固体状態）２０ａを溶解用電子銃２１Ｂで溶融させて供給する。このルツボ３１は、蒸着材料蒸発部分３１Ａと、これに直角に設けられた蒸着材料溶融部分３１Ｂからなる。この蒸着材料溶融部分３１Ｂにより、蒸着材料（固体状態）２０ａを供給する際に生じる波紋の影響を防止して、安定した蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】インライン方式の成膜装置において、各層を成膜する間の時間に、チャンバー内で各層の表面が劣化（酸化）する。各層にダメージを与えることなく生じた劣化を解消し、効果的に性質を向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供。
【解決手段】基板上に複数の層を積層してなる磁気記録媒体の製造方法において、成膜装置を用いて、基板上に複数の層のいずれかを成膜し、成膜を行わずに基板にバイアスを印加し、基板上に次の層を成膜する。 （もっと読む）