【課題】蒸着加工時に発生するガス成分を効果的に除去することにより、良好な蒸着加工を可能とする蒸着装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｘを収納するチャンバーと、チャンバー内を減圧する減圧手段と、チャンバー内に設けられ、蒸着材料ＤＭを収容する坩堝２１と、蒸着材料ＤＭを加熱する加熱手段２２，３０と、坩堝２１の周囲に設けられた補助排気口４６に接続され、該補助排気口４６から坩堝２１の周囲のガスＧを排気する排気手段と、を有し、蒸着材料ＤＭは、加熱によりガスＧを生成する陰イオンと、該ガスＧの分子の分子半径よりも小さい原子半径を有する金属原子の陽イオンと、の金属塩であり、補助排気口４６は、坩堝２１の高さ方向の上端に設けられた開口部２１ａよりも下方に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的性質を劣化させずに長期間に渡って帯電防止効果を保つことができるとともに耐薬品性に優れる光学多層膜フィルターと、該フィルターを簡便に製造する光学多層膜フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】光学多層膜フィルター１０は、ガラス基板１と、ガラス基板１の上面に複数層の光学薄膜２と、防汚層３と、を備えて構成される。光学薄膜２は、ガラス基板１側から高屈折率層２Ｈ１がまず積層され、積層された高屈折率層２Ｈ１の上面に低屈折率層２Ｌ１が積層され、以下、高屈折率層、低屈折率層が順次、交互に積層され、低屈折率層２Ｌ３０と高屈折率層２Ｈ３０との間にa−Ｓｉ層２１が積層され、高屈折率層と低屈折率層とが各々３０層とa−Ｓｉ層２１との計６１層の光学薄膜２を形成している。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素からなる蒸着用材料において、熱衝撃によるスプラッシュを抑え、かつ蒸発速度が速い蒸着用材料を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末、一酸化ケイ素粉末、二酸化ケイ素粉末のうち、１又は２以上の粉末からなるＳｉＯｘ成形体のショアー硬さを１０ＨＳ以上１００ＨＳ以下、酸素原子とケイ素原子の元素比（Ｏ／Ｓｉ比）を１．０３以上１．３０以下にする。特に、ＳｉＯｘ成形体を電子ビーム方式による真空蒸着用材料として用いる場合、少なくとも平面を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム膜を、電子ビーム蒸着法により形成するのに有利に用いることのできる酸化マグネシウム蒸着材を提供する。
【解決手段】金属元素の価数が３価、４価又は５価のいずれかである金属酸化物を０．０１〜６モル％の範囲にて含む酸化マグネシウム蒸着材。または、酸化マグネシウム以外のアルカリ土類金属酸化物と、金属元素の価数が３価、４価又は５価のいずれかである金属酸化物とをそれぞれ金属元素量に換算して０．００５モル％以上で、かつその合計量が金属元素量に換算して６モル％以下となるように含む酸化マグネシウム蒸着材。 （もっと読む）

【課題】ＹＳＺよりも高温安定性に優れ、高靭性と低熱伝導性を両立する遮熱コーティング用材料を提供することを目的とする。また、該遮熱コーティング用材料を用いて形成されたセラミックス層を有する熱サイクル耐久性に優れた遮熱コーティング、並びに、該遮熱コーティングを備えるタービン用部材及びガスタービンを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（１）：Ｌｎ_{（ｘ＋ｙ−３ｘｙ)}Ｔｉ_ｘＴａ_ｘＺｒ_{(１−３ｘ)（１−ｙ）}Ｏ_{（２＋１．５ｘｙ−０．５ｙ）}
（ただし、Ｌｎは、Ｙ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｎｄからなる群から選択される１種類または２種類以上の元素とされ、０．０５≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．１５）
で表される化合物を主として含む遮熱コーティング用材料。 （もっと読む）

【課題】
密着性とガスバリア性とをバランスよく兼ね備える蒸着用フィルムを提供すること。
【解決手段】
上記課題は、熱可塑性樹脂からなるフィルムの少なくとも片面にウレタン樹脂からなるアンカーコート層を形成してなる蒸着用フィルムであって、前記ポリウレタン樹脂が、イソシアネート基末端ウレタンプレポリマーと鎖伸長剤との反応により得られる水性ポリウレタン樹脂が水分散されてなるポリウレタンディスパージョンであって、 前記イソシアネート基末端ウレタンプレポリマーが、密着性を付与するための密着性ウレタンプレポリマーと、ガスバリア性を付与するためのガスバリア性ウレタンプレポリマーとを含むことを特長とする蒸着用フィルムによって達成することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の蒸発量の安定化を図ることにより、蒸着フィルムの収率及び生産性を向上させること。
