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【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部101dを備えた反応容器101と、空間部101d内に設置された成膜手段と、空間部101dの内部を減圧状態とする排気手段と、空間部101dに連通された開口部101cを覆うように反応容器101に取り付けられ、開口部101cを開閉自在とする扉部801と、前記反応容器101と扉部801との間に、開口部101cを囲むように配置されたOリング802と、空間部101d内で、開口部101cに沿ってOリング802の近傍に配置され、冷却媒体を流通させる冷却管811と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室12内に、送りロール13と巻取りロール14を設けてベースフイルム15を走行させ、中途の冷却キャン16で定速回転させる。冷却キャン16の幅方向の長さはルツボ1と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム15の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ1を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン16を軟磁性部分16Aと非磁性部分16Bで構成し、1つの電子銃21から照射される蒸発,溶解用電子ビーム21A,21Bと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解,蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ1を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 (もっと読む)


【課題】キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜処理を行う複数のチャンバ2と、複数のチャンバ2内で成膜対象となる基板を保持するキャリア4と、キャリア4を複数のチャンバ2の間で順次搬送させる搬送機構5とを備え、搬送機構5は、キャリア4の下部側に並んで配置された複数の永久磁石22と、複数の永久磁石22に対向してキャリア4の搬送方向に並んで配置された複数の電磁石23とを有して、電磁石23に電力を供給することによって、この電磁石23と永久磁石22とを磁気的に結合させながら、キャリア4を非接触状態で駆動する駆動機構20を備える。 (もっと読む)


【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。
【解決手段】Co粉末、Pt粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Co−Cr合金粉末及びPt粉末を更に添加して混合・粉砕したCoCrPt−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、CoCrPt−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、12〜25面積%のPtリッチ領域が分散形成されている。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料供給時に生じる飛沫を抑え、投入時の液面の波紋が蒸着に与える影響を低減し、また蒸着材料のロスを少なくする。
【解決手段】真空状態となった真空室12内に、送りロール13と巻取りロール14を設けてベースフイルム15を走行させる。各ロール13,14は、ベースフイルム15の幅と略同じ円筒状、冷却キャン16の幅方向の長さはルツボ31と略同じ円筒状で、内部に冷却水が流れ、ベースフイルム15の温度上昇による変形等を抑制する。また真空室12内には、冷却キャン16と略同じ幅で設けられたルツボ31には、蒸着材料(固体状態)20aを溶解用電子銃21Bで溶融させて供給する。このルツボ31は、蒸着材料蒸発部分31Aと、これに直角に設けられた蒸着材料溶融部分31Bからなる。この蒸着材料溶融部分31Bにより、蒸着材料(固体状態)20aを供給する際に生じる波紋の影響を防止して、安定した蒸着を行う。 (もっと読む)


【課題】アークをプラズマ源とし、成膜面に付着するマクロパーティクル数を低減しつつ、高い成膜レートで良質な薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部10で発生しプラズマ分離部20に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル23の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部40を介して成膜チャンバ50内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部20を直進してパーティクルトラップ部30で捕捉される。プラズマ輸送部40は、プラズマの流路に沿って相互に電気的に絶縁された2つの電場フィルタ部40a,40bに分割されている。プラズマ分離部20側の電場フィルタ部40aには例えば−20Vの電圧が印加され、成膜チャンバ50側の電場フィルタ部40bには例えば−5Vの電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場を発生させる磁気回路11は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第1のマグネット40と、第1のマグネット40の内側に同心円状に配置されて、第1のマグネット40とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第2のマグネット41とを有し、且つ、これら第1及び第2のマグネット40,41の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第1のマグネット40と第2のマグネット41との間で発生する磁場Mの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Bzが0[T]となる点を結ぶBz=0ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、複数の変曲点C1,C2を有する曲線L1を描くようにする。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基板フィルムの両面に高品位の金属含有蒸着膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】蒸着ドラム11を有する蒸着装置1aで、非磁性プラスチック基板フィルム16の両面に金属含有蒸着膜を形成する両面蒸着膜の製造方法であって、該基板フィルムの一方の面(A面)に金属含有蒸着膜を形成した後に、該金属含有蒸着膜上に有機物膜を形成し、次いで、該基板フィルムの他方の面(B面)に金属含有蒸着膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲット表面に生じるエロージョンを高度に均一化し、ターゲットの寿命を高める。
【解決手段】ターゲットの表面上に磁場Mを発生させる磁気回路11は、磁化方向が軸線と平行となる筒状の第1のマグネット40と、第1のマグネット40の内側に同心円状に配置されて、第1のマグネット40とは磁化方向が反平行となる筒状又は柱状の第2のマグネット41とを有し、且つ、これら第1及び第2のマグネット40,41の軸線とターゲットの軸線とが互いに平行となる状態で、ターゲットの表面と平行な面内で回転自在とされると共に、第1のマグネット40と第2のマグネット41との間で発生する磁場Mの、ターゲットの表面における磁束密度の垂直成分Bzが0[T]となる点を結ぶBz=0ラインが、ターゲットの表面と平行な面内において、ハート形の曲線Lを描くようにする。 (もっと読む)


