【課題】ボンディング時に、ロウ材のＩｎとＢａＡｌ：Ｅｕ合金板の成分とが相互に拡散することを防止し、ロウ材のＩｎ層を変質させずに、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合させる。
【解決手段】Ｂａ含有合金スパッタリングターゲットである金属層１１の一方の表面に、Ｂａと合金を形成しない、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏなどの金属からなるバリア層１２を形成し、該バリア層１２の上に、Ｎｉ、Ｃｕなどからなる濡れ性改善層１３をさらに形成し、その後、該一方の表面を、Ｉｎからなるロウ材３を介して、ボンディングによりバッキングプレート２に接合する。 （もっと読む）

【課題】ヒロックと共にエッチング残渣の発生を防止し得る低抵抗Ａｌ配線膜を再現性よく成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。このようなスパッタリングターゲットは、金属間化合物形成元素を含むＡｌ合金原料の溶湯をＡｒガスまたはＫｒガスでバブリングしたり、あるいはＡｌ合金原料の粉末をＡｒまたはＫｒを含む雰囲気中で焼結することにより作製される。 （もっと読む）

高融点金属プレートが提供される。前記プレートは、中心、板厚、端部、上面および裏面を有し、前記プレートにわたって実質的に均一な結晶組織（１００／／ＮＤ組織成分および１１１／／ＮＤ組織成分のそれぞれについて、板厚方向勾配、帯形成度およびプレート内変動によって特徴付けられる）を有する。
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【課題】光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなど）のＡｇ合金反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜３．０質量％、Ｇａ：０．０５〜２．０質量％、Ｃａ：０．００１〜０．１質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、ターゲット本体１の周囲に鍔２を有する鍔付きターゲットであって、ビッカース硬さが４０〜７０の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】その鋳込み成形時の鋳込み口あたりの早期凝固、及び、それによりその鋳込み成形されたビレットの鋳込み口あたりに生じる鋳込み巣をなるべく存在させないスパッタリングターゲット材の製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】基材金属と添加金属とを溶融混練してから鋳込み成形をし、スパッタリング用ターゲット材を製造する方法において、前記溶融混練によりなる合金溶液を前記鋳込みをする鋳型に流し込ませる際、前記鋳型を冷却しながら前記鋳型の鋳込み口あたりを加熱し、鋳込み成形時の前記鋳込み口あたりの早期凝固及び鋳込み巣の発生を抑えることを特徴とするスパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】不純物および介在物含有量の少ない、組成分布が均質なアルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウム単一相からなるスパッタリング用アルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法であって、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気に維持された溶解炉１０の中に設置されているルツボ１２内でアルミニウム２１を溶解する第１の工程と、プランジャ１３を駆動させて、ルツボ１２内のアルミニウム溶湯中にリチウム塊２２を強制浸漬させて攪拌する第２の工程と、ルツボ１２内のアルミニウム−リチウム合金の溶湯を鋳型２５に型注する第３の工程と、アルミニウム−リチウム合金のインゴットの組織制御を行う第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のパーティクルの発生が少なく、またスパッタリング膜のユニフォーミティが良好であるエルビウムスパッタリングターゲット提供する。
【解決手段】平均結晶粒径が３〜１５mm、酸素含有量１００ppm以下、炭素含有量１５０ppm以下、タングステンおよびタンタル含有量がそれぞれ１００ppm以下であるエルビウムスパッタリングターゲットであって、真空鋳造した純度が３Ｎ５以上のインゴットを、１１００〜１２００°Ｃの範囲の温度で恒温鍛造し、次にこの鍛造したターゲット素材を８００〜１２００°Ｃの温度で熱処理して、ターゲットの純度が３Ｎ５以上であり、当該ターゲット組織における平均結晶粒径を１〜２０ｍｍに調整し、これを切り出してターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供する。
【解決手段】 Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れた表面滑らかな酸素含有銅膜を成膜することができるターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：０．４〜６原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成、並びに素地中にＣｕ_２Ｏが均一に分散している組織を有することを特徴とする酸素含有銅ターゲット。 （もっと読む）