【解決手段】蒸着材料温度測定手段２２は、蒸着材料移動台１８１の内部に埋設され下部が蒸着材料移動台１８１の下面から露出している複数の金属ビン２２１と、複数の金属ピン２２１の下部に接触するように配置され複数の金属ピン２２１の温度を測定することにより蒸着材料１７の温度を測定する複数の熱電対２２２を具備する。蒸着材料温度測定手段２２は、蒸着材料１７の予備加熱直前における前記蒸着材料の下面の温度を測定し蒸着材料１７への加熱温度分布を測定する。加熱蒸着制御手段２３は、前記加熱温度分布における最大温度と最小温度の差が平均温度から１０％以内で電子ビームによる加熱蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】所望の基体上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する手法を確立する。
【解決手段】固体有機ポリシロキサン１に、波長１９０ｎｍ以上２６６ｎｍ未満のレーザー光２を照射することにより発光改質層を形成し、レーザーアブレーションにより発光改質層を所望の基体７上に薄膜化することにより、所望の基体７上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュを低減させ、連続運転を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、成膜材料１０を気化させ、成膜材料１０を被成膜物の表面に堆
積させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器１４と、真空容器１４内に設
けられ、成膜材料１０を収容する絶縁性の坩堝１８と、坩堝１８に収容された成膜材料１
０の表面に生成される副生成物１２を除去する副生成物除去部材２６と、所定の待機位置
と坩堝１８の近傍との間で副生成物除去部材２６を移動させるための、先端部２４ａに副
生成物除去部材２６が固定された腕部材２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の薄い基板上に形成される薄膜の内部応力に起因する薄い基板の反りの発生を防止する成膜方法を提供すること。
【解決手段】大板１に成膜し、この成膜後の大板１を切断分割して複数の短冊の基板とする成膜方法であって、前記大板１とこの大板１を保持するための保持部材２とを前記大板１の少なくとも外周縁より内側に配置した接合部３で接合する接合工程と、この接合した前記大板１を前記保持部材２とともに成膜装置内に配置される被装着部材６の窓部６１に取り付ける取付工程と、前記窓部６１に取り付けた前記大板１に成膜する成膜工程と、この成膜した前記大板１を切断して前記短冊の基板に分割するとともに、前記短冊の基板と前記保持部材２とを分離する切断分割工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜とそれを用いた薄膜トランジスタの提供。
【解決手段】気相成膜法で成膜され、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、該酸化物の組成は、結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは６未満の自然数）であり、不純物イオンを添加することなしに、電子移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１６／ｃｍ^３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。この透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】フィルム基材の帯電現象による問題を回避しながら、電子ビーム加熱による蒸発物質の蒸着を可能にし、巻取り走行されるフィルム基材に損傷のないバリア性薄膜を安定に成膜できるようにした巻取り式蒸着装置及び巻取り式蒸着方法並びにバリアフィルムを提供する。
【解決手段】電子ビーム１９により加熱されて蒸発する蒸発物質を、巻取り走行されるフィルム基材１２に蒸着してガスバリア性の薄膜を形成する巻取り蒸着装置において、表面にガスバリア性薄膜を蒸着させたフィルム基材１２を、成膜ロール１５から剥離直前に加熱する加熱手段と、成膜ロール１５に正の電位を印加して、巻出し・巻取り室２０内でフィルム基材１２が成膜ロール１５から剥離された後の、フィルム基材１２と成膜ロール１５との間にプラズマ２７を発生させる電位印加手段とを備える。 （もっと読む）

