【課題】バラツキの少ない軟磁性膜を形成でき、スパッタリングの際の異常放電やパーティクルを低減したCo-Fe系合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比における組成式が((Co_100-X-Fex)_100-Y-Ni_Y)_100-Z-Ｍ_Z、20≦X≦80、0≦Y≦25、5≦Z≦20で表され、組成式のM元素が（Zr、Hf、Ta、Nb、Y、B）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるCo-Fe系合金スパッタリングターゲット材で、ターゲット材のＸ線回折(110)ピークと(211)ピークとの強度比Ｉ_(110)/(211)の値について、半径方向面２、円周方向面３、スパッタ面４で測定したピーク強度比をそれぞれI(R)、I(C)、I(S)とした時に、I(R)/I(S)およびI(C)/I(S)の値が0.7〜1.3であり、かつ酸素含有量が100ppm以下であるCo-Fe系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を備えているタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】抗菌性合金コーティングをその上にめっきするためにデバイスの表面に塗布する抗菌性合金コーティング組成物に関する。
【解決手段】抗菌性合金コーティングをその上にめっきするためにデバイスの表面に塗布する抗菌性合金コーティング組成物であって、抗菌材料および合金を含む組成物について説明する。その合金は４つを超える金属元素および少なくとも１つの非金属元素からなる。その抗菌材料は、銅、銀またはその組合せであり、その原子含有割合は全含量の１．７％〜２６．８％である。これらの金属元素は、鉄、コバルト、クロム、ニッケル、アルミニウム、バナジウムおよびチタンからなる群から選択される。その非金属元素はホウ素、酸素および窒素からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】α放射を生ずるＵの同位体元素とＴｈの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ１ｗｔｐｐｂ未満であり、さらにＰｂ及びＢｉの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ１ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満とし、バナジウムの純度が９９．９９ｗｔ％以上とする。粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解し、得られたインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとする。 （もっと読む）

