【課題】 飽和磁束密度と透磁率を高いレベルで両立可能なアモルファス構造を有する磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ−Ｆｅ系合金でなる磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜であって、該軟磁性裏打ち層膜における原子％で表されたＣｏとＦｅの組成の比率が８８：１２〜９２：８の範囲内にあり、添加元素として３．０原子％以上のＺｒと、２．０原子％以上Ｂ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａの群から選ばれる１種または２種以上の元素と、をいずれも含有し、かつ、前記添加元素の含有量の合計が５．０〜９．０原子％の範囲内にある磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜である。また、上記と同組成の磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材およびそのスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリング法により形成される磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の構成は、基板１１０上に、グラニュラ磁性層１６０と、グラニュラ磁性層より上方に配置された補助記録層１８０とを備え、グラニュラ磁性層は柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ構造を有し、補助記録層はＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし、さらに副成分として不動態を形成しかつ反強磁性体ではない金属を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの代表的な構成は、基板１１０上に、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第１グラニュラ磁性層群（下群１６０）と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする非磁性層１７０と、複数のグラニュラ構造の磁性層からなる第２グラニュラ磁性層群（上群１８０）と、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とする補助記録層２００とをこの順に備え、第１グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなり、第２グラニュラ磁性層群に含まれる複数の磁性層は、表面に近い層ほどＰｔの含有量が同じかまたは少なくなり、酸化物の含有量が同じかまたは多くなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の製造方法の構成は、基板１１０上に、柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層１６０を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、グラニュラ磁性層より上方に、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし膜厚が１．５〜４ｎｍである補助記録層１８０を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層を成膜した基板を２１０〜２５０℃に加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＰＴＦを改善することができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、ＣｏとＣｒとＰｔとを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ粒相４と、ＰｔとＣｏとＣｒと非磁性酸化物とを含む結合相であるマトリックス相３との複合組織からなり、マトリックス相３のＣｏ濃度が、２５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材の粉末を熱間で固化成形し急冷することで、ターゲット材の結晶構造やターゲット組成または温度によらずターゲット材の透磁率の低減方法で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる粉末原料を、あるいは周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒから成る元素群から選択した少なくとも主成分以外の１つの元素の粉末原料を熱間で成形し、冷却速度１４４〜３６０００℃／ｈｒで３００℃まで冷却してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 高いＰＴＦが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｆｅ：３０〜７０原子％を含有し、残部：Ｐｔおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その組織が、純Ｐｔ相とＦｅＰｔ合金相とで構成され、かつＦｅＰｔ合金相が純Ｐｔ相中に局所的に点在し、Ｆｅ濃度が７０原子％以上であるＦｅリッチ領域が、５〜４０面積％の面積率で分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス性が高く、かつ高い結晶化温度を有する磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）_{１００−Ｙ}Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ−ｂ}−Ｍ_ａ−Ｂ_ｂ、１０≦Ｘ≦７０、０≦Ｙ≦２５、７≦ａ、１≦ｂ≦５、１３≦ａ＋ｂ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／またはＴａである磁気記録媒体用軟磁性膜であって、膜厚が１０〜５００ｎｍである磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜である。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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【課題】 微細なナノ結晶組織を付与したFeあるいはFe濃度の高い合金材料からなる軟磁性金属膜を提供する。
【解決手段】 組成式：Ｆｅ_{１００−ａ}Ｍ_ａ（但し、Ｍ元素はMn,Si,Al,B,Zr,Ti,Crから選択された１種または２種以上の元素であり、ａは原子％で０≦ａ≦１０で、不可避不純物を含む）で表された合金組成で、粒子径が３nm以上１００nm以下の磁気的に等方性のナノ粒子が堆積した軟磁性金属膜。単位重量当たりの飽和磁化は180emu/ｇ以上、保磁力は100A/m以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛薄膜の結晶性（品質）を維持したまま、キャリアを得るための不純物を添加せずにキャリヤ濃度を制御して、室温において飽和磁化と残留磁化が大きな値の強磁性を発現する酸化亜鉛薄膜からなる磁性半導体とその製造方法及び強磁性発現方法を提供する。
【解決手段】磁性半導体の製造方法は、遷移元素を添加した酸化亜鉛の原料ターゲット１９から原料を飛散させて基板２０上に薄膜を成膜する薄膜製造装置１０を用い、原料ターゲット１９と基板２０との間にグリッド電極１８を設置し、グリッド電極１８に電圧を印加し、原料をグリッド電極１８を通過させることで基板２０上に薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録密度が高く磁気信号の記録の信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４を構成する記録層１６と、を有し、記録層１６の材料はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含む磁性粒子と、Ｃｒを含み磁性粒子の間に存在する非磁性材料と、を含む材料であり、記録要素１４を構成するＣｏ、Ｃｒ及びＰｔの原子数の合計値に対する記録要素１４を構成するＣｒの原子数の比率が記録要素１４の側壁部１４Ａにおいて記録要素１４の中央部１４Ｂにおけるよりも低くなるように記録要素１４中にＣｒが偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）