【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｇａ：０．１〜０．６質量％を含有し、さらにＰｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０５〜０．２質量％を含有するか、またはＩｒ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、Ｒｅ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％もしくはＩｒおよびＲｅの合計：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなり、前記Ａｇは９９質量％以上含有している成分組成からなる。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｅｕ：０．００２〜０．１質量％を含有し、さらに必要に応じてＰｒ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの内から選ばれる１種または２種以上を合計で０．０５〜０．２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射膜および半透明反射膜並びにそれら反射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．００５〜０．１質量％、Ｅｕ：０．００２〜０．１質量％を含有し、さらにＩｒ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、Ｒｅ：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％、またはＩｒおよびＲｅの合計：０．００５〜０．２質量％かつＰｄ：０．０１〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【要約書】
【課題】 半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕであることを特徴とする自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 （もっと読む）

本発明は、高純度のＮｉ−Ｖを含む、スパッタリングターゲットのようなスパッタリング部品を包含する。このスパッタリング部品は全体を通して微細な結晶粒径を有することができ、この場合適例としての微細平均結晶粒径は４０ミクロンに等しいか、またはそれより小さい結晶粒径である。本発明は、また、高純度のＮｉ−Ｖ構造物を製造する方法も包含する。 （もっと読む）

【課題】ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲット用インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットを、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用して、スパッタリングターゲット用インゴットを作製する。 （もっと読む）

【課題】
耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅を、酸素濃度０．１容量ｐｐｍ以下の雰囲気で、溶解し、さらに鋳造を行う。得られた鋳塊に機械加工と中間焼鈍を行い、その後有機洗浄とエッチングを行ってスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】Ｔｉ原料からＡｌを除去してＡｌ濃度が３ｐｐｍ以下であるマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ材を調製し、このＴｉ材を用いてＡｌ含有量が原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下であり結晶質または非晶質であるコンタクトバリアー又はゲート電極層をスパッタリング法により形成することを特徴とするソース−ドレイン領域の接合深さが０．３μｍ以下である半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 特に、酸素含有量や炭素含有量の極めて少ないスパッタリングターゲット用に適した高純度ハフニウム材の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウム材を製造するにあたり、酸化ハフニウムを塩化してハフニウム塩化物を得、次いで上記ハフニウム塩化物を活性金属により還元して金属ハフニウムとし、さらに上記金属ハフニウムを減圧下で精製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、常温やカラー液晶ディスプレイの製造工程である加熱工程において、硫化による黄色化を生じにくく、反射の低下が極めて少ない特性を持った反射電極膜を形成しうるＡｇ−Ｇｅ系銀合金を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る銀合金は、Ａｇを主成分とし、耐硫化特性を持たせるために、少なくともＧｅを０．０１〜１０.０ｗｔ％含有したＡｇ合金であり、また、他の特性を持たせるためにＧｅと典型金属元素、半金属元素、遷移金属元素の少なくとも１種を合計で０．０１〜１０．０ｗｔ％含有したＡｇ合金であることを特徴とする。 （もっと読む）

