【課題】出力密度を上げることでコーティング処理の効率を向上したマグネトロンスパッタリング源、スパッタコーティング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング源はコーティング用プラズマを発生させるための手段と、磁場を発生させることでコーティング用プラズマに影響を与え、少なくとも１つのプラズマチャネル８をターゲット４の一部４´上方で発生させるための少なくとも１つの磁石配列７を備える。磁石配列７及びターゲット４の表面４´は相互に運動可能となるように配置され、これによりプラズマチャネル８はターゲット４の表面４´上方を横断可能となる。プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 （もっと読む）

デュアルマグネトロンスパッタリングモードで動作する、少なくとも第１および第２のスパッタリングカソードを備えるマグネトロンスパッタリング装置に使用するデュアルマグネトロンスパッタリング電源であって、それぞれ前記第１および第２のカソードに伴われ、かつそれぞれが対応する前記第１および第２のカソードへの反応ガス・フローを制御するように適合された第１のフロー制御バルブ（１２）および第２のフロー制御バルブ（１４）を介して、前記第１のカソード（１）および第２のカソード（４）のそれぞれに対して反応ガス・フローを供給するための手段を備え、前記電源は、前記第１および第２のカソードのそれぞれについて、前記カソードで発生する過剰な電圧に関連してフィードバック信号を送付する手段と、前記それぞれのフロー制御バルブを調整することにより前記それぞれのカソードが伴うそれぞれのフロー制御バルブへの前記反応ガス・フローを制御するともに、前記それぞれのカソードから前記カソードについて設定される設定値に対応した電圧フィードバック信号を取得するように、前記フローバルブを調整する制御回路と、を備えるデュアルマグネトロンスパッタリング電源である。また、このような電源が組み込まれたマグネトロンスパッタリング装置が請求されている。
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【課題】複数の高周波電力変換器を並列運転させる交流電源装置において、各電源系統で分担する電流値の差を小さくし、均等な電流分担を実現可能な交流電源装置を提供する。
【解決手段】交流電源装置１は、整流器１０１−１，２、平滑用コンデンサ１０２−１，２、高周波電力変換器１０３−１，２、直列共振回路２−１，２とコイル３−１，２とを有する直列共振回路４−１，２、及び絶縁トランス１０７−１，２を備える。直列共振回路２−１，２は、２つの電源系統において、コンデンサ４−１，２を共用して構成される。これにより、コイル３−１，２のインダクタンスの僅差、コンデンサ４−１，２のキャパシタンスの僅差がある場合であっても、これらは第１の電源系統の電流値及び第２の電源系統の電流値の両方に影響を与えるから、その影響により電源系統の電流差は互いに打ち消される。したがって、これらは共用したコンデンサ４−１，２により吸収され、それぞれの電源系統の電流差への影響を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置用電源回路において、ターゲット表面に寄生容量が形成されることを防止するために、直流電源から直流電力を供給する際に、逆バイアス用電源から逆極性のパルス状電圧をこの直流電力に重畳させていたが、逆バイアス用電源は比較的大きな容量を必要とし、駆動回路が大きく且つ重くなった。
【解決手段】２つの出力端子の間に逆バイアス用電源と第１のスイッチング素子とを直列に接続し、直流電源の一方の端子と出力端子の間にインダクタと第２のスイッチング素子とを直列に接続し、逆バイアス用電源と第１のスイッチング素子との間の接続点と、前記インダクタと前記第２のスイッチング素子の接続点との間に第１のダイオードを接続して、第１のスイッチング素子がオン動作する期間に前記インダクタを流れる電流を前記第１のダイオードによりバイパスさせることにより、逆バイアス用電源の容量を小さくした。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を検出して電源を遮断した後の任意の時刻において、アーク放電が連続的に発生するか否かを検出することができ、かつハードアークを抑制することができるアーク放電抑止装置およびその方法を提供する。
【解決手段】第２のアーク制御器１２２は、保持器１２３、モノステーブル回路１２４，Ｒ−Ｓフリップフロップ回路１２５およびオンディレイタイマー１２６を備える。保持器１２３は、アーク放電を検出してから所定の時定数だけアーク検出信号を保持する。Ｒ−Ｓフリップフロップ回路１２５は、モノステーブル回路１２４によりアーク放電を検出してから所定時間が経過した際に、アーク検出信号を保持しているときには、そのアーク放電をハードアークと判定し、さらにオンディレイタイマー１２６により所定時間だけ経過したとき、電源を再起動する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一の物品上に材料のスパッタ蒸着をしコーティングを形成することを可能にするために用いられる装置と方法の提供に関するものである。
ここで記載された新しいマグネトロンの形状により、より高い電力において、かつ形成されたコーティングへの損傷を与えることなく、得られるスパッタ蒸着速度を上げることが可能となる。
これは、冷却を向上し、当該マグネトロン内に比較的強い磁場を使用し、同時に電圧より速い速度で電流を上げることによりマグネトロンへの電力を上げることによって達成される。 （もっと読む）