本発明は、気相からの堆積により、特にPVD（物理蒸着）又は反応性PVD法に従って気相からの物理的な堆積により、基材コンポーネントの表面処理及び/又はコーティングするための機構に関する。複数の基材キャリアと複数のコーティング及び/又は処理ユニット、例えば、蒸発器の源、陰極、ターゲット、マグネトロン、フィラメント陰極、及びエッチング陽極などは、真空にすることができる堆積又は処理チャンバー内に配置されている。システムのより経済的な利用のために、設備に1つのバッチで導入される基材コンポーネントを、異なる処理（例えば、コーティングや、表面処理など）にかけることができるように、モジュール方式で装備することができる。さらに、本発明は、基材コンポーネントの表面処理及び/又はコーティングするための新たな方法を提供し、この方法を使用することにより、PVD（物理蒸着）又は反応性PVD法によるコーティング設備が大幅にコスト効率よく操作させることができる。それは、以下の方法の工程を特徴とする：a）基材コンポーネントのための所望のコーティング又は処置プログラムに従って、堆積又は処理チャンバー内に、モジュールから、コーティング及び/又は処置ユニット（蒸発器、陰極、ターゲット、マグネトロン、フィラメント陰極、及び腐食性の陽極など）及び遮蔽素子を作り上げ、b）同じ処理を受けることになる基材コンポーネントを基材キャリアに設置し、c）堆積または処理チャンバーを閉じ、d）1つのバッチで、基材キャリア上にグループで結合される基材コンポーネントに対する個々の処理又はコーティングプログラムを実行する。
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【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金のスパッタリングターゲット板であって、前記スパッタリングターゲット板の板面の表面から厚さ方向に１０μｍの位置におけるＮｉ濃度及びＭｏ濃度をそれぞれ質量％でＮｉ（１０）及びＭｏ（１０）とし、表面から厚さ方向に１００μｍの位置におけるＮｉ濃度、Ｍｏ濃度を質量％でＮｉ（１００）及びＭｏ（１００）として、次式の関係を満たすことを特徴とするＮｉ−Ｍｏ系合金スパッタリングターゲット板。
−２．０≦ΔＮｉ≦０．２、 −０．２≦ΔＭｏ≦２．０
且つ、
−０．２≦ΔＮｉ＋ΔＭｏ≦０．２
ここで、ΔＮｉ＝Ｎｉ（１０）−Ｎｉ（１００）、ΔＭｏ＝Ｍｏ（１０）−Ｍｏ（１００）
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【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、本来は難めっき性の材質でありかつ難はんだ付け性の材質であるＡｌやＡｌ合金からなる基材の表面に良好なはんだ濡れ性を付与してなる、表面処理済アルミニウム板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金からなる金属基材１の表面上に、その金属基材１の表面側から順に、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）のいずれかを主成分とするバリア層２と、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とするはんだ添加層３とを形成する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング膜のバラツキを抑制すべく、均一な組織を有するＮｉ合金ターゲット材を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）から選ばれる１種または２種以上を１０〜３０質量％含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるＮｉ合金ターゲット材の製造方法において、前記Ｎｉ合金を溶解鋳造したインゴットを温度８００〜１３００℃、圧下率５０％以上で塑性加工を施した後、８００〜１３００℃で０．５〜３時間の再結晶化熱処理を行うＮｉ合金ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中のスプラッシュの発生を抑制することができ、形成する金属膜を低抵抗とすることができるスパッタリングターゲット用アルミニウム板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリングターゲット用のアルミニウム板である。アルミニウム板は、９９．９９質量％以上の高純度アルミニウムよりなり、かつ、アルミニウム１００ｇ当たりの含有水素量が０．３ｃｍ³以下である。アルミニウム板のスパッタリング面の結晶粒径が３００μｍ以下であり、スパッタリング面の結晶方位のうち｛１００｝面の占有率が３０〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】形成された物理蒸着薄膜にマクロおよびミクロな偏析の生じない銅−ガリウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】７１原子％ないし７８原子％のＣｕと２２原子％ないし２９原子％のＧａからなり、その金属ミクロ組織中に２５％以下の化合物相を有する銅−ガリウム合金スパッタリングターゲットを、原料ターゲットに５００℃ないし８５０℃の温度範囲での少なくとも１回の熱を伴う機械的な処理、０．５ないし５時間の焼なまし処理、またはそれらを組み合わせた処理を施す工程。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜の形成に使用されるＦｅ−Ｃｏ系合金のスパッタリングターゲット材を鋳造インゴットから製造するにあたって、鋳造インゴットに塑性加工を施したスパッタリングターゲット材を安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｆｅ_{１００−Ｘ}−Ｃｏ_Ｘ）_{１００−Ｙ}−Ｎｉ_Ｙ）_{１００−ａ}−Ｍ１_ａ、５≦Ｘ≦９５、０≦Ｙ≦２５、５≦ａ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｙ）から選ばれる１種もしくは２種以上の元素であるＦｅ−Ｃｏ系合金であって、直径／高さ比が０．５〜２となる円柱形状の鋳造インゴットを加圧モールド内に挿入し、９００〜１２５０℃の温度範囲において３０％〜７０％以上の据え込み率でホットプレスによる据え込み加工を行いターゲット素材を得るスパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

bcc金属またはbcc金属合金からスパッターターゲットを製造する方法。当該インゴットは、電子ビーム溶解され、真空アーク再溶解される。次に、当該インゴットを三軸鍛造し、当該三軸鍛造ステップ中、当該インゴットの中心線が当該インゴットの中心に保たれる。次に、当該インゴットを真空焼鈍して、クロックローリングする。このクロックローリング中、当該インゴットの中心線は、当該インゴットの中心に保たれ、かつ当該クロックローリング時に使用される圧縮力に垂直である。次に、クロックローリングされたインゴットは、真空焼鈍され、スパッターターゲットとしての使用のためのニアネットシェイプとされる。少なくとも99.5%の純度と約25 ppmよりも小の格子間不純物(CONH)濃度とを有するタンタルターゲット材料を開示する。本発明によるタンタルターゲットは、約50〜100μmの結晶粒径と厚さの中心に向かって割合に大きな%{111}勾配を有する{100}/{111}混合集合組織とを有する。 （もっと読む）