本発明は帯電防止および反射防止または反射特性を持つ光学物品に関係し、反射防止または反射コーティングが塗工された少なくとも１つの主表面を持つ基材を含み、前記コーティングが導電層の全重量に対して重量で少なくとも３０％の酸化スズ（ＳｎＯ_３）を含む少なくとも１つの導電層を含有し、前記導電層はイオン−アシスト溶着により堆積されていて、さらに前記基材が前記基材の全重量に対して重量で０．６％以上の水分吸収率を持ち、水分吸収率は前記基材を予備乾燥し次いで５０℃で相対湿度１００％および大気圧下のチャンバー内で８００時間保管後に測定されている。 （もっと読む）

【課題】強誘電特性及び圧電特性の劣化が抑制され、リーク特性が改善された強誘電体及び圧電体を提供する。
【解決手段】ＢｉＦｅＯ₃を主成分とする強誘電体及び圧電体１３は、ＢｉＦｅＯ₃の複数のＦｅサイトが、Ｔｉと、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとに元素置換されている。ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとからなるターゲットにパルスレーザを照射することで、基板１１上に、ＢｉとＦｅとＴｉとＭｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとを堆積させることにより、ＢｉＦｅＯ3を主成分とする強誘電体又は圧電体１３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気化学セルを構成する固体電解質の低抵抗化（高イオン導電性）を図ることにより、低抵抗化された前記電気化学セルを提供する。
【解決手段】電子ビーム物理蒸着法あるいは放電プラズマ焼結法などを用いて作製された、酸化物イオン導電性あるいはプロトン導電性を有し、結晶配向を制御された柱状結晶を含む固体電解質１１と、固体電解質１１の相対向する一対の主面上に形成された一対の電極１２，１３と、を具えるようにして形成された電気化学セル１０。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを照射された時の熱衝撃により破壊を生じないターゲットを提供する。
【解決手段】セラミック粉末で作成された棒の形態を有し、電子ビームを受けて気化するように設計された複合ターゲットで、このターゲットは、ジルコニアと少なくとも１種のジルコニア安定剤を含む。特徴として、前記ジルコニア安定剤が２％〜３０％の範囲にあるモル含有率で存在し、前記ジルコニアが９０％超で単斜晶相から形成される点に特徴がある。電子ビームを受けて気化することにより形成され、熱伝導率が低く熱機械強度が高いセラミック遮熱材を作成するのに応用できる。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を向上させることが可能な薄膜の製造方法および薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、基材上に原料粉末を供給する工程（Ｓ１０）と、原料粉末に対してパルスレーザを照射して原料粉末を昇華させる工程（Ｓ３０）と、昇華した原料粉末を構成する材料を、基材に対向して配置された基板上に堆積させる工程（Ｓ４０）とを備えている。このとき、基材において原料粉末を載置する表面は、原料粉末と同一材料からなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高温用伝導性の接着剤を使用せずに、大面積金属・絶縁体転移（ＭＩＴ）物質であるＶＯ₂薄膜をインシチュ（in-situ）で蒸着できる成長装置及び大面積酸化物薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】高温でＰＬＤ（pulsed laser deposition）、スパッタ（sputter）などによって、金属・絶縁体転移物質であるＶＯ₂を成長させるとき、熱伝導を良好にするために、固定装置１２０ｂにより基板１１０とヒータ１００ｂ表面との接着を改善することによって、特性が優秀な大面積ＶＯ₂薄膜を、既存方式より簡単に成長させることができる大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置、及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法。 （もっと読む）