【課題】複数の蒸発源用磁場印加機構による磁場の相互干渉を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空成膜装置は、成膜チャンバーと、成膜チャンバー内に設けられるスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａ、及び同一の成膜チャンバー内に設けられるアーク蒸発源用磁場印加機構と、これらのうちどちらかの蒸発源用磁場印加機構、好ましくはスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａの一部又は全部を覆うように設けられる磁場遮蔽部２１，２２とを有することを特徴とする。また、磁場遮蔽部２１，２２の開閉部２１ｂ，２２ｂの一部（閉じた状態でターゲット材１２と対向する部分）を非磁性体２１ａ，２２ａで構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、真空チャンバ２と、基板３１を保持する基板ホルダ３２と、真空チャンバ２内で基板３１に対向可能な状態にターゲット１１，１２をそれぞれ支持するカソード機構２１，２２と、互いに材質の異なるターゲット１１，１２と基板３１との間に個別に進退してターゲット１１，１２で発生した成膜粒子を遮蔽又は開放するシャッタ４１，４２とを備えている。これらシャッタ４１，４２の少なくとも１つ、例えばシャッタ４２を、ターゲット１１，１２の材料とは異なるターゲット材料で形成してターゲット兼用シャッタとして構成した。 （もっと読む）

【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。ターゲットホルダー１０７ａ、１０７ｃは、回転軸Ｘに対して２回対称な位置に配置される第１群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー１０７ｂ、１０７ｄは、第１群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Ｘに対して２回対称に配置される第２群のターゲットホルダーである。 （もっと読む）

【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により、均一な膜厚で成膜することができる枚葉式成膜装置及び枚葉式成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜物質Ｇを収容した射出源１２の上方に1枚の基板１８を水平に保持して回転させる基板保持部材１６と、射出源１２と基板保持部材１６との間に出没可能に設けられ、基板１８に成膜される膜厚を制御するための膜厚補正部材２０と、射出源１２と基板保持部材１６との間で成膜物質Ｇを遮断して基板１８に対する付着を阻止しあるいは成膜物質Ｇの基板１８に対する付着を許容する遮断部材１４と、を有する枚葉式成膜装置１０であって、膜厚補正部材２０は、成膜物質Ｇが通過する開口部２０Ａと、成膜物質Ｇの通過を阻止する遮蔽部２０Ｂと、を有し、射出源１２と基板１８の中心とを結んだ軸線からの半径距離に応じて、開口部２０Ａの開口率が変化している。 （もっと読む）

