【課題】ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、高電力を印加した際も使用中の異常放電の頻度を減少し、スプラッシュ等の発生を抑制する、スパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度９９．９９％以上の純銅からなり、ターゲット内部のボイドおよび介在物欠陥の平均サイズが３０μｍ以下であり、且つ、欠陥の数が、スパッタリングに供する面の単位面積辺り、１０個／ｍ^２であることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｃａ系合金を用いたスパッタリングターゲットとして、スパッタリング時における異常放電の発生を抑制し得るようにしたターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａを０．５〜１０．０原子％含有し、残部が実質的にＣｕよりなるＣｕ−Ｃａ系の銅合金からなり、かつＣｕ−Ｃａ系合金において不可避的に晶出するＣｕ−Ｃａ系晶出物の平均粒径を、１０〜５０μｍの範囲内に規制する。さらに、Ｃｕ−Ｃａ系晶出物の最大径を、１００μｍ以下に規制する。 （もっと読む）

【課題】透明導電層上に金属層が形成された導電性積層体において、金属層をエッチングにより除去した際の透明導電層の抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】本発明の導電性積層体は、透明基材１の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体２および金属層３がこの順に形成されている。透明導電性薄膜積層体２において、金属層３に最近接である第一透明導電性薄膜２１は、金属酸化物層または主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜２２は、主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層である。第一透明導電性薄膜２１における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体２を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではないことにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの７０％以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が５００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体装置用Ａｌ合金膜。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が８００ｎｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。ガス凝結捕捉装置７０は、ロードロック室１１Ｂの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管７２を含み、低温流体を配管７２に導入し循環させることによって低温化した配管７２の外側表面にロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 （もっと読む）

【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＳｂの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有し、前記原料粉末に含まれるＧａがＣｕＧａ合金またはＧａＳｂ合金として含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｔａを含有するものである。好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって銅安定化層を形成する際、局所的な銀保護層の剥がれの発生を抑制することができ、安定した超電導特性の酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀保護層、銅安定化層が積層されている酸化物超電薄膜線材の製造方法であって、幅広の金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、第１銀保護層を順に形成して複合線材を製造する複合線材製造工程と、複合線材を酸素雰囲気下で加熱処理して、前記酸化物超電導層に酸素を導入する酸素導入工程と、
複合線材を所定の幅に切断して細線加工する細線加工工程と、細線加工された複合線材の周囲に、蒸着法を用いて第２銀保護層を形成する第２銀保護層形成工程と、第２銀保護層が形成された複合線材の周囲に、電気めっき法により銅安定化層を形成する銅安定化層形成工程とが設けられている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムターゲットは、粒径が０．５〜２０μｍの介在物を１５００個／ｇ以下含む。 （もっと読む）

【課題】コールドスプレー法を用いて基材に金属皮膜を形成させた積層体を製造する場合に、基材と金属皮膜との間の密着強度が高い積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体１０は、金属または合金から形成された基材１と、基材１表面に形成された基材１より軟らかい金属または合金からなる中間層２と、金属または合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、中間層２に固相状態のままで吹き付けて堆積させた金属皮膜３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｕ，Ｍｇの内の１種または２種を合計で０．１〜１．０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＧａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｅ，Ｅｕの内の１種または２種を合計で０．０５〜０．８質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕターゲットの代替として用いることができるＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＲｕとＰｄを主要成分として含有するＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットであって、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有して残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金相と、不可避的不純物を含むＲｕ相とが互いに分散した構造を有するようにする。
また、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｒｕ−Ｐｄ合金粉末に、粉末全体に対するＰｄの含有量が１〜５０ａｔ％となるように不可避的不純物を含むＲｕ粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形して、Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び／又は絶縁膜と直接接触するＣｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は基板側から順に、合金成分としてＸ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、ＢおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を含有するＣｕ−Ｍｎ−Ｘ合金層（第一層）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる層（第二層）で構成されたＣｕ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】必要に応じて日射調整することが可能であり、採光性を確保しつつ日射遮蔽性に優れる透明ロールスクリーンを提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムよりなるスクリーン基材１４と、スクリーン基材１４の少なくとも一方面に接着された透明積層フィルム１２と、を備え、透明積層フィルム１２が、透明高分子フィルムよりなるフィルム基材１６の少なくとも一方面に日射遮蔽性を有する積層構造部１８を備えた構成であり、可視光透過率６５％以上、日射遮蔽係数０．６９以下、可視光反射率１０％以下、ヘイズ２．０以下に設定されたシート材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）