一つの例の実施形態において、半導体性のカルコゲニドのフィルムを堆積させるためのスパッターのターゲットの構造は、記載される。スパッターのターゲットは、少なくともおおよそ２Ｎ７のカルコゲニドの合金の純度、個々に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び水素（Ｈ）について５００ｐｐｍと比べてより少ない気体の不純物、並びに、５００ｐｐｍと比べてより少ない炭素（Ｃ）の不純物を有する少なくとも一つのカルコゲニドの合金を備えるターゲットの本体を含む。特定の実施形態において、少なくとも一つのカルコゲニドの合金のカルコゲニドは、ターゲットの本体の組成物の少なくとも２０原子パーセントを備えると共に、カルコゲニドの合金は、カルコゲニドの合金についての理論的な密度の少なくとも９５％の密度を有する。
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【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_ａ−Ｆｅ_{１００−ａ}）_{１００−ｂ}−Ｎｉ_ｂ）_{１００−ｃ}−Ｍ１_ｃ、１０≦ａ≦９０、０＜ｂ≦２０、５≦ｃ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−Ｘ}−Ｍ１_Ｘ、５≦Ｘ≦３０で表され、Ｍ１元素が１種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
Ｎｉ粉末を粉末Ｃ、
としたとき、粉末Ａ、粉末Ｂおよび粉末Ｃを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】全面に渡って比抵抗値が均一なフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成することができるスパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて成膜したフラットパネルディスプレイ用配線膜を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜１５原子％、ＬｉおよびＣａのうちの１種または２種の合計：０．１〜１５原子％を、ＣｒとＬｉとＣａの合計が０．２〜２０原子％の範囲内にあるように含有し、さらに必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて形成したフラットパネルディスプレイ用配線膜およびフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの銅合金配線膜および銅合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｇ：０．１〜５原子％を含有し、さらにＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１１原子％を含有し、必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて成膜したＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、さらにＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１１原子％を含有し、必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供する。
【解決手段】３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる。 （もっと読む）

【課題】インゴット間若しくはターゲット間又は薄膜間のバラツキが少なく、エッチング性を向上させ、かつアルファ粒子を放射するＵ、Ｔｈ等の同位体元素を厳格に低減させた９９．９ｗｔ％以上の純度を持つ高純度Ｎｉ−Ｖ合金、同Ｎｉ−Ｖ合金からなるターゲット及び同Ｎｉ−Ｖ合金薄膜並びにこれらの不純物を効果的に低減できる高純度Ｎｉ−Ｖ合金の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性体となる組成のＮｉ−Ｖ合金であって、ガス成分を除いたＮｉ−Ｖ合金の純度が９９．９ｗｔ％以上であり、金属間化合物であるＮｉ８Ｖの析出がなく、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇの不純物含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈの不純物含有量がそれぞれ１ｐｐｂ未満、Ｐｂ、Ｂｉの不純物含有量がそれぞれ０．１ｐｐｍ未満、不純物であるＮ含有量が１〜１００ｗｔｐｐｍ、さらに合金インゴットのＶ含有量のバラツキが０．４％以内であることを特徴とする高純度Ｎｉ−Ｖ合金。 （もっと読む）

【課題】大型基板へ成膜でき、電極配線の電気抵抗の低減に対応できると共に、均一なスパッタリングができる大型サイズの無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る無酸素銅スパッタリングターゲット材１は、純度が３Ｎ以上の無酸素銅からなる第１の板材２０及び第１の板材２０と同一材料から構成される第２の板材２２と、第１の板材２０と第２の板材２２との間に第１の板材２０及び第２の板材２２から形成される接合部１０とを備え、第１の板材２０及び第２の板材２２並びに接合部１０はそれぞれ、平均結晶粒径が０．０２ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下の平均結晶粒径を有する。 （もっと読む）