【課題】ガスフロースパッタリングによる高速成膜におけるアーキングなどの異常放電の発生を抑制して、欠陥のない高品質の薄膜を安定に成膜する。
【解決手段】ガスフロースパッタリング装置による成膜方法において、該ガスフロースパッタリング装置の電源としてパルス電源２０を用いてパルススパッタリングを行う。ガスフロースパッタリング装置において、ＤＣ電源に代えてパルス電源２０を用いることにより、好ましくは対向して設置されている２枚のターゲットに対して、片方がカソードとして放電している時に、もう一方はアノードとして作用するように交互に電力を印加するデュアルカソードパルススパッタリングを行うことにより、広い範囲で安定して放電が可能となり、更なる高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】光吸収特性の再現性よく安定して光吸収膜を成膜することのできるスパッタ成膜方法を提供し、該スパッタ成膜方法により成膜される光吸収膜を提供する。また、装置の切り替えロスなく、プロセス条件の変更のみにより形成することのできるＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】ＮＤフィルター１０は、基板１１上に、第１層１２ａとしてＳｉＣ_ｘＯ_ｙ（０．３＜ｘ＜０．４５，１．０＜ｙ＜１．７）層、第２層１３としてＳｉ層、第３層１２ｂとしてＳｉＣ_ｘＯ_ｙ（０．３＜ｘ＜０．４５，１．０＜ｙ＜１．７）層、第４層１４としてＳｉＯ_２層が積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する
【解決手段】基板に数十Å程度のメタル膜を堆積させる工程と、該メタル膜内部まで化合物絶縁膜とする化合物工程とを交互に繰り返し、前記基板に１００Å程度の化合物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】シングルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、ターゲット電極に印加する印加電力のデューティ比を６０％以下としたこと、又はデュアルカソードパルススパッタリング法による二酸化チタン薄膜の成膜方法において、２つのターゲット電極にそれぞれ印加する印加電力のデューティ比を４０％以下としたことを特徴とする結晶性二酸化チタン薄膜の成膜方法。
【効果】本発明により、低温あるいは無加熱基板への結晶性二酸化チタン薄膜の形成が可能となり、耐熱性の低い基板、例えば高分子フィルム上にも３００℃以下の低温基板加熱あるいは全くの基板無加熱にて結晶性二酸化チタンを形成することができる。フィルムへのＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ連続成膜も容易で、これにより光触媒フィルムを容易に作製できる。 （もっと読む）

【課題】シート状の有機ＥＬ構造体（基板）の面に真空下で成膜される薄膜の密度が高く、薄膜気孔率および内部応力が低く、成膜プロセス中に基板温度が低下することにより高品質な薄膜及び基板面への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】作動チャンバ内に基板を固定配置するステップと、当該作動チャンバに窒素とアルゴンとの作動ガス混合物を給送するステップと、少なくとも１つのイオン源からイオンビームを生成するステップと、指向性のあるイオンビームによりシリコンターゲットをスパッタリングするステップと、基板面のスキャンにより被スパッタリング材料を基板に層状に堆積するステップと、基板に対してイオン源をターゲットとともに相互移動させるステップとを含む方法であって、薄膜を２ｎｍから１０ｎｍの範囲内の厚さに生成し、作動ガス混合物中にヘリウムを導入する方法。 （もっと読む）

【課題】低温あるいは無加熱の基板上へ結晶性薄膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】シングルカソードパルススパッタリング法による薄膜の成膜方法において、ターゲット電極に印加する印加電力のデューティ比を６０％以下とする。又、デュアルカソードパルススパッタリング法による薄膜の成膜方法において、２つのターゲット電極にそれぞれ印加する印加電力のデューティ比を４０％以下とする。
【効果】シングルカソードパルススパッタリング法、又はデュアルカソードパルススパッタリング法において、低温あるいは無加熱の基板上へ結晶性薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