【課題】３つ以上のターゲットを同時にスパッタ可能とするのみならず、任意の１つのターゲットのみをスパッタして所望の薄膜を形成することが可能なスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタ装置は、真空槽２と、真空槽の内部において同一円周上に等角度間隔で配置された第１、第２及び第３のターゲットＴ１〜Ｔ３と、基板Ｗを支持するステージ３と、第１〜第３のターゲットと対応する第１〜第３の開口Ｈ１〜Ｈ３、及び、第１の開口と第２の開口との間に位置する第４の開口Ｈ４を有する第１のシャッタ１５Ａと、第１〜第３のターゲットと対応する第５〜第７の開口Ｈ５〜Ｈ７を有する第２のシャッタ１５Ｂと、第１〜第３のターゲットに対する第１及び第２のシャッタの各々の回転位置を制御するための制御ユニットとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】回転成膜が可能で膜厚分布の向上が可能で、マスク本体の複数の開口部を任意の順序で開口させて種々の条件の蒸着が可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空槽２内において複数の開口部８を有するマスク７を介して基板５０上に蒸着を行う。マスク７には、所定の基準配列方向に沿って複数の開口部８の列が設けられたマスク本体９を有し、マスク本体９には、複数の開口部８の列と対応し基準配列方向に延びる複数のマスクシャッター１０Ａ〜１０Ｄが一体的に設けられている。真空槽２内に把持部２５、２６を挿入してマスク７の所定のマスクシャッター１０を保持して基準配列方向に移動させ所定の開口部８を開口させる。蒸着時には把持部２５、２６を真空槽２外に取り出して基板５０をマスク７と共に一体的に回転させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が顕著化しやすい場合においても高精度な膜厚制御を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置１は、真空チャンバ１０１と、基板ホルダ１０３と、成膜源ホルダ１１３と、遮蔽機構１０９と、第１膜厚測定機構１０４と、補正制御部１１０と、を備えている。遮蔽機構１０９は、基板ホルダ１０３と成膜源ホルダ１１３との間に設けられており、成膜源１１４からみて基板上における成膜される領域の少なくとも一部を遮蔽し、基板ホルダ１０３の回転軌道円の接線方向における大きさを個々に変更可能な小片３０３ａ〜３０３ｌを有する。第１膜厚測定機構１０４は、複数の位置における成膜層の膜厚を測定する。補正制御部１１０は、第１膜厚測定機構１０４の測定結果に基づいて小片３０３ａ〜３０３ｌのそれぞれの大きさを個々に補正する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料のシャッター部材への付着に起因する膜厚や膜質が変化するのを防止し得る真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着により薄膜をガラス基板Ｋに形成し得る蒸着室１と、蒸着材料を蒸発させて蒸着材蒸気を得る複数の蒸発用セル４と、蒸着室内に配置されて蒸発用セルからの蒸着材蒸気を材料移送管６を介して導く分散用容器７と、この分散用容器に設けられて蒸着材蒸気を所定の放出位置に導く放出用ノズル11先端の放出口を開閉し得る穴部22を有するシャッター部材21とを具備し、シャッター部材を、放出用ノズルの放出口の上方位置で且つこの放出口を閉鎖し得る閉鎖位置と開放し得る開放位置との間で移動自在に設けるとともに、シャッター部材の穴部が放出口に対応する開放位置にあっては、当該シャッター部材が放出用ノズルの放出口よりも下方位置に移動し得るように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時スパッタ数の多い多元スパッタリング装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板とターゲット電極との間に、第１及び第２のシャッター板を設け、該シャッター板によって対象となるターゲットと基板との間を遮断してプリスパッタ工程を行う。また、本スパッタ工程に移行する際に、第１及び第２のシャッター板を適宜回転させて、該シャッター板に設けた貫通孔を重ねることで対象となるターゲットと基板との間を開放して本スパッタ工程を行う。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置において、熱に強くシンプルな構成により気化された蒸着材料の流量をレスポンス良く正確に制御できるようにする。
【解決手段】蒸着装置は、蒸着材料２を収容する蒸発源３と、気化された蒸着材料２を導流し、蒸着材料２が気化される温度に加熱される筒状体５と、筒状体５内を流れる蒸着材料２の流量を制御する流量制御手段６とを備える。流量制御手段６は、筒状体５の内面に一端が固定された金属フィルム７を、磁性体８ａ，８ｂを用いて変形させて、筒状体５内の流路面積を調整する。金属フィルム７は、高温に曝されても高い応力が働き難く安定動作が可能で、軽量で容易に変形するので、蒸着材料２の流量をレスポンス良く正確に制御できる。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】ホスト材料に対するゲスト材料の割合が非常に小さい場合、ワークの表面に蒸着するゲスト材料の割合やゲスト材料の分布状態を精度良く保つことが困難である。
【解決手段】真空チャンバ１１と、この真空チャンバ１１内に配される第１および第２の蒸着源１６，１７と、これら第１および第２の蒸着源１６，１７から供給されるゲスト材料１４およびホスト材料１５が表面に蒸着される基板１３を真空チャンバ１１内にて固定状態で保持するワーク保持手段３３とを具えた本発明による真空蒸着装置１０は、第１の蒸着源１６とワーク保持手段３３に保持される基板１３との間に位置して基板１３の表面に対するゲスト材料１４の蒸着量をホスト材料１５の蒸着量よりも低減させるための遮蔽部材１８と、この遮蔽部材１８を第１の軸線Ｏ₂回りに回転させると共に第２の軸線Ｏ₁に関して運動させる遮蔽部材駆動機構１９と、この遮蔽部材駆動機構１９を介して遮蔽部材１８を駆動する単一の駆動モータ２５とをさらに具える。 （もっと読む）

