【課題】スパッタリング法による配線膜形成において、スパッタリングによる異常放電を抑制しつつ、高速成膜を実現することを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材は、４Ｎ（９９．９９％）以上の無酸素銅に銀を添加した銅合金からなる。銀は、形成される膜の抵抗率が無酸素銅の抵抗率と同等に得られるように微量に添加される。銀の添加量としては、２００〜２０００ｐｐｍの範囲が好適である。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗で、かつ繰返しの加熱環境にあって抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜、そのＮｉ合金電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 基板上に形成される電極膜であって、０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有し、抵抗率が３０μΩｃｍ以下である繰返し加熱における抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜である。また、繰返し加熱に曝される電極膜形成用に用いられる０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有するＮｉ合金電極膜形成用スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを不活性ガス中で加熱、溶解してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を作製する工程と、四元系合金溶湯を鋳造してインゴットを作製する工程と、インゴットを粉砕して四元系合金粉末を作製する工程と、四元系合金粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、四元系合金溶湯を作製する工程で、ＩｎとＧａとが全て溶解する温度であってＳｅの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のＳｅと、液相のＩｎとＧａとからなる溶湯とが共存する第１の溶解工程Ｓ１と、該第１の溶解工程後に四元系合金の融点以上の温度に加熱して四元系合金溶湯を作製する第２の溶解工程Ｓ２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）

半導体カルコゲニド膜の堆積のためのスパッタターゲットが記載される。前記スパッタターゲットはターゲット体を含み、前記ターゲット体の組成物はＣｕ_１−ｘ（Ｓｅ_{１−ｙ−ｚ}Ｓ_ｙＴｅ_ｚ）_ｘを含み、ｘは約０．５以上、ｙは約０から１の間、ｚは約０と約１の間及ターゲット体組成物でのＳｅ、Ｓ及びＴｅの合計量がターゲット体組成物の５０体積パーセント未満である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ａ群（Ｎｉ，Ｃｏ）から選択される少なくとも１種と、Ｂ群（Ｌａ，Ｎｄ）から選択される少なくとも１種を含有し、スパッタリングターゲットの圧延面に対して垂直な断面のうち、圧延方向と平行な面における、圧延方向の結晶粒径を測定したとき、平均結晶粒径が５００μｍ以下であり、且つ、最大結晶粒径が１５００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないかつ結晶粒サイズを制御した低コストでスパッタリング時のスプラッシュ等の不具合の発生のないアルミニウム製のスパッタリングターゲット材を提供する。また、このようなスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を、既存の設備を使用して大規模サイズの一枚物として製造できるスパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法、及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を提供する。
【解決手段】Fe、Siをそれぞれ0.001〜0.01質量％、Cuを0.0001〜0.01質量％含有するアルミニウム鋳造インゴットを熱間加工するに際し、熱間加工の中の少なくとも1回の加工を、加工率（R）が温度（T）の関数としてR（％）≧−0.1×T＋80（300℃≦T≦500℃）で示される条件で行うことによりスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を製造する。 （もっと読む）

【課題】低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属薄膜の形成に有用であり、好ましくはスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｆｅを０．００１０〜０．４質量％と、Ｓｉを０．００１０〜０．５０質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ガス雰囲気中におけるカソードスパッタリングにより、且つ、少なくとも１つの金属ターゲット（１６）を使用することにより、摩擦的に有効な摺動層（６）を有する基材の表面（５）を被覆することによって滑り軸受要素（１）を製造する方法であって、円筒形空洞（３）を有する基材が使用され、且つ、ターゲット（１６）は、空洞（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ、更には、ターゲット（１６）をスパッタリングするための放電は、第３電極（２６）によって支持又は維持される方法に関する。
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【課題】 十分な耐食性を有すると共に優れた表面平滑性を有し、湿熱環境でも表面粗さが小さい光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜形成のためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｍｇ：３〜８質量％およびＣｅ：３〜８質量％を含有し、さらにＰｄ：４〜１５質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなる組成のアルミニウム合金からなる。これにより、十分な耐食性および表面平滑性を有すると共に、湿熱環境においても表面粗さが小さく維持される。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐食性を有すると共に優れた表面平滑性を有し、湿熱環境でも表面粗さが小さい光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜形成のためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｍｇ：３〜８質量％およびＣｅ：３〜８質量％を含有し、さらにＴａ，Ｍｏのうち１種又は２種を合計で６〜１５質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなる組成のアルミニウム合金からなる。これにより、十分な耐食性および表面平滑性を有すると共に、湿熱環境においても表面粗さが小さく維持される。 （もっと読む）

【課題】Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用の高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属を提供する。
【解決手段】Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた非晶質膜である垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金および軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】原子比でＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０〜３５：６５の組成比のＣｏ−Ｆｅ系合金において、添加元素としてＹを４原子％以上および（Ｔａ、Ｎｂ）から選ばれる１種または２種の元素を３原子％以上含有し、かつ該添加元素の含有量の総和が１５原子％以下の軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、該合金による軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。
【解決手段】２５．０≦Ｃｕ≦４５．０ｍａｓｓ％、及び、１．０≦(Ｃｏ、Ｍｏ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。５．０≦Ｃｕ≦２５．０ｍａｓｓ％、及び、０≦(Ｆｅ、Ｍｎ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】粗金属Ｔａをエレクトロンビーム溶解して高純度Ｔａインゴットを精製する工程と、得られた高純度Ｔａインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す工程と、塑性加工を施した前記高純度Ｔａインゴットに熱処理を施す工程と、を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、及びパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＣａ酸化物を含有するＣｕ合金下地層４ａを有し、該Ｃｕ合金下地層４ａと絶縁膜１との界面にＣａＳｉ酸化物が偏析している。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】光メディアの反射層用スパッタリングターゲットは、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む。光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を示し、且つ、表示装置の製造過程における現像液耐食性や剥離液耐食性も高められた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、グループＡに属するＮｉおよび／またはＣｏの元素を０．５原子％以下（０原子％を含まない。）と、Ｇｅを０．２〜２．０原子％と、グループＢに属するＹおよび／またはＺｒの元素を３原子％以下（０原子％を含まない。）とを含有する。 （もっと読む）

本発明は、低放射層；及び前記低放射層上に形成された誘電体層を含み、放射率が０．０１〜０．３で、可視光透過率が７０％以上の低放射ガラス及びその製造方法に関するものである。本発明によると、放射性能に優れると同時に、高い可視光透過率を表す低放射ガラスを提供できる。また、本発明によると、上記のような低放射ガラスの製造工程を簡素化でき、初期投資費用を節減できる。 （もっと読む）