スパッタリングターゲットは、タンタル粉末を一体化成形することにより生成するタンタル結晶粒とスパッタリング面を有するタンタル体を含む。スパッタリング面は、基板を被覆するために、タンタル原子をスパッタリング面から離して移送する原子移送方向を有する。タンタル結晶粒は、スパッタリングの均一性を増すように、スパッタリング面から離れる原子移送方向において、少なくとも４０パーセントの（２２２）方向の配向率と、１５パーセント未満の（１１０）方向の配向率を有し、タンタル体は後方散乱電子回折により検出できる（２００）−（２２２）方向バンドが無く、前記スパッタリングターゲットは、少なくとも９９．９９（％）パーセントの純度を有する。
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本発明は、ポットを形成するための、コンピュータ実行される方法に関し、この方法は、（ａ）高融点金属コンポーネントを含むインゴットを第１の工作物に切断し；（ｂ）第１の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第２の工作物を形成し；（ｃ）第２の工作物を真空又は不活性ガス中で少なくとも約１２００℃の第１の温度まで第１の焼きなまし工程にさらし、これにより、焼きなましされた第２の工作物を形成し；（ｄ）第２の工作物の直径を減じることによって、焼きなましされた第２の工作物を再び鍛造し、これにより、第３の工作物を形成し；（ｅ）第３の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第４の工作物を形成し、（ｆ）第４の工作物の直径を減じることによって、第４の工作物を再び鍛造し、これにより、第５の工作物を形成し；（ｇ）第５の工作物を第２の焼きなましステップまで、第５の工作物を完全に再結晶させるように十分に高い温度までさらし；（ｈ）第５の工作物をアプセット鍛造条件にさらし、これにより、第６の工作物を形成し；（ｉ）焼きなましされた第６の工作物を複数の圧延パスにさらすことによって、焼きなましされた第６の工作物をプレートに圧延し；この場合、焼きなましされた第６の工作物は、少なくとも１つのパスの後に厚さが減じられており、焼きなましされた第６の工作物は、例えば各２つのパスの間に回転させられ、（ｋ）プレートに第４の焼きなまし工程を行い、これにより、プレートを形成し、第４の焼きなまし工程が（１）工程（ｊ）の後でかつ工程（ｋ）の前、又は（２）工程（ｋ）の後に行われ、ポットに処理するために適した少なくとも１つの工作物又はプレートの寸法が、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって予め決定され、これにより、工程（ｂ）〜（ｊ）における少なくとも１つの工作物又は工程（ｋ）におけるプレートが、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって決定される寸法と実質的に同じ寸法を有することを含む。ポットに処理するのに適した少なくとも１つの工作物又はプレートの寸法は、工程（ｂ）〜（ｊ）における少なくとも１つの工作物又は工程（ｋ）におけるプレートが、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって決定された寸法と実質的に同じ寸法を有するように、コンピュータ実行される有限要素モデリング評価法によって予め決定される。 （もっと読む）

Ｐｔ含有量が０．１〜２０ｗｔ％であるＮｉ−Ｐｔ合金であって、ビッカース硬度が４０〜９０である加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金及び同ターゲット。３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金の製造方法。Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供することを目的とする。 （もっと読む）

金属プレート、並びにスパッタリングターゲット、を作る方法が記載される。さらに、本発明のプロセスで作られた製品がさらに記述される。本発明は好ましくは、金属製品の表面の大理石模様を減少させた又は最小にしたいろいろな利点がある製品を提供する。
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本発明は、銀を主成分とし、第１の添加元素として銀より高融点の元素を少なくとも１種含んでなる反射率維持特性に優れる銀合金である。本発明において、第１の添加元素は、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステンが好ましい。また、本発明では、第２の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、クロム、ゲルマニウム、インジウム、錫、鉛、アルミニウム、カルシウム、ガリウム、ビスマス、アンチモン、ストロンチウム，ハフニウム、ガドリニウム、サマリウム、ネオジウム、ランタン、セリウム、イッテルビウム、ユーロピウムの少なくとも１種を含むものが好ましい。 （もっと読む）

親水性、防曇性を有し、透明性に優れ、かつＵＶ光によるガス分解性を有する、可視光応答性を有するＴｉ酸化物膜およびその製造方法並びにＴｉ酸化物膜付き基体を提供する。 ガラス基板上に形成されたＴｉ酸化物膜であって、１００ｍＷ／ｃｍ^２の輝度を有するキセノンランプの光を、４００ｎｍ未満の紫外光をカットして前記Ｔｉ酸化物膜に照射しながら前記Ｔｉ酸化物膜に電圧を印加したときの電流値が、暗所における前記Ｔｉ酸化物膜に該電圧と同じ電圧を印加したときの電流値に対して１０００倍以上であるＴｉ酸化物膜。 （もっと読む）

タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を１とした時に、（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が０．５を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲットを得ることを課題とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来生じていたスプレードライヤーで得られる造粒粉の成形時でのつぶれ性のばらつきによる強度低下や、密度の低下という問題のない高強度で高密度のＩＴＯターゲットを得る方法の提供を課題とする。
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化スズ粉と水と有機バインダーとを混合し粉砕し、これを噴霧乾燥して造粒粉を得、得られた造粒粉を均一混合した後加圧成型し、得られた成型体を焼成してＩＴＯターゲットを得る方法において、有機バインダーとしてケン化度９０〜９５ｍｏ１％、重合度４００〜１０００のポリビニルアルコールを酸化インジウム粉と酸化スズ粉の合量に対して１．０〜３．０重量％となる量を加え、加圧成型前の造粒粉の水分率を０．１５〜０．４重量％とする。 （もっと読む）