【課題】マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。
【解決手段】解決手段の第1態様は、Coを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Coを含む磁性相12と、Coを含む非磁性相16と、酸化物相14と、を有し、該磁性相12と該非磁性相16と該酸化物相14とが互いに分散しており、該磁性相12はCoおよびCrを主成分として含み、該磁性相12におけるCoの含有割合は、76at%以上80at%以下である。解決手段の第2態様は、Coを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Coを含む磁性相12と、Coを含む非磁性相16と、を有し、該磁性相12と該非磁性相16とが互いに分散しており、該非磁性相16はPtを主成分として含むPt−Co合金相であり、該Pt−Co合金相におけるCoの含有割合は、0at%より大きく13at%以下である(もっと読む)


【課題】 大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いFe−Co−Ni系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が((Fe100−X−Ni100−Y−Co100−Z−M、25≦X≦35、10≦Y≦90、5≦Z≦20で表され、前記組成式のM元素が(Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、Al、Si)から選ばれる1種もしくは2種以上の元素であるFe−Co−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、少なくとも平均粒径が35μmを超えるFe−25〜35原子%Ni合金を原料粉末に用いて前記組成式を満たすように他の粉末と混合した混合粉末を加圧焼結して焼結体を得るFe−Co−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ベーキング処理により反応容器内の真空度を短時間で高めることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Wが配置される反応容器2と、反応容器2内にガスを導入するガス導入管と、反応容器2内を減圧排気する真空ポンプ15,16と、反応容器2の内面に沿って配置されたシールド板31と、シールド板31を加熱するベーキングヒータとを備え、ベーキングヒータによりシールド板31を加熱しながら、真空ポンプ15,16により前記反応容器2内を減圧排気する。 (もっと読む)


【課題】軟磁性下地層の密度を高め、また表面粗度を低下させることによって、更なる高記録密度化に対応することを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板1の上に、複数の軟磁性層2aを反強磁性結合させた軟磁性下地層2と、磁化容易軸が非磁性基板1に対して主に垂直に配向した垂直磁性層4とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、軟磁性層2aをスパッタリング法で形成し、スパッタリングガスとしてKr又はXeを用い、このスパッタリングガスの圧力を0.3Pa以下とする。これにより、高エネルギーのスパッタリング粒子を生成することが可能となり、また、膜中に混入するガス粒子も減少し、密度が高く緻密且つ平坦性の高い軟磁性下地層2が形成可能となる。 (もっと読む)


【課題】 第1軟磁性層と第2軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、OW特性およびSNRを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の構成は、ディスク基体110上に少なくとも、軟磁性層114と、磁気記録層122を備える垂直磁気記録媒体100であって、軟磁性層114は、第1軟磁性層114bおよび第2軟磁性層114dと、第1軟磁性層114bの下に設けられた結晶調整層114aと、第1軟磁性層114bと前記第2軟磁性層114dの間に第1軟磁性層114bおよび第2軟磁性層114dが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層114cとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部134とを有する磁気記録層122を備えた磁気記録媒体100において、磁気記録層は、4×10erg/cc以上の垂直磁気異方性定数Kuを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を2つのチャンバーを使用して行い、まず1つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも1回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも1回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで2つ目のチャンバーにおいて、1つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いた成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜時にチャンバー内のターゲット近傍、好ましくはターゲット位置から20mm以内の範囲にほぼ均一な材料ガス分布が存在するように、材料ガスの噴出口を前記ターゲットの近傍に配置した。 (もっと読む)


【課題】従来は必須とされてきたシード層を設けなくてもRu下地層の好適な配向制御を可能とし、シード層を省けることで製造工程の短縮、コスト低減を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層を成膜した後、該軟磁性層の上に他の層を介さずに直接、バイアスを印加しながらルテニウム(Ru)又はその化合物からなる下地層を成膜する。 (もっと読む)


【課題】比透磁率の低い磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末としてCr:50〜70モル%を含有し、残部がCoからなるCr−Co合金粉末、Pt粉末、非磁性酸化物粉末、A金属粉末(ただし、A金属はB、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Reの内の少なくとも1種を示す)およびCo粉末を用意し、これら原料粉末を非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%、A:0.5〜8原子%を含有し、残部:Coからなる成分組成となるように配合し混合して得られた混合粉末を金属製缶体に充填し、金属製缶体内部を真空にして封入し、この混合粉末を真空封入した金属製缶体を温度:800℃以下で熱間圧延する。 (もっと読む)


【課題】緩衝効果を更に向上させて、柔らかい基板を用いた場合でも基板の損傷や破損を防止することが可能な基板支持装置を提供する。
【解決手段】基板に設けられたセンター孔に基板保持部を挿入し、前記基板保持部で前記基板を鉛直姿勢で支持する基板支持装置は、前記基板保持部に連結された第1の連結板と、前記第1の連結板に対向して配置され、前記基板を基板ホルダーに搬送する搬送ロボットに連結された第2の連結板と、前記第1の連結板と第2の連結板とを接続する少なくとも3つの線状の支持部材と、前記第1の連結板と第2の連結板との間に配置された弾性を有する緩衝部材と備える。 (もっと読む)


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