説明

Fターム[4K029DB05]の内容

物理蒸着 (93,067) | 蒸着装置 (6,894) | 蒸発材、蒸発物質 (2,872) | 材質 (2,352) | 無機化合物 (677)

Fターム[4K029DB05]に分類される特許

201 - 220 / 677


【課題】帯電防止性、反射防止性および耐薬品性に優れる透明な光学物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】眼鏡レンズ100は、レンズ基材110と、このレンズ基材110の表面に設けられたハードコート層120と、このハードコート層120の上に設けられた反射防止膜130とを備えて構成されている。反射防止膜130は、可視光領域の屈折率が1.3〜1.5である低屈折率層131,133,135,138と、屈折率が1.8〜2.60である高屈折率層132,134,136と、アモルファスシリコン層137とから構成される。 (もっと読む)


【課題】ペロブスカイト型の酸素イオン伝導体から構成されて酸素イオン伝導性がより一層向上し得るセラミック膜材を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素イオン伝導性セラミック膜材の製造方法は、所定の結晶面に配向した基板を用意する工程と、一般式:A1−xAeBO3−δ(ただし、Aは、Ln(ランタノイド)から選択される少なくとも1種の元素であり、Aeは、Sr、BaおよびCaからなる群から選択される1種または2種以上の元素であり、Bは、ペロブスカイト型構造を構成し得る1種または2種以上の金属元素であり、0≦x≦1であり、δは電荷中性条件を満たすように定まる値である。)で表わされるペロブスカイト型のセラミック膜を構成するための原料を用意する工程と、蒸着法により上記基板の結晶面上にセラミック膜を結晶配向させた状態で形成する工程とを包含する。 (もっと読む)


本発明は材料組成物、それらの材料の製造方法、およびp型透明導電膜の物理気相堆積技術におけるターゲットとして使用するためのセラミック体の製造方法に関する。ペレット化された酸化物材料MxSr1-xCu2+a2+b[式中、−0.2≦a≦0.2、−0.2≦b≦0.2、且つ、Mは、Ba、Ra、Mg、Be、Mn、Zn、Pb、Fe、Cu、Co、Ni、Sn、Pd、Cd、Hg、Ca、Ti、V、Crからなる二価の元素の群の1つまたはそれより多くであり、0≦x≦0.2]の製造方法であって、以下の工程 ・ 特定の粒径分布を有し、且つ化学量論組成量Cu2O、Sr(OH)2・8H2Oを含み、の0<x≦0.2の場合、M−水酸化物を含む前駆体混合物を提供する工程、 ・ 前記の前駆体混合物を密接に混合して均質な混合物を得る工程、および ・ 前記の均質な混合物を850℃より高い温度で焼結する工程、を含む方法が開示される。酸化物材料SrCu2+a2+bは、400ppm未満の残留炭素含有率を有し、且つ、それを用いて、少なくとも5.30g/mlの密度を有するターゲットを製造できる。 (もっと読む)


【課題】ZnO原料粉末に添加される、希土類元素を1種含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたZnO蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なZnO膜が得られるZnO蒸着材を製造する。
【解決手段】ZnO原料粉末12と希土類元素を1種含む希土類元素酸化物粉末13との原料混合粉末14を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体19或いはグリーン積層体20又は29を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末25又は31を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むZnO焼結体からなるZnO蒸着材34を作製する。 (もっと読む)


【課題】ZnO原料粉末に添加される、希土類元素を2種以上17種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたZnO蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なZnO膜が得られるZnO蒸着材を製造する。
【解決手段】ZnO原料粉末12と希土類元素を2種以上17種以下含む希土類元素酸化物粉末13との原料混合粉末14を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体19或いはグリーン積層体20又は29を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末25又は31を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むZnO焼結体からなるZnO蒸着材34を作製する。 (もっと読む)


【課題】特に生鮮食品、加工食品、医療品、医療機器、電子部品等の包装用フィルムの少なくとも片面にセラミック薄膜を形成するために使用される真空蒸着材料に関するものであり、例えば電子ビーム方式による真空蒸着において、蒸着材料の加熱開始から蒸発するまでに、より少ないエネルギー、すなわち短時間、低パワーの加熱で蒸発が可能となる蒸着材料を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素粉末およびカーボン粉末を用いて形成された蒸着材料であって、前記カーボン粉末の割合が、前記酸化ケイ素粉末に対し3〜10重量%であることを特徴とする蒸着材料。 (もっと読む)


