【解決手段】Ｇａを２５〜３０質量％含有し、残部がＣｕであるＣｕ−Ｇａ合金であって、電子顕微鏡で得られた組織画像に現れるＧａ濃度が３０〜３５質量％の相であるγ相の平均円相当径が５０μｍ以下であり、最大円相当径が２００μｍ以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金。
【効果】本発明のＣｕ−Ｇａ合金は、組織が特定の相構造を有することにより、鋳造法で作製した場合であっても割れや欠け等が生じにくいので、Ｇａを２５〜３０質量％と高い濃度で含有していながら圧延加工を施すことが可能である。このため、Ｇａの含有量の多いスパッタリングターゲットを圧延により製造することが可能であり、スパッタリングターゲットの生産性の向上を図ることができる。また、本発明のＣｕ−Ｇａ合金が鋳造法で作製された場合には、ホットプレス等の粉末焼結法により製造されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットと比較してスパッタレートが速い。 （もっと読む）

【課題】薄膜の組成を長時間一定に保ちながら、スカンジウムアルミニウム窒化物膜を製造する方法を実現する。
【解決手段】本発明に係るスカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法は、上記課題を解決するために、窒素ガスを含む雰囲気下で、スカンジウムアルミニウム合金を用いてスパッタリングを行うスパッタリング工程を含む。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶構造が正方晶であるインジウムメタルターゲットであって、該ターゲットのスパッタ面が１０１が主配向であることを特徴とするインジウムメタルターゲット。インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を１０１主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きい銅ガリウム合金塊であっても、合金塊内部でのＧａ濃度のばらつきを少なくして、ひび割れしにくいスパッタリングターゲット材に適した銅ガリウム合金を提供する。
【解決手段】ガリウム濃度がモル濃度で２０％〜４０％で、残部がＣｕおよび不可避の不純物からなる溶解鋳造法で得た銅ガリウム合金塊を、所望とするスパッタリングターゲット形状に切断加工した後、５００℃〜６５０℃の温度で加熱処理した後、当該加熱処理の温度から３００℃まで３５℃／分以下の速度で冷却する。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。
【解決手段】 鋳造法や粉末冶金法によるスパッタリングターゲット材で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの１つ以上から、または８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒの元素群から選択した少なくとも１つの元素から、成るターゲット材で、これら組成の鋳造後に、またはこれら粉末の熱間成形した冷却後に、機械加工でターゲット材寸法に加工し、このターゲット材を室温から５００〜９００℃に加熱し、次いで後冷却速度２１６０〜５４００００℃／ｈｒで室温に冷却して熱処理し、透磁率を低減してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 ０．１以下の誘電損失ｔａｎδを実現でき、しかも、優れた圧電特性を有する圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１と、基板１上に設けられる組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_ｙＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３とを有し、圧電薄膜３の炭素濃度が２×１０^１９／ｃｍ^３以下、あるいは、圧電薄膜３の水素濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下である圧電薄膜素子である。 （もっと読む）

【課題】溶剤ダメージによる支持体の品質劣化を防止でき、無機膜成膜中の支持体からの脱ガスの発生を抑制することができ、これにより、高品質の無機膜を成膜することができる機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】裏面側に耐溶剤性を有するラミネートフィルムを貼り付けた自己支持性を有する長尺の支持体１２を送り出し、支持体１２を搬送しながら、その表面側に溶剤を含む塗布液を塗布し、前記塗布液を乾燥、硬化させて有機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４２にして巻き取る。フィルムロール４２を真空成膜装置２４内に装填し、フィルムロール４２から連続的に耐溶剤性を有するラミネートフィルムを貼り付けた支持体１２を送り出す。支持体１２を搬送しながら、支持体１２の有機膜上に無機膜を形成し、支持体１２をフィルムロール４８に巻き取る （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第１の析出物について、円相当直径２０ｎｍ以上の析出物が５００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いた場合に、高速成膜してもスプラッシュの発生を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Ｎｉ−希土類元素−Ａｌ基合金スパッタリングターゲットの表層部、１／４×ｔ部、１／２×ｔ部の各スパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞、＜０１１＞、＜１１１＞、＜０１２＞および＜１１２＞を観察したとき、下記（１）、（２）の要件を満足することを特徴とする。
（１）前記＜００１＞、＜０１１＞、および＜１１２＞の±１５°の合計面積率をＲとしたとき、Ｒが、０．３５以上、０．８以下であり、かつ
（２）Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃが、Ｒ平均値［Ｒ_ａｖｅ＝（Ｒ_ａ＋Ｒ_ｂ＋Ｒ_ｃ）／３］の±２０％の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットはＡｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量をそれぞれ１００ｐｐｂ以下とする。 （もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のモリブデンを必須成分として含有し、モリブデン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。上記に、０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のニオブをさらに含有し、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする記載のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅インゴットを５５０〜８００℃に加熱して、圧延率が８０％以上で圧延終了温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、５〜２４％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 （もっと読む）

【課題】微細で均質な組織を有し、加工性が良好で、特に、重切削での加工を可能にした純銅板を得る。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８０％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、２５〜６０％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 （もっと読む）

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２９〜４０％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、Ｘ線回折においてＣｕベースのｆｃｃ相の（１１１）面とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、０．０５≦Ｃｕ［Ｉ（１１１）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．８０、かつＣｕＧａ２相の（１０２）とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、ＣｕＧａ２［Ｉ（１０２）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．１０であり、さらに相対密度が９５％以上であることを特徴とした高強度Ｃｕ−Ｇａ系ターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー（１）内で、基板（２）上で、ホスト材料及びドープ材料を含んだ透明で伝導性の層を堆積する方法であって、ホスト材料は、亜鉛酸化物又はインジウム酸化物からなり、かつドープ材料は、第３主族又は第４主族からの少なくとも１つの金属又は半金属の元素の酸化物を含む前記方法において、ＰＶＤ法を使用したホスト材料の堆積の間に、酸素及び前駆物質が真空チャンバー（１）内に供給され、前駆物質は、第３主族又は第４主族からの少なくとも１つの元素を含み、かつドープ材料の濃度が、勾配を有する層厚推移において形成される。本発明はさらに金属合金酸化物でできた透明で伝導性の層に関する。
（もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のモリブデンを必須成分として含有し、モリブデン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。上記に、０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のニオブをさらに含有し、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする記載のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のモリブデン及び／又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする上記のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のモリブデン及び／又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする上記のタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】酸化チタンを主体とする高屈折率膜の形成に用いる、成膜速度が高く、成膜時の基体表面の温度上昇を抑制することができるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 実質的にチタンおよびジルコニウムからなり、Ｚｒ/（Ｚｒ＋Ｔｉ）の比率が５〜５０原子％であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による配線膜形成において、スパッタリングによる異常放電を抑制しつつ、高速成膜を実現することを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材は、４Ｎ（９９．９９％）以上の無酸素銅に銀を添加した銅合金からなる。銀は、形成される膜の抵抗率が無酸素銅の抵抗率と同等に得られるように微量に添加される。銀の添加量としては、２００〜２０００ｐｐｍの範囲が好適である。 （もっと読む）