【課題】高温環境下においてもベースフィルムと中間層との接合強度の低下が少なく、信頼性の高いフレキシブル積層板を提供する。
【解決手段】ベースフィルムと、このベースフィルム上に積層された中間層と、この中間層上に積層された導電層と、を備えたフレキシブル積層板であって、前記ベースフィルムは、少なくとも前記中間層が積層される表面が、ポリイミド樹脂で構成されており、前記中間層は、Ｎｉを５５重量％以上、Ｃｒを４重量％以上含有するとともに、Ｃｒよりも酸化しやすい易酸化元素を含有しており、この易酸化元素の濃度は、積層方向において前記ベースフィルム側が高く設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ファインピッチ化で要求される平滑な表面の銅箔において、防錆処理、クロメート処理、シランカップリング剤等の表面処理を行わずとも金属層を形成させることで絶縁樹脂との密着性、特には加熱処理後も密着性に優れる銅箔を提供することである。
【解決手段】表面にＡｌ被膜を形成したことを特徴とする銅張積層板Ａｌ被膜付き銅箔であり、被膜のＡｌ濃度は、８５質量％以上、被膜の厚みが０．４ｎｍ以上であればよい。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア特性や繰り返し曲げ密着性を有する、Ｚｎ−Ａｌ合金を用いたガスバリア積層体を提供することである。
【解決手段】薄いフレキスブルなポリイミド類などの結晶性の高分子基材表面に、Ｚｎ：６８〜８８質量％を含む特定組成と厚みが２０μｍ以下である特定膜厚のＺｎ−Ａｌ合金薄膜を設けたガスバリア積層体とし、レトルト食品包装容器用材料などとしての使用中に繰り返しの曲げ変形を受けてもガスバリア性が低下しない特性とする。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する無機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】Ｂａを含む合金からなるスパッタリングターゲットであり、不純物として含まれるＳｒ、ＣａおよびＭｇの含有量がいずれも０．１質量％以下である。該スパッタリングターゲットを用いて、Ｈ₂Ｓガス共存下でスパッタリング法により蛍光体膜が得られ、該蛍光体膜は無機ＥＬ素子の無機ＥＬ発光体発光層を形成するのに好適である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなるＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減する、すなわち特にＮａ、Ｋなどのアルカリ金属元素、Ｕ、Ｔｈなどの放射性元素、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ，Ｔａ、Ｖなどの遷移金属若しくは重金属又は高融点金属元素、さらにはＣ、Ｏ等のガス成分の含有量を極めて低減させた高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこれらを安価に得ることのできる高純度ジルコニウム又はハフニウムの製造方法の提供。
【解決手段】酸素、炭素などのガス成分を除く不純物含有量が１００ｐｐｍ未満であることを特徴とする高純度ジルコニウム。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の表面に、１〜５μｍの平均層厚を有し、かつ、層厚方向にそって、Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ最高含有点とＷ−Ｃ最高含有点とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在する組成変化（Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｗ，Ｃ）Ｎ層を被覆した表面被覆切削工具において、Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ最高含有点におけるＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｃの含有割合は、それぞれ、０．３〜０．５、０．１〜０．２５、０．０５〜０．１、０．０５〜０．３、０．０５〜０．３であり、また、Ｗ−Ｃ最高含有点におけるＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｃの含有割合は、それぞれ、０．０５〜０．２５、０．０３〜０．０８、０．０１〜０．０４、０．３５〜０．５、０．３５〜０．５である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｅを不活性ガス中で加熱して固液共存状態になるように溶解し、その中にＣｕを投入してＣｕ−Ｓｅ二元系合金溶湯を作製し、このＣｕ−Ｓｅ二元合金溶湯にＩｎを少量ずつ投入し溶解してＣｕ−Ｓｅ−Ｉｎ三元系合金溶湯を作製し、得られたＣｕ−Ｓｅ−Ｉｎ三元合金溶湯にＧａを投入して温度を上昇させることによりＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元合金溶湯を作製し、得られたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを乾式粉砕してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする。 （もっと読む）

【課題】サイズの大きなスパッタリングターゲット材を低コストで製造し、かつスパッタリングを均一に行うことを可能にする。
【解決手段】純度が質量比で９９．９９９％以上の高純度アルミニウム材を用いて結晶粒径が１０ｍｍ以下で全面等軸晶のビレットを溶製し、該ビレットを用いて押出加工を施すことで結晶粒径が１００μｍ以下のスパッタリングターゲット材を得る。押出加工において、押出温度３００℃以下、押出比１０以上とするのが望ましい。
【効果】液晶テレビ用ＬＣＤなどに用いられる大型の高純度アルミニウムスパッタリングターゲット材の製造が容易となる。スパッタリングの際の不均一さがなく、スパッタリングにより良好な金属薄膜などを形成することができる （もっと読む）