蒸着ターゲットをコンディショニングするための方法およびシステムが記載される。例示的な一実施形態では、蒸着システムが稼動され、稼動においては、蒸着ターゲットが使用され、蒸着システムにおける電気アークの発生が検出され、実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、蒸着システムに給電する電源の出力電流を調整することによって、およびエネルギが各アークに供給される間隔を調整することによって、蒸着ターゲットがコンディショニングされる。一部の実施形態では、各アークに供給されるエネルギは、蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しい。記載された方法およびシステムは、ターゲットから不純物を除去するために必要な時間を大幅に短縮し、真空チャンバの換気、またはターゲットのチャンバからの取り外しを必要としない。
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【課題】従来のスパッタリング装置では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成するスパッタリング装置を提案する。
【解決手段】スッパタ用ガスと反応ガスとがそれぞれ導入される真空室１内に、直流電流５に接続されたターゲット６とその背後に磁石７および前記ターゲット前方のイオン化効率を高めるＲＦコイル８とを備えたマグネトロンカソード９を設け、前記ターゲットを異常放電力防止回路を介して前記直流電流に接続する。 （もっと読む）

少なくとも１つの基材（１２）を処理するための真空処理装置（１０）であって、処理チャンバ（１４）と、少なくとも１つのカソード（１６）と、チャンバ内で気相で存在する材料のイオンおよび／またはカソードを形成する材料のイオンを発生するためにカソードに付随した電源（１８）と、基材キャリア（２０）と、基材キャリアおよびその上に存在する基材に負バイアスを印加するためのバイアス電源（３２）とを有し、これにより前記イオンを前記少なくとも１つの基材に引きつけ、前記カソード電源は比較的短い持続時間で比較的高い電力のパルスをＤＣ動作に比べて低い平均電力レベル、例えば約１ＫＷから１００ＫＷの範囲で前記カソードに加えるように適合されている、真空処理装置において、バイアス電源は、バイアス電流が平均電力レベルに略対応するレベルで流れることを可能にするように適合されており、および比較的高い電力パルスが前記少なくとも１つのカソードに加えられる際に比較的高い電力パルスの電力に適合するバイアス電圧を供給するために、比較的低い誘導性および抵抗性インピーダンスの追加の電圧源がバイアス電源に付随している、ことを特徴とする真空処理装置である。
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【課題】従来よりも高速で成膜でき、かつバッチ処理プロセスなしで透明薄膜を得ることができるスパッタ成膜方法を提供し、該スパッタ成膜方法により得られる反射防止膜を提供する。
【解決手段】ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】スパッタリング空間内のスパッタリングに用いる固定装置が、スパッタリング源に電流を伝えるための電気および熱伝導性材料の送電手段２、１０、１３、１５、１６、１７、１８と、送電手段がスパッタリング空間から電気絶縁され得るように、スパッタリング空間から送電手段を遮蔽するための遮蔽手段１、４、５、６、１２とを含み、最高１１５０℃までの固定装置の耐熱性および電気放電に対する抵抗性を保証するために、耐熱手段１、５を設けて成る。 （もっと読む）

【課題】 スパッタで生じたプラズマ中の荷電粒子による基板及び基板上に成膜された皮膜の損傷を抑制できる対向ターゲット式スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 互いに対向するスパッタ面を有する一対の主ターゲット２ａ、２ｂと、主ターゲットの近傍位置にそれぞれ配置されて互いに異なる極性を有しスパッタ面に垂直な磁界を発生する磁界発生源４ａ、６ａ、４ｂ、６ｂと、主ターゲット間の空間２０の一側面に配置された補助ターゲット２ｃと、空間２０の他の側面に配置される基板１２を保持する基板ホルダー１０と、主ターゲットに対して補助ターゲットの電位が反対になるように各ターゲット間に電圧を印加する電源１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングプロセスにおいて、ターゲット、特にインジウム錫酸化物ターゲットに瘤塊が形成するのを防止するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２の形をしたコーティング材をスパッタリングすることによって基材をコーティングするに際して、上記ターゲットはスパッタリング中にターゲットの位置に、ターゲットの領域の傍を通って、またはターゲットを通り抜けて供給される冷却媒質によって冷却される。また、上記冷却媒質の供給温度は２０℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】、非導電性材料製ターゲットをも適用し得るガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガスフロースパッタリング装置の電源として、交流電源、好ましくは高周波電源を用いる。ガスフロースパッタリング装置の電源として交流電源を用いるため、非導電性材料よりなるターゲットを用いて成膜することが可能となる。 （もっと読む）