【課題】 処理室内に鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石Sと、Dy及びTbの少なくとも一方を含む蒸発材料vとを収納して加熱し、焼結磁石の結晶粒界及び/または結晶粒界相にDyやTbを拡散させて高性能磁石を得る際に、処理温度を低くでき、処理室で使用される治具や処理箱の寿命を延ばすことができる低コストの永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 蒸発材料vとして臭化テルビウムまたは臭化ジスプロシウムを用いる。そして、処理室70内に鉄−ホウ素−希土類系の焼結磁石Sを配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置した前記蒸発材料を蒸発させる。この蒸発した臭化テルビウムまたは臭化ジスプロシウムを焼結磁石表面への供給量を調節して付着させ、焼結磁石の結晶粒界及び/または結晶粒界相に拡散させる。 (もっと読む)


【課題】NDフィルタの切断部の反射によるゴースト、フレアの発生を防止する。
【解決手段】透明樹脂フィルム35上にND膜を形成したNDフィルタ21の外周切断部のうち、撮像機器の開口内に露出する切断面21aの切断方向が透明樹脂フィルム35の主延伸方向と略直交方向になるように、NDフィルタ21を切断加工する。 (もっと読む)


【課題】帯状の基材の幅方向において膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することができ、構成粒子の収率及び生産性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜方法は、レーザ光Lをターゲット6の表面に照射して、このターゲット6の構成粒子6Aを叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子6Aを帯状の基材上に堆積させることにより薄膜を形成する成膜方法であって、前記レーザ光Lが前記ターゲット6の表面に照射する位置を、前記基材の幅方向と同じ方向に振幅させ、前記基材を、転向部材に該基材の裏面が接しつつ長手方向に移動する状態として、前記構成粒子6Aの堆積領域内を通過させることにより、前記基材の表面上に前記構成粒子6Aを堆積させ、前記基材の表面上に薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】幅方向に複数のレーンを成すように配列した基材または幅広の基材に対しても、膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することが可能であり、また、良好な生産性で厚い膜の成膜が可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】レーザー光Lによってターゲット6から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を帯状の基材34の表面上に堆積させ、基材34の表面上に薄膜を形成するにあたり、基材34の移動方向を転向させる転向部材11を囲んで加熱ボックス20を設けるとともに、転向部材11に接した状態にある基材34の表面に対向するようにターゲット6を配し、転向部材11に基材34の裏面が接しつつ、基材34を長手方向に移動させた状態で、加熱ボックス20の中を均等加熱するヒーター25により、基材34を加熱し、ターゲット6にレーザー光Lを照射する位置を、基材34の幅方向と同じ方向に振幅させる。 (もっと読む)


【課題】成膜する際に、スプラッシュの原因となる蒸着源にて発生する粒子を速やかに取
り除くことにより、スプラッシュに起因する欠陥等の不具合が生じる虞の無い薄膜を成膜
することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Wを収納する真空容器2と、真空容器2内の側壁かつ基板Wの成膜面の
下方に配設され蒸着材料を収納する有底筒状のハース4と、このハース4に収納された蒸
着材料を加熱するプラズマガン5とを備え、このハース4はプラズマガン5と対向して配
置され、このハース4の軸線L1は、基板Wの成膜面の垂線L2と略直交している。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の蒸発量の安定化を図ることにより、蒸着フィルムの収率及び生産性を向上させることができる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、真空チャンバー11の内部において樹脂フィルム基材12を連続的に搬送して巻き取りながら、電子銃16による電子ビーム19を蒸着材料17に照射して蒸着材料17を樹脂フィルム基材12の下面に蒸着するものである。移動速度制御手段23は、蒸着材料温度測定手段22による材料温度測定値が基準値未満であるときに蒸着材料移動手段18による蒸着材料17の移動速度を第1の移動速度とし、かつ、蒸着材料温度測定手段22による材料温度測定値が前記基準値以上であるときに蒸着材料移動手段18による蒸着材料17の移動速度を前記第1の移動速度より速い第2の移動速度とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、蒸着材料として使用した場合に、スプラッシュの発生を顕著に抑制できる、安価な、珪素酸化物系多孔質成型体ならびにその製造方法を提供することにある。
【解決手段】珪素酸化物を含有する粉末を成型してなる多孔質成型体であって、成型体をなす向かい合う二つの面の一方において、粉末の平均粒径を大きくし、他方の面方向に進むと共に粉末の平均粒径が小さくなるよう、前記二つの面に対し垂直な方向に、粉末の平均粒径が傾斜を有していることを特徴とする珪素酸化物系多孔質成型体である。 (もっと読む)