【課題】シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に互いに相違する物質からなる第１及び第２のターゲットを載置し、スパッタ粒子を通過させる通過箇所とスパッタ粒子を遮断する遮断箇所とからなるシャッタ板を用い、第１ターゲットからのスパッタ粒子を遮断した箇所とは異なる位置で第２ターゲットからのスパッタ粒子を遮断するように、上記シャッタ板の回転角度を制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、ターゲット材料にイオン粒子を照射して、ターゲット材料より膜を形成するためのスパッタ粒子を放出させるスパッタ装置と、基板を保持して移動可能であり、ターゲット材料からのスパッタ粒子が供給可能な位置に基板を配置可能な基板保持部材と、ターゲット材料と基板との間に配置され、ターゲット材料からのスパッタ粒子の少なくとも一部が通過可能な開口を有する所定部材とを備える。所定部材は、ターゲット材料と同じ材料によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】斜め蒸着、蒸着レートの低下を防止した蒸着を、小型の装置で実現すること。
【解決手段】蒸発源と、この蒸発源の上方に対向配置され、半導体基板を支持して、平面内でステップ移動可能に設けられた基板ホルダと、この基板ホルダおよび前記蒸発源間に固定配置され、前記基板ホルダに支持される半導体基板の一部を前記蒸発源に露出する開口部を有する防着マスクとを備えた真空蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを十分に除去し、良質なダイヤモンドライクカーボン等より成る保護膜を形成しうる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１０が載置される成膜室１２と、基板上に成膜を行うための成膜原料１４が載置され、成膜原料をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、成膜原料のプラズマ２８を生成するプラズマ生成部１６と、プラズマ生成部と成膜室とを接続し、プラズマ生成部において生成されるプラズマを成膜室内に移動させるための移動経路１８と、プラズマ生成部と成膜室との間に設けられ、移動経路を開閉するシャッター２０、２２とを有し、シャッターの開閉を時間的に制御することにより、成膜原料から飛散するパーティクル３８をシャッターにより遮断しつつ、プラズマを基板上に到達させる。 （もっと読む）

【課題】基板への蒸着粒子堆積量のずれを補正可能な補正機構の、蒸発源とのマッチング性や取り扱い利便性を改善させた真空蒸着装置および基板蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、内部１０ｅを減圧可能な真空槽１０と、真空槽１０内に配置され、蒸着粒子を基板に向けて飛散させる蒸発源１１ａ、１１ｂと、真空槽１０内の基板１２を回転可能な基板回転機構２２と、蒸発源１１ａ、１１ｂの蒸発ポイントＰと基板１２との間の偏倚量に相関する、基板１２への蒸着粒子堆積量のずれを補正する補正部材３１を有する補正機構３０と、を備え、蒸着粒子が蒸発ポイントＰから基板１２に向けて飛散する間、補正部材３１は、蒸着粒子が通過する気流領域Ａ、Ｂ内を揺動する装置である。 （もっと読む）

物理蒸着処理、化学蒸着処理、またはこれらの組合せによって、基板を被膜するように設計された被膜用の装置が提供される。前記被膜用の装置は、軸方向に移動可能なシャッタ（１８）によって被膜可能な回転可能なマグネトロン（１４）を用いる点に特徴がある。このような構成によって、後続する被膜のためのステップ間または後続する被膜のためのステップ中に、マグネトロンターゲットを清浄に保持するかまたはターゲットを清浄化することができる。シャッタは、ターゲットの近傍に制御可能なガスの雰囲気をさらにもたらす。マグネトロンが中心に配置されてもよく、従って、基板は、マグネトロンを中心として回動する遊星状の回転体（２４）に吊り下げることによって、あらゆる角度からスパッタリング源に晒されることとなる。
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