【課題】シリカ膜を形成する蒸着原料材料であって、スプラッシュレスで又はスプラッシュの発生を極微小に抑制し、かつ高速成膜を実現する蒸着原料材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】嵩密度が1.2g/cmを超え1.6g/cm以下、かつSiOxのxが1を超えて1.3以下である多孔質珪素酸化物。この原料として、X線光電子分光法(XPS)によるSi2Pスペクトルにおいて、シリコンの価数が1〜3に相当する結合エネルギーに帰属されるピーク面積が、金属シリコン及び二酸化シリコンを含む全面積の10%以上となる珪素酸化物が好適に用いられる。そして、これを原料として粉砕し、プレス後、800〜1100℃で焼成することにより製造される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】InMO(ZnO)(M=Ga、Fe、Ni、Mn、Co及びAlから選ばれた一又は複数の元素、nは1以上50未満の非整数)でありさらに水素を含む。この場合において、Znの濃度がIn及びM(M=Fe、Ga、Ni及びAlから選ばれた一又は複数の元素)よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでnの値は、好ましくは1以上50未満の非整数、より好ましくは10未満の非整数とする。 (もっと読む)


【課題】 焼成が必要な透明導電膜前駆体について、膜強度や導電性への影響が無く、簡便に焼成処理を行い得る透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 基材上に形成され焼結によって透明導電膜を形成する透明導電膜前駆体の表面に、レーザー光に対して吸収のある吸収剤を含む吸収剤含有液を塗布し乾燥させることにより吸収剤層を形成し、該吸収剤層に吸収のある波長を有するレーザー光を該吸収剤層に照射することにより、前記透明導電膜前駆体を焼結させて透明導電膜を形成する。 (もっと読む)


【解決課題】真空蒸着の際に、真空蒸着装置の真空度が落ち難く、且つ、スプラッシュ量が少ない酸化タンタル蒸着材およびその製造方法、並びに蒸着膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】Taをアーク溶解し、その後、凝固物を得るI工程と、該凝固物を真空雰囲気下で電子ビーム溶解法によって溶解して酸化タンタル蒸着材を得るII工程と、を有する酸化タンタル蒸着材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】真空蒸着の際に、真空蒸着装置の真空度が落ち難く、且つ、スプラッシュ量が少ない酸化タンタル蒸着材およびその製造方法、並びに蒸着膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】Taを1200℃以上で焼成するI工程と、I工程で得られた焼結体を真空雰囲気下で電子ビーム溶解法によって溶解して酸化タンタル蒸着材を得るII工程、を有する酸化タンタル蒸着材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 切削工具基材の表面に形成する皮膜を改良し、耐酸化性や耐熱性や耐摩耗性に優れ、鋼のドライ加工や高硬度材の高速加工が長期にわたって安定して行える被覆切削工具基材を提供する。
【解決手段】 切削工具基材の表面に、結晶構造がNaCl型構造である一般式(Alx,Cr1-x)N(式中、xは、0.55≦x≦0.75の条件を満たす。)で示されるAl−Cr−N皮膜と、結晶構造がNaCl型構造である一般式(Aly,Cr1-y-z,Tiz)N(式中、y,zは、0.55≦y≦0.75、0.2≦z≦0.3、0.05≦1−y−z≦0.2の条件を満たす。)で示されるAl−Cr−Ti−N皮膜とを交互に積層させた。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置が形成される基板の基板面における膜厚の面内分布のばらつきを抑
制する。
【解決手段】電気光学装置の製造装置(1)は、蒸着源(14)と、基板(100)を保
持する基板保持手段(121)、開口(122a)が開けられたスリット(122)及び
基板をスリットに対して一の方向に沿って移動可能な第1駆動手段(123)を有する基
板ユニット(12)と、蒸着源及び基板ユニットを設置するための空間(11a)を規定
すると共に、空間を真空に維持可能な真空槽(11)と、基板ユニットを一の方向に交わ
る他の方向に沿って移動可能な第2駆動手段(13)と、基板上に蒸発物質を蒸着する際
に、基板をスリットに対して、一の方向に沿って相対的に移動させるように第1駆動手段
を制御する第1制御と、基板ユニットを他の方向に沿って移動させるように第2駆動手段
を制御する第2制御とを実施する制御手段(15)とを備える。 (もっと読む)


201 - 220 / 677